【課題】イオン注入ターゲットチャンバの現在温度、圧力を維持しながら、ウェハプレートをロードロックチャンバからイオン注入ターゲットチャンバ内に連続して搬入する装置、方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造装置は、ロードロックチャンバ１０５と、ロードロックチャンバ内の搬入アセンブリ１２５と、ロードロックチャンバに気密封止して連結されたイオン注入ターゲットチャンバ１２０とを含む。ロードロックチャンバには、複数のウェハプレート１１０が格納される。各ウェハプレートは、その上に少なくとも１つの半導体ウェハ１１５を含む。イオン注入ターゲットチャンバは、現在搬入されているウェハプレート上にある半導体ウェハ中にイオン種を注入するように構成される。搬入アセンブリは、複数のウェハプレートのうちの次のウェハプレートを、ロードロックチャンバからイオン注入ターゲットチャンバ内に搬入するように構成される。 （もっと読む）

【課題】高応答、高出力で精密な温調が可能であり、大型化や高スループット化に対応した電子デバイス温調装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電子デバイス吸熱用台と加熱冷却装置間とを単数もしくは複数のプレート型細孔トンネルヒートパイプを用いた熱移送手段で連結し、単数もしくは複数のプレート型細孔トンネルヒートパイプを用いた熱移送手段の一端部は加熱冷却装置の加熱冷却部と密着させ、単数もしくは複数のプレート型細孔トンネルヒートパイプの他端部は電子デバイス吸熱用台に密着させて構成した。 （もっと読む）

搬送チャンバと、搬送チャンバに沿う直線配列の基板保持モジュールと、前記チャ
ンバ内に位置する基板搬送部と、を有する基板処理装置。前記チャンバは、隔離雰
囲気を保持することが可能であり、搬送チャンバに沿って縦方向に延在する、１つ
以上の実質的に直線状の搬送経路を画定する。前記チャンバ内の搬送部は、直線状
の搬送経路に沿って、基板を搬送することが可能である。搬送部は、基板の保持お
よび移動が可能である搬送装置を有する。搬送装置は、直線経路の少なくとも１つ
に沿って移動するための、搬送チャンバの壁に接合する。搬送チャンバは、搬送チ
ャンバの向かい合う端部で、他の基板保持モジュールと嵌合するための接合部分を
有する。各接合部分は、２つ以上の直線搬送経路の少なくとも１つが通って延在す
る開口部を有し、搬送チャンバは、選択的に可変である縦方向の長さを接合部分間
に有する。
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【解決手段】絶縁体層と、この絶縁体層内に設けられた電極を有する静電チャックの被吸着体と接触する表面に、補強性シリカが配合され、補強性シリカ以外に平均粒子径０．５μｍ以上の充填剤を含まないシリコーンゴム層を設けることを特徴とする静電チャック。
【効果】本発明の静電チャックはウエハとの密着性が良く、冷却性能に優れる。よって、半導体集積回路の製造においてウエハの保持が必要となる工程、特に、プラズマエッチング工程やイオン注入工程、スパッタリング工程において、ウエハの温度を精度よく均一かつ一定に保つことができるため、高精度の加工を行うのに有用である。また、ウエハ吸着時に発生するパーティクルを低減でき、より細線加工に対応可能である。 （もっと読む）

【課題】 チャンバ内で基板の温度プロファイルの調整を可能にするようにチャックとベースが協働する、静電チャックをもつ基板支持体の提供。
【解決手段】 基板処理チャンバ内で基板を受容する静電チャックは、基板受容面と、複数の隔置されたメサを有する対向する裏面とを有するセラミックパックを備えている。静電力を生成して基板を保持するために電極がセラミックパックに組み込まれている。セラミックパックの周辺部と中央部に位置するヒータコイルは、セラミックパックの中央部と周辺部の温度の独立した制御を可能にする。チャックは、空気が保持された溝を有するベースによって支持されている。 （もっと読む）

【課題】 チャンバ内で基板の温度プロファイルの調整を可能にするようにチャックとベースが協働する、静電チャックをもつ基板支持体の提供。
【解決手段】 基板処理チャンバ内で基板を受容する静電チャックは、基板受容面と、複数の隔置されたメサを有する対向する裏面とを有するセラミックパックを備えている。静電力を生成して基板を保持するために電極がセラミックパックに組み込まれている。セラミックパックの周辺部と中央部に位置するヒータコイルは、セラミックパックの中央部と周辺部の温度の独立した制御を可能にする。チャックは、空気が保持された溝を有するベースによって支持されている。 （もっと読む）

ロードロックの圧力を制御するためのコントロール機器に関する。コントロール機器は、ロードロックインテリアにガス源をつなげてロードロックインテリアの加圧を開始する。本形態のロードロックは、圧力センサー及び複数種のバルブを備え、当該複数種のバルブは外部に向いていて、少なくとも１つはパススルーバルブであり、被加工品をロードロックインテリア内または外に挿入もしくは取り除くためのバルブである。第２の高速実行バルブもまた外に向いている。ロードロックインテリア内の圧力上昇は監視され、大気圧よりも高いしきい値まで圧力が上がると、高速実行バルブが外部に向けて開く。この第２の高速実行バルブは、上記パススルーバルブの開放よりも前に、パススルーバルブからの超過気圧を緩和するように構成されている。被加工品の配置または除去のような被加工品の移動は、ロードロックインテリア内部へ届くロボットの補助によって行なわれても良い。このシステム及びプロセスは、ロードロックインテリアにおける粒子汚染を最小限に抑えることができるほか、ロードロックの外の通路近傍における粒子汚染も抑えることができる。
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【課題】 ウェハ搭載面を有するウェハ保持体のウェハ保持面の均熱性を高めた半導体製造用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 ウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、該ウェハ保持体内部に存在する気孔の直径ｄを、前記ウェハ搭載面から前記気孔までの距離Ｌの１／２にすれば、搭載したウェハ表面の温度分布を±１．０％以内にすることができる。更に、前記直径ｄを前記距離Ｌの１／３とし、かつ前記直径ｄを１００μｍ以下とすれば、温度分布を±０．５％以内にすることができる。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスが簡便で、ハロゲンガスのウェーハレスプラズマクリーニングの耐久性が高く、ウェーハ冷却能力が高く、冷媒温度やプロセス温度の変化に対し安定な吸着離脱特性を得る事ができ、電極と金属プレート間の電気絶縁の信頼性が高い等を同時に解決する事ができる静電チャックを提供する。
【解決手段】表面に溶射によって絶縁体膜２２が形成された金属プレート２１と、表面に電極２５が形成されたイットリウム酸化物を主成分とする焼結体から成る誘電体基板２４とが、電極２５が対向するように絶縁性接着剤２３を介在して接合され、誘電体基板２４の使用温度における体積抵抗率が１×１０^１４Ωcm以上であり、誘電体基板２４の厚みが、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である静電チャックとした。 （もっと読む）

【課題】ＡＣ電圧で駆動されるジョンソン・ラベック力型静電チャックを提供する。
【解決手段】少なくとも１つの領域を有する誘電層と、少なくとも１つの領域と対応付けられている電極と、電極に対してＡＣ電圧信号を供給するＡＣ電源とを備える静電チャックを提供する。誘電層の誘電性は、ＡＣ電圧信号が電極に印加されると誘電層に対して被処理物を引き付ける静電力を生成するべく、誘電層に関して電荷移動を可能とするように設定されている。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内外の気圧差による位置決め精度の低下を抑制できる真空用位置決め装置を提供する。
【解決手段】隔壁部６ｂが真空チャンバ１の外壁面１ａと蛇腹状シール部材８を気密に結合され、大気圧と真空チャンバ１内の気圧との気圧差に起因する隔壁部６ｂを挟んで垂直に作用する力の不釣合い分の影響をキャンセルする大気圧低減機構１１を真空チャンバ１と隔壁部６ｂとの間に設けた。 （もっと読む）

【課題】サセプタ装置と板状試料との間の熱伝導特性が大きく変化することがなく、パーティクルの発生も少なく、板状試料の裏面へのパーティクルの付着を防止することが可能であり、さらに、サセプタ装置を静電チャック装置として用いた場合においても、静電吸着力が変動したり、電圧印加中止後の離脱性が変化する虞がないサセプタ装置を提供する。
【解決手段】本発明の静電チャック装置は、基体と温度調節ベース部材とをシリコン樹脂系接着剤により接着一体化し、この基体の最上部を構成する誘電体板２１の上面２１ａに円柱状の突起部３１を複数個設け、これらの突起部３１それぞれの頂面３１ａの中心部に円柱状の微小突起部３２を１つ設け、この微小突起部３２の頂面３２ａを板状試料Ｗを載置する載置面としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ全面に均一に成膜でき、パーティクルの発生の少ない半導体製造用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 ウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、前記ウェハ保持体に形成された高周波発生用電極回路の形状が円形であり、その直径が搭載するウェハの直径の９０％以上とすれば、厚み分布の均一な成膜ができるウェハ保持体及び半導体製造装置を提供することができる。あるいは、前記高周波発生用電極回路の外周部とウェハ保持体の外周部までの距離を、該電極回路とウェハ搭載面との距離よりも長くすれば、パーティクルの発生の少ないウェハ保持体及び半導体製造装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】この発明は、フラッシュランプを用いて急速加熱する半導体ウエハが割れることなく、且つ、該半導体ウエハが飛び跳ねることが無い該半導体ウエハの保持構造を持つ半導体ウエハ急速加熱装置を提供することにある。
【解決手段】 この発明の半導体ウエハ急速加熱装置は、フラッシュランプと該フラッシュランプから放射される光を被加熱物側に反射する反射板とからなる光源部、半導体ウエハを支持する支持用台を配置した加熱処理チャンバ、を具備し、該フラッシュランプの光によって半導体ウエハを急速加熱処理する半導体ウエハ急速加熱装置において、前記支持用台は、円筒状、または円柱状に突出する凸部が設けられ、該凸部の直径が該半導体ウエハの直径より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クーロン力を利用する静電チャックであって、吸着力を維持しつつ、基板に付着するパーティクルを低減した静電チャックを提供する。
【解決手段】静電チャック１０は、基体１１と、該基体１１上に形成され、クーロン力を発生させる電極１２と、基板１を支持する側の第１の主面上に、突起上面で該基板１を支持する複数の突起１３ａを有する誘電体層１３とを備え、突起１３ａ間の間隔は、略均等に設けられ、突起上面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．５μｍ以下であり、突起１３ａの高さは、５〜２０μｍであり、第１の主面の単位面積１００ｃｍ²あたりの前記突起１３ａの数をＡ（個／１００ｃｍ²）、前記突起１３ａの高さをＢ（μｍ）として、数式 Ａ^1/2×Ｂ²＞２００ の関係が満たされる。 （もっと読む）

【課題】
フッ素エッチング耐性に優れ、裏側粒子発生が低減し、かつウェーハプロセスの汚染の少ない改良型ウェーハ加工装置の提供。
【解決手段】
ウェーハ加工装置の製造に当たり、ベース基板の表面上にフィルム電極を堆積し、この構造を次にＢ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、高融点硬金属、遷移金属及びこれらの組合せからなる群から選択される元素の窒化物、炭化物、炭窒化物及び酸窒化物の少なくとも１種を含んでなる保護コーティングフィルム層で被覆する。フィルム電極の熱膨張係数は、下側のベース基板層の熱膨張係数及び保護コーティング層の熱膨張係数と略合致する。 （もっと読む）

【課題】 導通端子を、基板の横方向及び回転方向の動きに追従させて動かす。
【解決手段】 上面にレジストが塗布され、レジスト面に荷電粒子ビームが照射される基板１５が固定される凹部２、凹部２における基板１５を下方から押し上げる押し上げ手段、基板１５を上方から規制する上面規制板４，５，６、及び、基板１５を押し上げ手段と上面規制手段とで固定した時に基板１５の上面に接することにより上面に帯電する電荷を基板ホルダー外に逃がす導通端子２０ａを取り付けた支持体１９ａを備えている。導電端子２０ａは押し上げ方向及び規制方向に平行な面に沿って撓む板バネ１９ａに取り付けられており、板バネ１９ａは押し上げ方向に対し垂直な面に沿って動くことが出来るようにベアリング２５を介して支持体２１に取り付けられている。板バネ１９ａの後端部を、基板押し上げ方向に垂直な面に沿って撓む第２の弾性体で両サイドから挟む様にしている。 （もっと読む）

【課題】試料がデュアルビーム粒子光学装置においてより均一に処理されることを可能にするステージ組立体を提供する。
【解決手段】ステージ組立体は、第一軸Ａ１に沿う第一照射ビームＥを発生するための第一源と、ビーム交差地点で前記第一軸と交差する第二軸Ａ２に沿う第二照射ビームＩを発生するための第二源と、試料を載置し得る試料テーブル２１と、基準面に対して垂直なＸ軸、基準面と平行なＹ軸、及び、基準面と平行なＺ軸と実質的に平行な方向に沿って前記試料テーブルの平行移動をもたらすために配置された一組のアクチュエータとを備え、該一組のアクチュエータは、Ｚ軸と実質的に平行な回転軸ＲＡについての試料テーブル２１の回転と、Ｚ軸に対して実質的に垂直なフリップ軸ＦＡについての試料テーブルの回転とをもたらすようさらに配置されること。 （もっと読む）

誘電材料を有し、かつ／あるいは異なる厚さ、プロファイル、および／または形状を伴う空洞を有する静電チャックアセンブリが開示される。静電チャックアセンブリは、導電支持体と、静電チャックセラミック層とを含む。誘電体層またはインサートは、導電支持体と静電チャックセラミック層の間に配置される。空洞は、静電チャックセラミック層の座面内に配置される。埋め込まれた極パターンが、静電チャックアセンブリ中に任意に組み込まれてよい。静電チャックアセンブリを製造する方法が開示されるが、この方法はプラズマ処理プロセスの間に加工物上方の電束の均一性を改善する。
（もっと読む）

【課題】 耐プラズマ性と被吸着物の冷却性能に優れた静電チャックの製造方法を提供する。
【解決手段】 静電チャック２０の基本的な構成は、金属プレート２１の表面に溶射によって絶縁体膜２２が形成され、この絶縁体膜２２の上に絶縁性接着剤層２３を介して誘電体基板２４が接合され、この誘電体基板２４の表面は半導体ウェーハ等の被吸着物Ｗの載置面とされ、下面には電極２５，２５が形成されている。 （もっと読む）