本発明は、装置、および、イオン注入の間、ウェハを保持するためのチャックを囲む断熱層を形成する方法を指向する。断熱層は、クランプ面の下に配置され、真空ギャップと当該真空ギャップを封止するアウターケーシングとを備えている。断熱層は、冷却されたチャックと、処理チェンバ内の暖かい環境との間の熱伝達を実質的に防ぐことによって処理チェンバ内のチャックの外側への結露を防ぐバリアを提供する。
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【課題】ＦＯＵＰに収納された基板に帯電した静電気を充分に除電する。
【解決手段】ミニエン装置１を構成するロードポート１０の側板１０２には、ＦＯＵＰ３が装着される位置にＦＯＵＰ連通開口部１０３が形成され、そのＦＯＵＰ連通開口部１０３の近傍には、イオンエア放出口をＦＯＵＰ連通開口部１０３に向けたイオンエア放出ノズル１６が設けられている。ミニエン制御装置１３は、ＦＯＵＰ装着第１００へのＦＯＵＰ３の装着を検知すると、イオナイザ１５を駆動して、イオンエア放出ノズル１６からイオンエアをＦＯＵＰ連通開口部１０３、つまり、装着されたＦＯＵＰ３の内部に向けて放出させる。そして、所定時間経過後、または、静電電位センサにより検出されるウェーハ３１の静電電位が所定電位以下になったときには、イオナイザ１５の駆動を停止して、イオンエア放出ノズル１６からのイオンエアの放出を停止させる。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムを短縮でき、生産性を向上させることが可能な真空装置を提供する。
【解決手段】基板２３，２４を基板トレイ１１上に載置する載置機構４１と、基板トレイ１１を搬入し基板２３，２４を加熱する手段１ｂを有するロードロック室２と、ロードロック室２の出口側に連結しロードロック室２から設定温度に加熱された基板２３，２４を載置した基板トレイ１１を搬入し、基板２３，２４を設定温度で処理する処理室１と、処理室１の出口側に連結されたアンロードロック室３と、アンロードロック室３から搬出された基板トレイ１１上から基板２２，２３を回収する回収機構４２と、回収機構４２と載置機構４１との間を連結し基板トレイ１１を回収機構４２側から載置機構４１側へ戻す筒状の搬送室を有するトレイリターン機構１０とを備える。ロードロック室２、処理室１、アンロードロック室は真空排気可能であり搬送室を密閉構造とすることが可能である。 （もっと読む）

本発明の一実施形態は、静電チャックの表面に捕捉電圧によって電気的に密着している半導体ウエハを解放する方法に関する。本方法では、捕捉電圧を解除する。この解除後のある期間、ウエハの第２の領域を静電チャックの表面に密着させたまま、ウエハの第１の領域を静電チャックの表面から第１の距離だけ持ち上げる。期間中、所定の条件をモニタする。所定の条件が満たされると、第２の領域を静電チャックの表面から持ち上げる。
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【課題】大入熱エッチング処理時における半導体ウエハの温度を、高速かつ面内均一に制御するための手段を提供する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化し、該プラズマにて試料台１に載置された被加工試料Ｗの表面処理を行うプラズマ処理装置において、試料台に設けられ冷却サイクルの蒸発器を構成する冷媒流路２を有し、前記冷媒流路２内に供給される冷媒のエンタルピを制御することで冷媒流路２すなわち試料台内の流動様式を気液二相流に保つことにより、被加工試料の温度を面内均一に制御する。プラズマの入熱量等が増加するなどして冷媒流路２内で冷媒のドライアウトが発生するような場合には、圧縮機７の回転数を増加させ、冷媒流路２内におけるドライアウトの発生を抑制する。また、冷媒流路２に供給される冷媒が液状になっていた場合には、熱交換水用の流量弁１６及び温度制御水槽１７の制御により、冷媒流路２内に供給される冷媒を気液二相状態に保つ。 （もっと読む）

【課題】 基板の反り状態に応じて適切な吸着電力で基板を吸着して、加熱冷却時に基板温度をその面内で均一にできる基板保持装置を提供する。
【解決手段】 基板保持装置ＥＣは、正負の電極３ａ、３ｂとを有するチャック本体１と、基板Ｓの外周縁部が面接するリブ部２ａ及びリブ部で囲繞された内部空間２ｂに所定の間隔を存して立設された支持部２ｃを有するチャックプレート２と、内部空間に所定のガスを導入するガス供給手段とを備え、両電極間への直流電圧の印加で基板を吸着した後、加熱冷却により所定温度に基板を制御する。チャックプレートの静電容量を通る交流電流を流し、その電流値を測定する第１の測定手段Ｍと、ガス流量を測定する第２の測定手段９と、両測定手段で測定した電流値及びガス流量のうち少なくとも一方が所定の範囲内となるよう直流電圧を制御する制御手段Ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】 リフトピンによる被加工物の段階的な離脱の際に、被加工物が撓み、最後に離脱する被加工物の内周部は、最初に離脱する外周部よりも、吸着面の凸部の頂面との接触時間および摺動時間が長く、パーティクルを多く発生するという問題点があった。
【解決手段】 静電チャック１は、板状セラミック体２の一方の主面または内部に静電吸着用電極３を備えて他方の主面をウエハを吸着保持する吸着面２ａとし、吸着面２ａに多数の凸部６を有する静電チャック１において、凸部６は頂面８と周面１０との間がＲ面９であり、Ｒ面９の曲率が吸着面２ａの外周部の領域よりも内側の領域で大きい。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハとチャックピンとの接触に起因するパーティクルの発生を抑制する。
【解決手段】本発明のイオン注入装置のチャック機構は、支持盤の半導体ウェーハ２８が載置される面の反対側の面に、回転体の中心と半導体ウェーハの中心を結ぶ線（対称軸４０）に軸対称に起立して設けられた支軸４２と、支軸回りに回動可能かつ一端部が半導体ウェーハの内周側の周縁部より外側へ突出して設けられたリンク部材４４と、リンク部材の一端部から半導体ウェーハの方向に起立して設けられたチャックピン４６と、リンク部材を時計回りに回動させるチャックバネ４８を備えている。リンク部材は、チャックバネによる回動を妨げる方向に回転体の回転に伴う遠心力を働かせるカウンタウェイト５２が着脱可能になっており、カウンタウェイトの重量を異ならせてこの遠心力を調整可能になっている。 （もっと読む）

【課題】 基板載置台への基板の異常載置状態を早期に発見できる方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置においてヒーターを有する基板載置台に基板を載置して加熱しながら処理を行う際に、１枚の基板を処理する間の全体もしくは一部分の時間において、ヒーターへの供給電力、供給電流もしくは供給電圧または基板載置台の計測温度について、最大値および最小値もしくは積算値を算出し、検出された最大値および最小値もしくは積算値をもとに基板の異常載置状態を検知する。 （もっと読む）

本発明の方法および装置は、材料シートに均衡した吸込みおよび反発ガス流を提供するために少なくとも１つのベルヌーイチャックへのガスの供給を制御すること；並びに材料シートへのガス流が高温で提供されるように、少なくとも１つのベルヌーイチャックへのガスの供給温度を上昇させること、ドナー半導体ウエハーからの剥離層の分離を促進するために、絶縁体基板にガス流を提供すること、および絶縁体基板と支持構造との分離を促進するために、絶縁体基板と任意の支持構造の接合部にガス流を提供すること、の内の少なくとも１つを提供する。
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【課題】取り外し可能なマスクを用いて基板上にパターン化された層を製造し得る装置及び方法を提供する。
【解決手段】マスクを基板上に直接形成する従来の技術と異なり、マスク１１０は基板１０５とは独立に形成される。使用中、マスク１１０は、例えば堆積、スパッタリング、エッチング等の処理のために基板１０５の一部分のみが露出されるように、基板１０５に接近して又は接触して設置される。処理が終了したら、マスク１１０は基板１０５から取り外され、廃棄されるか、別の基板１０５に使用される。マスク１１０は所定の数の基板１０５に対して循環使用された後に、洗浄又は廃棄のために取り外すことができる。 （もっと読む）

【課題】耐蝕性部材およびその製造方法に係り、高い耐蝕特性を有し、体積抵抗率が低いセラミック部材からなるジョンセン・ラーベック力を利用した吸着力の強い静電チャックを提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態においては、酸化イットリウムを主成分とし、セリウムの元素を含有し、非酸化雰囲気での焼成により得られるセラミック部材からなる静電チャックとすることで、高い耐蝕特性を有し、体積抵抗率が低いセラミック部材からなるジョンセン・ラーベック力を利用した吸着力の強い静電チャックを提供できるようになる。 （もっと読む）

【課題】ビームの照射によってウェーハと保持ピンとの間に温度差が生じるのを防ぐことのできるウェーハ保持具について、提供する。
【解決手段】イオン注入装置においてウェーハを保持する保持ピンを複数有するウェーハ保持具であって、該保持ピンは、ウェーハの端面と接してウェーハの動きを規制するヘッドと、該ヘッドから突出しウェーハが載置されるフランジとを有し、前記ヘッドは、ウェーハが載置される側とは異なる向きに延びる庇部を備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハの中心位置を高い検出精度で検出する。
【解決手段】円形板状のウエハ（半導体ウエハ）２０を準備する工程と、ウエハ２０の位置決めをする前に予めウエハ２０の中心位置Ｃを検出する工程とを有する半導体装置の製造方法である。ここで、ウエハ２０の中心位置Ｃを検出する工程では、まず、ウエハ２０のエッジ（外縁）２０ｅを含むウエハ２０の一部の画像データ２０ｇを画像処理装置が取得する。次に、画像処理装置を用いて、ウエハ２０のエッジ２０ｅを構成する複数の座標点２０ｈを中心として、ウエハ２０の半径ｒと等しい半径を有する複数の円弧軌道（円弧の軌道）２０ｋをそれぞれ求める。次に、画像処理装置を用いて、複数の円弧軌道２０ｋの交点を求めることにより、ウエハ２０の中心位置Ｃを算出する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、吸着力の高いジョンセン・ラーベック力を利用した静電チャックで、ハロゲンガス等を用いたプラズマ照射であっても表面粗さの変化を抑えることができ、静電チャックの特性変化が小さく、プラズマ処理装置において長期間使用可能な静電チャックを提供することである。
【解決手段】 本発明の静電チャックは、アルミナと酸化チタンを含む焼結体であって、チタン化合物の偏析物の最大粒子径がアルミナの平均粒子径よりも小さく、体積抵抗率が室温において１０^８Ωｃｍ以上、１０^１３Ωｃｍ以下であるセラミック誘電体を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

基板上の粒子汚染を低減する技術が開示される。特定の代表的な一実施例において、その技術は、異なる領域を有し、それらの領域における圧力レベルをほぼ等しくできるプラテンを使用することにより実現できる。例えば、そのプラテンは、前記基板の温度を所望の温度に維持するための流体を保持する流体領域を規定する第１の凹部と、接地回路を保持する第１のキャビティを規定する第２の凹部とを有するプラテン本体と、前記流体領域に隣接する第１の開口と前記第１のキャビティに隣接する第２の開口とを有する、前記プラテン本体中に規定される第１のビアとを具え、前記流体領域の圧力レベルは前記第１のキャビティの圧力レベルとほぼ等しいレベルに維持することができる。
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本発明の層状アセンブリは、２つの部材、すなわち導電層および熱伝導層により構成される。熱伝導層を、金属を使用せず、複合材料により形成する。この複合材料は、金属とＣＴＥ調整剤の両方を有する。この複合材料の熱膨張係数を、非導電層の熱膨張係数とほぼ同一、または同一とすることにより従来技術の多くの欠点を解消する。一実施形態において、この複合材料は、アルミニウムと炭素繊維（またはグラファイト繊維）を混合することにより生成する。他の実施形態においては、１本またはそれ以上の流体導管を型の中に設置してから、層を成型する。これらの導管は、静電チャック内の流体通路として機能する。別の実施形態では、ケイ素等の半導体材料およびアルミニウムを混合することにより、複合材料を生成し、この場合、導管を機械加工および接合により形成する。 （もっと読む）

【課題】ヒートマスの大きなヒータを有する大型の真空装置のヒータの昇温時間、降温時間を短縮して、メンテナンス前後の非生産時間を短縮し、生産効率を向上させることが可能な真空装置の動作方法を提供する。
【解決手段】被処理体２２を載置していない複数の搬送部１１〜１ｎを順次加熱する。主加熱部１ａ，１ｂよりも高温に加熱された各搬送部１１〜１ｎは、処理室１内に順次搬送される。搬送部１１〜１ｎが、順次、主加熱部１ａ，１ｂに熱量を順次与えるので、熱エネルギーの移動により、主加熱部１ａ，１ｂにおける加熱が促進され、主加熱部１ａ，１ｂの設定温度までの昇温時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】気化熱による冷却方式を用いて、大入熱エッチング処理時における半導体ウエハの温度を、高速かつ面内均一に制御するための手段を提供する。
【解決手段】試料台１に環状の冷媒流路２が形成されている。冷媒の熱伝達率および圧力損失は冷媒供給口３から冷媒排出口４に向けて乾き度と共に増加するため、これらの抑制が必要である。そのため、冷媒流路２内で冷媒が完全に蒸発しないように供給冷媒量を制御し、かつ冷媒流路２の断面積を第一流路２−１から第三流路２−３に向けて順次拡大する構造とした。これにより、冷媒流路２内において冷媒の熱伝達率が一定となり、かつ圧力損失も抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】イオン注入装置におけるウェハの交換位置を制御するための基準位置の設定を正確に効率良く行う位置調整装置を提供する。
【解決手段】回転する円板（２０）の指定位置（２２）を検出する毎に出力される第１パルスと、円板（２０）の回転と連動する回転軸（３０ａ）が１回転する毎に一つ出力される第２パルスと、回転軸（３０ａ）が１回転する毎に複数出力される第３パルスとを取得し、第１パルスと第２パルスとの間隔を第３パルスのパルス数に基づき計測する計測部（２）を具備する。 （もっと読む）