【課題】昇降温を繰り返しても接触面での接触不良が生じ難く、長寿命なだけではなく、ヒータ本来の温度分布を低下させずに均一な加熱を可能とするユニットを提供すること。
【解決手段】支持基材１の主面に設けられた導電路を有する発熱体２と、端部端子が導電路および電源部に設けられた端子と接続された棒状電極４と、棒状電極４を発熱体２に押圧して密着させるためのばね部であるコイルばね５と、棒状電極４をサポートする電極支持部６を備えている。コイルばね５はブッシュ９によりサポートされ、当該ブッシュ９と固定ボルト７及びナット８の作用によりコイルばね５が圧縮されて、棒状電極４の一方端部に設けられた端子が発熱体２の導電路に設けられた端子と密着することとなる。支持基材１の加熱試料支持面と反対の面側に設けられている電極支持部６は、断熱又は発熱体側への熱輻射により、発熱体２からの放熱を抑制する効果を奏する。 （もっと読む）

【課題】接着シートＳに貼付された被着体Ｗを複数の小片ＷＴに切断し、接着シートＳを引き伸ばしてこれら小片ＷＴ間に間隙を形成するエキスパンド装置であって、手間のかかる機械部品のセット作業を不要とした、小型で簡単構造のものを提供する。
【解決手段】接着シートＳが間に挟まれるように被着体Ｗを載置するステージ１を備える。ステージ１の表面には、被着体Ｗの外縁からはみ出た接着シートＳ領域が載置される位置に凹溝１１が形成され、吸引手段２によって凹溝１１内に接着シートＳを吸引して凹溝１１よりも内方に位置する接着シートＳを引き伸ばす。 （もっと読む）

【課題】載置台に大きな熱応力が発生することを防止して、この載置台自体が破損することを防止することができると共に、腐食防止用のパージガスの供給量を抑制することができる載置台構造を提供する。
【解決手段】排気可能になされた処理容器２２内に設けられて処理すべき被処理体Ｗを載置するための載置台構造において、被処理体を載置するために少なくとも加熱手段６４が設けられた誘電体よりなる載置台５８と、処理容器の底部側より起立させて設けられると共に、上端部が載置台の下面に接合されて載置台を支持する誘電体よりなる複数の保護支柱管６０と、保護支柱管内に挿通されて上端が載置台に届くように設けられた機能棒体６２とを備える。 （もっと読む）

【課題】パッドの耐圧強度を維持または向上させつつ、パッド全面からの均一な流量分布を実現した真空吸着装置を提供する。
【解決手段】その表面で被処理物を吸着保持しその裏面で真空源に通じる多孔質材料から成る真空吸着パッド２の裏面に、複数の環状溝２１と、その環状溝を放射状に互いに連通する連通溝２２とを備えるようにして、真空吸着パッドの裏面とホルダー３の内底面との間に溝状の隙間をつくる。また、連通溝を同一放射状線上からずらして、連通溝にかかる応力を同一放射状線上から分散させる。 （もっと読む）

【課題】処理液の消費量を低減することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持するための支持リング８を有するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに処理液を供給する洗浄液ノズルおよびリンス液ノズルとを備えている。支持リング８は、支持リング８に保持された基板Ｗの上面から外方へと処理液が流れていくように、当該基板Ｗの全周を取り囲んで当該基板Ｗの外周縁を外方に拡張するように設けられた環状の拡張面３６を有している。拡張面３６は、処理液に対する疎液性が基板Ｗよりも高い疎液面とされている。 （もっと読む）

【課題】冷媒溝あるいはヒータ密度の局所的不均一がある場合においても試料表面温度を均一に保持する。
【解決手段】内部が減圧排気される処理室内に処理ガスを供給し、さらに該処理室内に高周波エネルギを供給してプラズマを生成し前記処理室内に配置された試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に用いられ、試料を前記処理室内に載置して保持する試料載置電極１１３において、該試料載置電極１１３は、温度調節された冷媒を通流させるための冷媒溝１２２を備えた基材部１２１と、該基材部１２１の試料を載置する面上に順次配置された均熱部材１２７および多層誘電体膜１２３を備え、前記均熱部材はＡｌＳｉＣ合金であり、前記均熱部材上に配置した多層誘電体膜は誘電体膜間に狭持されたヒータ層および静電吸着用電極層を具備する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの種類にかかわらずその温度分布を最小限にして成膜することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜が行なわれるシリコンウェハ１０１の種類に応じて、シリコンウェハ１０１の面内の温度分布を均一にするのに最適な第２の部材１０７を選択して成膜室１０２内に搬送し、第１の部材１０３に載置することでサセプタ１１０を完成させる。第２の部材１０７は、シリコンウェハ１０１の温度分布に応じて厚みが変化している。これにより、異なる種類のシリコンウェハ１０１を処理する場合であっても、温度分布を最小限にして成膜することができる。保管室には、第２の部材を加熱する第２の加熱部が設けられていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ウェーハとサセプタとの間のスティッキングの発生を防止しつつ、ウェーハ載置部の外周部に設けられた当接部とウェーハとが当接した際に、ウェーハのテーパー加工の違いによらずウェーハ載置部の内周面とウェーハ外周縁との距離が一定となるようなサセプタを提供すること。
【解決手段】半導体ウェーハ８を載置する円形凹状のウェーハ載置部７を上面に有し、ウェーハ載置部７に載置された半導体ウェーハ８の外周部に対して、実質的に点接触又はウェーハ載置部７の深さ方向に延びる線に沿って線接触した状態で当接可能に形成された当接部９が、ウェーハ載置部７の外周部に沿って少なくとも３箇所設けられており、ウェーハ載置部７を平面視した場合に、ウェーハ載置部７の任意の直径で分けられる２つの領域のそれぞれに当接部９が少なくとも１つ含まれ、当接部９の高さが半導体ウェーハ８の厚さの１／２〜１倍であるサセプタを使用する。 （もっと読む）

【課題】ビームの照射によってウェーハと保持ピンとの間に温度差が生じるのを防ぐことのできるウェーハ保持具について、提供する。
【解決手段】イオン注入装置においてウェーハを保持する保持ピンを複数有するウェーハ保持具であって、該保持ピンは、ウェーハの端面と接してウェーハの動きを規制するヘッドと、該ヘッドから突出しウェーハが載置されるフランジとを有し、前記ヘッドは、ウェーハが載置される側とは異なる向きに延びる庇部を備える。 （もっと読む）

【課題】電気的ノイズやヒートスポットを発生することなく信頼性の高い検査を高精度に行うことができる被検査体の受け渡し機構を提供する。
【解決手段】本発明の受け渡し機構１０は、互いに所定の間隔を空けて載置台２０（載置体２２）上を横切って配置された２本の絶縁性及び耐熱性のある線材１１と、これらの線材１１それぞれを載置体２２の載置面に対して平行に張設し且つ載置体２２の水平方向外側にそれぞれ配置された２対の支持体１２と、これらの支持体１２によってそれぞれ張設された各線材１１を収納するように載置体２２の載置面にそれぞれ形成された２本の溝１３と、各線材１１を載置体２２の上方と各溝１３間で昇降させる昇降駆動機構２３と、を備え、２本の線材１１を介してウエハ搬送機構４０と載置体２２との間で半導体ウエハＷを受け渡すように構成されている。 （もっと読む）

基板上の粒子汚染を低減する技術が開示される。特定の代表的な一実施例において、その技術は、異なる領域を有し、それらの領域における圧力レベルをほぼ等しくできるプラテンを使用することにより実現できる。例えば、そのプラテンは、前記基板の温度を所望の温度に維持するための流体を保持する流体領域を規定する第１の凹部と、接地回路を保持する第１のキャビティを規定する第２の凹部とを有するプラテン本体と、前記流体領域に隣接する第１の開口と前記第１のキャビティに隣接する第２の開口とを有する、前記プラテン本体中に規定される第１のビアとを具え、前記流体領域の圧力レベルは前記第１のキャビティの圧力レベルとほぼ等しいレベルに維持することができる。
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【課題】セラミックス接合体の絶縁不良の発生を抑制する。
【解決手段】セラミックス接合体は、被接合体と、セラミックスにより形成され、内部と被接合体に対向する第１の表面との一方に電極を有し、第１の表面が被接合体に接する状態で被接合体に接合されたセラミックス体と、を備える。セラミックス体の第１の表面とは反対側の第２の表面における残留応力は６０ＭＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】基板支持体および該基板支持体を製造する為の方法が提供される。
【解決手段】本発明の一実施形態において、基板支持体は、電気的絶縁性被膜により覆われている基板支持面を有する伝導体を含む。基板支持面の中心にある被膜の少なくとも一部は、約８０から約２００ミクロインチ間の表面仕上げを有する。他の実施形態において、基板支持体は、メッキ処理されたアルミニウム本体を含み、そのアルミニウム本体は、上部に基板を支持するように適合された本体の一部に、約８０から約２００ミクロインチの表面仕上げ処理部を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の粗研磨工程において、裏面への研磨剤の流れ込みを防ぎ、かつより均一に基板を貼付台へ固定する方法を提供する。
【解決手段】被研磨基板を固定するための貼付台を加熱して熱可溶性接着剤を塗布する塗布工程と、前記熱可溶性接着剤を弾性体により加圧する接着剤加圧工程と、前記弾性体に付着した前記熱可溶性接着剤を除去する除去工程と、前記被研磨基板を前記熱可溶性接着剤上に設置する基板設置工程と、前記被研磨基板を前記弾性体により加圧する基板加圧工程と、前記被研磨基板を前記被研磨基板の貼付台と供に取り出す取り出し工程と、から成る結晶基板の固定方法。 （もっと読む）

【課題】チップの特性を劣化させることなく低コストで基板へ実装することが可能な実装方法および吸着コレットを提供する。
【解決手段】吸着コレット１００として、セラミック（例えば、窒化アルミニウムなど）により形成されるとともにＬＥＤチップ（チップ）１の吸着部位１０１を含む第１の平面Ｐ１とＬＥＤチップ１における接合面を含む第２の平面Ｐ２との間で第１の平面Ｐ１および第２の平面Ｐ２に平行な仮想平面ＶＰ（ここでは、第１の平面Ｐ１と同一平面）上に表面が位置する熱放射領域１０２を吸着部位１０１の周囲に設けたものを用い、ＬＥＤチップ１を介するウェハ（基板）２００の加熱に加えて熱放射領域１０２からの熱放射によりウェハ２００を加熱するようにしている。 （もっと読む）

【課題】載置部の多孔質体の目詰まりを防止して均一な吸着力を発揮し、装置の長寿命化を可能とする。
【解決手段】基板を吸着保持するためのセラミックス多孔質体からなる載置部と、該載置部の周囲を取り囲むセラミックス多孔質体からなる凹型吸引部と、前記凹型吸引部の気孔に連通する吸引孔を有し、前記凹型吸引部を支持する支持部と、を備えた真空吸着装置であって、前記載置部及び前記支持部は、前記凹型吸引部と実質的に隙間なく直接接合されており、前記凹型吸引部の平均気孔径は前記載置部の平均気孔径よりも大きいことを特徴とする真空吸着装置。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造工程において発塵を低減できるシリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板をサセプタに載置してエピタキシャル層を成長させることによりシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法において、少なくとも、シリコン基板Ｗの裏面全面にシリコン酸化膜４を形成する工程と、シリコン基板Ｗの少なくともエッジ部３に形成されたシリコン酸化膜４を除去する工程と、シリコン酸化膜４を介してサセプタ１６上にシリコン基板Ｗを載置する工程とを含み、該サセプタ１６でシリコン酸化膜４を介してシリコン基板Ｗを保持したまま、シリコン基板上にエピタキシャル層５を成長させることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の高密度化に伴うアーキングの発生を防止できる静電チャックを提供する。
【解決手段】冷却装置１と、冷却装置１上に配置され、ワーク載置面を有する静電チャック本体２を備える半導体製造装置に用いられる静電チャック１０であって、
（イ）冷却装置１を貫通して、冷却装置の一方の主面から他方の主面表面に至るように伸びるガス供給孔１ａ、ガス供給孔1ａの開口部にガス供給孔１ａよりも大径の主座繰り部１ｂが設けられ、（ロ）主座繰り部１ｂに、中央にガス供給孔と連通するガス流路３ａを設けた絶縁部材からなるアーキング防止部材３が埋め込まれ、（ハ）ワーク載置面には、ガス流路３ａを介してガス供給孔１ａと連通する細孔２ａ１が設けられている静電チャック１０。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ等の脆質部材の搬送やウエハの裏面研削等の加工を施す際に、脆質部材を安定して保持でき、しかも所要の処理が終了した後には、脆質部材を破損することなく次工程へ移送することができる脆質部材用支持体を提供すること。
【解決手段】 脆質部材の処理時に、該脆質部材を保持するために用いる脆質部材用支持体であって、
保持される脆質部材の外径よりも小径の粘着剤層が形成されていない開口部と、該開口部を囲繞する粘着剤層とを有する表面保護用シートと、
該表面保護用シートの、該粘着剤層が設けられていない面に貼合された硬質板とからなる脆質部材用支持体。 （もっと読む）

【課題】ＭＳＡプロセスにおいて、熱応力による反りに起因するウェーハの跳ねや割れを抑制し、製品歩留りの劣化を抑えることが可能な半導体製造方法と半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ステージ１４上に、ウェーハｗを支持する支持部材１５を配置し、支持部材１５の上端を、所定条件におけるウェーハｗの反りが最大となるときに、ウェーハｗがステージ１４と離間する高さに調整し、支持部材１５の上端でウェーハｗを支持し、ウェーハｗを、所定条件でランプ１２を用いてアニール処理することを特徴とする。 （もっと読む）