説明

Fターム[5F031HA24]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 処理時の固着、保持 (16,861) | ステージ、チャック、サセプタ (15,090) | 固着・保持機構 (3,822) | クランプ、把持 (775) | ウエハ等の周縁の一部を把持(爪状部材等) (222)

Fターム[5F031HA24]に分類される特許

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【課題】ノッチ位置とウエハ端部把持機構の相対位置によらずノッチの検出が行える高速でスループットの安定したウエハプリアライメント装置を提供する。
【解決手段】ウェハ外周を把持するウェハ端部把持機構1と、ウェハのノッチ位置をセンサによって検出するノッチ位置検出部3と、ウェハを所望の角度へ回転させるウェハ搭載ステージ100と、を備えたウェハプリアライメント装置において、ウェハ端部把持機構1のウェハの外周に接触する爪部11を、爪部11のウェハの外周方向の幅が、ウェハのノッチの開口幅よりも小さく形成されるようにした。 (もっと読む)


【課題】成膜用の基板とマスクとの位置合わせ精度を向上させる。
【解決手段】基板5の側縁の中央部を、基板ホルダー1に設けられた突起3に当接させて、基板5が凸形状となるように保持することで、基板5の自重による撓みを防止する。位置合わせ用アクチュエーター4によって基板ホルダー1上に保持されたときの基板5の凸形状の稜線上にアライメントマーク5aを配置する。基板5とマスク6の位置合わせを行うときと、位置合わせ後に基板5とマスク6を密着させたときとで、アライメントマーク5aの位置変動が生じないようにすることで、位置合わせ精度を向上させる。 (もっと読む)


【課題】ウェハを回転させるべくチャック台盤を回転駆動させてもウェハに撓みを生じさせることなくウェハを保持することができるウェハ保持装置を提供する。
【解決手段】回転可能に支持された円板形状のチャック台盤11の周縁部11bに沿ってリング状のウェハ受座13が設けられ、ウェハ受座13に載置されたウェハ15の周縁部15aを複数の固定手段14によってウェハ受座13に固定することによりウェハ15を保持可能なウェハ保持装置10である。ウェハ受座13には、各固定手段14が周回り方向に間隔を置いて設けられ、各固定手段14の間には、ウェハ受座13に固定のウェハ15とチャック台盤11との間の対向空間Sを外部に連通させる複数の連通孔20がチャック台盤11の周縁部11b近傍に設けられ、各連通孔20には、対向空間Sの空気を吸引する吸引手段P1が接続されている。 (もっと読む)


【課題】力を加えることなく薄板ウェハを保持することによって、薄板ウェハの破壊を防
止することが可能な薄板ウェハの加工方法及び薄板ウェハの保持具を提供する。
【解決手段】薄板ウェハの一例としての圧電体ウェハ16の保持具100は、ベース体1
0に形成された凹部19と、凹部19の底部を貫通する窓開け部15と、凹部19に掛か
るようにベース体10の上面12に設けられた係止部18とから構成される。圧電体ウェ
ハ16は、凹部19に遊挿され、係止部18によって飛び出しを防ぎながら加工される。 (もっと読む)


【課題】コストを抑制しながらも、基板保持回転機構に精密に位置決めされた状態で基板を保持させることができ、これにより、安定な基板処理を実現できる基板処理装置および基板搬送方法を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、基板Wを保持して回転するためのスピンチャック4と、このスピンチャック4に設けられ、所定の基板保持位置に基板Wを位置決めするための位置決めガイド55と、スピンチャック4に基板Wを渡す基板搬送ロボット52とを備えている。基板搬送ロボット52の基板保持ハンド60には、シリンダ70に結合された落とし込みガイド75が後方に設けられている。ハンド駆動機構53およびシリンダ70は、基板他を位置決めガイド55の位置決め面57に押し付けることにより、基板Wを位置決めする。 (もっと読む)


【課題】基板を堅固に保持することができ、被成膜面の全面に成膜でき、かつ均一な膜厚で成膜できる、基板ホルダー、成膜装置、成膜方法、および被成膜基板を提供する。
【解決手段】表面上に膜を成長させるための基板を保持するための基板ホルダー20であって、台座1と、爪部材2と、弾性部材3とを備えている。台座1は、基板を載置するための部材である。爪部材2は、台座1との間で弾性部材3を挟み込んで支持するための部材である。また、爪部材2は、基板の端縁よりも外側で弾性部材3を支持している。弾性部材3は、基板の側面に外側から内側へ力を加えることで基板を台座1に保持するための部材である。 (もっと読む)


【課題】大幅なコスト増加を招くことなく、複数の保持ローラの同期回転を保証することができ、これにより、基板のダメージおよび保持ローラの摩耗を低減できる基板保持回転装置を提供する。
【解決手段】第1基板保持回転装置1は、基板Wを保持して回転させるための4本の保持ローラ6〜8を備えている。4本の保持ローラ6〜8は、基板Wの周端面に沿って互いに所定間隔をあけて配置されている。保持ローラ6は、ベルト33を介して保持ローラ駆動モータ32からの駆動力が与えられるただ1つの駆動ローラである。4本の保持ローラ6〜8が基板Wを保持した状態で、保持ローラ駆動モータ32が保持ローラ6を回転させることにより、基板Wが回転する。残り3本の保持ローラ7,8は、基板Wの回転に伴って、保持ローラ6と同期して従動回転する。また、保持ローラ6〜8は、いずれも、弾性材料であるゴムで形成されている。 (もっと読む)


【課題】外気の流入を抑えることができるワーククランプ装置を提供する。
【解決手段】搬送レール2の側面31にアーム挿入穴41を開設し、アーム挿入穴41にクランプアーム32を挿入する。クランプアーム32にシャッター51を設け、シャッター51を搬送レール2の側面31に密接する。クランプアーム32にワーククランプ81を固定し、ワーククランプ81を搬送部13内配置する。このワーククランプ81をプロセス用開口部21の下方領域83まで延出し、搬送部13内のリードフレームRを押さえられるように構成する。 (もっと読む)


【課題】試料が大きくなったことから試料台からのエアー吹き出しでは、十分試料が浮上しないため、試料と試料台の摺動抵抗が大きくなり、アクチュエータが十分機能せず、必要な位置決め精度を確保できない。該位置決め装置において、試料が大きくなっても、試料位置決め精度が確保できる様にすること。
【解決手段】試料位置決め方法及び装置の昇降ピンの先端をボール形状にすることにより、摺動抵抗を小さくする。大型試料にも対応し、試料位置決め精度の向上を図ることができ、また、位置制御ユニットを斜めに配置し、クランプピンを昇降させ対物レンズとの接触による干渉を回避することができる。 (もっと読む)


【課題】パーティクルの発生が少ない試料位置決め装置を提供する。
【解決手段】駆動源1からの駆動により水平方向に往復運動する駆動部10と、鉛直方向に昇降し、試料台62上より試料を持ち上げるための昇降部30と前記駆動部10および前記昇降部30と連動して水平方向に往復運動する伝達部20と、試料を径方向に移動させて所定位置で抑止する抑止体43、および前記駆動部10と連動して水平方向に往復運動するととともに前記抑止体43の運動を誘導する誘導体44を有する位置決め部40とからなる。 (もっと読む)


【課題】基板の処理内容に応じて基板を良好に処理することができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】第1支持ピンF1〜F12が基板裏面に当接して基板を支持しながら基板表面に供給される窒素ガスによって基板Wを保持する第1保持モードと、第2支持ピンS1〜S12が、基板Wが水平方向に移動した際に基板Wの端面に当接して基板Wの水平方向の移動を規制しつつ、基板裏面に当接して基板を支持しながら基板表面に供給される窒素ガスによって基板を保持する第2保持モードと、第1および第2支持ピンF1〜F12、S1〜S12が基板裏面に当接して基板を支持しながら基板表面に供給される窒素ガスによって基板を保持する第3保持モードを有し、基板の処理内容に応じて保持モードを選択的に切り換える。 (もっと読む)


【課題】複数の基板処理装置を用いることなく、同一基板処理装置で複数種の被処理基板を逆汚染無く処理でき、又処理液に応じたローラー溝を使用することにより処理液の回収効率を向上させる基板処理装置及び基板処理方法を提供すること。
【解決手段】円板状の被処理基板Wの周縁部をチャックする平面上に配置された3個以上のローラー部材11と、少なくとも1以上の前記ローラー部材を回転させるローラー回転駆動機構12と、被処理基板Wの表面及び/又は裏面に処理液を供給する基板面処理ノズル16等を具備する基板処理装置において、ローラー部材11に被処理基板Wの周縁部が係合するローラー溝11aを上下方向に複数個所定のピッチで設けるか又は該ローラー溝11aを有するローラー部材11を上下方向に複数個所定のピッチで設け、各溝を洗浄する洗浄ノズル17と該各溝内に付着した液を吸引する吸引ノズル18を設けた。 (もっと読む)


【課題】 導通端子を、基板の横方向及び回転方向の動きに追従させて動かす。
【解決手段】 上面にレジストが塗布され、レジスト面に荷電粒子ビームが照射される基板15が固定される凹部2、凹部2における基板15を下方から押し上げる押し上げ手段、基板15を上方から規制する上面規制板4,5,6、及び、基板15を押し上げ手段と上面規制手段とで固定した時に基板15の上面に接することにより上面に帯電する電荷を基板ホルダー外に逃がす導通端子20aを取り付けた支持体19aを備えている。導電端子20aは押し上げ方向及び規制方向に平行な面に沿って撓む板バネ19aに取り付けられており、板バネ19aは押し上げ方向に対し垂直な面に沿って動くことが出来るようにベアリング25を介して支持体21に取り付けられている。板バネ19aの後端部を、基板押し上げ方向に垂直な面に沿って撓む第2の弾性体で両サイドから挟む様にしている。 (もっと読む)


本発明は、半導体製造工程中、洗浄工程、エッチング工程などのように基板を回転させながら工程を行うために使用するスピンチャックに関する。本発明のスピンチャックは、基板が載置される回転可能なスピンヘッドと、スピンヘッドを回転させる駆動部と、スピンヘッドに設けられ、基板の回転の時、基板のフラットゾーンによる渦流現象を防止するために、基板のフラットゾーンに対応する位置にフラットゾーンのフラット面と接する接触面を有する固定ブラケットと、を含む。
上述した構成のスピンチャックは、基板のフラットゾーンと同一な形状の固定ブラケットを備えることによって、基板のフラットゾーンによる気流の不均衡を防止できる。従って、基板の背面に噴射されるエッチング液が均一に広がるようにすることができるという利点を有する。 (もっと読む)


【課題】板状ワークの周縁を正確にクランプしてターンテーブルに固定することができるとともに、ターンテーブルが回転中にワーク周縁のクランプ位置を変更することができ、洗浄残しや乾燥不十分な箇所が生ずることのないスピン処理装置を提供すること。
【解決手段】ターンテーブルの外周部に、支点部材を中心に揺動して前記ワークの周縁部をクランプする複数のクランパを配置し、クランパを揺動させる複数の流体シリンダをターンテーブル内部に設け、歯車等を介さずに直接クランパを駆動できるようにし、単純な機構で確実にワークをクランプすることができるとともに、複数の流体シリンダを独立して制御できるようにした。 (もっと読む)


【課題】基板の所望の領域における加熱ムラを抑制すると共に、基板の支持部の配置変更を容易にして作業性を向上させる。
【解決手段】基板加熱装置1は、加熱板6に設けられ、加熱板6の表面から所定の高さ位置で基板の裏面における端部を支持する第1支持部7と、加熱板6の表面に沿って基板の一端部外側から他端部外側へ向かって延びると共に、所定の高さ位置で基板の裏面を支持する棒状のプロキシミティバー8とを備えている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、イオン電流の流出が行なわれるストッパと接触する部分の温度低下を抑えてSOI層やBOX層を全体的に均一な厚さに形成できる半導体基板の製造装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、支持盤34に保持手段で保持されて旋回するように回転する半導体基板10にイオン注入を行なう半導体基板の製造装置において、保持手段は、半導体基板の周縁を保持し、かつ支持盤に接合するストッパ125と、このストッパを外周側から支え、かつ支持盤に着脱自在に固定されるストッパホルダ126と、支持盤にストッパを抑え付け、かつ支持盤に着脱自在に固定される抑え部材128とを有し、ストッパは導電性を有する材料で形成し、かつストッパを加熱する加熱手段140,141を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 基板支持体の温度を希望の範囲に常時制御する改良された方法及び装置を提供する。
【解決手段】 プロセスチャンバー内の基板の温度を±5℃の温度均一性で制御するための基板支持アッセンブリ及び方法が提供される。基板支持アッセンブリは、アルミニウム材料で構成される熱伝導性本体と、この熱伝導性本体の表面にあって、そこに大面積ガラス基板を支持するように適応される基板支持面と、熱伝導性本体内に埋設された1つ以上の加熱素子と、熱伝導性本体内に埋設されて、1つ以上の加熱素子の周りに位置された1つ以上の冷却チャンネルと、を備えている。また、本発明の基板支持アッセンブリを備えたプロセスチャンバーも提供される。 (もっと読む)


【課題】接触部近傍隅部に洗浄水が残ることがないスピン乾燥機のためのワーク把持装置を提供する。
【解決手段】スピン軸、支持枠、複数の回動駒42、ワーク載置面421、ワーク挟持面422、コイルバネ414、および、押圧手段を兼ねる飛散防止カバーを備えており、飛散防止カバー上部641によって押圧受け部425が押圧されたとき、ワーク載置面421が窪んだ円錐面に沿うように傾斜した状態となることによって、この状態のワーク載置面421にワークWがそのエッジ部にて載置され、飛散防止カバー上部641が押圧受け部425の押圧を解除するとき、ワークWのエッジ部がワーク載置面421に沿ってせり上がり、ワーク挟持面422に接触して停止し、ワークが把持される。 (もっと読む)


【解決課題】 半導体基板を互いに位置合わせを行って貼り合わせる場合、貼り合わせる基板間の傾き調整は重要である。この傾き調整を真空中等で行う場合、装置構成が大きくなったり、また傾き調整精度が低下することがある。このような課題を解消する。
【解決手段】 キネマティック保持法を傾き調整機構に応用し、その調整を自動的に行うことにより、真空下での調整を容易にする。
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