【課題】個片に分割されシートに保持された状態の部品を安定して保持して簡便なハンドリングを可能とする部品搬送用治具を提供することを目的とする。
【解決手段】ダイシングにより個片に分割されシート１に貼着保持されたＬＥＤ素子２を搬送するキャリア７において、シート１の外形よりも大きな平面外形を有する平板状の本体部７ａに、シート１に保持されたＬＥＤ素子２を上方に露呈させる開口部７ｂを設け、開口部７ｂの周囲の本体部７ａの下面にシート１の粘着層１ａが貼着される貼着面７ｄが設けられたシート保持部７ｃを下方に突設し、本体部７ａの両端部の下面側を搬送機構８により支持される搬送支持面７ｆとし、側端面を水平方向にガイドする搬送ガイド面７ｅとして用いる。これにより、シート１に保持された個片状態のＬＥＤ素子２を安定して保持して、簡便にハンドリングすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、化学蒸着（ＣＶＤ）システムまたは物理蒸着（ＰＶＤ）システムなどの蒸着システムの真空チャンバ内で、コーティング源の上につり下げられた遊星式回転プラットホームに基板を固定する磁気ラッチに関する。
【解決手段】この磁気ラッチは永久磁石を含み、この永久磁石は、基板ホルダを引きつけるために永久磁石がラッチを磁化するラッチ位置と、永久磁石がバイパス回路内で接続されてラッチの磁化が解除され、そのため、基板ホルダが解放される非ラッチ位置との間で移動可能である。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気中あるいは減圧された軽元素気体中であっても反射マスクを確実に支持固定し、温度によるマスクの歪みを抑制できるＸ線投影露光装置を提供する。
【解決手段】反射型マスク１をＸ線で照明する照明系と、反射型マスクのパターンの像をウエハに投影する投影光学系と、反射型マスク１を静電気力で保持する保持手段３２と、保持手段の温度を調節する温度調節手段４１,４２とを備え、反射型マスク１は、パターンが表面に形成された多層膜と、多層膜が表面の所定領域に形成された基板とを有し、保持手段３２は、基板の前記表面と対向する裏面を保持し、温度調節手段４１,４２は、保持手段の、基板の表面の所定領域と対向する裏面の領域を保持する部位の温度を調節する。 （もっと読む）

【課題】
基板支持固定機構を改善し、小型で簡潔な構造の基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板２の裏面周縁部と接触して基板を保持する基板接触保持手段５０と、該基板接触保持手段より前記基板の中心側に配置され、該基板を非接触で吸引することにより前記基板接触保持手段に固定させる非接触基板固定手段５２とを具備する。
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【課題】 本発明は、オリエンテーションフラットを有する半導体ウェーハにおいて、ドーパント濃度及び抵抗率の面内均一化を容易に実現し得るサセプタ、気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハを提供することを目的とする。
【解決手段】 上記課題を解決するため、本発明のサセプタ１０は、気相成長時に半導体ウェーハＷを支持するためのサセプタ１０であって、半導体ウェーハＷを収容する上段凹部１１ａと、それよりも小径で、気相成長時に半導体ウェーハＷの裏面から外方拡散するドーパントを排出するための孔部１２が形成された下段凹部１１ｂと、を有する二段構造の座ぐり１１を備え、上段凹部１１ａの環状の底面が、半導体ウェーハＷの裏面の周縁部を支持する支持面とされるとともに、当該環状の底面は、支持する半導体ウェーハＷのオリエンテーションフラットＯＦ位置若しくはそれよりも内側まで張り出してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【発明の課題】 より高いスループットで、ウェハー表面の汚染を生ずることなく当該ウェハー上に膜を堆積できるＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】 ＣＶＤ装置は、ウェハー搬入／搬出チャンバ１ａ，１ｂ、処理チャンバ３、ウェハー搬送チャンバ２を備える。処理チャンバは、２つまたはそれより多いウェハーステージ６ａ〜６ｄであって、当該ウェハーステージの各々は回転可能な中央ポールに水平アーム８ａ〜８ｄを介して連結されているものと、ウェハー・ロード／アンロード室５と、２つまたはそれより多い分離された処理反応容器４ａ，４ｂとで構成され、当該処理反応容器では各々に膜の化学的気相成長のために必要な１タイプの処理ガスのみが供給される。ウェハー・ロード／アンロード室と処理反応容器は、中央ポールから同じ半径距離に配置され、中央ポールが回転する時、ウェハーステージの各々は処理反応容器等を通って移動する。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハの破損および装置全体の大型化を防止する。
【解決手段】 ウェーハ（１２０）のフィルム貼付面に貼付けられているフィルム（３）を剥離するフィルム剥離装置（１００）において、ウェーハのフィルム貼付面が上面になるようにウェーハを吸着するウェーハ吸着手段（３１）と、フィルム貼付面上に剥離テープを繰出す剥離テープ繰出手段（４２）と、ウェーハの縁部において剥離テープの一部分のみをウェーハのフィルムに対して押圧する押圧手段（６０）とを具備し、それにより、剥離テープの一部分において該剥離テープとフィルムとの間の接着力を高めるようにし、さらに、接着力の高められた剥離テープの一部分を剥離開始箇所（７５ａ）として、剥離テープによってウェーハのフィルム貼付面からフィルムを剥離する剥離手段（４４）を具備するフィルム剥離装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 基板を回転させながら基板に処理液を供給して該基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、基板表面への処理液の再付着を効果的に防止する。
【解決手段】 スピンベース５の周縁部付近には、基板Ｗの下面周縁部に当接しつつ基板Ｗを支持する支持部７が複数個、スピンベース５から上方に向けて突出して設けられている。そして、複数個の支持部７によって基板Ｗの下面と対向するスピンベース５から所定の間隔離間させた状態で基板Ｗが水平に支持されている。そして、基板Ｗの上面と雰囲気遮断板９の対向面９ａとの間に形成される空間に対向面９ａに設けられた複数のガス噴出口９ｂから不活性ガスを噴出させる。これにより、基板Ｗはその上面側に供給される不活性ガスによって、支持部７に押圧されてスピンベース５に保持される。 （もっと読む）

本発明は、クリーン・ルーム対応の、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法用のコーティング・システムに関する。前記システムは、ガラス様の層、ガラス・セラミック層および／またはセラミック層が堆積される、少なくとも１つの真空コーティング・チャンバを備える。真空コーティング・チャンバの第１の開口部が、真空排気可能な別個の真空ロック・チャンバ（ロード・ロック）を介してクリーン・ルームに接続される。この真空ロック・チャンバは、基板を真空コーティング・チャンバ内に供給し、基板を真空コーティング・チャンバから取り出すために使用される輸送手段を備える。真空コーティング・チャンバの第２の開口部が、真空コーティング・チャンバをクリーン・ルームから切り離されたグレイ・ルーム領域に接続する。
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【課題】
プロセステーブル等、気密容器に収納される基板載置台に傾斜が発生しない様にした昇降機構を具備する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】
基板処理室３０と、該基板処理室内に設けられ基板２５を保持する基板載置台３１と、該基板載置台に連結され昇降可能な昇降ベース６４と、該昇降ベースを昇降させる昇降駆動部６６，６７，６８と、該昇降駆動部と前記昇降ベースを連結する連結部材６９とを具備し、該連結部材は前記昇降ベースに少なくとも傾斜方向の自由度を有する様に連結された。
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【課題】被処理体を均一にプラズマ処理することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、板状をなす被処理体Ｗに向けて処理ガスＧ１を噴出する開口２３、２４を有するガス供給管４、５と、処理ガスＧ１を活性化させてプラズマが発生するように電界を発生させる上部電極２および下部電極３と、浮上用ガスＧＳを供給することにより、被処理体Ｗを浮上させるエアギャップ生成部１５、１６とを備えている。このプラズマ処理装置１では、被処理体Ｗをプラズマ処理するとき、被処理体Ｗを浮上用ガスＧＳの作用によって浮上させて、被処理体Ｗを非接触で処理する。 （もっと読む）

【課題】サセプタへの堆積を抑制したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ＡｌＮなどの絶縁性セラミックスからなるサセプタ本体２２Ａには電極２２Ｂおよびヒータ２３が埋設されている。電極２２Ｂには高周波源２２Ｃより１３．５６ＭＨｚの高周波パワーが供給され、被処理基板に基板バイアスを形成する。本体２２Ａは平坦な表面を有し、さらに本体２２Ａ上には、石英ガラスカバー２２ａが装着されている。石英ガラスカバー２２ａは薄い外側領域２２ａ１と外側領域２２ａ１に囲まれ被処理基板を保持する厚い内側領域２２ａ２とよりなり、内側領域２２ａ１と外側領域２２ａ２との間には３〜１０ｍｍの段差ｄが形成されている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 少なくとも１つの半導体ウェハからのダイを収容するための窪みが表面に形成された部材を含んだワッフルパック装置。部材は、半導体ウェハ取り扱い装置および（または）半導体ウェハ処理に適合する。好ましくは、部材は、半導体ウェハからのダイの少なくとも過半数を収容する。また、ダイを１つのワッフルパック装置から取り外し、このダイを半導体パッケージ上へと配置して配置されたダイから集積回路に必要な全てのダイ部品を形成し、半導体パッケージ内に配置されたダイを相互に接続して集積回路を形成する、半導体装置組み立て方法が提供される。少なくとも１つのワッフルパック装置からダイを取り外し、このダイを半導体パッケージ上へと配置して配置されたダイから集積回路に必要なダイ装置部品を組み立て、半導体パッケージ内に配置されたダイを相互に接続して集積回路を形成する、別の半導体装置組み立て方法が提供される。 （もっと読む）

物体を熱処理する少なくとも１つの装置を含む熱処理システムであって、該装置は、１つのプラットフォーム、または互いに反対側に位置した２つのプラットフォームからなり、ここで少なくとも１つのプラットフォームは物体を加熱または冷却する少なくとも１つの熱的手段を有し、少なくとも１つのプラットフォームは、非接触で物体を支持する流体機械的手段を有している、熱処理システムである。前記プラットフォームは、少なくとも１つの、複数からなる基本セルからなる作動面を有し、この基本セルは、少なくとも１つの、複数からなる圧力吐出口と、少なくとも１つの、複数からなる流体排出流路を有するものである。各基本セルの圧力吐出口の少なくとも１つは、流量絞り機構を介して高圧流体源に流体的に接続され、この圧力吐出口は、前記物体とプラットフォームの作動面の間の流体クッションの形成維持のために加圧流体を供給するものである。流量絞り機構は、特性的には、流体的な戻しばね的な挙動を示すものである。各流体排出路は流入口と流出口を有し、各基本セルに対する質量流量の平衡をとるものである。 （もっと読む）

支持具に支持される基板間のピッチを縮小し、処理枚数を増大させることができる熱処理装置を提供する。熱処理装置１０は、基板７２を処理する反応炉４０と、反応炉４０内で複数枚の基板７２を複数段に支持する支持具３０とを有する。この支持具３０は、基板７２と接触する複数の支持板５８と、この複数の支持板５８を支持する支持片６６とを有し、支持板５８と支持片６６が厚さ方向の少なくとも一部において重なるように構成される。 （もっと読む）

加工物は、処理中、加工物への機械的ストレスを減じるためにガスクッションによって支持される。加工物を受け入れる加工物支持フランジを有するプレナムは、ガス供給源に接続されている。ガスがプレナム内に流れて、加工物を持ち上げるのに十分な圧力が増加すると、加工物は、持ち上げられ、そして、支持フランジと加工物エッジとの間のプレナムからガスが流れる。その結果、加工物は、処理中、ガスによって支持フランジ上方で支持される。 （もっと読む）

【課題】 処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止することができる枚葉式の処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器３２内にて載置台３８上に載置された被処理体Ｗに対して所定の処理を施す枚葉式の処理装置において、前記載置台を浮上させる浮上用磁石機構６０と、前記載置台の周縁部に設けた羽根部材４４と、前記羽根部材に対して不活性ガスを噴射させて前記載置台に回転力を付与する回転用ガス噴射手段６４とを備えるように構成する。これにより、処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止する。 （もっと読む）