【課題】
本発明の目的は、高い平坦度と表裏のウェハ主面の平行度を要求される水晶ウェハのウェットエッチングに用いられる水晶ウェハの保持ジグを提供すること。
【解決手段】
上記目的を達成する為に本発明は、水晶ウェハをエッチャントに浸漬してウェットエッチングする際に用いられる水晶ウェハの保持ジグにおいて、水晶ウェハの側面方向から水晶ウェハが、複数の略コの字形をした水晶ウェハ押えによって囲まれた領域内でエッチャント中では押えに触れずにとどめられることを特徴とし、また、水晶ウェハ押えの略先端部分に、エッチャントが通過する孔を有することを特徴とし、また、水晶ウェハ押え外形よりも大きな凹みをもつ板状の構造体の該凹みに入れられ、水晶ウェハがエッチャントのなかで揺動しながら保持されることを特徴として課題を解決する。 （もっと読む）

加工物を処理するためのリアクタ内で用いられるリフトピンアセンブリには、リフト方向とほぼ平行に伸長する複数のリフトピンが含まれ、複数のリフトピンのそれぞれは加工物を支持するための最上端と最下端とを有する。リフトテーブルは、ピンの最下端に面し、リフト方向とほぼ平行な方向に移動する。小さい力検出器は、チャックされたウエハを示すのに十分に大きく且つウエハのチャック開放を回避するのに十分に小さいリフトピンによって加えられる力を感知する。大きい力検出器は、ウエハをチャック開放するのに十分な範囲でリフトピンによって加えられる力を感知する。 （もっと読む）

【課題】
如何なる温度帯の熱処理を行った場合でもウェーハ裏面に融着するシリコン屑をできるだけ小さくし、ウェーハ露光の際の露光不良を低減する。
【解決手段】
ウェーハ支持部をポリシリコンで形成する。さらにウェーハ支持部の表面をアルカリ系溶液でエッチングして、表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を大きくする。
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【課題】半導体素子、液晶ディスプレイパネルや太陽電池等の製造における薄膜形成工程、あるいは微細加工工程等に用いられるプラズマ処理装置において、被処理基板を基板保持台へ静電吸着する際のダスト発生を低減する。また静電吸着を止めた際の残留吸着を解消し、搬送トラブル、発塵やデバイスダメージによる製品不良を無くすることを目的とする。
【解決手段】基板保持台の基板との設置面積が５％から１５％で形成され、また基板外周縁部に極めて小面積の帯状の設置面が２本以上形成されている、さらに、基板と接触する縁部３Ｅがなだらかな曲面形状となっている。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ搭載面を有するウェハ保持体のウェハ保持面の均熱性を高めた半導体製造用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 ウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、前記ウェハ保持体を支持するシャフトが前記ウェハ保持体に接合されており、前記シャフトのウェハ保持体との接合面以外の面の表面粗さを、Ｒａで５μｍ以下にすれば、ウェハ保持面の温度分布を±１．０％以内にすることができる。更に、前記表面粗さは、Ｒａで２μｍ以下であれば好ましい。 （もっと読む）

【課題】 基板載置台から基板を剥離させる際に生ずる静電気を確実に除電する静電気除去方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 板状の基板１を基板載置台２から剥離する際にイオンを放出し基板１に生ずる静電気を除去する静電気除去方法において、基板１を複数の昇降ピン３により基板載置台２から持ち上げて剥離させる際に、昇降ピン３による剥離中心部分からイオンまたはイオン化気体を放出し、基板載置台２と基板１との間に発生する静電気を除去する。 （もっと読む）

本発明は基板をウェハ・チャックに保持する方法に向けられる。この方法は基板の一部分をウェハ・チャックに向けて加速させ、ウェハ・チャックへ向かう基板の移動の速度を生成させ、基板がウェハ・チャックに到達する前に速度を下げることを特徴とする。この方式で、ウェハ・チャックとこの部分の衝突の力が大幅に削減され、これは基板の構造的完全性が傷つけられる可能性、さらには基板上の層および／またはウェハ・チャックが傷つけられる可能性を下げる。
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【課題】基板の反りによる処理の影響を抑制し、精度の高い半導体素子を製造すること。
【解決手段】本発明は、半導体素子を形成するウエハ２を載置面に載置する加熱ステージ１と、加熱ステージ１に載置したウエハ２と載置面との間に所定の隙間を形成するスペーサ１１と、加熱ステージ１の載置面とウエハ２との隙間を気体圧力によって調整するダイアフラム４とを備える半導体製造装置である。また、本発明は、加熱ステージ１の載置面にウエハ２を載置して半導体素子を形成する方法において、加熱ステージ１の載置面とウエハ２との間に所定の隙間を形成しておいた状態で、この隙間を気体圧力によって調整する半導体製造方法である。 （もっと読む）

半導体ウェハの支持ピン部材である。サセプタは、サセプタの上面の上側にウェハを上げるように構成された少なくとも３つのピンを含む。それぞれの支持ピンは、上側ピンおよび下側ピンを含み、バヨネットマウントの形態で即時に解除できる手段により互いに固定されている。上側ピンは、ポリベンゾイミダゾールのような非金属の材質で形成されている。サセプタは、電気モータまたは空気圧シリンダにより駆動される持上げ機構により上下に駆動される。サセプタは、支持ピンに対して相対的に上下に移動する。
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【課題】基板の処理枚数を増大させることができ、且つ処理基板における膜厚の均一性を保つことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板保持手段ボート２１７は、例えば４本の支柱２１４、２１４、２１４、２１４と該支柱２１４、２１４、２１４、２１４によって支持されるリング状部材リング２１６とを有する。このリング２１６は、円周の一部が欠如した第１の切欠き部２１２と、内周面の一部が欠如した例えば２つの第２の切欠き部２１３、２１３とを有する。支柱２１４、２１４、２１４、２１４によって多数支持されるそれぞれのリング２１６の第１の切欠き部２１２の位置は、少なくとも直上に位置する他のリング２１６の第１の切欠き部２１２の位置と垂直方向において一致することなく、例えば１８０°ずらした状態で配置されている。 （もっと読む）

【課題】 ウェハーへの局所的な熱ストレスを低減し、ウェハーに生じる結晶欠陥が非常に少ないエピタキシャル成長装置用サセプターを提供する。
【解決手段】 本発明のエピタキシャル成長装置１に用いるサセプターは、オリフラ部１６を有するウェハー１４を載置可能な凹部１５を備えたエピタキシャル成長装置１に用いるサセプターにおいて、凹部１５の平面形状と、ウェハー１４の平面形状とが互いに相似形状になっている。 （もっと読む）

基板が回転自在な支持体と接触する領域に、毛細管部材を設けた、単一ウエハ用の処理チャンバ内で、基板を乾燥させるための装置及び方法。毛細管部材は、毛細管力により、基板と支持体間に閉じこめられた如何なる液体も接触領域において、中に引き込むことにより、基板のエッジエクスクルージョン領域を減らし、これにより産出量を増やす。本発明は、基板の周囲領域とだけ接触させる形で、基板を実質的に水平方向に支持する固定治具からなる回転自在な支持体を有し、固定治具は、毛細管部材からなる接触面を１以上有している。
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本発明は、平坦な基板を保持する回転自在で、オプションとして加熱自在の装置に関する。この装置は、支持面上に基板を載置及び保持する支持装置を備え、オプションとして、加熱装置と、支持装置を回転させる装置と、支持面に対向する基板の面に流体、例えば、溶剤を供給する装置とを備える。基板を支持及び保持する支持装置が回転させられている時に、流体が塗布される。
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１組の集積回路ユニット（６５）を支持するための支持装置において、凹部（２７）の配列を備える金属表面を有する支持部材と、金属表面との接触により生じる損傷からユニット（６５）を保護するように金属表面の凹部を覆う軟質材料層と、前記凹部（２７）と連通し、それぞれの凹部内に各ユニットを支持するようになっている真空手段（３５）とを備え、軟質材料層は複数の独立したインサート（４０）で形成され、各インサート（４０）を少なくとも１つの凹部（２７）と係合させるための係合手段（５０、５５）を用いて各インサート（４０）が少なくとも１つの凹部と係合可能であることを特徴とする支持装置。
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【課題】本発明は、化学蒸着（ＣＶＤ）システムまたは物理蒸着（ＰＶＤ）システムなどの蒸着システムの真空チャンバ内で、コーティング源の上につり下げられた遊星式回転プラットホームに基板を固定する磁気ラッチに関する。
【解決手段】この磁気ラッチは永久磁石を含み、この永久磁石は、基板ホルダを引きつけるために永久磁石がラッチを磁化するラッチ位置と、永久磁石がバイパス回路内で接続されてラッチの磁化が解除され、そのため、基板ホルダが解放される非ラッチ位置との間で移動可能である。 （もっと読む）

【課題】
ウエハを硬質板に確実に固定し、ウエハの上面に加工を施した後、ウエハを破損させることなく硬質板から確実に剥離することのできる、ウエハの加工方法およびそのような加工方法に好適に用いられる包被フィルムを提供すること。
【解決手段】
（１）硬質板の少なくとも上面に、該上面に対し非接着性の包被フィルムを、剪断方向に対して位置ずれせず、かつ取り外し可能に取り付ける工程と、
（２）前記包被フィルムの上面にウエハを接着固定する工程と、
（３）前記ウエハの上面に加工を施す工程と、
（４）前記包被フィルムを切開して、前記包被フィルムから前記硬質板を取り外す工程と、
を含むことを特徴とするウエハの加工方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、オリエンテーションフラットを有する半導体ウェーハにおいて、ドーパント濃度及び抵抗率の面内均一化を容易に実現し得るサセプタ、気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハを提供することを目的とする。
【解決手段】 上記課題を解決するため、本発明のサセプタ１０は、気相成長時に半導体ウェーハＷを支持するためのサセプタ１０であって、半導体ウェーハＷを収容する上段凹部１１ａと、それよりも小径で、気相成長時に半導体ウェーハＷの裏面から外方拡散するドーパントを排出するための孔部１２が形成された下段凹部１１ｂと、を有する二段構造の座ぐり１１を備え、上段凹部１１ａの環状の底面が、半導体ウェーハＷの裏面の周縁部を支持する支持面とされるとともに、当該環状の底面は、支持する半導体ウェーハＷのオリエンテーションフラットＯＦ位置若しくはそれよりも内側まで張り出してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 熱処理装置において、基板を支持する支持機構とウェハとの接触により生じるウェハの温度変化を抑える。
【解決手段】 処理室と、処理室内において基板を支持する支持機構と、処理室内に支持された基板を加熱する加熱手段とを有する熱処理装置において、支持機構は、基板の外周縁部において基板を支持するようにする。また、支持機構は、基板表面に対して垂直な面で切った断面形状において、基板と接する面が、基板表面に対して斜めの方向に形成されたものとする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエーハ等を熱処理する際、スリップだけでなく、裏面周辺部や面取り部のキズの発生も確実に防ぐことができる熱処理用治具及び半導体ウエーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ウエーハ状の被処理体を水平に支持して熱処理する際に使用する熱処理用治具であって、前記被処理体の裏面側を支持する支持部を有し、該支持部の支持面が、凸曲面状に形成されていることを特徴とする熱処理用治具。例えば、被処理体を裏面周縁部に沿って支持する支持部を有する環状のサセプタ４１とし、半導体ウエーハＷの面取り部と裏面との境界部分が凸曲面状に形成された支持面４６と接触するようにウエーハＷを支持して熱処理を行う。 （もっと読む）

加工物は、処理中、加工物への機械的ストレスを減じるためにガスクッションによって支持される。加工物を受け入れる加工物支持フランジを有するプレナムは、ガス供給源に接続されている。ガスがプレナム内に流れて、加工物を持ち上げるのに十分な圧力が増加すると、加工物は、持ち上げられ、そして、支持フランジと加工物エッジとの間のプレナムからガスが流れる。その結果、加工物は、処理中、ガスによって支持フランジ上方で支持される。 （もっと読む）