【課題】搬送手段によりウエハを搬送する製造ラインであって、制御がより簡単な製造ラインを提供する。
【解決手段】循環する経路に沿ってウエハを搬送する搬送手段と、複数の加工装置と、各ウエハの周回数をカウントする周回数カウント手段と、加工を行う周回数を記憶している記憶手段と、制御手段を備えている。前記経路上には、加工装置毎に判定領域が設けられている。制御装置は、各加工装置と搬送手段を、（１）判定領域内に位置するウエハの周回数がその判定領域に対応する加工装置で加工を行う周回数と一致しているときに、その加工装置によって加工を行ってからそのウエハを下流側に送り出し、（２）判定領域内に位置するウエハの周回数がその判定領域に対応する加工装置で加工を行う周回数と一致していないときに、その加工装置によって加工を行わないでそのウエハを下流側に送り出すように制御する。 （もっと読む）

【課題】真空槽内での位置を移動できる基板縦方向揺動装置と、真空槽内で基板を縦方向及び横方向に往復移動できる基板ステージ装置及びイオン注入装置を提供する。
【解決手段】
基板縦方向揺動装置は真空槽１１内に配置され、回転軸３７を中心に上下に回動する腕部３３ａ、３３ｂと、本体３１に鉛直に固定された縦レール３２ａ、３２ｂと、縦レール３２ａ、３２ｂに沿って上下に移動する縦方向移動部材３４ａ、３４ｂと、腕部３３ａ、３３ｂの回動動作の鉛直方向の成分を抽出し、縦方向移動部材３４ａ、３４ｂを抽出した移動量移動させる縦方向抽出部材とを有し、基板保持台２１は一方の縦方向移動部材３４ａに設けられ、他方の縦方向移動部材３４ｂには重り２５が設けられる。基板ステージ装置３０は、基板縦方向揺動装置と、基板縦方向揺動装置を真空槽１１内で左右に移動させる基板横方向揺動装置とを有する。 （もっと読む）

【目的】ウェハに反りがある場合に短時間の紫外線照射で良好に紫外線剥離テープを剥離できる半導体装置の製造方法およびその製造装置を提供することである。
【解決手段】ウェハ１に反りがある場合でも紫外線透過板１４でウェハ１の反りを矯正し、ウェハ１に貼り付けた紫外線剥離テープ８に紫外線１２を均一に照射することで、紫外線光源１３と紫外線剥離テープ８の距離Ｌを短縮できる。また、紫外線透過板１４で紫外線光源１３の熱を遮蔽することで、ウェハ１の温度上昇を抑制することができる。その結果、ウェハ１の温度上昇を抑制しつつ、短時間の紫外線照射で接着剤の残渣がなく紫外線剥離テープ８をウェハ１から良好に剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】移載室内のエア滞留発生を抑制して、移載室内における確実なエアフロー形成を実現する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、基板を保持した状態で処理室内に対して搬入出される基板保持体と、未処理基板を基板保持体に保持させるチャージ動作および処理済基板を基板保持体から取り出すディスチャージ動作が行われる移載室と、移載室内にクリーンエアを吹き出すクリーンユニットと、を備えた基板処理装置において、クリーンユニットを、平面多角形状に構成された移載室内における角部に配設する。 （もっと読む）

【課題】ウエハホルダ上の処理済みウエハの入れ替えに失敗した場合でも不良品の発生を防止できるウエハ処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ処理装置１は、ペディスタルＰ１〜Ｐ１３を有するウエハホルダ３１と、これらペディスタルＰ１〜Ｐ１３に載置されたウエハに処理が施された後、ウエハホルダ３１を回転させてペディスタルＰ１〜Ｐ１３を所定の取付位置に順次位置付けし、当該位置付けされたペディスタルからウエハを取り外し、その後、当該ペディスタルに未処理のウエハを載置させるウエハ搬送機構３０と、ウエハ搬送制御部６２と、検出センサ３８とを備える。ウエハホルダ３１は、被検出部３１ｓを有し、検出センサ３８は、ペディスタルＰ１〜Ｐ１３のいずれかが前記取外位置に位置付けされたときに被検出部３１ｓの位置が基準位置と一致するか否かを示す判定信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】基板に電圧を印加して基板にダメージを及ぼすことなく、当該基板における、大型基板において特に顕在化する複雑な態様の反りの発生部位及び発生状態を容易且つ正確に特定する。そして、大型基板でも確実なチャッキングに供することを可能とする。
【解決手段】センサ部２は、搭載面１ａの中央部分に設けられた第１のセンサ群１１と、第１のセンサ群１１を囲む第２のセンサ群１２と、第２のセンサ群１２を囲む第３のセンサ群１３とを有する。第１のセンサ群１１は、基板面の中央部分に対応して設けられた１つの静電容量センサ１０ａから、第２のセンサ群１２は、第１のセンサ群１１を同心状に囲む複数の静電容量センサ１０ａから、第３のセンサ群１３は、第２のセンサ群１２を同心状に囲み、搭載面１ａの周縁の近くに設けられた複数の静電容量センサ１０ａを有する。 （もっと読む）

【課題】熱伝達システムを使用して基板を処理するプラズマ処理システムおよび方法を提供する。
【解決手段】熱伝達システム１１８は、基板１１０の表面にわたる高度な処理の均一性を生成することができ、熱伝達部材１１４の上に支持され、熱伝達部材１１４と良好に熱接触する均一性ペデスタル１１２を備える。均一性ペデスタル１１２は、処理中に基板１１０の裏面の輪郭と合致することのできる適合基板支持面（すなわち接触面）を与えるピン配列を含む。基板１１０を均一に冷却するために、基板１１０の処理中に、均一性ペデスタル１１２と熱伝達部材１１４との間で大きな温度勾配を確立することができる。 （もっと読む）

【課題】パーティクルチェック作業を短縮する。
【解決手段】基板に処理を施す複数の処理室と、前記複数の処理室のそれぞれへ前記基板を保持部に保持して搬送する第一搬送装置を備えた第一搬送室と、前記基板を大気圧状態で搬送する第二搬送装置を備えた第二搬送室と、前記第一搬送室と前記第二搬送装置とを連結する減圧可能な予備室と、前記第一搬送室と前記第二搬送装置および前記予備室に対して設けられた排気装置と、前記基板が複数収納された収納容器と前記複数の処理室との間の前記第一搬送装置および前記第二搬送装置の搬送を制御する制御手段と、を有する基板処理装置において、前記制御手段は、システムスタンバイ処理を実行する前に、前記システムスタンバイ処理で実行する項目を設定する処理選択画面を表示部に表示し、選択された前記項目のみをシステムスタンバイ処理として実行する。 （もっと読む）

【課題】 位置決め精度を向上するとともに、外部の物体との干渉を防ぐことができる基板搬送ロボットを提供する。
【解決手段】 第１および第２アーム部３６，３７は、互いに相対的に旋回可能に設けられる。第１および第２アーム部３６，３７間の関節には、第２旋回駆動手段４２が設けられる。第２旋回駆動手段４２は、第２モータ７６と、第２動力伝達部７７とを有する。第２モータ７６は、第１アーム部３６に固定される固定部７８と、固定部７８に対して、第１アーム部３６の延在方向に略平行な回転軸線Ｌ２２まわりに回転する回転部７９とを有する。第２動力伝達部７７は、第２モータ７６と第２アーム部３７との間に介在し、第２モータ７６の動力を、第２モータ７６の回転部７９から第２アーム部３７に伝達する。このような第２旋回駆動手段４２によって、第１および第２アーム部３６，３７が互いに相対的に旋回駆動される。 （もっと読む）

【課題】各製造装置の稼働率が低下することを抑制することができると共にリードタイムが増加することを抑制することができる搬送システムおよびその制御方法を提供する。
【解決手段】複数の製造装置１１〜６３のうち保管庫に保管されている未処理のカセットが最も多い製造装置を特定すると共に、当該カセットの数が閾値以上であるとき、特定した製造装置を特定製造装置に決定する特定製造装置決定部と、複数の搬送台車７１〜７９の中からカセットを搭載していない二台の空搬送台車のうち一方を特定製造装置の回収専用台車とすると共に他方を特定製造装置の搬入専用台車として所定の待機場所に待機させる空搬送台車制御部と、回収専用台車に特定製造装置で処理された処理済のカセットを回収させると共に、搬入専用台車に保管庫に保管されている未処理のカセットを特定製造装置に搬入させる搬送命令部と、を備える搬送システムとする。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理装置において、処理室減圧時のウエハの移動を抑制する。
【解決手段】真空処理室１０１に処理ガスを供給するガス供給装置１０９，１１０，１１１と、前記真空処理室内で試料を載置して保持する試料台１０４と、前記真空処理室内を排気する排気装置１０６と、前記真空処理室に高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成装置１０７，１０８とを備え、前記試料台上に配置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は載置した試料を上方に押し上げるプッシャーピンを備え、プラズマ処理の終了後、前記プッシャーピンを操作して試料を試料台から押し上げた状態で真空排気する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の絶縁層被覆単結晶半導体基板に対して効率よくイオン注入を行い、大面積の単結晶半導体層を備えた半導体基板の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半導体基板の作製工程において、表面のファンデルワールス力を調整した保持用トレイに表面に絶縁層が形成された複数枚の単結晶半導体基板を貼り合わせ、複数枚の単結晶半導体基板にイオン照射工程を行うことで複数枚の単結晶半導体基板の所定の深さに脆化層を形成し、複数枚の単結晶半導体基板にファンデルワールス力を調整したベース基板を貼り合わせることでファンデルワールス力の差を利用して保持用トレイを選択的に分離し、剥離加熱処理を行い劈開面を形成して単結晶半導体基板をベース基板から分離することにより、絶縁層を介して単結晶半導体基板をベース基板に転載する。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハのツイスト角度を、イオン注入条件の一つとして与えられる角度に精度良く合わせることができる方法および装置を提供する。
【解決手段】 光源６４からの光７４を導いてウェーハ２の外周部に光照射領域を４箇所形成するライトガイド６６、７０ａ〜７０ｄと、カメラ８４と、画像処理装置とを設けておく。そして、アライナー４０において、ウェーハ２をプラテン１４へ移載したときに上記光照射領域の内の一つ内にノッチ４が位置するようにアライメント角度αを調整し、ウェーハ搬送装置４２ａ、４６によってアライナー４０からプラテン１４へウェーハ２を搬送する。更に上記画像処理装置を用いて、プラテン１４上のウェーハ２のノッチ４の角度を検出して、その角度とアライメント角度αとの第１の差に、アライメント角度αとイオン注入条件の一つとして与えられるツイスト角度との第２の差を加味した角度ぶん、ウェーハ２を回転させる。 （もっと読む）

【課題】広範囲の温度領域で使用可能であり、高温で使用する際のウェハ載置面の反りを低減した静電チャックを提供する。
【解決手段】本発明の静電チャックは、双極型の静電チャック用電極と、ヒータ用電極とを備えた静電チャックであって、誘電層の体積固有抵抗率をρ１、静電チャック用電極の双極間の体積固有抵抗率をρ２、静電チャック用電極とヒータ用電極間の体積固有抵抗率をρ３としたときに、ρ１＜ρ２＜ρ３であることを特徴とする。また、前記誘電層内の体積固有抵抗は、静電チャック用電極側からウェハ載置面に向けて順次低くなっていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 閃光を照射する基板熱処理装置において、基板が汚染されることを解消した基板熱処理装置を提供する。
【解決手段】 基板支持体８は、円筒形の外形の一部を、上端面から斜めに切り落とすように傾斜面８２を備えている。この傾斜面８２は、基板Ｗの中央から基板支持体８を通る直線Ｒに垂直であって、かつ、基板Ｗの主面とは平行である直線Ｓを想定すると、その直線Ｓに対して平行な面である、平行な位置関係にある。傾斜面８２が傾斜する向きは、基板Ｗの外周に近づくほど、基板Ｗの下面から離れる方向へ傾斜している。基板支持体８は、基板の反りを傾斜面８２で許容するようにして基板Ｗを載置するので、基板Ｗと基板支持体８とが擦れて、発塵することを回避する。 （もっと読む）

【課題】製品の生産性を低下させることなく熱拡散板の亀裂やひび割れ等の割れを迅速に且つ容易に検出することができる割れ検出装置を提供する。
【解決手段】
処理すべき被処理体Ｗを載置するための熱拡散板６１を有する載置台５８を処理容器２２の底部から支柱６０により起立させて設けてなる載置台構造の割れを検出する割れ検出装置において、処理容器の外部に設けられる振動検出手段２０２と、振動検出手段で得られる信号中から熱拡散板の割れ態様に応じて発生する振動数の信号である割れ振動信号を検出する割れ検出手段２０４とを備える。これにより、製品の生産性を低下させることなく熱拡散板の亀裂やひび割れ等の割れを迅速に且つ容易に検出する。 （もっと読む）

【課題】静電チャックからのウエハの離脱及び静電チャックに載置されるウエハのツイスト角の調整を簡単な構成により実現するとともに、静電チャックを回転させることなくウエハのツイスト角を調整可能にする。
【解決手段】静電チャックプレート２１の外側に延出するウエハＷの周端部Ｗａに接触して、ウエハＷを載置又は離脱するためのリフト部材４１と、ウエハＷが静電チャックプレート２１に載置された状態でウエハＷに非接触である退避位置Ｐと、ウエハＷを保持してウエハＷが静電チャックプレート２１から離間した離間位置Ｑとの間で、リフト部材４１を鉛直方向に沿って昇降させる昇降機構４３と、リフト部材４１がウエハＷを保持した離間位置Ｑにある状態でリフト部材４１を回転させることにより、ウエハＷのツイスト角βを調整する回転機構４２とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理室が連結されている搬送機構部に、複数の真空ロボットが配され、複数の真空ロボット間で被処理体の受け渡しが行われる線形ツールの真空処理装置において、効率の良い搬送の制御方法を提供する。
【解決手段】複数の制御方法を備え、被処理体の処理時間から搬送ロボットが律速となるか、処理室が律速となるかを判定し、その律速する部位に応じた制御方法に切り替える手段を備えた真空処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】熱応力による割れを抑制することができる炭化ケイ素セラミックス、および、該炭化ケイ素セラミックスを用いた半導体プロセス用治具を提供する。
【解決手段】本発明による炭化ケイ素セラミックスは、炭化ケイ素の純度が９９．９９９９重量％以上で、かつ、密度が２．０〜３．０ｇ／ｃｍ^３である。また、本発明による半導体プロセス用治具は前記炭化ケイ素セラミックスからなる。 （もっと読む）

【課題】基板のずれ及び／又は破損を検出するのに必要なセンサの数を少なくし、比較的低コストで実施する。
【解決手段】移動中の基板１０６の少なくとも２つの平行な端部の長さに沿った、破損やずれ等の基板の欠陥の存在を検出する少なくとも２つのセンサ１４０Ａ、１４０Ｂを組み込んだ装置及び方法を提供する。一実施形態において、装置は、基板の欠陥を検出するための、少なくとも２つの平行な端部近傍で、基板をセンシングするセンサ構成を含む。他の実施形態において、装置は、基板サポート表面を有するロボット１１４又は１３０と、基板の欠陥を検出するための、少なくとも２つの平行な端部近傍で、基板をセンシングするセンサ構成とを含む。 （もっと読む）