【課題】 多様なイオンビーム照射特性を実現することができ、しかも装置の大型化、スループットの低下および基板へのパーティクル付着を抑えることができるイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、互いに直列に接続された複数の処理室１０と、その一端側に接続された入口側真空予備室６と、他端側に接続された出口側真空予備室と、１枚以上の基板２を、大気中から入口側真空予備室６、複数の処理室１０および出口側真空予備室を経て大気中へと搬送する基板搬送装置とを備えている。更に、各処理室１０にリボン状のイオンビーム５４をそれぞれ供給して、基板２の搬送と協働して、各基板２の全面にイオンビーム５４をそれぞれ照射する複数のイオンビーム供給装置５０を備えていて、各基板２の全面に対して複数のイオンビーム供給装置５０による複数のイオンビーム照射をそれぞれ行うよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】焦点位置検出系などを必ずしも設けることなく、デフォーカスの殆どない基板上へのパターンの転写を実現することが可能な露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、互いに独立して移動可能な第１、第２テーブルと、投影光学系の直下に液体を供給して液浸領域を形成する液浸システムと、投影光学系と第１、第２テーブルの一方との間に液浸領域が維持される第１状態から、投影光学系と第１、第２テーブルの他方との間に液浸領域が維持される第２状態に遷移するように、投影光学系の直下に液浸領域を維持しつつ、投影光学系の下方で第１、第２テーブルを共に移動する駆動システムと、を備え、第１テーブルは、基板の載置領域及びその周囲領域を有し、周囲領域と基板との隙間からの液体の流出を抑制するように周囲領域に近接させて基板を載置領域に載置し、基板は、第１テーブルによって液浸領域に対して相対的に移動される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、微粒子による汚染を減少させることのできる基板ホルダを提供することである。
【解決手段】本発明は、基板支持体と、第１の位置においては支持体上に配置された基板と係合し、別の位置においては基板から離れて配置されるように構成された可動クリッピング手段と、クリッピング手段を第２の位置から第１の位置へ動かすための位置決め手段とを備えた基板ホルダに関する。基板が支持体上に配置されていないときにクリッピング手段と支持体との接触を防止するために、弾性停止要素が使用され、この弾性停止要素は、クリッピング手段の運動を制限する。さらに本発明は、これらの基板ホルダおよびクリッピング装置を使用したクリッピング装置およびイオン注入装置に関する。 （もっと読む）

【課題】小さい設置面積を維持すると共に、処理ステーション毎に個別に滞留時間を制御することができるコスト及びスループットを改善下装置及び方法を提供する。
【解決手段】線形搬送チャンバは、線形トラックと、線形トラックに乗せられて、処理チャンバの側面に沿って基板を線形に搬送するロボットアームとを含み、処理チャンバに到達させる方法として、基板を、制御された雰囲気中にロードロックを介してフィードし、次いで搬送チャンバに沿ってフィードする。線形平行移動、回転と分節、及びｚ運動が可能な４軸ロボットアームが開示される。 （もっと読む）

【課題】高精度な露光を実現する。
【解決手段】 サブルーチン２０１及びステップ２０５において、投影光学系ＰＬの最良結像面及び多点ＡＦ系のオフセット成分を較正情報として検出する。ステップ２１５でのアライメント系ＡＬＧによるウエハアライメントマークの計測中に、多点ＡＦ系により、ウエハの露光対象面の面形状に関する情報（Ｚマップ）を検出し、ステップ２１９では、走査露光中におけるウエハステージのＸＹの位置指令プロファイルとともに、オートフォーカス・レベリング制御に関する位置指令（Ｚ，θｘ，θｙ）に関するＺ位置指令プロファイルを作成し、ステップ２２１においてその位置指令に基づいてオープン制御を行いつつ、走査露光を行う。 （もっと読む）

【課題】 吸着台の吸引孔形成領域よりも小さいサイズの対象物を安定して保持することが可能な吸着用部材を提供する。
【解決手段】 吸着用部材は、複数の吸引孔が設けられた吸着台上に載置され、吸引孔による気体の吸引によって対象物を吸着する。吸着用部材は、吸着台上に着脱可能に載置される基板を有し、該基板は、対象物が載置され、吸引孔による吸引を可能にして対象物を吸着する吸着領域と、該吸着領域の外周に設けられ、複数の吸引孔の一部を覆う吸着遮断領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理体を直接的に載置する熱分散板の耐久性を向上させて破損し難くし、接続端子が腐食されないようにすることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】排気が可能になされた処理容器３２内に設けられて処理すべき被処理体Ｗを載置するための載置台構造において、被処理体を加熱する加熱手段７２が設けられた載置台本体７４と、載置台本体上に設けられると共に、その上面に被処理体を載置する熱分散板７６と、載置台本体内に設けられた電極７８と、載置台本体を支持するために処理容器の底部より起立された筒体状の支柱７０と、支柱内に挿通されると共に上端部が加熱手段に接続されたヒータ給電部材１１０（１１０Ａ〜１１０）と、支柱内に挿通されると共に上端部が電極に接続された電極給電部材１１２とを備えたことを特徴とする載置台構造である。 （もっと読む）

【課題】冷却効率を高めてスループットを高く維持でき、複数段の被処理体を面間の温度差が生じないように均一に冷却するロードロック装置を提供する。
【解決手段】真空室６と大気室１２との間にゲートバルブを介して連結されると共に真空雰囲気と大気圧雰囲気とを選択的に実現することができるロードロック装置８，１０において、ロードロック用容器３４と、ロードロック用容器内に設けられて複数枚の被処理体を複数段に亘って支持する支持部５２を有する支持手段５０と、大気圧復帰用のガスを冷却ガスとして噴射するために支持部に対応させて設けられたガス噴射孔７４を有するガス導入手段７２と、ロードロック用容器内の雰囲気を真空引きする真空排気系４２とを備える。これにより、冷却効率を高めてスループットを高く維持でき、且つ複数段の被処理体を面間の温度差が生じないように均一に冷却する。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板の搬送位置制御のために新たな設備を設置することが不要であり、既存の搬送ラインの構成をそのまま維持できるとともに、可撓性基板の搬送位置を所望の方向へ迅速かつ確実に移動させることが可能な基板搬送位置制御装置を提供することにある。
【解決手段】可撓性基板１０に張力を付与し、可撓性基板１０を長手方向に沿って搬送する曲率半径可変ロール１を備え、曲率半径可変ロール１は、曲率半径を軸方向で部分的に変化させることによって、可撓性基板１０が接触した際に生ずる張力に可撓性基板１０の幅方向で分布を与え、可撓性基板１０の搬送位置を変化させるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】吸着面に付着した不純物に起因して吸着力が低下した静電チャックを、簡単な構成により不純物を除去して吸着力を再生することができ、安定して真空処理を行うことが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の真空処理装置１は、真空チャンバ３と、前記真空チャンバの内部に配され、基板Ｓを静電気によって吸着する静電チャック用の電極、及び該基板を加熱する加熱機構を有する基板保持手段４と、前記基板保持手段の吸着面に対してＵＶ光を照射し、該吸着面に付着した不純物を除去するＵＶ照射手段９０と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 予め定められた一方向にエンドエフェクタを移動させることで教示位置を教示可能な自動教示装置を提供する。
【解決手段】 半導体搬送ロボット１は、ハンド２と、第１及び第２光電センサ１４，１５と、制御部２８とを有する。第１及び第２光電センサ１４，１５は、ハンド２に設けられ、互いに異なる方向に延びる光軸Ｌ４，Ｌ５を有する。制御部２８は、予め定められた仮教示位置ｐ_ｃに向かってハンド２を移動させて第１及び第２光電センサ１４，１５により正教示位置ｐ_ｒに配置される冶具３１に立設されるピン３２を夫々検出させ、検出したときのハンド２の位置である第１及び第２検出位置ｐ_１，ｐ_２に基づいて正教示位置ｐ_ｒと仮教示位置ｐ_ｃとのズレ量Δｒ、Δθを演算して正教示位置ｐ_ｒを求める。制御部２８は、ピン３２を検出させる際、光軸Ｌ４．Ｌ５が延びる方向と異なる方向にハンド２を移動させる。 （もっと読む）

【課題】基板支持装置、支持台及びこれを備えるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】イオン注入装置に備えられた基板支持装置２００において、基板の外側を支持する複数の外側支持台２０１，２０３と、基板の内側を支持する内側支持台２０２と、を備え、外側支持台２０１，２０３と内側支持台２０２は、フレーム部２０１ａ及び該フレーム部２０１ａに積層し形成されて抗静電性を有する物質からなる基板接触部２０１ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の態様は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、被処理物を載置する側に形成された樹脂層の剥離抑制効果を向上させることができる静電チャックおよび静電チャックの製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体基板と、前記誘電体基板の第１の主面に開口する貫通孔の開口部分に形成された第１の面取り加工部と、前記第１の主面に形成され、前記貫通孔が開口する位置に開口部を有する樹脂層と、を備え、前記樹脂層の開口部の周端は、前記第１の面取り加工部に形成されていること、を特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）

プロセスチャンバ用の基板支持体が、基板を受け取るための受取り表面を有する静電チャックと、静電チャックの下にあるガス分散器ベースプレートとを備える。ガス分散器ベースプレートが、複数のガス出口を有する円周側壁を備え、ガス出口が互いに離隔して設けられて、プロセスガスを基板の外周縁の周りから半径方向外方向へプロセスチャンバ内に導入する。
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【課題】本発明の態様は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、パーティクル汚染の発生を大幅に抑制することができ、かつ、静電チャックの載置面側に形成された樹脂層の密着力が高い静電チャックおよび静電チャックの製造方法を提供する。
【解決手段】被処理物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された平面部と、を有する誘電体基板と、前記突起部と、前記平面部と、を覆うように形成された樹脂層と、を備えた静電チャックであって、前記突起部の頂面の表面粗さは、前記平面部の表面粗さより小さいこと、を特徴とする静電チャックが提供される。 （もっと読む）

【課題】基板収容部に収容される処理済の基板の順序を維持しつつ、従来よりも短時間で処理装置と基板収容部との間で基板の受け渡しを行う。
【解決手段】基板処理システム１は、複数の基板に所定の処理をバッチ式に施す処理チャンバ４０と、前記処理チャンバに設けられ、複数の基板を同心円上に載置する正転及び逆転自在な基板載置台４１と、複数の基板を鉛直方向に多段に収容する基板収容部５０、５１と、基板収容部５０、５１と処理チャンバ４０との間で基板Ｗを搬送する基板保持部５６、５７と、基板収容部５０、５１を昇降させる昇降機構５４、５５を有している。未処理基板Ｗは基板載置台４１を一の方向に回転させながら、基板載置台４１に載置され、基板Ｗの処理の完了後は、基板載置台４１を他の方向に回転させながら、処理済の基板の搬出と、未処理基板Ｗの搬入とを行う。 （もっと読む）

【課題】作業員の手を介することなく自動的に基準姿勢を原点姿勢に調整することができ、また基準姿勢を原点姿勢に精度よく調整することができるロボットを提供する。
【解決手段】搬送ロボット２２は、角変位可能に連結された連結部材２７，２８，２９を備え、調整可能な基準姿勢を基準として各連結部材２７，２８，２９の変位を制御する。基台２３にはレーザセンサ３８を備える。レーザセンサ３８は、予め定められた方向にレーザ光を投光し、且つ原点姿勢と一致する第１の検出姿勢に第１の連結部材２７が配置されると、投光したレーザ光がリフレクタ４１で反射された反射光を受光するようになっている。制御部はレーザ光がリフレクタで反射しレーザセンサ３８で受光するように第１の連結部材２７を角変位させる。受光した時の第１の連結部材２７の姿勢を原点姿勢とする。連結部材２８，２９についても、リフレクタ４２，４３を用いて同様に原点を調整する。 （もっと読む）

【課題】 基板を真空中で均一且つ急速に加熱すること、または、加熱した基板全体を速やかに冷却すること。
【解決手段】 基板熱処理装置は、輻射率の高いカーボン又はカーボン被覆材料で構成した基板ステージを備えた基板ホルダユニットを昇降可能に真空チャンバ内に設け、真空チャンバ内の基板ホルダユニットの上方に、基板ステージと対向する放熱面を備えた加熱ユニットを設け、基板ステージを放熱面に接近させて、基板ステージ上に載置された基板と非接触状態で、放熱面からの輻射熱で基板を加熱できるようにすると共に、基板ホルダユニットに輻射版、金属炭化物、金属窒化物、ニッケル合金のいずれかで構成される反射板を備える。 （もっと読む）

【課題】少ない設置面積で、ウェーハを含む基板の搬送及び処理を行う装置及び方法を提供する。
【解決手段】線形搬送チャンバ１２３２は、線形トラックと、線形トラックに乗っているロボットアーム１２４３等を含み、基板を線形的に、処理チャンバ１２０１等の側部に沿って搬送する。又ロードロック１２３５を介し、処理チャンバ１２０１等に到達させ、搬送チャンバ１２３２に沿って基板を制御された雰囲気の中に供給する。よって相応な経費で、且つ改良されたスループットで効率的に製造を行うことができる。 （もっと読む）

基板表面に亘って所望の温度プロファイルを維持するための静電チャックシステムが開示されている。静電チャックシステムは、ペデスタル支持部の表面に亘って実質的に均一な温度プロファイルを画定するペデスタル支持部と、ペデスタル支持部によって支持されている静電チャックとを有する。静電チャックは、クランプ電極および独立に制御される複数の加熱電極を含む。独立に制御される加熱電極は、内部加熱領域を画定する内部加熱電極、および、ギャップ距離によって分離されている周辺部加熱領域を画定する周辺部加熱電極を含む。ペデスタル熱領域、内部加熱領域、周辺部加熱領域の熱特性を変化させる、または、内部加熱電極および周辺部加熱電極間のギャップ距離の大きさを変化させることにより、基板表面に亘る温度プロファイルを調整することが可能である。
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