【課題】吸着面に静電吸着される被吸着物の平面度を高くできる静電吸着保持装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第２静電吸着保持装置３４は、可撓性を有する誘電性材料で形成され、且つウエハＷを吸着する吸着面３４ａが形成された一方の面４２ｂを有する基体４２と、該基体４２の内部に設けられる第１電極部４５及び第２電極部４６と、基体４２の一方の面４２ｂとは反対側の他方の面４２ａに駆動力を付与し、基体４２の吸着面３４ａの形状を変形させる駆動装置４１と、を備えている。この駆動装置４１の駆動によって、吸着面３４ａの形状が変形すると、該吸着面３４ａに静電吸着されるウエハＷの被照射面Ｗａの平面度は高くなる。 （もっと読む）

【課題】露光不良を抑制できるマスク、ステージ装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法を提供すること。
【解決手段】マスクステージ１のマスク保持部３は、第１保持部材８と、第２保持部材９とを備える。第１保持部材８の熱膨張率と第２保持部材９の熱膨張率とは、異なる。第１保持部材８の熱膨張率と第２保持部材９の熱膨張率の差により、マスクＭを変形させる。 （もっと読む）

【課題】急激な温度差が発生する急速昇降温装置で使用しても、温度追従性が良い気相成長用ＳｉＣ製治具を提供する。
【解決手段】 半導体基板を載置する載置表面を有する気相成長用ＳｉＣ製治具において、前記載置表面の室温における拡散反射率と透過率の和が０．１１％以上２０％以下であり、かつ前記載置表面の平均粗さ（Ｒａ）の値が単位μｍにおいて気相成長の工程最大使用温度における黒体放射強度が最大になる波長の０．０２倍以上０．２倍以下の値である。 （もっと読む）

【課題】色々な大きさや形状の異なる部品であっても治具を交換することなく共通使用できる部品保持治具の構造を提供する。
【解決手段】この部品保持治具は多孔質体１１と排気口１ｂを有する。平面状部品を載せる面に形成された凹状部内に多孔質体１１が嵌め込まれている。排気口は、多孔質体１１と凹状部の内壁との間の空気を排出して多孔質体１１上に部品の負圧吸着を行うために具備する。 （もっと読む）

本文に開示された実施の形態は、概して処理チャンバ内で基板支持体に対して実質的に平坦となるように基板を設置するための装置および方法に関する。大面積基板が基板支持体上に設置される時、基板と基板支持体の間に存在する可能性のあるガスポケットのために、基板は基板支持体に対して完全に平坦にはならないであろう。ガスポケットのため、基板上の堆積が一様で無くなる可能性がある。従って、基板と支持体の間からガスを吸引することにより、基板を支持体に対して実質的に平坦に引き寄せることができる。堆積の間、静電気が蓄積され、それによって基板が基板支持体に張り付く可能性がある。基板と基板支持体の間にガスを導入することによって、静電気力は克服され、余分な時間やガスを必要とするプラズマの支持が僅かな又は無い状態で、基板はサセプタから分離できる。
（もっと読む）

【課題】ウエハのパターンを破損させることなく位置決めを正確に行うことができるとともに、簡単な構造で安価に製造できるアライメント装置を提供する。
【解決手段】外周部に沿って環状凸部からなる補強部を備えたウエハＷのこの補強部の内側に形成されたパターン面を下向きにしてウエハＷの外形以上の大きさを有するウエハ載置面を備えた保持ステージ１に載置し、複数本のガイドピン３を補強部に形成された各切欠き７に進入させて中心位置合わせをする。その後、ウエハＷの補強部を吸着保持した状態で保持ステージ１を回転させながらウエハＷの外周に備えられた位置決め部を光センサ２で検出する。 （もっと読む）

【課題】耐久力が高く、コストの低い位置合わせ機能付き基板載置装置と、その基板載置装置を有する成膜装置を提供する。
【解決手段】載置台１２の四辺に貫通孔９を設け、貫通孔９内に筒部３と、筒部３に挿通した軸部４を配置する。軸部４の上端にフランジ部８を設けておき、筒部３と軸部４を上昇させて、載置台１２の上方に位置する基板２０をフランジ部８に乗せ、四辺のうちの二辺の軸部４を傾斜機構によって、他の二辺である位置決め辺の軸部４に向けて傾斜させ、基板２０を押圧して位置決め辺の軸部４の側面に接触させ、位置決めを行う。カメラやＸＹθステージが不要であり、精度よく位置合わせできる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハとサセプタとの間のスティッキングによるエピタキシャルウェーハの裏面の歪みを低減しながら、リフトピンの存在によるエピタキシャルウェーハの平坦度の低下を防止するようなエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、半導体ウェーハの裏面に酸化膜からなる親水部を形成させる酸化膜形成工程Ｓ１と、前記酸化膜の一部を前記半導体ウェーハと同心の円形状に除去して、半導体ウェーハの裏面が露出してなる疎水部を設けるエッチング工程Ｓ２と、前記半導体ウェーハの裏面を下側にして、前記半導体ウェーハを前記ウェーハ載置部に載置するウェーハ載置工程Ｓ３と、前記半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長工程Ｓ４と、を備え、サセプタの底面に円周上に設けられたリフトピンからなるリフトピン設置円周が前記疎水部の直径よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ内に深さの異なる複数の種類のトレンチを同時に形成できるとともに、半導体ウェハの無駄となる領域を少なくすることでチップの取れ数を増やすことができるウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハ処理装置１００は、ステージ１４の表面に載置した半導体ウェハに対してプラズマ処理によってドライエッチングを行うための装置である。ウェハ処理装置１００では、ステージ１４が、ステージ１４の周方向に４つの区画Ａ〜Ｄに分割されている。区画Ａ〜Ｄの各々には、ステージ１４から半導体ウェハに伝熱される熱量を独立して制御する温度制御手段が設けられている。ステージ１４の表面に半導体ウェハを載置したときに、半導体ウェハの周方向に温度の異なる複数の領域が形成され、領域毎に異なるエッチングレートでトレンチが形成される。 （もっと読む）

【課題】ウエハの裏面内周部のみが研削され、外周部に環状凸部を有し、内周部平面と環状凸部との間に段差が形成されたウエハ裏面に対して、追従性良く密着して貼付できるダイシングシートを介して、裏面内周部に貼付でき、ダイシング時にウエハの振動を抑えることができるスペーサを用いた半導体ウエハの保持方法、該保持方法によるダイシング方法、および該保持方法に用いられるスペーサを提供する。
【解決手段】表面に回路１３が形成され、裏面外周部に環状凸部１７を有する半導体ウエハ１１の裏面にダイシングシート１０を貼付し、半導体ウエハの裏面内周部に前記ダイシングシート１０を介して粘着剤層４２を有するスペーサ４０を貼付する。 （もっと読む）

【課題】 露光精度の低下を抑えることのできる露光装置を提供すること。
【解決手段】 液体を介してマスクのパターンを基板に露光する露光装置において、基板を保持して移動するステージを有し、ステージは、基板が配置される基板配置部と、前記基板配置部の外側に配置され、前記基板と伴に前記液体を支持する支持面と、前記支持面を囲むように形成された枠部とを有し、前記枠部は、前記支持面を含む平面内に上面が配置される所定部材と凹部とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ウエハ取扱機構を操作して、チャック上にウエハを載置する。ウエハにチャック把持力を印加することによって、チャックのウエハ支持フィーチャがウエハ表面に欠陥パターンを転写する。欠陥計測ツールを用いてウエハ表面を解析して、ウエハ表面に転写された欠陥パターンのマッピングを取得する。ウエハ表面に転写された欠陥パターンを解析することにより、ウエハ座標系におけるチャックの中心座標を求める。チャックの中心座標とウエハ中心との間の空間オフセットを求める。空間オフセットを用いてウエハ取扱機構を調整して、チャックの中心座標に対してウエハ中心が一直線上にくるように位置合わせを行なう。 （もっと読む）

【課題】基板支持装置の提供をする。
【解決手段】下部電極（２０）を間に置いてその両側に備えられる１対のフレーム（３１ａ，３１ｂ）と、フレーム（３１ａ，３１ｂ）の上面から突出した複数のシャフト（３２ａ，３２ｂ）と、下部電極（２０）の両側に備えられたシャフト（３２ａ，３２ｂ）に両端部が連結されるワイヤー（３３）と、フレーム（３１ａ，３１ｂ）を昇降させる昇降手段と、を含む。また、第１及び第２シャフトを昇降させる昇降手段をさらに含む。 （もっと読む）

本発明は、ＴＴ−Ｋｏｔｅ（登録商標）で形成された形状順応性を有する層を備えた静電チャック（electrostatic chuck；ＥＳＣ）、およびＥＳＣのための捕捉プレートの形成方法に関する。ＥＳＣは、熱膨張によって発生する微粒子を低減するために、またはその発生を防止するために、低摩擦表面を備えた形状順応性を有する層を備えている。本方法においては、セラミック物質を含有しセラミック製の表面を備えた、基板のための捕捉部を形成し、このセラミック製の表面を、有機ケイ素化合物またはＴＴ−Ｋｏｔｅ（登録商標）を含有する形状順応性を有する層でコーティングする。
（もっと読む）

【課題】裏面クモリおよびピンハローを抑制することにより、高品質なエピタキシャルウェーハを製造する手段を提供すること。
【解決手段】反応チャンバと、半導体ウェーハを該ウェーハの主裏面で支持するための昇降可能なリフトピンと、該反応チャンバ内に配置された、該半導体ウェーハ載置領域に上記リフトピンを挿通可能なリフトピン挿通用貫通孔を有するサセプタと、を有する気相成長装置内で半導体ウェーハの主表面上にエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法。前記サセプタは、上記リフトピン挿通用貫通孔の周囲に貫通孔を有し、前記気相成長を、前記半導体ウェーハの主裏面を弗酸系溶液により洗浄した後、該半導体ウェーハを前記サセプタ上に載置して行う。 （もっと読む）

【課題】基板を支持して基板を回転させるスピンヘッドとこれを有する基板処理装置及び基板支持方法を提供する。
【解決手段】スピンヘッドは、本体、本体上に設置されて基板を支持する支持位置と基板のローディング／アンローディングするための空間を提供する待機位置との間で移動する複数のチャックピン、及び複数のチャックピンを移動させるチャックピン移動ユニットを備える。チャックピン移動ユニットは、チャックピンが結合される回転ロッド、回転ロッドを本体に固定する軸ピン、及びチャックピンが支持位置から待機位置へ移動するように軸ピンを回転軸として回転ロッドを回転させる駆動部材を含む。回転ロッドは、本体が回転する時に逆遠心力によってチャックピンに待機位置から支持位置に向かう方向に力を加えるように提供される。複数のチャックピンは、第１ピンと第２ピンを有し、第１ピンと第２ピンは、工程進行の時に基板を交叉チャッキングする。 （もっと読む）

【課題】 保持する試料への不純物やパーティクルの付着、および傷の発生等を抑制する。
【解決手段】 主面上に複数の凹部が設けられた基体と、前記基体の前記凹部に配された略球形状の支持体と、を備え、前記支持体は、前記凹部の内側に設けられた接合部材によって前記基体と接合する部位と、前記主面より上方に配置され、試料と当接して前記試料を支持する部位と、を有することを特徴とする試料支持具を提供する。 （もっと読む）

【課題】サイズの異なる基板を併用してエッチングまたはアッシングなどの作業を行うことができることにより、事業費を低減すると共に、作業場の面積を縮小させることができるようにして事業費負担を軽減させた下部電極組立体の提供。
【解決手段】基板が搭載される下部電極組立体において、前記下部電極組立体の上部に位置して基板が積載される下部電極部の周面が多段構造を有し、第１段面は横、縦長さＸ、Ｙの基板が積載される電極面を成し、第２段面は前記横、縦長さＸ、Ｙの基板に対して＋αの長さで形成され、前記第２段面と第３段面には絶縁体が水平方向に設置されて接触している構造を取ることを特徴とする、下部電極組立体を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板を保持する保持部材の高さ調整を容易に行うことができる基板浮上装置及び基板検査装置を提供する。
【解決手段】基板浮上装置は、基板を浮上させる浮上ステージ２と、この浮上ステージ２の周縁又はその近傍に配置され、上方に弾性力で付勢されて基板を下方から保持する保持部材３と、この保持部材３の高さ位置を調整する高さ調整部４と、を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】被吸着物に流れる漏洩電流が小さく、被吸着物の平面度を小さくすることができ、パーティクルの発生が少ない静電チャックを提供する。
【解決手段】直径２００ｍｍ以上の、円板状のセラミックス基材と、該セラミックス基材の一方の主面に形成された複数の突起と、該突起の間の主面に形成された電極と、該電極を被覆し、前記突起の間に形成された樹脂と、からなる静電チャック。複数の前記突起の頂部で形成される面の平面度が５μｍ以下である。 （もっと読む）