【課題】基板ホルダにおける基板載置面の平面度を迅速に調整する。
【解決手段】基板ステージＰＳＴは、基板ホルダＰＨの下面を押圧して基板ホルダＰＨの上面を上方に押し上げる押しネジ８１と、基板ホルダＰＨを微動ステージ２１に引き寄せることにより基板ホルダＰＨの上面をへこませる引きネジ８２と、を含むネジユニット８３を複数有している。従って、基板ホルダＰＨ上面の平面度の計測と並行して、その複数のネジユニット８３を適宜用いて基板ホルダＰＨの平面度を調整できる。 （もっと読む）

【課題】基板の位置合わせ（ウエハアライメント）を短時間で行うことができる技術を提供する。
【解決手段】ステージ５０に保持された基板４０に形成されたマークからの光を検出する複数の領域が第１の方向に配列されたセンサ７０４と、ステージを駆動する第１の駆動部６０と、センサに入射するマークＡＭからの光が第１の方向に沿って移動しながら、複数の領域に順に入射するように、ステージを基板の高さ方向に直交する第２の方向に駆動しつつ、ステージを基板の高さ方向にも駆動するように、第１の駆動部を制御する制御部８０と、センサからの信号を処理する処理部９０と、を有し、処理部は、信号によって与えられる第１の方向に沿った光強度の分布において、ピークを示す基板の高さ方向の位置を決定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の対する処理を高精度で行う。
【解決手段】 基板Ｐの下方には、基板Ｐの下面にエアを噴出する複数のエア浮上ユニット５０が配置され、基板Ｐは、概ね水平となるように非接触支持される。また、基板Ｐは、定点ステージ４０により被露光部位が下方から非接触保持され、その被露光部位の面位置がピンポイントで調整される。従って、基板Ｐに高精度で露光を行うことができ、かつ基板ステージ装置ＰＳＴの構成を簡単にすることができる。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法により反応炉内において半導体基板に気相状態で膜を形成する場合に、ガスホイール法を用いることなく半導体基板への高品質な膜の形成が可能であって、気相物質を供給した反応炉を開き人手による基板の出し入れを行う必要がないと共に、反応炉に供給される気相物質の供給効率を向上させることができる半導体基板の保持装置及び半導体基板の保持装置の搬送装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１２は回転駆動軸１５に対して上下方向において着脱可能に固定されると共に、半導体基板が載置される複数の基板ホルダ１４が配置される開口部１３は、上記サセプタ１２の厚さ方向において貫通して形成され、上記サセプタ１２の下方には上記基板ホルダ１５が上下方向において解除可能に係合して、上記サセプタ１２の回転により基板ホルダ１４が回転しうる係合部１６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】板状ワークとの粘着と剥離を確実に行うこと。
【解決手段】吸着溝２ｃを負圧にして板状ワークＷとの間を真空にすることにより、粘着パッド２ａ及び支持板２ｂが板状ワークＷ側に移動して、該板状ワークＷの変形を可能な限り小さく抑えるとともに、これら板状ワークＷ及び支持板２ｂの両側から粘着パッド２ａを圧縮し、それに伴い板状ワークＷの表面Ｗ１が粘着パッド２ａに当接して確実に密着し、また調圧室２ｅを負圧にして支持柱２ｄの周囲空間を真空にすることにより、その容積が収縮しようとして支持柱２ｄが板状ワークＷの表面Ｗ１から離れる方向へ圧縮し、それに伴い支持板２ｂを介して粘着パッド２ａが同方向へ移動して板状ワークＷの表面Ｗ１から無理なく引き剥がされる。 （もっと読む）

【課題】基板の面内温度を均一にすることができる基板載置機構を提供すること。
【解決手段】基板載置機構８４ａ，８４ｂ，８４ｃは、基板Ｇを載置する基板載置台８６と、基板載置台８６を介して基板Ｇを加熱するヒーター８７と、基板Ｇの端部を支持し、基板Ｇを基板載置台８６に載置させる第１の位置と、基板載置台８６から上昇した第２の位置との間で昇降可能な基板昇降部材８８と、基板昇降部材８８を昇降させる昇降機構９３，９４，９５，９６，９７とを具備し、基板昇降部材８８は、第１の位置において基板載置台８６の一部として機能する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減、装置の小型化及び省スペース化を図り、作業効率を向上させた。
【解決手段】プローバは、ウエハを設定位置で支持して当該ウエハの処理位置まで搬送して当該処理位置に設置されるトレイと、当該トレイに対して前記ウエハを前記設定位置に位置合わせする、１又は複数のアライメントユニットと、当該アライメントユニットよりも多く配置され前記処理位置で前記ウエハにコンタクトして検査処理を行うコンタクトユニットと、前記ウエハを支持した前記トレイを前記アライメントユニットと前記コンタクトユニットとの間で搬送するトレイ搬送部とを備えた。前記トレイは、前記チャックピンのＸＹＺθ方向への移動を許容する３以上のピン穴と、前記ウエハの位置決め用のアライメントマークと、前記トレイ自体を位置合わせするアライメント部とを備えた。 （もっと読む）

【課題】自動搬送を行う場合、温度変化による凹凸形状の相対位置バラツキと機構停止精度等による相対位置バラツキの和が、嵌合部における隙間量を超えると搬送不能となるが、これに対し複雑な位置検出機構を用いなくても搬送不良を起こさない高温炉などの処理装置を提供する。
【解決手段】まず十分な隙間量を有する位置で浅い嵌合深さで挿入用穴部と前記挿入用突起部のみを嵌合し、次にそれらを平面方向に相対移動させて、前記挿入用穴部と前記挿入用突起部に加えて前記位置決め用穴部と前記位置決め用突起部も嵌合可能な位置で前記挿入用突起部と前記挿入用穴部との側面同士を接触させ、さらに深く挿入して前記位置決め用穴部と前記位置決め用突起部も嵌合させることで、搬送時の装置温度によらず位置決め後の突起部と穴部の相対位置を安定させることが可能で、より高精度な位置決めが可能になる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの位置認識及び位置決めの精度を向上でき、信頼性を高めることができるようにすること。
【解決手段】位置認識装置１１は、半導体ウエハＷの端縁の位置を検出可能な複数のセンサａ１、ａ２、ｂ１、ｂ２を備えた検出手段１６と、半導体ウエハＷと検出手段１６とを直線方向に相対移動可能な移動手段１７と、検出手段１６の検出データから半導体ウエハＷの中心位置を算出可能な制御手段１８とを備えて構成されている。検出手段１６は、前記相対移動する直線方向に対して直交する方向に、所定間隔を隔てて少なくとも４か所にセンサａ１、ａ２、ｂ１、ｂ２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ウェハが搭載されるターンテーブルの回転及び水平面内での移動によってもフレームの上下における気密性を維持でき、アライニング作業を真空中又は特定のガス雰囲気中で行うことができるようにする。
【解決手段】アライナ装置１０は、フレーム３の底面における貫通孔３１の周縁部に上端を密着して固定するとともに支持台４の上面における孔部４２の周縁部に下端を密着して固定したベローズ９を備えている。また、孔部４２には、磁性流体継手８が嵌入している。ターンテーブル１が配置されるフレーム３の上方は、ベローズ９と支持台４の上面とで包囲される範囲においてのみフレーム３の下方に連通し、フレーム３の下方から外気が流入することがなく、気密状態に維持される。 （もっと読む）

【課題】加熱工程で使用する場合に保持枠の変形するおそれを払拭し、重量を軽減して生産性の向上を図ることのできる半導体ウェーハ用のサポート治具を提供する。
【解決手段】相互に嵌合する内保持枠１と外保持枠２との間に、半導体ウェーハＷを保持する耐熱性のエラストマー層３の周縁部を着脱自在に挟持し、少なくとも加熱工程で使用されるサポート治具で、内保持枠１と外保持枠２とを、ＡＳＴＭ規格のＡＳＴＭ Ｄ６４８における荷重撓み温度が３００℃以上、及びＡＳＴＭ Ｄ７９０における曲げ強度が１２０ＭＰａ以上である樹脂含有の成形材料を使用してそれぞれ射出成形する。 （もっと読む）

【課題】処理後のウエハをサポートプレートから剥離する工程を遅延させず安定に行うことができるサポートプレートを実現する。
【解決手段】本発明のサポートプレート１０は、接着剤を介して基板を支持するサポートプレート１０であり、接着剤と接する面３を有する板状部１と、接着剤と接する上記面３上に設けられたスペーサー２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ウエハ等の板状部材に貼付して極薄且つ均一に研削するとともに、当該板状部材から剥離するときに、大掛かりな設備を用いることなく容易に剥離することができる板状部材の支持部材を提供すること。
【解決手段】支持部材１０は、両面接着シートＡを介して半導体ウエハＷの一方の面に貼付することで当該半導体ウエハＷを支持する本体部１１を備えている。本体部１１において両面接着シートＡが貼付される面の外縁側には、弱接着処理面１３が形成されている。弱接着処理面１３は、凹凸面により形成したり、本体部１１を構成する部材とは別の部材からなる形成体１５を用いたりすることにより形成される。 （もっと読む）

【課題】ステージ装置の作動効率を向上させる。
【解決手段】同一直線上にない三箇所で、ステージを上下方向に個別に移動する三つの上下アクチュエータと、作用線が上下方向に直交する面に沿ってステージの重心を通り、ステージを水平に移動する第１アクチュエータと、作用線の各々が上下方向に直交する面内で第１アクチュエータの作用線と直交して、ステージを水平に移動する第２アクチュエータおよび第３のアクチュエータとを備え、第２アクチュエータの作用線は、三つの上下アクチュエータのうちの少なくとも一の上下アクチュエータの作用線と交差し、且つ、第３アクチュエータの作用線は、三つの上下アクチュエータのうちの一の上下アクチュエータとは異なる少なくとも一つの上下アクチュエータの作用線と交差する。 （もっと読む）

【課題】レーザー照射により捺印を形成する工程における半導体ウェハの搬送を容易にする固定治具およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の固定治具１は、平面視でＣ字形状を呈するクランパ３と、クランパ３に配置された半導体ウェハの周囲に接触するクランプリング２とから主に構成されている。更に、クランパ３の内側端部を厚み方向に窪ませて段差部６が設けられており、半導体ウェハはこの段差部６に収納された状態で、クランプリング２により固定される。この様に固定治具１により半導体ウェハを固定することにより、捺印工程における半導体ウェハのハンドリングが容易になる利点がある。 （もっと読む）

【課題】従来の温調方法に比べて、半導体ウエハの均一な温調及び高応答性を実現することができる半導体製造装置及び温調方法を提供する。
【解決手段】内部に空洞２１を有するウエハ載置台２と、ウエハ載置台２の温度をプロセス温度に調整すべく、プロセス温度以下の水を空洞２１の内壁に噴射するノズル６４ａとを備える半導体製造装置であって、空洞２１内の圧力を検出する圧力センサ（７１）と、圧力センサ（７１）にて検出された圧力が、ノズル６４ａから噴射される水の温度に係る飽和蒸気圧以上、プロセス温度に係る飽和蒸気圧以下になるように空洞２１内の気体を排出する真空ポンプとを備える。 （もっと読む）

【課題】リングフレームを確実に位置決め可能な位置決め装置および位置決め方法を提供すること。
【解決手段】位置決め装置１は、第１〜第４ピン部材３１〜３４を第１，第２受け部材２１，２２の第１，第２基準平面部２１Ａ，２２Ａに対して斜め方向に直進させる。このため、第１〜第４ピン部材３１〜３４による押し付けによりリングフレーム８に回転させる力を作用させることができ、リングフレーム８を確実に位置決めできる。 （もっと読む）

【課題】露光不良を抑制できる露光装置及びデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板を用いて露光処理を行う露光装置であって、ダウンフローが供給される所定空間を、前記基板を保持して移動するステージと、前記ステージに位置検出用の光を照射する照射装置と、前記ステージの移動に応じて前記ステージの移動経路上の気体を前記光の光路から外れた位置に移動させる気体移動装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】 基板を保持するためのサセプタ、サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉等を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、大きな直径を有するサセプタに保持された、大口径、多数枚の基板の表面に、結晶成長する場合であっても、基板を１０００℃以上の温度で加熱して結晶成長する場合であっても、効率よく高品質の結晶成長が可能なIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】 設置される基板とサセプタの対面との距離が非常に狭く、かつサセプタの対面に冷媒を流通する構成を備えてなる気相成長装置とする。さらに、サセプタの対面に、不活性ガスを反応炉内に向かって噴出するための微多孔部、及び不活性ガスを微多孔部に供給するための構成を備えてなる気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】光照射によって加熱される基板の温度を直接かつ正確に測定することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハーＷはハロゲンランプＨＬからの光照射によって所定温度にまで予備加熱された後、フラッシュランプＦＬによってフラッシュ加熱される。半導体ウェハーＷの温度は長波長放射温度計１２０および短波長放射温度計１３０によって測定される。サーモパイルを有する長波長放射温度計１２０は、石英の下側チャンバー窓６４を透過しない波長域にて測定するため、ハロゲンランプＨＬの光が外乱光とならずに温度測定を行うことができる。シリコンのフォトダイオードを有する短波長放射温度計１３０は、ハロゲンランプＨＬからの放射光をシャッターによって遮光しているときには、長波長放射温度計１２０よりも高い測定精度および応答速度にて温度測定を行うことができる。 （もっと読む）