【課題】成膜用の基板とマスクとの位置合わせ精度を向上させる。
【解決手段】基板５の側縁の中央部を、基板ホルダー１に設けられた突起３に当接させて、基板５が凸形状となるように保持することで、基板５の自重による撓みを防止する。位置合わせ用アクチュエーター４によって基板ホルダー１上に保持されたときの基板５の凸形状の稜線上にアライメントマーク５ａを配置する。基板５とマスク６の位置合わせを行うときと、位置合わせ後に基板５とマスク６を密着させたときとで、アライメントマーク５ａの位置変動が生じないようにすることで、位置合わせ精度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板などの絶縁基板を真空中で確実に吸着する方法を提供する。
【解決手段】 吸着面に真空吸着用の穴が開口するとともに吸着面の平均粗さ（Ｒａ）を０．７μｍとした静電チャックを用い、大気雰囲気から真空雰囲気まで連続して静電チャックにて基板を吸着するにあたり、大気雰囲気での相対湿度を４５％以上７３％以下とする。大気中ではガラス基板は表面吸着水によって覆われており、大気中で一旦静電吸着することで、発生した電界によって表面吸着水はイオン化され、真空雰囲気になってもそのまま残り導電性物質と同じような働きをし、吸着力が大きくなる。 （もっと読む）

【課題】光学基板ウェハを切断する際に切断面、その他の表面に傷が形成されることを防
止して良品率を高めることができる切断治具、及びこの切断治具を用いた光学基板ウェハ
の切断方法を提供する。
【解決手段】光学基板ウェハ２０をカッタ３０を用いて複数の光学部品個片に切断する際
に該光学基板ウェハを支持する切断治具１であって、十分な剛性を有した基台２と、該基
台上面に着脱自在に取り付けられると共にカッタによって切断可能な材料から成り、且つ
平坦なウェハ支持面１１を有したウェハ載置台１０と、を備え、ウェハ載置台のウェハ支
持面には、カッタを通過させるための切断溝１２が該カッタによって形成されている。 （もっと読む）

【課題】 基板裏面を汚染することなく、基板を安定的に位置保持できる基板搬送・処理装置を、簡単低コストに提供する。
【解決手段】 基板が搭載されたときに、基板の自重により回転する基板把持手段１１０を備え、基板の自重により発生した力により確実に安定的に基板を把持することができる。 （もっと読む）

【課題】この発明は、フラッシュランプを用いて急速加熱する半導体ウエハが割れることなく、且つ、該半導体ウエハが飛び跳ねることが無い該半導体ウエハの保持構造を持つ半導体ウエハ急速加熱装置を提供することにある。
【解決手段】 この発明の半導体ウエハ急速加熱装置は、フラッシュランプと該フラッシュランプから放射される光を被加熱物側に反射する反射板とからなる光源部、半導体ウエハを支持する支持用台を配置した加熱処理チャンバ、を具備し、該フラッシュランプの光によって半導体ウエハを急速加熱処理する半導体ウエハ急速加熱装置において、前記支持用台は、円筒状、または円柱状に突出する凸部が設けられ、該凸部の直径が該半導体ウエハの直径より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な機構によってウェハ等の基板を保持でき、そしてターンテーブル上で保持された基板（ウェハ等）の表面に流体を供給した場合、流体に乱れが起き難いような基板保持技術を提供する。
【解決手段】ターンテーブル１及びターンテーブル１上に載置された載置物４をガイドする為のガイド部材３ａ、３ｂ、３ｃを具備し、ターンテーブル１上に載置された載置物４の表面に流体が供給されて処理される回転処理装置であって、ガイド部材３ａ、３ｂ、３ｃは、載置物４に対向する側において、その上側部が突出しているよう構成されてなる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの下面の全面をエッチングすることができ、かつ構造が簡単な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本半導体製造装置は、半導体ウェハ１を、下面の一部で支持しつつ回転させる回転手段と、回転している半導体ウェハ１の上方でエッチング用のプラズマを発生させるプラズマ発生手段３０，３２とを具備し、プラズマ内で生成したエッチング種が半導体ウェハ１の下面に回り込むことにより、半導体ウェハ１の下面がエッチングされる。回転手段は、例えば半導体ウェハ１の下面を、該下面の中心以外の部分で支持する第１のベルト部材１０と、半導体ウェハ１の下面の中心を挟んで第１のベルト部材１０とは逆の位置に設けられ、第１のベルト部材１０と略平行に配置された第２のベルト部材１２と、第１のベルト部材１０を第１の方向に移動させ、かつ第２のベルト１２を第１の方向とは逆方向に移動させるベルト駆動手段２０，２２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】
著しく構造化された表面、特にバンプドウエハーのそれに層材料を確実に固定することに成功する方法の提供。
【解決手段】
以下の各性質
− 剪断応力傾斜試験において、粘弾性材料を初めに流さずに、２０℃の温度及び１００Ｐａ／分の剪断応力傾斜のもとで少なくとも１０００Ｐａの剪断応力を達成し；
− 振動剪断試験（ＤＭＡ）において適用温度及び０．０１ｓ^-1の振幅において５００００Ｐａｓより小さい複素粘度η*；
− 層の架橋により凝集性を高めそしてそれ故に流動性を低下させる性質；
− 架橋後に表面から残留物なしに後で分離するための、架橋後の少なくとも部分的なゴム弾性特性
を持つ少なくとも一つの粘弾性層を持つポリマー層材料を粗い表面に一次的に固定する方法において、
− 層材料を最初に粗い表面上に置き、
− エネルギーを導入して層複合体中の少なくとも１つの粘弾性層の粘度を低下させ、結果として粗い表面上に流し、
− この層を架橋させ、結果として粗い表面を少なくとも部分的に濡らす少なくとも部分的ゴム弾性の層が生じる
ことを特徴とする上記方法。 （もっと読む）

【課題】 基板を基板載置面上に隙間なく密着させることができる基板ホルダを提供する。
【解決手段】 外径が５００ｍｍよりも大きく、厚さが１．５ｍｍよりも薄い基板Ｐを載置する基板載置面１４と、少なくとも前記基板Ｐが前記基板載置面１４に載置される際に前記基板載置面１４の少なくとも一部を振動させる振動部材１５とを備える。 （もっと読む）

誘電材料を有し、かつ／あるいは異なる厚さ、プロファイル、および／または形状を伴う空洞を有する静電チャックアセンブリが開示される。静電チャックアセンブリは、導電支持体と、静電チャックセラミック層とを含む。誘電体層またはインサートは、導電支持体と静電チャックセラミック層の間に配置される。空洞は、静電チャックセラミック層の座面内に配置される。埋め込まれた極パターンが、静電チャックアセンブリ中に任意に組み込まれてよい。静電チャックアセンブリを製造する方法が開示されるが、この方法はプラズマ処理プロセスの間に加工物上方の電束の均一性を改善する。
（もっと読む）

【課題】所定の温度に設定される平面とウェハとの接触を回避しつつ、平面とウェハとの間の距離を安定して小さく保つ。
【解決手段】平面３ｃには吹き出し口３ａと吸い込み口３ｂとが設けられる。吹き出し口３ａは平面３ｃに露出する、半径Ｒａ、長さＬａの管を有している。吸い込み口３ｂは平面３ｃに露出する、半径Ｒｂ、長さＬｂの管を有している。ここで吹き出し口３ａの形状パラメタＲａ^４／Ｌａは、吸い込み口３ｂの形状パラメタＲｂ^４／Ｌｂよりも小さい。この関係のもと、吹き出し口３ａにおける差圧よりも吸い込み口３ｂにおける差圧を小さくする。 （もっと読む）

【課題】 基板裏面への薬液の回り込みを確実に防ぐことが可能な基板保持装置及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 回転軸１０Ｂ上に設けられた基板保持部１１Ａの上に基板３が吸着保持される。基板保持部１１Ａの側壁に、ガス供給通路１２Ａと連通するガス噴出口１２Ｂを設けられる。ガス噴出口１２Ｂは、基板３の裏面を臨むように、水平方向に対して角度αで延びるように形成される。ノズル５からレジスト４を供給する前に、不活性ガス供給部６から供給された不活性ガスが、ガス供給通路１２Ａを介してガス噴出口１２Ｂから基板裏面に対して噴出される。 （もっと読む）

【課題】 大型の基板に対応可能な基板ホルダを提供する。
【解決手段】 基板を保持する基板ホルダＰＨは、基板Ｐを支持する載置面を有するプレート保持部材２と、このプレート保持部材２に延設され、プレート保持部材２の載置面と略一体的に形成される補助載置面を有する補助部材４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】極薄の半導体基板のエッジ把持型多関節搬送ロボットで搬送するに適した半導体基板のホルダ−を提供する。
【解決手段】基板ホルダ−はポ−ラスセラミック製円板状載置台３１を非通気性材料製支持台３２にポ−ラスセラミック製円板状載置台３１の上面と非通気性材料製支持台３２上面が面一となるよう載せ、この非通気性材料製支持台３２を回転自在に軸承させるとともに、ポーラスセラミック製円板状載置台３１下面にある非通気性材料製支持台３２の環状空所３２ｂ、３２ｃを減圧するバキューム手段を備える。ポ−ラスセラミック製円板状載置台３１の外周壁面に接する非通気性材料製支持台３２の環状側壁部の上面３２ａには、エッジ把持型搬送ロボットのア−ム１０下面に取り付けられた積層体Ｗ、Ｓ、Ｇのエッジを把持する把持部材２１，２２が進入可能な径および深さを有する環状溝３２ｄを設けた。 （もっと読む）

【課題】 板バネから基板への異物の付着を少なくしたクランプリング及び、基板処理装置を提供する。
【解決手段】 スパッタリング成膜装置１００内でウエーハ支持体１にウエーハ８を押さえ付けることによって当該ウエーハ８を該ウエーハ支持体１に固定するクランプリング１０であって、ウエーハ８を固定する際に当該ウエーハ８と接触して断面視でくの字型に曲げられる板バネ５０を備え、板バネ５０のウエーハ８側の端面５１ａには、その表面積を増加させる表面積増加加工が施されている。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ用途で使用する層流ガス・カーテンを提供する。
【解決手段】ガス・カーテン・システムは、流体パージ用ノズル１３０を含む。ノズル１３０は、第１のハウジング２００と、第２のハウジング２０４と、流れ分配板２０６と、複数の流れ調整チャネルとを含む。第１のハウジング２００は、ガスを受け入れ第１の容積を密閉する注入口を有する。第２のハウジング２０４は、第２の容積を密閉し、第１のハウジング２００に流体結合される。流れ分配板２０６は、第１の容積から第２の容積までガスの流れを制御する。第２の容積の一部の範囲内に複数の流れ調整チャネルが配置され、ガス・カーテンを形成するガスを放出する。流れ調整チャネルの長さが、非軸のガス速度流れベクトルを減衰させるために選択される。ノズル１３０は、パージ・ガスがノズル・チャネルから放出された後で発生するガス混合を制限し、ガス容積のパージを開始する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュランプからの閃光照射時の基板の割れを防止することができる熱処理用サセプタおよび熱処理装置を提供する。
【解決手段】フラッシュランプから閃光を照射してフラッシュ加熱を行うときに半導体ウェハーＷを保持するサセプタ７２に、平面視で半導体ウェハーＷの直径よりも大きな外径を有する凹面形状の凹部７６が形設されている。すなわち、サセプタ７２を上方から見ると凹部７６の凹面形状は半導体ウェハーＷの平面サイズよりも大きい。凹部７６が形成されたサセプタ７２によって半導体ウェハーＷを保持するときには、凹部７６の内壁面によって半導体ウェハーＷの周端部が支持されることとなる。その結果、半導体ウェハーＷの裏面とサセプタ７２の表面と間に気体層の隙間が形成されることとなる。 （もっと読む）

【課題】 薄型化加工後の基板裏面キズが生じにくく、かつ反応生成物が剥がれにくいような成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜装置は、ガラスまたはビッカース硬さ約５３７４Ｎ／ｍｍ²の材料からなる対象基板２を当接させて保持するためのステージ面１ａを備える。ステージ面１ａは、ステンレスで形成され、粗さ曲線の算術平均高さＲａが０．１μｍ以上０．３μｍ以下かつ粗さ曲線の最大高さＲｚが０．５μｍ以上２．５μｍである。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置において、リフトピン穴からのアルゴンガス放出によるシャワープレートの冷却を防止して半導体ウエハに付着する異物を低減する。
【解決手段】リフトピン８と独立し、リフトピン８が下降した状態ではサセプタ４ａに形成されたリフトピン穴９を完全に塞ぐことのできるキャップ１０をリフトピン８の先端に置き、半導体ウエハ７を反応室２内へ搬送する前にシャワープレート６から生成ガス５を導入する反応室２内のコンディショニングでは、キャップ１０によりリフトピン穴９を塞いで、生成ガス５がリフトピン穴９へ入り込むのを防止する。これにより、リフトピン穴１０からアルゴンガスを放出する必要が無くなり、シャワープレート６の低温化を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】露光装置のタクトタイム短縮を図ることのできる大型基板の露光方法を提供する。
【解決手段】 パレット１２を位置決めする位置決め部を露光ステージ１１に設けるとともに、位置決め部に係合する係合部を有するパレット１２上に基板ＢＰを載置し、パレット１２を露光ステージ１１上に位置決めして基板ＢＰを露光する。 （もっと読む）