【課題】セラミック製の載置台の割れや、これを支持する支柱との接合部の割れを防止することが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】 処理容器４内にて被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施すために前記被処理体を載置するセラミック製の載置台３２と、前記載置台を支持する支持手段３１とを有する載置台構造において、前記載置台の表面に、平面方向への圧縮応力が保持された状態で石英ガラスコーティング層５４を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐プラズマ性が向上した耐プラズマ性電極埋設体を提供する。
【解決手段】本耐プラズマ性電極埋設体は、Ｙ_２Ｏ_３仮焼体の上に金属電極を置き、その上にＹ_２Ｏ_３スラリーを流し込み、このスラリー乾燥後に、その積層体を１６５０〜１９００℃のホットプレスにより接合して製造される。 （もっと読む）

【課題】 例えば、反った状態の複数のウェハを保持する保持手段のウェハ保持間隔を従来よりも小さくできる半導体装置の製造方法およびその製造方法の実施に用いられる製造装置を提供する。
【解決手段】 イオン注入工程等の各製造工程において、ステージ３１の表面全域に、吸引手段と連通した吸着孔３２であって、ステージ３１の１つの中心線上に位置する第１の吸着孔３２ａと、その他の部位に位置する第２の吸着孔３２ｂとが設けられたステージ３１を用いる。ウェハ２１の全面をステージ３１の表面に吸着させ、ウェハ２１に各処理を施した後、第２の吸着孔３２ｂ、第１の吸着孔３２ａの順に、吸着を開放することで、ウェハ２１を、常に、一定の方向に反らし、その方向で反った状態を維持しながら、ウェハ２１を保持手段に搬入する。 （もっと読む）

１つ以上の加工物、例えば、半導体ウエハを操作するための加工物移送アセンブリは、加工物の外径に対応する１つ以上の弓状部分を含む。この弓状部分は、加工物の外端に係合する加工物係合表面を有する；少なくとも１つの協働アームが、加工物の係合表面から加工物の外端部上に加わる圧力に応じて、加工物から離れる方向に加工物係合表面の変形を可能にするたわみアセンブリを含む。
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【課題】本発明は、イオン電流の流出が行なわれるストッパと接触する部分の温度低下を抑えてＳＯＩ層やＢＯＸ層を全体的に均一な厚さに形成できる半導体基板の製造装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、支持盤３４に保持手段で保持されて旋回するように回転する半導体基板１０にイオン注入を行なう半導体基板の製造装置において、保持手段は、半導体基板の周縁を保持し、かつ支持盤に接合するストッパ１２５と、このストッパを外周側から支え、かつ支持盤に着脱自在に固定されるストッパホルダ１２６と、支持盤にストッパを抑え付け、かつ支持盤に着脱自在に固定される抑え部材１２８とを有し、ストッパは導電性を有する材料で形成し、かつストッパを加熱する加熱手段１４０，１４１を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体処理チャンバにおいて、第１の部分を第１の圧力に、第２の部分を第２の圧力にするシール部材を熱膨張係数の異なる部材間に適用。
【解決手段】異なる熱膨張係数を有する上部平盤１０６と支持プラットフォームハウジング１０８の延長部材１４２との間にろう付け材料２０４を介して金属包含層２０２をもったシール手段１４０をろう付けする。 （もっと読む）

【課題】セラミック絶縁体のガス流路にてアーキングが発生することを防止して、アーキングによるダストの発生を抑えることができる静電チャック及びその製造方法を提供する。
【解決手段】静電チャックのセラミック絶縁体には冷却用ガス流路が形成されており、その横穴１５の伸びる方向と垂直の断面は長方形である。横穴１５の縦寸法Ｌ２は１ｍｍ未満、横寸法Ｌ３も１ｍｍ未満に設定されている。また、横穴１５から垂直に伸びるチャック側縦穴１７は、円柱形状の空孔であり、その直径Ｌ１はφ０．５ｍｍ未満に設定されている。更に、横穴１５の上面には、ＲＦ加工時のアーキングの防止のために、タングステンを主成分とする導電層（メタライズ層）２７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】フラッシュランプからの閃光照射時の基板の割れを防止することができる熱処理用サセプタおよび熱処理装置を提供する。
【解決手段】フラッシュランプから閃光を照射してフラッシュ加熱を行うときに半導体ウェハーＷを保持するサセプタ７２に、平面視で半導体ウェハーＷの直径よりも大きな外径を有する凹面形状の凹部７６が形設されている。すなわち、サセプタ７２を上方から見ると凹部７６の凹面形状は半導体ウェハーＷの平面サイズよりも大きい。凹部７６が形成されたサセプタ７２によって半導体ウェハーＷを保持するときには、凹部７６の内壁面によって半導体ウェハーＷの周端部が支持されることとなる。その結果、半導体ウェハーＷの裏面とサセプタ７２の表面と間に気体層の隙間が形成されることとなる。 （もっと読む）

【課題】熱応力を低減し、熱勾配による熱負荷と装置使用時と休止時における熱負荷に対応できる静電チャックの電位供給部の構造と、その製造方法及び再生方法を提供する。
【解決手段】第一の手段は、電極層に電位を供給する電位供給端子３と電極５との接合が電位供給端子の先端３ａの側面をふくみ、かつ電位供給端子３の先端面が表面絶縁誘電層６内にふくまれない静電チャックの電位供給部とする。さらに、電位供給端子の先端部３ａの断面を台形状とし、その台形状の下を曲線とする。第二の手段は絶縁碍子２の一部または全部を多孔質セラミックとする。 （もっと読む）

【課題】 複数の真空室を有する真空処理装置の設置面積を小さくする。
【解決手段】 この真空処理装置は、固定された処理室２４と、移動可能な二つの真空予備室２８ａ、２８ｂとを備えている。処理室２４にはゲートバルブ２６が、各真空予備室２８ａ、２８ｂにはゲートバルブ３０が、それぞれ設けられている。各真空予備室２８ａ、２８ｂは、予備室移動機構３４によってＹ方向に移動させられる。処理室ゲートバルブ２６の周縁部には、膨張および収縮可能であって、膨張時に、互いに接近しているゲートバルブ２６、３０間の隙間Ｇを真空シールする真空シール体５４が設けられている。更に、処理室２４とそれに接近している真空予備室２８ａ、２８ｂとの間で基板２を搬送する基板搬送機構が設けられている。 （もっと読む）

ワークピース取扱又は処理装置のセットアップに使用される方法及び装置。開示されたシステムは、半導体集積回路を製造する処理工程中、扱われるシリコンウエハを処理する。前記処理装置は、ウエハ処理中、取扱領域においてウエハを支持するウエハ支持体を含む。ハウジングは、ウエハ支持体上のウエハを処理するためにハウジング内に制御された環境を提供する。機械的な移送システムは、ウエハを前記支持体へ往復移送する。ウエハシミュレータがウエハの移動をシミュレートするために使用され、また、前記シミュレータ、ウエハの移送および支持装置間で、接触を監視するための圧力センサを含む。一実施形態で、ウエハシミュレータは、略円形であり、ウエハの移送及び支持装置との接触を監視するための３つの等しい間隔を置いた圧力センサを含む。
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【課題】 イオンビームの照射方向に対して傾斜した状態で基板を走査した場合であっても、イオンビームの濃度が基板の表面内において不均一となることを抑制する。
【解決手段】 一点で互いに直交する三つの軸をＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸とする。照射角度設定用モータ１４ａは、ホルダ４を支持していて、このホルダ４を、Ｘ軸に平行な中心軸６０を中心に回転させることによって、イオンビーム５８の照射角度θを設定する。Ｙ軸用リニアモータ２０は、ホルダ４および照射角度設定用モータ１４ａを、Ｙ軸方向に昇降させる。Ｚ軸用リニアモータ３０は、ホルダ４、照射角度設定用モータ１４ａおよびＹ軸用リニアモータ２０を、Ｚ軸方向に移動させる。制御装置４０は、Ｙ軸用リニアモータ２０およびＺ軸用リニアモータ３０を、基板保持面６に平行であってかつＸ軸に直交するＳ軸に沿ってホルダ４の基板保持面６が直線的に往復走査するように同期動作制御する。 （もっと読む）

【課題】 耐プラズマ性と被吸着物の冷却性能に優れた静電チャックを提供する。
【解決手段】 静電チャック２０の基本的な構成は、金属プレート２１の表面に溶射によって絶縁体膜２２が形成され、この絶縁体膜２２の上に絶縁性接着剤層２３を介して誘電体基板２４が接合され、この誘電体基板２４の表面は半導体ウェーハ等の被吸着物Ｗの載置面とされ、下面には電極２５，２５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】静電吸着型のウエハステージを備えた半導体製造装置において、ウエハステージのウエハ載置面からの半導体ウエハの浮きを防ぐ。
【解決手段】半導体ウエハＳＷをロードカセット４からロードロック室３ａへ搬送し、さらに半導体ウエハＳＷをロードロック室３ａから処理室２へ搬送して、半導体ウエハＳＷの回路形成面に形成された被エッチング材を処理室２でエッチングする際、半導体ウエハＳＷを処理室２へ搬入する前に、半導体ウエハＳＷの裏面に付着した異物を除去して、処理室２に備わるウエハステージ２ａのウエハ載置面と半導体ウエハＳＷの裏面とを静電吸着により接触させる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の搭載のためにホルダーが装着されるバッチ型半導体の製造装置のボートにおいて、製造が簡単な半導体基板ホルダーの製造方法及びこのホルダーを通じてよりコンパクトな半導体基板のボート搭載を遂行してその生産性が向上するバッチ式ボートとそれを用いた半導体基板のローディング／アンローディング方法並びにこれらが含まれた半導体の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の底部が安着される外周と内周大きさを有するパイプ形状のホルダー基材１０を成形し、ホルダー基材１０を半導体基板のローディング用ボートで半導体基板の配置間隔に合わせてリング形状に切断してホルダーリング１２を製作する。 （もっと読む）

処理装置（１）、例えば、イオン注入装置において用いられるガスベアリングスピンドル（２）である。スピンドル（２）は、鋼製のベアリング面（２３）、及び、クロム（３ａ）または他の硬い材料にて被覆されたシャフト（３）を備えている。
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【課題】 同一のウェハに対して、互いに異なる処理を実行する２つの工程間の処理待ち時間を最小にすることができる工程管理システムを提供する。
【解決手段】 複数ロットを並列に処理する工程管理システムであって、同一のウェハ９に対して、互いに異なる処理を大気に晒さず連続して実行する第１及び第２の半導体製造装置３１，３２と、第１及び第２の半導体製造装置３１，３２のそれぞれの処理時間を記載したレシピのデータを格納するレシピ記憶部２１と、レシピのデータに基づいて、第１及び第２の半導体製造装置間３１，３２の処理待ち時間が最小となるように、第１及び第２の半導体製造装置３１，３２のそれぞれの処理時刻を決定する処理時刻決定手段１３と、決定された第１及び第２の半導体製造装置３１，３２のそれぞれの処理時刻に、第１及び第２の半導体製造装置３１，３２に並列に処理させる装置制御手段１４とを備える。 （もっと読む）

本発明は、取付け面を有するチャック本体と、中央開口を有して環状に形成されると共に、上記チャック本体の取付け面に接着層を介して固着される環状電極部材と、この環状電極部材の中央開口内に環状電極部材から所定の間隔をおいて配設され、上記取付け面に接着層を介して固着される内側電極部材と、上記環状電極部材の外側に環状電極部材から所定の間隔をおいて配設され、上記取付け面に接着層を介して固着される外側電極部材とからなり、上記内側電極部材と外側電極部材とが第一の電極を構成すると共に、上記環状電極部材が第二の電極を構成することを特徴とする双極型静電チャックであり、従来の双極型の静電チャックと比べて製造が容易であり、また、使用後には、静電チャックを構成するチャック本体と各電極部材とを容易に分離することができて効率的な再利用が実現できる。
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【解決手段】高速でワークピースを取り扱う方法および装置が提供される。ワークピースを取り扱う本方法は，第一のロボットで，第一のカセットからワークピースを取り出す工程と，ワークピースを処理ステーションに移送することなく，ワークピースを第一のロボットから第二のロボットに直接移送する工程と，第二のロボットで，処理ステーションにあるワークピースホルダー上にワークピースを配置する工程と，処理後に，第一のロボットで，ワークピースホルダーから第一のカセットへとウエハを移送する工程とを含む方法。第一および第二のロボットのエンドエフェクタはそれぞれ，効率的にワークピースを取り扱うために，複数の垂直位置に配置される。ワークピースの位置ずれエラーおよび回転エラーが移送ステーションを使用することなく検知され，補正される。本方法および装置は半導体ウエハを取り扱うために使用することができる。
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【課題】 基板の温度上昇をより効果的に抑制可能な基板保持装置を提供する。
【解決手段】 この基板保持装置１０ａは、基板５０を保持する基板保持板７０と、基板保持板７０との間で基板５０の周縁部７６を挟持するクランパー１４とを備えている。基基板保持板７０は、櫛状の形状であってかつ周縁部７６よりも内側に開口部７４が形成されている。この基板保持板７０に代えて、枠状又は格子状であって周縁部よりも内側に空間部が形成されている基板保持板を備えていても良い。 （もっと読む）