【課題】 処理基板をキャリアに搭載した状態で、インラインで、キャリアごと搬送しながら、該処理基板の一面側に成膜を施す成膜装置で、搬送系において磨耗カスが発生しても、磨耗カスによる品質面での悪影響を少なくすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】 ローディングチャンバーおよびまたはアンローディングチャンバーに、ローディングのための、あるいはアンローディングのための排気機構、給気機構とは別に、排気あるいは給気の際に、粉塵が巻き上がるのを防止するために、ローディングチャンバーの下部およびまたはアンローディングチャンバーの下部に、排気口を配して、該排気口から、粉塵が巻き上がるのを抑えるように真空引きを行う真空引き部を備えている。 （もっと読む）

【課題】簡単な機構によってウェハ等の基板を保持でき、そしてターンテーブル上で保持された基板（ウェハ等）の表面に流体を供給した場合、流体に乱れが起き難いような基板保持技術を提供する。
【解決手段】ターンテーブル１及びターンテーブル１上に載置された載置物４をガイドする為のガイド部材３ａ、３ｂ、３ｃを具備し、ターンテーブル１上に載置された載置物４の表面に流体が供給されて処理される回転処理装置であって、ガイド部材３ａ、３ｂ、３ｃは、載置物４に対向する側において、その上側部が突出しているよう構成されてなる。 （もっと読む）

プロセス（例えば液体メニスカスプロセス）中に第一の面と第二の面を有する基板（例えば半導体ウェーハ）を保持するための装置及び方法。本装置は、基板の第一の面に顕著に接触することなく基板の第二の面に接触するように構成された一つ以上の保持用構成要素（例えばフィンガ）を含む。保持用構成要素の少なくとも一つは、この少なくとも一つの保持用構成要素がプロセスに影響を与えること（例えば液体メニスカスに接触する）を防止するように、プロセス中に動かされるように構成され得る。このような構成は、基板が、その上に少なくとも一つの構造体または特徴部を有する上面を含む場合に用いられ得るものであり、保持用構成要素が、プロセス中に構造体または特徴部に接触することを避けることが望ましい。
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【課題】研磨対象のウエハをより均一な状態で基板フォルダに貼り付ける。
【解決手段】貼り付け室１１１及びダイヤフラム室１２１を排気し、例えば、１０００Ｐａ程度に減圧し、貼り付け室１１１及びダイヤフラム室１２１が同様に減圧された状態で、温度制御機構１０６を動作させ、基板ホルダー１０３が１５０℃程度に加熱された状態とする。この後、ダイヤフラム加圧部１２５を動作させ、ダイヤフラム室１２１にエアを送り込み、ダイヤフラム１０４を真空チャンバー下部１０１の側に張り出させ、変形したダイヤフラム１０４によりウエハＷを基板ホルダー１０３の側に押し付ける。 （もっと読む）

【課題】反応ガスがウエハ裏面へ回り込むのを抑制し、ウエハ裏面おける薄膜形成が抑制される半導体ウエハ支持部材及び及び半導体ウエハ支持部材の評価方法を提供する。
【解決手段】この半導体ウエハ支持部材は、半導体ウエハを搭載する凹形状のウエハ保持部を有する半導体ウエハ支持部材であって、前記ウエハ外周部が当接する部分の相対高さを周方向にわたって測定し、その測定結果を縦軸に高さ、横軸に位置角度をとった図に示し、前記図中で垂直方向に相対高さが高い２点と、垂直方向の相対高さが最も低い点とによって描かれる三角形の面積が、０．１５ｃｍ²以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】装置構造を極めて簡単にしてシート剥離対象物の数が少ない場合の費用対効果を有効に発揮し、且つ、簡易な操作によってシートの剥離を行なえるようにすること。
【解決手段】リングフレームＲＦに一体化された半導体ウエハＷの表面に貼り付けられた保護シートＳを剥離するシート剥離装置１０であり、同装置は、半導体ウエハＷを保持するウエハ載置部２１と、リングフレームＲＦを載置するリングフレーム載置部２０と、剥離用テープＴを繰り出す繰出手段１２とを含む。この繰出手段１２によって繰り出された剥離用テープＴを保護シートＳの外周部に貼り付けた状態で当該保護シートＳを捲るように剥離用テープＴを移動させることでウエハＷから保護シートＳが剥離される。 （もっと読む）

【課題】チップ状に個片化された板状部材のそれぞれのチップをピックアップする際のピックアップ処理能力を向上させるのに好適なエキスパンド装置の制御方法とその制御装置を提供する。
【解決手段】リングフレーム１２に第１のシート１３を介して支持されチップ状に個片化された板状部材（半導体ウエハ１１）のそれぞれのチップＣを第２のシートに転写する前に、第１のシート１３を引き伸ばし前記板状部材のそれぞれのチップ間隔を拡張するのにあたり、第１の速度で所定位置まで第１のシート１３を引き伸ばした後、画像処理手段１６によって取り込まれた第１のシート１３上の半導体ウエハ１１の画像からチップ間隔を計測しながら前記第１の速度よりも遅い第２の速度で前記第１のシート１３を引き伸ばし、前記チップ間隔を所定量拡張する。 （もっと読む）

【課題】磁気ヘッド用スライダのように、マイクロメートルオーダーの微小部品の多数を配列固定し、その中から所望の微小部品を取り出し得る技術を提供する。
【解決手段】多数の微小部品（磁気ヘッド用スライダ）１ａ〜１ｆを固定ジグ２の上に並べて、熱熔融ワックス３で接着しておく。特定の微小部品（例えば磁気ヘッド用スライダ）１ｃを取り出すには、目標の微小部品１ｃにレーザ４を照射する。照射を受けた微小部品は加熱されて昇温し、該微小部品１ｃを接着している熱熔融ワックス３が熔融して接着力を失う。目標の微小部品１ｃの接着が消失すると、プッシャ５で破線位置１Ｃまで押し出す。このようにして、他の微小部品に影響を及ぼすことなく、目標の微小部品だけを取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハをストックしたり、専用の装置が停止しても、他の装置で処理することのできる固定キャリア及びその使用方法を提供する。
【解決手段】 剛性を有する支持基材１と、支持基材１の表面周縁部に接着されて半導体ウェーハを着脱自在に保持する変形可能な保持層１０とを備え、半導体製造後工程で使用される固定キャリアであって、支持基材１と保持層１０との間に区画空間３を形成し、支持基材１に、保持層１０の裏面を支持する複数の突起５を配設するとともに、支持基材１に、区画空間３に連通する給排孔４を穿孔し、保持層１０を、区画空間３内の空気を外部に給排孔４を介し排気することにより変形させ、保持層１０の変形により半導体ウェーハを取り外す。 （もっと読む）

【課題】精密基板の洗浄を行う洗浄装置において、汚染因子再付着防止、自然酸化形成の防止、ウォータマーク防止が可能な洗浄装置を提供する。
【解決手段】被洗浄基板２を容器３内に配置し、容器３内の雰囲気を測定する雰囲気計測器４と雰囲気を制御するガス供給手段５およびガス排気手段６、７を配置した洗浄装置１において、被洗浄面に対向した部位からガスを均一に供給するガス供給手段５、筒状固定軸１６、流体軸受け１７および回転支持部材１８からなる回転保持機構にガスを供給するガス供給手段２１、排水機構にガスを排気するガス排気手段７、洗浄液噴射時の雰囲気を制御するガスを供給するガス供給手段３１のいずれか一つ以上の手段を具備する。洗浄装置１内の雰囲気を測定する雰囲気計測器４は、任意のタイミングで計測可能であり、引火性成分、可燃性成分、または支燃性成分のいずれか１つ以上の成分を検出可能なものとする。 （もっと読む）

【課題】 基板面の歪みの発生を抑制して均一な露光を可能にする。
【解決手段】 上面８が平坦に形成され、該上面８に開口して圧縮気体を外部に吹き出す多数の吹出孔２及び外部から気体を吸引する多数の吸引孔３を設けて基板４を非接触で支持する基板支持体１２と、基板支持体１２の多数の吹出孔２に圧縮気体を供給する供給管１３と、基板支持体１２の多数の吸引孔３を通して吸引された気体を排気する排気管１４と、を備え、基板支持体１２上の基板４に対して気体を吹き出すと共にその気体を吸引して基板支持体１２の上面８と基板４との間に所定の厚みの気体層９を生成して基板４を浮上させるものであって、排気管１４の途中に設けられ、排気流量を調整すると共に外気を導入可能とするバルブ１５と、バルブ１５を制御して外気の導入量を調整し、吸引孔３の内部の圧力を所定の圧力に維持する圧力調整ユニット１６と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体ウェーハを検査する走査型電子顕微鏡において、ウェーハの交換に要する時間をさらに短縮することにより、ウェーハ検査のスループットを向上させる装置の提供を課題にする。
【解決手段】 本発明の電子顕微鏡は、未検査ウェーハ及び検査済ウェーハを交換するために設けられるウェーハ交換部(40)が、長手方向にスライドして往復する第１アーム(41a)と、この第１アーム(41a)の先端に設けられウェーハを把持／解放する第１ウェーハ把持部(45a)と、長手方向にスライドして往復する第２アーム(41b)と、この第２アーム(41b)の先端に設けられウェーハを把持／解放する第２ウェーハ把持部(45b)と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型基板の貼り合せを行うチャンバ内への基板受け渡し時間を短縮し、かつ高精
度の貼り合せを行えるようにする必要がある。
【解決手段】チャンバ内に上下に２枚の基板を対向して間隔を開けて保持するための上テ
ーブルと下テーブルとを設け、この上テーブルを移動してテーブル間隔を縮めることで基
板を貼り合せる基板組み立て装置に基板を搬出入するロボットにおいて、基板を保持する
複数のアームを有し、これらアームに上下２枚の基板を保持して前記基板組み立て装置の
前に移動し、これら上下２枚の基板を前記基板組み立て装置内に搬入し終わった後、前記
基板組み立て装置にて貼り合わされた基板を保持しているように構成した。 （もっと読む）

【課題】 大型の基板に対応可能な基板ホルダを提供する。
【解決手段】 基板を保持する基板ホルダＰＨは、基板Ｐを支持する載置面を有するプレート保持部材２と、このプレート保持部材２に延設され、プレート保持部材２の載置面と略一体的に形成される補助載置面を有する補助部材４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 生産性の高いバッチ式研磨装置にてナノトポグラフィの悪化を抑制するとともに、ベースプレートからウエハを剥離する際、ウエハに損傷を与えることなく剥離できるウエハ剥離装置及び研磨ライン装置を提供する。
【解決手段】ベースプレート１１と、前記ベースプレート１１上の所定の位置に設けられ、貼付されるウエハＷの裏面と側周部に面接触するテンプレート９と、前記テンプレート９及びベースプレート１１に形成された貫通する複数の貫通穴１１ａと、前記貫通穴１１ａに挿通可能に設けられ、テンプレート９上方に突出可能な複数の押し上げピン６ｃと、前記複数の押し上げピン６ｃを昇降動作させる昇降手段６ｂとを備え、前記昇降手段６ｂによって押し上げピン６ｃを上昇させて、テンプレート９上に貼付されたウエハＷの裏側を押し上げ、前記ウエハＷをベースプレート９から剥離する。 （もっと読む）

【課題】極薄の半導体基板のエッジ把持型多関節搬送ロボットで搬送するに適した半導体基板のホルダ−を提供する。
【解決手段】基板ホルダ−はポ−ラスセラミック製円板状載置台３１を非通気性材料製支持台３２にポ−ラスセラミック製円板状載置台３１の上面と非通気性材料製支持台３２上面が面一となるよう載せ、この非通気性材料製支持台３２を回転自在に軸承させるとともに、ポーラスセラミック製円板状載置台３１下面にある非通気性材料製支持台３２の環状空所３２ｂ、３２ｃを減圧するバキューム手段を備える。ポ−ラスセラミック製円板状載置台３１の外周壁面に接する非通気性材料製支持台３２の環状側壁部の上面３２ａには、エッジ把持型搬送ロボットのア−ム１０下面に取り付けられた積層体Ｗ、Ｓ、Ｇのエッジを把持する把持部材２１，２２が進入可能な径および深さを有する環状溝３２ｄを設けた。 （もっと読む）

【課題】特定のサイズ及び形の基板を保持及び処理するように設計されたリソグラフィ装置に大きな変更を加えることなく、標準外の基板を含めた様々な基板のサイズを処理することができるリソグラフィ装置を提供すること。
【解決手段】本発明のリソグラフィ装置は、第１のタイプの第１の基板を保持するように構成された基板テーブルであって、第１の基板が研磨面を有する基板テーブルと、パターン付与された放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影系とを含む。研磨面は第２のタイプの第２の基板を支持し、投影系は、パターン付与された放射ビームを第２の基板に投影するように構成される。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置において、リフトピン穴からのアルゴンガス放出によるシャワープレートの冷却を防止して半導体ウエハに付着する異物を低減する。
【解決手段】リフトピン８と独立し、リフトピン８が下降した状態ではサセプタ４ａに形成されたリフトピン穴９を完全に塞ぐことのできるキャップ１０をリフトピン８の先端に置き、半導体ウエハ７を反応室２内へ搬送する前にシャワープレート６から生成ガス５を導入する反応室２内のコンディショニングでは、キャップ１０によりリフトピン穴９を塞いで、生成ガス５がリフトピン穴９へ入り込むのを防止する。これにより、リフトピン穴１０からアルゴンガスを放出する必要が無くなり、シャワープレート６の低温化を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】 位置決め過程においてダスト等を発生させることなく、複数の半導体回路部材を高精度で位置決めできる位置決め方法とその装置、並びに当該位置決め方法と装置を用いた半導体装置の製造方法と製造装置を提供する。
【解決手段】 位置決め用基板２に設けられた複数の位置決めストッパー３それぞれに、気流発生装置４と傾斜手段５とセンサー７とが設けられた位置決め装置１を用いることにより、複数の半導体回路部材１０の位置を各々のセンサー７によって検知でき、制御手段８がその検知結果に応じて各気流発生装置４を個々に制御でき、位置決めされた半導体回路部材１０から位置決め用基板２に一時固定する。 （もっと読む）

【課題】露光装置のタクトタイム短縮を図ることのできる大型基板の露光方法を提供する。
【解決手段】 パレット１２を位置決めする位置決め部を露光ステージ１１に設けるとともに、位置決め部に係合する係合部を有するパレット１２上に基板ＢＰを載置し、パレット１２を露光ステージ１１上に位置決めして基板ＢＰを露光する。 （もっと読む）