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Fターム[5F031HA24]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 処理時の固着、保持 (16,861) | ステージ、チャック、サセプタ (15,090) | 固着・保持機構 (3,822) | クランプ、把持 (775) | ウエハ等の周縁の一部を把持(爪状部材等) (222)

Fターム[5F031HA24]に分類される特許

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【課題】処理液の基板の非処理面への回り込みを防止することができ、基板の製造品質維持を容易にすることができる基板処置装置を提供すること、信頼性の高い半導体基板、半導体部品および半導体装置を提供することにある。
【解決手段】基板Wに処理液を付与する基板処理装置100は、基板Wを回転させる基板回転部101と、基板Wを雰囲気から遮蔽する遮蔽部103とを有する。基板回転部101は、基板Wの基板回転部101と対向する面に処理液を供給する処理液供給部110と、基板回転部101に対する基板Wの相対的な動きを規制する規制部105とを有する。遮蔽部103は、基板Wと遮蔽部103との間に気体を吐出する気体供給部と、その周縁部にわたって、前記基板に近接する近接部とを有する。 (もっと読む)


【課題】
基板処理装置に於いて、基板の基板支持台への搬送位置の再現性を向上させ、基板と基板支持台との接触の不均一の要因の1つである累積膜の影響を無くし、膜厚の均一性、再現性の向上を図る。
【解決手段】
基板9を収納し処理する処理容器1と、該処理容器内で前記基板を支持する基板支持台2と、該基板支持台上方に設けられ、該基板支持台に対する前記基板の搬送位置を検知する基板位置検知センサ29とを具備する。
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【課題】 マスク保持枠に吸着保持されているマスクのずれを防止し、基板に露光転写される露光パターンの精度悪化を防止することができる近接露光装置を提供する。
【解決手段】 マスク吸着板26に吸着保持されたマスクMが面方向にずれるのを拘束するマスクずれ防止機構40を備えている。このマスクずれ防止機構は、マスク吸着板の下面に配置した押し当て板42と、マスクの端面に向けて前記押し当て板を移動させる押し当て板移動機構44と、マスクの端面に当接した押し当て板をマスク吸着板に吸着保持させる押し当て板吸着機構を備えている。押し当て板移動機構は、押し当て板がマスクの端面に当接した後、押し当て板に作用している押し当て力を解除するようにしている。 (もっと読む)


【課題】 移載保持部を乾燥させる機構を備えることにより、乾燥の短時間化を図ることができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】 吸引通路33を介して吸引すると、吸引穴41から液滴を吸い出すことができるので、液滴で濡れている保持部材35を短時間で乾燥させることができる。その結果、基板Wの乾燥処理に要する時間を短縮することができる。また、従来から設けてある支柱31に吸引通路33を形成し、保持部材35に吸引穴41等を形成するだけでよく、本機能を低コストで実現できる。 (もっと読む)


【課題】 振動膜生産のための薄膜伸長工程を自動化できる薄膜伸長装置を提供すること。
【解決手段】 本装置は、下板モールドを挿入するための溝が上面に形成され、下板モールド挿入溝の周辺には真空吸入部が形成され、中央部には音圧印加ホールが設置されるベース;ベースの上面に垂直に離隔されて位置し、ベースに対して垂直に上下運動する上下移送部;上下移送部の末端に脱着可能に付着され、ベースに対して上下運動して最低点で下板モールドと結合する上板モールド;ベースと上下移送部の間に離隔されて位置し、ベースに対して上下運動して最低点で下板モールドの外郭部に位置する、薄膜を圧着する外郭クランプ;真空吸入部に真空を提供する真空ポンプ;及び、ベースの底面に付着されて音圧印加ホールを通して、薄膜に試験音圧を提供する音圧発生部を含めて構成される。 (もっと読む)


【課題】 略円板状の被加工物の変形を矯正することにより、変形した被加工物であっても正確に中心位置を合わせが可能な中心位置合わせ装置及び中心位置合わせ方法を提供する。
【解決手段】略円板状の被加工物の中心位置を合わせる中心位置合わせ装置10に、中心位置合わせ装置10のテーブル130に載置された被加工物に対して、上側からエアを噴射する上側エア噴射手段110と、下側からエアを噴射する下側エア噴射手段120とを設けた。 (もっと読む)


【課題】検査中にウエハの裏面に障害なく接近することを許容し、ウエハ上にかかる応力を最小化するウエハ保持装置を提供する。
【解決手段】ウエハ保持装置に確保される少なくとも1つのスペーサー34を有する第1プレート、少なくとも1つのフィンガー38を有する第2プレート24であって、第2プレート24が第1プレートに関して開き位置にある場合には、フィンガー38がリップ36から離れて位置し、および第2プレート24が第1プレートに関して閉じ位置にある場合には、フィンガー38およびリップ36が協同してフィンガー38およびリップ36の間にあるウエハWの規定部分を固定するように、少なくとも1つのフィンガー38が第2プレート24上に配置される。 (もっと読む)


【課題】真空雰囲気中あるいは減圧された軽元素気体中であっても反射マスクを確実に支持固定し、温度によるマスクの歪みを抑制できるX線投影露光装置を提供する。
【解決手段】反射型マスク1をX線で照明する照明系と、反射型マスクのパターンの像をウエハに投影する投影光学系と、反射型マスク1を静電気力で保持する保持手段32と、保持手段の温度を調節する温度調節手段41,42とを備え、反射型マスク1は、パターンが表面に形成された多層膜と、多層膜が表面の所定領域に形成された基板とを有し、保持手段32は、基板の前記表面と対向する裏面を保持し、温度調節手段41,42は、保持手段の、基板の表面の所定領域と対向する裏面の領域を保持する部位の温度を調節する。 (もっと読む)


【課題】 基板に供給される処理液が基板を保持する基板保持手段の可動部分に侵入することに起因する不具合を防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 スピンベース21の上面周縁部には、複数のチャックピンF1〜F3,S1〜S3が基板Wの外周端部に当接して基板Wを保持可能に配設されているとともに、複数の支持部材22が基板Wの下面周縁部と当接して基板Wを支持可能に上方に突出するように固設されている。チャックピンF1〜F3,S1〜S3は、回動自在にスピンベース21に軸支された可動本体部材231と、可動本体部材231上に固定して支持された当接部材232とを備えている。そして、可動本体部材231を回動させることで、当接部材232を基板Wの外周端部に離当接させることが可能となっている。この可動本体部材231は、スピンベース21が基板Wと対向する対向領域FRよりも基板Wの径方向外側に配置される。 (もっと読む)


【課題】基板の全域に対してほぼくまなく処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板保持回転機構2は、基板Wを遊星回転状態で保持する基板保持部材20を備えている。基板保持部材20は第1および第2基板保持部品21,22を組み合わせて構成され、これらの間に、平面視においてほぼ円形の基板保持内周面30が形成されている。基板保持部材20は、揺動駆動機構25によって揺動される。これにより、基板Wは基板保持内周面30上を転動して遊星回転状態となる。この基板Wの上下面Wa,Wbに対して、第1および第2処理液供給機構3,4から処理液が供給される。 (もっと読む)


少なくも2個の処理ユニットの複数の少なくも1個の直線状に配列されたアレイを備え、各処理ユニットにおいて1個の枚葉ウエハ形物品を処理でき、更に、かかる各処理ユニットにおいて1個の枚葉ウエハ形物品を処理し得る前記処理ユニット、少なく1個の枚葉ウエハ形物品を内部に貯蔵している少なくも1個のカセットを保持するためのカセット保持ユニット、及びカセットからウエハ形物品を取り上げてこれを処理ユニットの一つの中に置くための輸送システムを備えたウエハ形物品の処理用の装置が明らかにされる。本装置は、直線状トラック上に取り付けられた輸送ユニットを備える。前記輸送ユニットは、枚葉ウエハ形物品を、直線状トラックと平行な実質的に垂直な平面内に保持する。
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【課題】
半導体薄板の位置合わせ装置において、構造が簡単で再度の受け渡しをすることなく確実にウェハを保持でき、しかもウェハに損傷を与えることが殆どないようにしたい。
【解決手段】
保持したウェハWをその主面と垂直方向の軸を中心として回転させ、周縁部をセンシングしてウェハの位置合わせを行う位置合わせ装置であり、放射状に配置したクランプバー12を放射状配置の中心側で半径方向に移動自由に支持した保持本体2と、この保持本体2をウェハの主面と垂直方向には移動自由に支持し垂直方向の軸を中心として回転させる円筒体3と、円筒体を垂直方向の軸を中心として回転させる駆動体5と、保持本体を弾性材10を介して垂直方向に移動させる駆動体9と、円筒体と各クランプバーに各端部を軸支連結したリンクバー14を有し、各クランプバーは放射状配置の外側端部に各クランプバーの半径方向への移動でウェハの周縁部に接しあるいは離脱する保持爪15を備えている。 (もっと読む)


【課題】構造の複雑化による装置の大型化及び設備コストの上昇、並びに、製造プロセスの長時間化による製造コストの上昇を生じることなく基板の角度位置を制御する。
【解決手段】基板受け渡し部材12が基板把持部1のフィンガ3と干渉する場合には、フィンガ3を含む基板把持部1を基板Wとともにさらに補正角度値だけ回転させ、下限位置から搬出入位置まで上昇する基板受け渡し部材12が基板把持部1のフィンガ3に当接しないようにする。演算処理部8は補正角度値をロボット制御部22に伝送し、ロボット制御部22は演算処理部8から伝送された補正角度値だけ基板把持部1の回転方向とは反対方向にロボットハンド11を水平面内で回転させる。ロボットハンド11における基板Wの相対的な角度は適正なままにされ、その後に基板Wを搬入すべきプロセス装置に対して適正な角度位置で基板Wが搬入される。 (もっと読む)


【課題】 少ない工程数および簡易な構成で基板を確実に反転させることができ、かつ小型化が可能な基板反転装置および基板反転方法を提供することである。
【解決手段】 第2の可動部材75に設けられた複数の基板支持ピン73b上に基板Wが支持される。次に、第1の可動部材74に設けられた複数の基板支持ピン73aに複数の基板支持ピン73bが近接するように、第1および第2の可動部材74,75が互いに移動される。次に、基板支持ピン73a,73bとの間に基板Wが保持された状態で、第1および第2の可動部材74,75が反転される。そして、複数の基板支持ピン73a,73bとが互いに離間するように第1および第2の可動部材74,75が相対的に移動される。 (もっと読む)


【課題】ロータに処理液が残留することを防止でき,かつ,耐薬液性能を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ロータに備えた複数の保持部材40A,40B,40C,40Dによって基板Wの周縁部を保持し,前記ロータによって基板Wを回転させて処理する基板処理装置において,前記保持部材40A,40B,40C,40Dを支持する支持部材41A,41B,41C,41Dを備え,前記保持部材40A,40B,40C,40Dと前記支持部材41A,41B,41C,41Dとの間に,隙間75が形成されることとした。 (もっと読む)


プローブステーションに装置を支持するように構成した透過板上に堆積した透過レジスタを有する熱光学チャックにより、試験中の加熱可能な装置の下面にアクセス可能な光路を提供する。
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物体を熱処理する少なくとも1つの装置を含む熱処理システムであって、該装置は、1つのプラットフォーム、または互いに反対側に位置した2つのプラットフォームからなり、ここで少なくとも1つのプラットフォームは物体を加熱または冷却する少なくとも1つの熱的手段を有し、少なくとも1つのプラットフォームは、非接触で物体を支持する流体機械的手段を有している、熱処理システムである。前記プラットフォームは、少なくとも1つの、複数からなる基本セルからなる作動面を有し、この基本セルは、少なくとも1つの、複数からなる圧力吐出口と、少なくとも1つの、複数からなる流体排出流路を有するものである。各基本セルの圧力吐出口の少なくとも1つは、流量絞り機構を介して高圧流体源に流体的に接続され、この圧力吐出口は、前記物体とプラットフォームの作動面の間の流体クッションの形成維持のために加圧流体を供給するものである。流量絞り機構は、特性的には、流体的な戻しばね的な挙動を示すものである。各流体排出路は流入口と流出口を有し、各基本セルに対する質量流量の平衡をとるものである。 (もっと読む)


【課題】 ドラム型基板ホルダーの外周面に対して基板の取り付け、取り外しを、簡易な構成で容易に行うことができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】 ドラム型基板ホルダー5を水平方向の回転軸を回転中心にして成膜室内に水平状態で回転自在に支持し、基板12を固定保持した基板固定治具13をアームでドラム型基板ホルダー5の外周面上に水平に搬送することで、ドラム型基板ホルダー5の外周面の角部5aに設けた固定装置14で基板固定治具13の端部13bを固定することができる。 (もっと読む)


本発明は、半導体製造処理に用いられるウエハ等の基板に塵等が付着することを防止し、短時間で精度よく基板の向きを調整する基板位置決めシステムを提供する。本発明の好適な実施形態である基板処理
システムAでは、複数のローラ220により、ウエハWの周縁を他方向から押圧することで、その中心位置合わせを行う。そして、当該ローラ220による中心位置合わせ状態を維持したまま、当接部材210の当接部211をウエハWの切り欠きWaに当接させ、当接部材210を弧状に移動することでウエハWを回転してその向きを調整する。 (もっと読む)


【課題】比較的高い温度およびエネルギーレベルに耐えることができ、かつスパッタリングのコンタミネーションの可能性を低減したウエハーホルダを提供すること。
【解決手段】熱硬化性樹脂から形成されたウエハー保持構造であって、例えば、SIMOXウエハープロセスを含む半導体プロセスに用いられる。一実施形態では、ピンが、ウエハーの縁を受容するように構成され、ウエハーホルダ組立体に結合される。このピンは、導電材料で満たして、ウエハーとウエハーホルダ組立体との間に、グランドに接続できる電気経路を形成することができる。この構成により、イオン注入プロセスの際にウエハーからの放電を防止する導電経路が得られる。このピンは、ウエハーの局所的な熱の放散が起こらないように断熱特性および十分な硬度を有するが、ウエハーにマークを付けたり、他の損傷を与えない程度に軟質である。 (もっと読む)


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