【課題】チップの間隔を拡げた処理対象物を容易に取り外すことができ、極めてコンパクトな状態で搬送することができるエキスパンド装置を提供すること。
【解決手段】リングフレームＲＦの内周側に接着シートＳを介して一体化された複数のチップＣを含む半導体ウエハＷを処理対象物Ｗ１とするエキスパンド装置１０であって、同装置は、処理対象物Ｗ１を支持する支持手段１２と、接着シートＳの下面側に当接可能な当接手段１３と、支持手段１２を昇降させる駆動手段１４とを含む。当接手段１３は、基盤１１に保持される下側部材６５と、当該下側部材６５に着脱可能に設けられ、且つ、接着シートＳに当接する上側部材６８とを備えている。チップＣ間隔を拡げた後、上側部材６８に保持手段Ｈを介して接着シートを固定し、下側部材６５から上側部材６８を分離して搬送可能となる。 （もっと読む）

【課題】チップが接着シートの下側となった状態で当該チップにアクセスすることのできるエキスパンド装置を提供すること。
【解決手段】リングフレームＲＦの内周側に接着シートＳを介して一体化された複数のチップＣを含む半導体ウエハＷを処理対象物Ｗ１とするエキスパンド装置１０であって、同装置は、処理対象物Ｗ１を支持する支持手段１２と、接着シートＳの下面側に当接可能な当接手段１３と、支持手段１２を昇降させる駆動手段１４と、支持手段１２及び当接手段１３を変位して処理対象物Ｗ１の表裏の向きを反転可能に設けられた反転手段１５とを備えて構成されている。 （もっと読む）

【課題】複数のチップを含む板状部材に接着された接着シートを外側に引っ張ってチップ間隔を拡げることのできるエキスパンド装置を提供すること。
【解決手段】リングフレームＲＦの内周側に接着シートＳを介して一体化された複数のチップＣを含む半導体ウエハＷを処理対象物Ｗ１とするエキスパンド装置１０であって、同装置は、処理対象物Ｗ１を支持する支持手段１２と、接着シートＳの下面側に当接可能な当接手段１３と、支持手段１２を昇降させる駆動手段１４とを含む。
駆動手段１４は、支持手段１２に連結される複数の送りねじ軸４３を有する。
駆動手段１４は、各送りねじ軸４３を相互に独立して移動して当接手段１３に対する支持手段１２の傾きを変更し、当接手段１３により付与される接着シートＳに放射方向への引張力を当該接着シートＳの一部について調整してチップＣ間隔を補正する。 （もっと読む）

【課題】装置の高さが大きくなるのを抑制するとともに、装置全体の小型化を図ることが可能なθＺ駆動装置を提供する。
【解決手段】このθＺステージユニット１１０（θＺ駆動装置）は、ベース部１０と、ベース部１０に対して上下方向であるＺ方向およびＺ方向を回転中心線とするθ方向に駆動されるステージ２０と、ベース部１０に対してステージ２０を少なくともＺ方向に駆動する第１モータ３０と、少なくともステージ２０の重量を補償する重量補償部４０とを備え、第１モータ３０および重量補償部４０は、水平方向に間隔を隔てて配置されるとともに、上下方向の配置高さ範囲の少なくとも一部が互いに重なるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】ステージのウエハ搭載面とウエハ裏面との間の異物の影響を受けず、水平位置調整及びフォーカス調整が容易であり且つウエハに形成される半導体デバイスの電気特性に影響を与えないようにウエハを保持できるウエハ保持装置及び方法を提供する。
【解決手段】複数の噴出孔が分布して設けられたウエハ搭載領域を有するウエハ搭載ステージと、当該噴出孔を介して気体を噴出せしめる給気部と、当該ウエハ搭載領域の近傍に設けられて当該気体の噴出流によって当該ウエハに加わる圧力に抗するように当該ウエハを当該ウエハ搭載ステージに対して係止し得る係止部と、を含むウエハ保持装置。
気体の噴出孔を介した噴出流路を形成する流路形成ステップと、当該噴出流路をよぎるようにウエハを配置するウエハ配置ステップと、当該気体の噴出流による当該ウエハにかかる圧力に抗するように当該ウエハを係止するウエハ係止ステップと、を含むウエハ保持方法。 （もっと読む）

【課題】形状が互いに異なる複数種類の板状の被搬送物を安定して吸着保持・搬送するための搬送システム、搬送方法および薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】搬送システムは、第１の被搬送物２および第２の被搬送物３を載置可能な回転テーブル４と、被搬送物に接触する吸着面に吸着孔を有する吸着部材４０と、吸着部材４０を回転テーブル４の径方向に移動可能な移動機構２１とを有する。そして、前記吸着孔内の気圧を下げることで被搬送物を前記吸着面に接触させた状態で吸着可能であり、前記被搬送物２の外面で前記吸着孔が吸着可能な第１の吸着可能領域の形状と、前記被搬送物３の外面で前記吸着孔が吸着可能な第２の吸着可能領域の形状とを重ね合わせて重複する領域から求められる第１の重心と、前記吸着孔の開口領域の第２の重心とが、吸着部材４０で被搬送物２または被搬送物３を吸着する場合のいずれにおいても略同一の垂線上にある。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの搬送や裏面研削等の加工を施す際に、半導体ウエハを安定して保持でき、しかも所要の処理が終了した後には、半導体ウエハを破損することなく剥離することができ、厚み精度の高い半導体ウエハの処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体ウエハの処理方法は、厚みが３００〜１５００μｍであり、Ｎａイオンおよび／またはＫイオンによりイオン交換処理して化学強化された圧縮応力層を有し、３０度以上曲がる可撓性ガラス基板１上に、半導体ウエハ３を再剥離可能に固定する工程、半導体ウエハ３に処理を行う工程、半導体ウエハ３側を支持手段１１により固定する工程、および可撓性ガラス基板１を湾曲させて半導体ウエハ３から剥離する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの強度を向上させ、設備やコストの削減を図ることのできる半導体ウェーハ用治具及び半導体ウェーハの加工方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェーハ１に剛性を付与する治具で、バックグラインドされた薄い半導体ウェーハ１の周縁部に耐熱性を有する剛性確保リング２を沿わせて接着する。バックグラインドされた薄い半導体ウェーハ１の周縁部に剛性確保リング２を接着することにより、半導体ウェーハ１の強度を増大させるので、半導体ウェーハ１の周縁部を残しながらその内側領域をバックグラインドする必要がなく、専用の装置を省略したり、設備やコストの削減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】回転浮上体の径方向の力と回転トルクとを同一の電磁石で制御することにより不要な外乱の発生を抑制することができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体に対して処理を施す処理装置において、処理容器と、被処理体を支持する非磁性材料よりなる回転浮上体と、回転浮上体に所定の間隔で設けられた磁性材料よりなる複数の回転ＸＹ用吸着体と、回転浮上体に周方向に沿って設けられた磁性材料よりなる浮上用吸着体と、処理容器の外側に設けられて浮上用吸着体に垂直方向上方に向かう磁気吸引力を作用させて回転浮上体の傾きを調整する浮上用電磁石群と、処理容器の外側に設けられて回転ＸＹ用吸着体に磁気吸引力を作用させて浮上された回転浮上体を水平方向で位置調整しつつ回転させる回転ＸＹ用電磁石群と、ガスを供給するガス供給手段と、被処理体に処理を施す処理機構と、装置全体の動作を制御する装置制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】省スペースな装置で、大型の板状物を研削・研磨可能な研削装置を提供する。
【解決手段】ワークを保持する保持機構２ａ、２ｂは、一面にワークを保持する垂直方向に沿った第一の保持面２１と他面にワークを保持する垂直方向に沿った第二の保持面２２とを有し、研削機構３は、第一の保持面２１に対向する第一の研削部３ａと第二の保持面２２に対向する第二の研削部３ｂとから構成され、第一の保持面２２に保持されたワーク及び第二の保持面２２に保持されたワークが第一の研削部３ａ及び第二の研削部３ｂに押圧されることによってワークが挟持された状態で回転して研削を行う。保持面２１、２２を垂直にしたため、ワークが大型化してもそれに応じて装置が大型化することがなく、装置の大型化を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】装置構造が簡素化できるとともに工程を短縮化して製造効率を向上させることができる板状部材の保持装置および保持方法を提供すること。
【解決手段】ウェハＷの表面ＷＢに塗布した接着剤Ｂを介して当該ウェハＷを載置手段３の載置面に載置し、載置後に硬化させた接着剤ＢによってウェハＷを接着保持することで、載置手段３における吸着保持機構が不要にできて載置手段３の構造が簡単化できる。さらに、ウェハＷの表面ＷＢが接着剤Ｂで保護されることから、別途の表面保護材料などが不要になり、表面保護材料の塗布や貼付に係る工程が省略でき、ウェハＷの製造に係る全体工程を短縮化して製造効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】焦点位置検出系などを必ずしも設けることなく、デフォーカスの殆どない基板上へのパターンの転写を実現することが可能な露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、互いに独立して移動可能な第１、第２テーブルと、投影光学系の直下に液体を供給して液浸領域を形成する液浸システムと、投影光学系と第１、第２テーブルの一方との間に液浸領域が維持される第１状態から、投影光学系と第１、第２テーブルの他方との間に液浸領域が維持される第２状態に遷移するように、投影光学系の直下に液浸領域を維持しつつ、投影光学系の下方で第１、第２テーブルを共に移動する駆動システムと、を備え、第１テーブルは、基板の載置領域及びその周囲領域を有し、周囲領域と基板との隙間からの液体の流出を抑制するように周囲領域に近接させて基板を載置領域に載置し、基板は、第１テーブルによって液浸領域に対して相対的に移動される。 （もっと読む）

【課題】アライメント装置の小型化を図ることが可能な技術を提供する。
【解決手段】アライメント装置は、被接合物９１を保持するステージ１２と、ステージ１２を摺動可能に支持する支持部材と、ステージ１２の側方から押圧力を加えることによって、ステージ１２を略水平平面に平行な方向に移動する位置調整機構５０とを備える。位置調整機構５０は、押圧点ＰＴ１１においてステージ１２をＸ方向に押圧する押圧力付与部５１と、押圧点ＰＴ１２においてステージ１２をＹ方向に押圧する押圧力付与部５２と、押圧点ＰＴ１３においてステージ１２をＹ方向に押圧する押圧力付与部５３とを有する。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバのシール性能が改善されたリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】装置は、第１本体と、第１本体に対して移動可能である第２本体と、第１本体、第２本体、およびシールによって第２空間から第１空間が分離されるように第１本体と第２本体の間に配置されるシールであって、第１本体からある距離に位置するシールと、第１本体とシールの間に流体流を作り出し、第１空間と第２空間の間に非接触シールを生成して第１本体と第２本体の間の移動を可能にするように配置された流体供給源と、第１本体と第２本体の互いに対する移動の間、距離を制御するように構成されたコントローラと、を備える。 （もっと読む）

【課題】接合対象をより安定して取り扱うこと。
【解決手段】カートリッジと、そのカートリッジが載せられるキャリッジと、静電チャックと、その静電チャックを駆動する圧接機構とを備えている。そのカートリッジは、所定領域の表面粗さが所定の表面粗さより大きくなるように、形成されている。このとき、そのカートリッジは、ウェハがその所定領域に接している場合で、ウェハが静電引力によりその静電チャックに吸着されているときに、ウェハとともにその静電チャックに吸着されないで、その静電チャックが移動しても移動しない。この結果、このような接合装置は、その静電チャックの吸着力を変化させることなく、かつ、ウェハに所定の加工を施すことなく、ウェハをより安定して取り扱うことができる。 （もっと読む）

【課題】露光装置のフットプリントの狭小化を図る。
【解決手段】投影光学系ＰＬ等を備える露光ステーション２００とアライメント装置９９等を備える計測ステーション３００とが、それぞれの基準軸ＬＶ，ＬＨが直交するように、配置されている。さらに、露光ステーション２００と計測ステーション３００とのそれぞれから離間する基準軸ＬＶ，ＬＨの交点上に、粗動ステージＷＣＳ１，ＷＣＳ２間で微動ステージＷＦＳ１，ＷＦＳ２をリレーするためのセンターテーブル１３０が設置されている。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送に用いる基板トレイ上に基板を平面度良く載置する。
【解決手段】複数の第１支持ピン６２上に載置された基板Ｐは、複数の第２支持ピン６３によりその下面が押圧されることにより、その撓みが抑制される。そして、撓みの抑制された基板Ｐが、基板トレイ９０上に載置されるので、基板を基板トレイ９０上に基板を平面度良く載置できる。基板Ｐは，基板Ｐの端部を下方から支持する基板搬送ロボットにより複数の第１支持ピン６２上に載置されるために、複数の第１支持ピン６２は、基板Ｐの端部を支持することができず、基板Ｐは、複数の第１支持ピン６２に載置された状態で、その端部が自重により垂れ下がっているが、複数の第２支持ピン６３によりその垂れ下がりが抑制される。 （もっと読む）

【課題】搬送アームに基板を静電吸着して搬送する場合において、真空中に電源やケーブルを導入する必要がなく、搬送モジュールにウェハを受け渡す際の基板の位置を高精度で制御することができ、更に、搬送モジュールで処理モジュールに搬送した後の基板の位置を高精度で制御することができる静電吸着部材を提供する。
【解決手段】静電吸着部材６０は、基板Ｗを大気中と真空中との間で受け渡すロードロックモジュールと、基板Ｗを真空中で処理する処理モジュールとの間で、基板Ｗを搬送する搬送モジュールのピック３１ｂに着脱可能に取り付けられ、ピック３１ｂが搬送する基板Ｗに静電吸着する。静電吸着部材６０は、ロードロックモジュールの載置ステージ７０とピック３１ｂとの間、又はピック３１ｂと処理モジュールとの間で、基板Ｗに静電吸着した状態で、基板Ｗと一緒に受け渡される。 （もっと読む）

【課題】液浸露光後、現像処理前において、基板の最上層の膜の表面、例えばレジスト膜の表面に吸着した異物を十分に除去できるようにする。
【解決手段】まず、基板にレジスト膜を形成する（ステップＳ２０）。その後、レジスト膜を液浸露光する（ステップＳ４０）。その後、基板を傾けて回転させながら、基板に洗浄液を、基板の表面に対して斜め方向又は水平方向から供給する（ステップＳ５０）。その後、レジスト膜を現像する（ステップＳ７０）。この方法によれば洗浄液を、基板の表面に対して斜め方向又は水平方向から供給することができる。このため、基板の最上層の膜に異物が吸着していた場合、この異物に対して洗浄液は、斜め方向又は水平方向にあたる。このため、異物は基板の最上層の膜表面から浮き上がりやすくなり、除去されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】処理条件の異なる複数の被処理基板に対し、それぞれ処理液の乾燥時間を短縮し、且つ良好な膜形成を行うことのできる減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｇを収容し、処理空間を形成するチャンバ９，１０と、前記チャンバ内に設けられ、前記被処理基板を保持する保持部１１と、前記保持部を昇降移動させる第１の昇降手段２５と、前記保持部の下方に設けられた整流手段２０，２１と、前記整流手段を昇降移動させる第２の昇降手段２６と、前記チャンバ内に形成された排気口１３と、前記排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段１５とを備える。 （もっと読む）