【要 約】
【課題】絶縁性基板を吸着した状態で搬送できる基板搬送装置を提供する。
【解決手段】基板搬送装置２０の腕部２２に、幅４ｍｍ、間隔２ｍｍ以下の電極を有する吸着装置２３を取り付ける。大きなグラディエント力が得られるので、絶縁性基板１１を吸着できる。その場合、絶縁性基板１１をつり下げた状態にしたり、立てた状態で搬送することができる。 （もっと読む）

【目的】 静電チャックをなす絶縁体の内部にガス流路を有するもので、ハロゲンガスやそれらのプラズマに対する耐食性に優れたものを提供する。
【構成】絶縁体２の内部に静電電極５を備えてなる静電チャックで、その絶縁体２がセラミックグリーンシートを積層、圧着して焼成してなる積層構造のもので、被吸着部材を温度制御するためのガスをその絶縁体２の吸着面３に供給するために、該吸着面３にガス噴出口１５を有するガス流路１１を該絶縁体２の内部に備えてなるものとし、絶縁体２を、セラミックグリーンシートに、イットリアを主成分としてなるイットリアグリーンシートが用いられてなるイットリア焼結体から形成した。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】絶縁性基板を吸着した状態で搬送できる基板搬送装置を提供する。
【解決手段】基板搬送装置２０の腕部２２に、幅４ｍｍ、間隔２ｍｍ以下の電極を有する吸着装置２３を取り付ける。大きなグラディエント力が得られるので、絶縁性基板１１を吸着できる。その場合、絶縁性基板１１をつり下げた状態にしたり、立てた状態で搬送することができる。 （もっと読む）

【課題】 静電チャックと基板間の残留吸着力の判定を慎重に行ってスループットの低下を抑えることができ、しかもセンサ系や基板状態等に異常がある場合にそれを検出することができる装置を提供する。
【解決手段】 この基板保持装置６０は、基板２の押し上げの際に押し上げ部材３４に加わる力を検出する力センサ３６と、制御装置５０とを備えている。制御装置５０は、力センサ３６が検出する力Ｆを測定して、測定した力Ｆが、下限値Ｆ_L 以上かつ上限値Ｆ_H 以下のときは正常信号Ｓ_N を出力し、下限値Ｆ_L より小さいときは異常信号Ｓ_L を出力し、上限値Ｆ_H より大きいときは、所定時間Ｔ待機した後に、力センサ３６が検出している力Ｆを再測定して、再測定した力Ｆが、下限値Ｆ_L 以上かつ上限値Ｆ_H 以下のときは正常信号Ｓ_N を出力し、下限値Ｆ_L より小さいときは異常信号Ｓ_L を出力し、上限値Ｆ_H より大きいときは異常信号Ｓ_H を出力する機能を有している。 （もっと読む）

【課題】電子線照射により載置面に静電吸着された板状試料が帯電した場合であっても、板状試料の裏面に付着するパーティクル数を大幅に低減することができ、かつ、電圧印加を停止した際に静電吸着された板状試料を載置面から素早く離脱させることができる静電チャックを提供する。
【解決手段】一主面を板状試料を載置する載置面２ａとするとともに内部に静電吸着用内部電極４、４を設けてなる基体７と、この基体７に保持され静電吸着用内部電極４、４に電圧を印加する給電用端子６、６とを備え、基体７は、炭化ケイ素を１質量％以上かつ３０重量％以下含有してなる平板状の炭化ケイ素−酸化アルミニウム複合焼結体により形成され、載置面２ａの表面粗さＲａは０．０１μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 アーキングを抑制して、例えばアルミ等の飛散を防止することができる静電チャックを提供すること。
【解決手段】 静電チャック（１）の冷却用ガス孔（１３）は、静電チャック（１）の厚さ方向において、チャック面（３）及び裏面（１１）に垂直に設けられて、チェック面（３）に吸着された半導体ウェハ（５）を、チャック面（３）から離脱させるための突き上げピン（１５）を嵌挿するためのピン用貫通孔としても用いられる。特に冷却用ガス孔（１３）の内部には、その内側表面のほぼ全体を覆う様に、円筒形の部材である絶縁スリーブ（１９）を配置し、これにより、冷却用ガス孔（１３）の金属ベース部分（金属ベース側ガス孔）（２１）のアルミ素地が露出しないようにしている。 （もっと読む）

【課題】基板吸着力を正確にモニタすることが可能な基板吸着システム２を提供する。
【解決手段】基板５を吸着するホットプレート１２と、ホットプレート１２の表面に形成されたガス充填室２０と、ガス充填室２０に不活性ガスを供給するガス流路２５と、圧力計２３の測定結果に基づいて、流量制御バルブ２４の開度を調節し、ガス充填室２０内のガス圧力を所定圧力に制御する制御部３０と、流量制御バルブ２４の上流側に配置され、ガス流路２５のガス流量を測定する流量センサ２７と、流量センサ２７の上流側に配置され、ガス流路２５を開閉する遮断弁２８と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

プラズマ処理の間に半導体ウェハとの電気的接触を向上させる方法および装置が開示される。一実施形態では、装置は、ウェハを支持するウェハプラテンと、複数の電気接触素子とを備え、複数の電気接触素子のそれぞれは、バイアス電源からウェハプラテン上のウェハにバイアス電圧を供給する経路を提供する。複数の電気接触素子は、少なくとも１つの電気接触素子が内側表面領域（例えばウェハの中心から、ウェハの半径の約半分の距離までの間の領域）と接触し、少なくとも１つの電気接触素子が外側環状表面領域（例えばウェハの外縁部から、ウェハの半径の約半分の距離までの間の領域）と接触するよう、配置される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、耐プラズマ性に優れ、かつ、パーティクル汚染を抑制することができる静電チャック、静電チャックの製造方法、および基板処理装置を提供する。
【解決手段】被処理物が載置される載置面を有し、前記載置面はエアロゾルデポジション法を用いて形成された多結晶構造物を含み、前記多結晶構造物はその表面に突起部を有し、少なくとも前記突起部には、イットリア（Ｙ_２Ｏ_３）を含有すること、を特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）

【課題】あるチャンバから別のチャンバへの被処理体の搬送を従来よりも速やかに行えるようにした搬送装置を提供する。
【解決手段】被処理体を第１開口を有する第１チャンバ１０から第２開口を有する第２チャンバ２０へと搬送する搬送装置４０を、被処理体を保持しうるとともに第１開口及び第２開口を介して第１チャンバ１０及び第２チャンバ２０の内に挿入されうる被処理体保持部４２Ａ，４３Ａと、被処理体保持部４２Ａ，４３Ａを支持するベース部４１と、被処理体保持部４２Ａ，４３Ａを第１チャンバ１０及び第２チャンバ２０に挿入しうる方向へベース部４１を往復移動させる往復駆動手段４６と、一本の回転軸Ｘを中心に被処理体保持部４２Ａ，４３Ａが第１開口に対向する位置と第２開口に対向する位置との間で回転往復移動するようにベース部４１を回転させる回転駆動手段４５とを備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】 従来のイオン注入装置では、基板表面に滞留する正電荷を、中和装置を用いて中和し、良好なイオン注入を可能にしているが、これでは、コスト高を招く。
【解決手段】 所定の基板を保持する基板保持手段４と、基板保持手段で保持された基板に対し真空中でイオンビームを照射し、Ｘ、Ｙ方向に走査するイオン照射手段２１、２２とを備える。基板保持手段は、静電気によって基板を吸着する静電チャック用の電極４２ａ乃至４２ｄを設けた基板保持部４１ａを有し、この基板保持部に基板を吸着すると基板裏面に面接触する少なくとも１個のアース接地の導電性の板ばね６を設け、イオン照射手段によって、基板の外周から外側に延出した板ばね表面にイオンビームが照射されるように前記イオンビームの走査を行う。 （もっと読む）

イオン注入装置、システム、および方法は、真空と大気圧との間において、複数のワークピースを搬送するために提供される。アライメント機構は、複数のワークピースを、複式ワークピースロードロックチャンバに対して略同時に搬送するために、位置合わせするよう機能する。アライメント機構は、評価装置、昇降装置、および、２つのワークピースを支持するための２つの垂直配向ワークピース支持部を備える。第１および第２大気ロボットは、ロードロックチャンバ、アライメント機構、およびＦＯＵＰの間において、一度に２つのワークピースを略同時に搬送するように構成されている。第３および第４真空ロボットは、ロードロックモジュールおよび処理モジュールの間において、一度に１つのワークピースを搬送するように構成されている。
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【課題】ロット毎に要求される微細加工の程度に応じてウエハの搬送を制御する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハＷに所定の処理を施す複数のＰＭ４００とウエハＷを搬送する搬送機構を内蔵するＬＬＭ５００とを備える。ＥＣ２００は、基板処理装置を制御する。ＥＣ２００の選択部２５５は、次にウエハＷを搬送すべきＰＭ４００を選択するとともに、ロット毎に要求される微細加工の程度に応じて、同一ＰＭに搬送するウエハＷの単位を１ロット単位または１ウエハ単位のいずれにするかをロット毎に選択する。ＥＷＣ２００の搬送制御部２６０は、ロット単位の搬送が選択された場合、該当ロットに含まれるウエハＷを選択された同一ＰＭ４００に順に搬送し、ウエハ単位の搬送が選択された場合、該当ロットに含まれる各ウエハＷを選択されたＰＭ４００から他のＰＭ４００に一枚ずつ順にＯＲ搬送する。 （もっと読む）

イオン注入装置、システム、および方法が、真空と大気圧との間で複数のワークピースを搬送するために提供される。アライメント機構は、複数のワークピースを、複式ワークピースロードロックチャンバに向かって概して同時に搬送するために位置合わせする働きをする。アライメント機構は、評価装置、昇降機、および、２つのワークピースを支持するための２つの垂直配向ワークピース支持部を含む。第１および第２大気ロボットは、ロードロックモジュール、アライメント機構、およびＦＯＵＰの間において、一度に２つのワークピースを概して同時に搬送するように構成されている。第３および第４真空ロボットは、ロードロックモジュールおよび処理モジュールの間において、一度に１つのワークピースを搬送するように構成されている。
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基板のイオン注入用のメカニカルスキャナであって、該メカニカルスキャナは、該基板を保持するための可動プラットフォームを具備する六脚を備えており、該六脚は、所定の経路に沿ってイオンビームに対して該可動プラットフォームが横断されるようにする６つの自由度を有するように配列されている。 （もっと読む）

【課題】ウェハにおけるスリップの発生を防止するとともに、ウェハ−治具間の密着の発生についても防止することができるウェハ熱処理用治具を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素を主成分とするウェハ熱処理用治具である。ウェハ１の周縁部を支持する支持部１１を有し、支持部１１のうち少なくともウェハ１と接触する領域が、ウェハ中心に向かい高さを減じるよう傾斜してなり、かつ、該領域の表面粗さＲａが、０．５μｍ〜２．０μｍである。支持部１１は、リング形状または爪形状を呈するものとすることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、注入を行うべき半導体ウエハ又は他の基板の多方向機械的走査のための走査アームアセンブリに係る。本発明は、四辺形を形成するように２つのリンクアームにより接続された１対の駆動アームを備える走査アームアセンブリを提供する。隣接アームを一緒に接合するため回転接合部が設けられ、一方のリンクアームに、それが他方のリンクアームと接合するところで、基板ホルダーが設けられる。従って、それら駆動アームを回転することにより、基板ホルダーが移動させられる。それら駆動アームを適当に制御することにより、基板ホルダーがイオンビームを通して移動させられ、多くの異なるパス、ひいては、注入パターンを辿るようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】被搬送物を移載するための機構が設けられていない中継バッファを介して、その上面に被搬送物を載置して軌道上を走行する台車と、その下端において被搬送物を把持し、軌道に懸垂された状態で走行する台車との間で、被搬送物の受け渡しを行う
【解決手段】グリッパ４７によりＦＯＵＰ３５を把持したＯＨＴ搬送台車１６は、中継バッファ５に対向する位置において昇降ベルト４６によりグリッパ４７を降下させ、棚板２１ａ、２１ｂの上面に跨るようにＦＯＵＰ３５を載置する。ＯＨＳ搬送台車８は、中継バッファ５に対向する位置において昇降テーブル６４を上昇させて棚板２１ａ、２１ｂの間を通過させることによってその上面にＦＯＵＰ３５を載置し、その後、中継バッファ５に対向しない位置まで移動させてから昇降テーブル６４を降下させることにより、ＦＯＵＰ３５をＦＯＵＰ載置台６０に載置する。 （もっと読む）

【課題】基板を損傷することなく容易に出し入れすることができ、小型化が可能な基板収納装置およびこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板１を互いに隙間を置いて積層状態に収納する基板収納装置は、底板１０４と、底板に対向した天板１０３と、底板と天板との間を延びた側板と、各側板に複数段ずつ積層して設けられ基板の周縁部を支持する複数の支持体１５０と、を有している。複数の支持体はそれぞれ互いに分割され、選択的に積層方向に移動可能に設けられている。 （もっと読む）

スキャンアームから基材ホルダーを接続および取り外しするためのイオン注入装置、システム、および方法が提供されている。静電チャックを実装可能なようにツイストヘッドが設けられており、１つ以上の上記ツイストヘッドに付随する１つ以上の回転および非回転部材、および静電チャックは、自身に付随する１つ以上の動的流体シールを有している。上記静電チャックはさらに、上記１つ以上の動的流体シールを外すことなく上記ツイストヘッドから取り外し可能である。
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