【課題】 反りがある被処理部材を固定した場合でも、被処理部材に反り力が生じない状態で被処理部材を保持面に均一に当接させる。
【解決手段】 ウエハ１３の反りに応じた曲率のウエハステージ２１に吸引手段によりウエハ１３を吸引させ、反り力を生じさせることなくウエハ１３をウエハステージ２１の上面に保持させ、保持面に対してウエハ１３を均一に当接させる。また、ウエハ１３の反りに応じた傾斜面２９を有するホルダ２６により、ウエハ１３の周縁部に対して面方向の相対移動がない状態でウエハ１３をウエハステージ２１に固定する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の処理テーブルや基板搬送系に付着している種々の大きさの異物を簡便かつ確実に除去するクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、シリコンウェハのミラー面搬送による異物捕集能力とは異なる異物捕集能力を有するクリーニング部材を搬送すること、および、該クリーニング部材の搬送の後、シリコンウェハのミラー面搬送を行うことを含む。好ましくは、異物捕集能力は、異物の大きさにより規定される。 （もっと読む）

【課題】基板に電圧を印加して基板にダメージを及ぼすことなく、当該基板における、大型基板において特に顕在化する複雑な態様の反りの発生部位及び発生状態を容易且つ正確に特定する。そして、大型基板でも確実なチャッキングに供することを可能とする。
【解決手段】センサ部２は、搭載面１ａの中央部分に設けられた第１のセンサ群１１と、第１のセンサ群１１を囲む第２のセンサ群１２と、第２のセンサ群１２を囲む第３のセンサ群１３とを有する。第１のセンサ群１１は、基板面の中央部分に対応して設けられた１つの静電容量センサ１０ａから、第２のセンサ群１２は、第１のセンサ群１１を同心状に囲む複数の静電容量センサ１０ａから、第３のセンサ群１３は、第２のセンサ群１２を同心状に囲み、搭載面１ａの周縁の近くに設けられた複数の静電容量センサ１０ａを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの偏心を解消し、搬送ロボットのハンドと搬送先の基板載置台との干渉を防止する。
【解決手段】
プリアライメント装置１３は、ウェーハ３１を載置した回転載置部１３１を回転させたとき、ラインセンサ１３２から得られるウェーハ３１のエッジ位置情報に基づき、ウェーハ３１の偏心ベクトルを検出し、さらに、回転載置部１３１をその偏心ベクトルの方向がハンド１４１のプリアライメント装置１３に対する挿抜方向と同じになるまで回転させる。搬送ロボット１４は、そのウェーハ３１をハンド１４１で保持して、いったん、プリアライメント装置１３から引き抜き、再度、プリアライメント装置１３へ挿入して、回転載置部１３１へ載置する。このとき、搬送ロボット１４は、ハンド１４１を前に挿入したときよりも、偏心ベクトルの大きさの分だけ、前進または後退した位置まで挿入する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、大気雰囲気中の焼成により簡便に作製できるセラミック誘電体を備えた、耐プラズマ性が良好で、ジョンセン・ラーベック力を利用した吸着力の強い静電チャックを提供することである。
【解決手段】本発明の一実施形態では、酸化イットリウムを主成分とし、焼成により得られるセラミック材料において、副成分として主成分とは異なる希土類元素酸化物を含有し、体積抵抗率が室温において１×１０^８Ωｃｍ以上、１×１０^１4Ωｃｍ未満であるセラミック誘電体を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】搬送ミスが少なくイオンビームによるエッチング処理時に被加工物の冷却を充分に行うことができるミリング装置の提供。
【解決手段】真空チャンバ２０の外部にはロードロック扉４１が設けられており、ロードロック扉４１の開口部を、真空チャンバ２０を画成する壁部２０Ａに密着当接させて密閉することで、当該壁部２０Ａの部分とロードロック扉４１とでロードロック室４０を画成する。当該壁部２０Ａの部分には開口２０ａが形成されている。開口２０ａは真空チャンバ２０とロードロック室４０とを連通するように壁部２０Ａを貫通して形成されている。開口２０ａに基板保持端部６０Ａを挿入し、鍔部６５が開口２０ａを画成する壁部２０Ａの部分に密着当接することにより、真空チャンバ２０内とロードロック室４０内との連通が遮断される。 （もっと読む）

【課題】非導電性潤滑剤が与えられた軸受を用いた移動手段により基板保持部を移動させて基板搬送を行う基板搬送装置において基板保持部で保持した基板から静電気を確実に除去する。
【解決手段】接触子７の上方端部が連結コラム５５ｂの下端面に取り付けられる一方、その下方端部は屈折部７１となっており、支持ベース５２の内底面に配置された導電プレート５２２に当接して屈折部７１を導電プレート５２２に押し付ける方向に弾性力が作用している。このため、ハンド５１ｂが移動する際に、屈折部７１は電気的にグランド電位に接続されている導電プレート５２２の上面と機械的に常時接触しながら摺動し、ハンド５１ｂ−ホルダ５３ｂ−連結コラム５５ｂ−接触子７−導電プレート５２２という除電経路が常時形成されている。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層を有するＳＯＩ構造の基板を大面積化する。
【解決手段】矩形状の複数の単結晶半導体基板をトレイに配置する。トレイには、単結晶半導体基板を収めるための凹部が形成されている。トレイに配置した状態で、水素イオンをドープして所望の深さに損傷領域し、また、複数の単結晶半導体基板表面に接合層を形成する。損傷領域および接合層を形成した複数の単結晶半導体基板をトレイに配置して、ベース基板と貼り合わせる。加熱処理することにより、損傷領域に沿って単結晶半導体基板を分割することで、ベース基板に薄片化された複数の単結晶半導体層が形成される。 （もっと読む）

【課題】投影光学系の下方の空間における液体の制御（例えば、液膜の形成または液膜の除去）をより確実に行う。
【解決手段】露光装置は、原版１のパターンを投影光学系４および液体ｆを介して基板９に投影して該基板９を露光する。露光装置は、投影光学系４の下方の空間に液体を供給する供給ユニット３０と、投影光学系４の下方の空間の流体を吸引する吸引ユニット５０と、吸引ユニット５０によって吸引される流体の種類の変化を検出する流体センサ２３とを備える。吸引ユニット５０によって吸引される流体の種類の変化を流体センサ２３が検出したことに応じて吸引ユニット５０の動作状態が変更される。 （もっと読む）

【課題】薄仕上げした半導体ウエハの反り量を低減しつつ、半導体ウエハに対して各種ウエハ処理を行うことのできる技術を提供する。
【解決手段】ウエハ１の主面１Ａからウエハ１の内部に不純物を導入および拡散させることによって素子を形成し、ウエハ１の主面１Ａ上に絶縁膜および導電膜の形成およびパターニングを行った後に、基材２Ａおよび紫外線硬化型粘着剤層２Ｂから形成された紫外線硬化型粘着テープ２をウエハ１の主面１Ａに貼付する。その後、ウエハ１の裏面を研削し、ウエハ１を薄型化した後に、主面１Ａが凸形状となる反りがウエハ１に生じている場合には、紫外線硬化型粘着テープ２に加熱処理を施し、紫外線硬化型粘着テープ２を熱収縮させてウエハ１の反りを矯正する。 （もっと読む）

【課題】破砕中のネガの破損数を著しく制限することを可能にする方法を提案すること。
【解決手段】本発明は、２つの層により画定される脆化面に沿って複合構造（１００）を破砕する方法に関する。破砕の間、この複合構造は、ボートハウジング（１２０）内に配置され、また、この構造の両側に配置され、かつ互いに平行に整列された硬化剤（１１８）と接触した状態に保たれる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、素子形成基板を真空吸着する基板吸着支持部材及び基板支持方法に関し、素子形成基板を真空吸着することにより、素子形成基板に設けられた素子が破損することを防止することを課題とする。
【解決手段】基板２２及び基板２２に形成された素子２３を備えた素子形成基板２０を真空吸着するための複数の溝部６１〜６３と、複数の溝部６１〜６３の間に設けられ、素子形成基板２０と接触する複数の基板支持部５３〜５５と、真空引き用管路７３を介して、真空装置と接続され、複数の溝部６１〜６３を真空引きするための複数の貫通孔６７〜６９と、を有した基板吸着支持部材４０であって、複数の貫通孔６７〜６９を、複数の基板支持部５３〜５５の一方の側面５３Ｂ，５４Ｂ，５５Ｂと複数の基板支持部５３〜５５の他方の側面５３Ｃ，５４Ｃ，５５Ｃとの間に位置する部分の複数の基板支持部５３〜５５を貫通するように設けた。 （もっと読む）

【課題】原価のアップを抑えつつ、異なるサイズの試料を静電吸着可能とし、且つ試料エッジ部の電界を均一化させることで像質を向上させる装置を提供する。
【解決手段】試料保持手段は静電チャックであることと、静電チャックの外周部には試料サイズの中で最大の寸法の試料を囲う基準平面部と、最大の試料サイズ以外の試料サイズを囲う開口部を有し、静電チャックに着脱可能なダミー試料を備え、試料サイズの切替え時に、ダミー試料を選択（使用しないことも含める）する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面に絶縁膜があっても、ウェーハの電位を所望の電位に設定可能なウェーハ保持機を提供する。
【解決手段】ウェーハ１２が載せられるウェーハ台３３と、ウェーハ１２をウェーハ台３３上に係止する可動ピン２４と、鋭利な凸部を有する擦動面２９Ｓを有し、擦動面２９Ｓを介してウェーハ１２に電気的に接続する接触端子２９と、ウェーハ１２の係止中に、擦動面２９Ｓをウェーハ１２の外周側面に圧接させたまま擦動させる駆動部２５とを有する。 （もっと読む）

制御された雰囲気を保持するために少なくとも１つの隔離可能なチャンバを形成するフレームと、少なくとも１つの隔離可能なチャンバのそれぞれに位置する少なくとも２つの基板支持体であって、それぞれ上下に積層され、それぞれの基板を支えるために構成されている、少なくとも２つの基板支持体と、少なくとも２つの基板支持体と連通可能に結合している冷却ユニットであって、少なくとも２つの基板支持体および冷却ユニットが、少なくとも２つの基板支持体上に位置する各基板のそれぞれに同時伝導冷却を与えるように構成されている、冷却ユニットと、を有する基板処理ツール。
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【課題】 本発明の課題は、吸着力の高いジョンセン・ラーベック力を利用した静電チャックで、ハロゲンガス等のプラズマ照射による表面粗さの変化を抑えることができ、体積抵抗率のばらつきの小さな静電チャックを提供することである。
【解決手段】 本発明では、アルミナと酸化チタンから成る焼結体で、アルミナ粒子の粒界全体に導電パスが形成され、その導電パスの最大間隔が１０μｍ以下であるセラミック誘電体を備えた静電チャックとすることで、吸着力の高いジョンセン・ラーベック力を利用した静電チャックで、ハロゲンガス等のプラズマ照射による表面粗さの変化を抑えることができ、体積抵抗率のばらつきの小さな静電チャックが提供できる。 （もっと読む）

【課題】冷却性能及び絶縁性能に優れると共に、低パーティクル性能にも優れた、半導体集積回路の製造において基板を保持するのに好適な静電チャックを提供する。
【解決手段】金属基板、該金属基板上に直接又は接着剤層を介して形成された熱伝導率が０．５Ｗ／ｍＫ以上である熱伝導性シリコーンゴムからなる第１絶縁層、該第１絶縁層上に直接又は接着剤層を介して形成された導電性パターン、該導電性パターン上に直接又は接着剤層を介して形成された絶縁性ポリイミドフィルムからなる第２絶縁層、該第２絶縁層上に直接又は接着剤層を介して形成された第３絶縁層からなると共に、該第３絶縁層が平均粒子径０．５μｍ以上の熱伝導性充填剤を含まない補強性シリカ配合シリコーンゴムからなることを特徴とする静電チャック。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの裏面に微細な凹凸を形成する静電チャックおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体ウェハ１を保持する静電チャック６であって、半導体ウェハ１に接触する表面領域に設けられた複数の突起１５を備えている。加熱された静電チャック６によって半導体ウェハ１をチャックするとき、半導体ウェハ１を急速に加熱して熱膨張させるため、静電チャック６の突起１５は半導体ウェハ１の裏面に微細な凹凸を形成することができる。 （もっと読む）

静電クランプ装置及び静電クランプ装置に結合されたワークピースへの汚染を低減する方法を開示する。一実施例によれば、静電クランプ装置は、本体の表面上にワークピースと接触するためのエンボスメント部分を備えるとともに、本体内に少なくとも２つの電極を備え、前記２つの電極は前記エンボスメント部分の下方で分離部分により分離されている。
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【課題】 ウェハ処理ロボット、ウェハ処理ロボットを含むイオン注入システム、および関連する方法を開示する。
【解決手段】 イオン注入システムは、ロードロックが連結されたイオン注入ステーションと、ロードロック内に少なくとも部分的に位置しており、少なくとも１つのウェハを処理するエンドエフェクタとエンドエフェクタを垂直方向に動かすモータとを有するウェハ処理ロボットと、ロードロック内に位置して、エンドエフェクタの垂直位置を決定するセンサと、を備えうる。 （もっと読む）