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Fターム[5F031MA34]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 処理装置 (13,378) | 工程 (11,004) | ダイシング,スクライビング (626)

Fターム[5F031MA34]に分類される特許

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【課題】板状物の裏面にテープを貼着する場合において、板状物の表面側に形成されているデバイスの破損や不良を引き起こすことがないようにする。
【解決手段】表面に構造物が形成された構造物領域20と構造物領域20を囲繞する外周余剰領域21とを有する板状物2の裏面2bにテープ3を貼着する際に板状物2を支持するテープ貼り補助治具1を、裏面2bを上にして載置された板状物2の外周余剰領域21を支持する支持面100を含む支持部材10と、支持面100の外周端に所定の間隔を設けて配設され載置される複数の突起11とで構成し、支持部材10が板状物2の外周余剰領域21のみを支持し、構造物領域20は中空状態で支持されるようにする。また、複数の突起11が、板状物2の移動を規制するとともに、テープ3が強固にテープ貼り補助治具1に貼着されることを防止してテープ貼り補助治具1からのテープ3の剥離を容易とする。 (もっと読む)


【課題】ダイシング時にウエハをリングフレームに固定する粘着シートの機能と、チップをリードフレームなどに固定する接着機能を兼ね備えたダイアタッチ一体型の粘着シートにおいて、ダイシング工程における切削屑の発生を防止又は低減可能な多層粘着シートを提供する。
【解決手段】基材フィルム106と、該基材フィルムの一方の面に積層してなる粘着剤層103と、さらに該粘着剤層に積層されたダイアタッチフィルム105とを備え、該基材フィルムをプロピレン系共重合体で形成する。 (もっと読む)


【課題】ダイシング性およびピックアップ性の向上を図り、半導体素子における不具合の発生を防止しつつ、信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体用フィルム、およびかかる半導体用フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体用フィルム10は、接着層3の上面に半導体ウエハー7を積層させ、半導体ウエハー7をダイシングにより個片化する際に半導体ウエハー7を支持するとともに、個片化された半導体ウエハー7(半導体素子71)をピックアップする際に、第1粘着層1と接着層3との間が選択的に剥離する機能を有するものである。そして、この半導体用フィルム10は、接着層3の表面近傍に存在するフィラー単体または凝集体を、接着層3の表面に投影した投影像について、粒径5μm以上のものが占める面積が、投影像全体の15%以下であるものである。 (もっと読む)


【課題】大きな機械的剛性を保持しながら軽量化、低コスト化、作業性の向上を図り、大口径ウェーハ用としても好適に用いられる。
【解決手段】第1外周嵌合部10と第1内周嵌合部11からなる第1嵌合部12を有する第1フレーム体6と、外周接着剤充填部19を形成した第2外周嵌合部14と内周接着剤充填部20を形成した第2内周嵌合部15からなる第2嵌合部16を有する第2フレーム体7を備え、第1嵌合部12内に第2嵌合部16を嵌合して外周接着剤充填部19と内周接着剤充填部20内に充填した接着剤17が硬化して第1フレーム体6と第2フレーム体7を一体化して内部空間部8を有するリング状のフレーム体3を構成する。 (もっと読む)


【課題】省電力化を図りつつ接着シートの接着層を硬化させることが可能な光照射装置および光照射方法を提供すること。
【解決手段】光照射装置1は、互いに異なる単波長のライン光Lを形成可能な第1〜第9発光ユニット42A〜42Iを備え、接着シートSの構成に応じて同時に照射するライン光Lの波長を選択可能な構成を有している。この構成により、接着シートSの接着層の反応する波長のライン光Lのみを選択的に照射でき、省電力化を図りつつ接着層を硬化させることができる。 (もっと読む)


【課題】大きな機械的剛性を保持しながら軽量化、低コスト化、作業性の向上を図り、大口径ウェーハ用としても好適に用いられる。
【解決手段】金属薄板を素材とし、それぞれの外周縁と内周縁に沿って一体に立ち上がり形成した立壁状の外周嵌合部10、14と内周嵌合部11、15からなる嵌合部12、16を有する第1フレーム体6と第2フレーム体7を一体化して内部空間部8を有するリング状のフレーム体3を備え、第1フレームの底面9Bにダイシングフィルム5が貼り付けられている。 (もっと読む)


【課題】搬送装置における搬送速度を適正な値に制御することにより、電力消費の無駄を削減することができる仕分け装置及び仕分け装置制御方法を提供する。
【解決手段】水平に重ねられた状態でカセットC1,C2に収納されて少なくとも一つの搬入ポートから搬入される複数種類の複数の被搬送物101を、種類毎に仕分けて、各種類に対応された複数の仕分けポートに搬送し、各仕分けポートに設置されたカセットC3〜C10に搬出する仕分け装置において、被搬送物101の搬送状況及び次の搬送予定を把握し、搬送開始後に待ち時間が生ずるか否かを判別し、待ち時間が生ずると判断される場合には、搬送装置1における搬送速度を定格速度より下げ、搬送装置の停止時間を削減する。 (もっと読む)


【課題】 ICチップを、小さな荷重によってピックアップすることができながら十分に高い接着力でダイアタッチすることのできるダイシング・ダイアタッチフィルムおよびその製造方法、並びにこれを用いた半導体装置の提供。
【解決手段】 ダイシング・ダイアタッチフィルムは、シート基材上に、粘着剤層および接着剤層がこの順に積層されてなるものであって、前記接着剤層は2層以上の接着剤構成層からなり、前記接着剤層において前記粘着剤層に接する第1の接着剤構成層が、半硬化状態の樹脂組成物よりなるものであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】板状被加工物に変形が生成されている場合には、変形を自動的に強制して吸引保持させることができる加工装置を提供する。
【解決手段】搬送機構12は搬送プレート32と、搬送プレート32の下面に配設され、板状被加工物2を吸引保持する吸引保持板34、及び吸引保持板34を囲繞し且つ吸引保持板34の下面を越えて突出する弾性囲繞部材36と含む。吸引保持された板状被加工物2が支持機構10の吸引支持板26上に位置されると、搬送機構12の弾性囲繞部材36の下端が支持テーブル24の上面に接触されて、密閉空間Rが形成され、板状被加工物2の裏面と吸引保持板34の表面との間に間隙が生成されている場合には、吸引されることによって密閉空間Rに負圧が生成され、これによって大気圧により搬送プレート32が下降し弾性囲繞部材36が収縮され、板状被加工物2が吸引支持板26上に押圧され、板状被加工物2の変形が矯正される。 (もっと読む)


【課題】薄化される基板に貼り合わせることによって当該基板を支持するためのサポートプレートの洗浄後に廃溶液を発生させること無く、且つ安価に処理することが可能なサポートプレートの洗浄方法を実現する。
【解決手段】薄化される基板に貼り合せることによって当該基板を支持するためのサポートプレート1を洗浄する方法であって、サポートプレート1に酸素プラズマを接触させて、当該サポートプレート1に付着した有機物を除去する有機物除去工程を含む。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェハの表面に凹凸等が存在した場合でも、その凹凸に良好に追従させることができ、粘着シート貼着面の水浸入、汚染、チップ飛び、チッピング等を防止することができる半導体ウェハダイシング用粘着シート及びこれを用いた半導体ウェハのダイシング方法を提供する。
【解決手段】少なくとも基材、中間層及び粘着剤層が積層されてなる半導体ウェハダイシング用粘着シートであって、前記中間層は、融点が50〜100℃である熱可塑性樹脂によって形成されており、前記基材は、前記中間層より融点が高い半導体ウェハダイシング用粘着シート。 (もっと読む)


【課題】切削加工時におけるウエーハへの静電気の帯電を抑制することができる切削装置のチャックテーブルを提供する。
【解決手段】切削ブレードを備えた切削手段によってウエーハを切削する切削装置におけるウエーハを保持するチャックテーブルであって、ウエーハを保持する保持面を有するポーラスセラミックスからなる保持部材と、保持部材を保持面を除いて囲繞するとともに保持部材に連通する吸引通路を備えた導電性材料からなる枠体とを具備し、ポーラスセラミックスからなる保持部材は導電性粒子が分散して形成され体積抵抗率が1×10Ω・cm以下に設定されている。 (もっと読む)


【課題】重量が比較的軽く、ポーラスシリコン板が枠体から浮き上がることのない保持テーブルアセンブリを提供する。
【解決手段】負圧吸引源に連通する第1吸引路を有する支持基台と、支持基台に着脱可能に固定され、支持基台の該第1吸引路に連通する第2吸引路を有する保持テーブルとを具備し、保持テーブルは、保持すべきウエーハの直径より大きい直径の保持面を有する保持部と、保持面の反対側で第2吸引路が形成された底部と、保持部と底部を連結する環状側壁部が一体的に形成されたポーラスシリコン板と、ポーラスシリコン板の保持面に載置されるウエーハの保持領域を除く全外周を被覆するコーティング部材とからなり、保持テーブルは、それぞれ一端が第2吸引路に連通する複数の放射状吸引路と、第2吸引路と同心円状に且つ各放射状吸引路と交差するように形成された複数の円形吸引路とを保持部と底部とに挟まれた中間領域に有する。 (もっと読む)


【目的】生産コストを抑えつつ、ウエハの薄層化を含む製造工程におけるウエハのひびや割れ、反りを低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ1の裏面の中央部をグライディング工程により研削し、ウエハ1の外周部にリブ部4を残し、中央部にレジスト剤6を充填し、ダイシング7によりリブ部4を切り離した後チップ化する。半導体ウエハ1の薄い箇所(凹部)にレジスト剤6を充填することで、生産コストを抑えつつ、ウエハの薄層化を含む製造工程におけるウエハ1のひび割れ、反りを低減できる。 (もっと読む)


【課題】重量が比較的軽く、ポーラスセラミックス板が枠体から浮き上がることのない保持テーブルアセンブリを提供することである。
【解決手段】負圧吸引源に連通する第1吸引路を有する支持基台と、支持基台に着脱可能に固定され、支持基台の第1吸引路に連通する第2吸引路を有する保持テーブルとを具備し、保持テーブルは、ウエーハの直径より大きい保持面を有する保持部と、保持面の反対側で第2吸引路が形成された底部と、保持部と底部を連結する環状側壁部が一体的に形成されたポーラスセラミックス板と、ポーラスセラミックス板に載置されるウエーハの保持領域を除く全外周を被覆するコーティング部材とからなり、保持テーブルは、それぞれ一端が第2吸引路に連通する複数の放射状吸引路と、第2吸引路と同心円状に且つ各放射状吸引路と交差するように形成された複数の円形吸引路とを保持部と底部とに挟まれた中間領域に有する。 (もっと読む)


【課題】例え大きな基板を保持する際にも、ステンレス製の場合と略同様の厚さで十分な強度を確保でき、しかも、軽量化を図ることのできる基板用フレームの製造方法を提供する。
【解決手段】中空のフレーム1内に、半導体ウェーハWを粘着テープ10を介し収容して着脱自在に保持する基板用フレームの製造方法で、中空のステンレス薄板20を一対用意して各ステンレス薄板20を10〜500μmの厚さとし、一対のステンレス薄板20の間に熱可塑性の発泡樹脂層21を介在接着することにより積層体3を構成し、この積層体3の発泡樹脂層21をステンレス薄板20の内周縁に沿って切除することにより、発泡樹脂層21を中空に形成してフレーム1を得る。薄いステンレスと発泡性の樹脂とを多層構造に積層するので、ステンレス製の基板用フレームと略同等の厚さで必要十分な強度を確保しつつ、基板用フレームの軽量化を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】ウエハのハンドリング時にチップ用保護膜が損傷することを防ぐことにより、歩留まりを向上させるとともに、ダイシング工程における切断特性に優れ、ウエハの反りも低減する半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】片面に剥離性を有する基材フィルムと、その剥離性片面に設けられた熱硬化性樹脂組成物からなる半導体チップ用保護膜とを有する保護膜形成用シートを、該保護膜が半導体ウエハの裏面に接するように貼り付け、次に、該保護膜を硬化させ、次に、こうして硬化した保護膜から基材フィルムを剥離する、ことを含む半導体チップの製造方法。 (もっと読む)


【課題】薄型化されたウェハにめっき処理をする際にウェハ裏面への金属析出やウェハの反り及び損傷を抑制すると共に、ウェハのめっき処理効率が良好な半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハを薄型化する工程1、薄型化された前記ウェハの裏面をダイシングテープでリングフレーム内にマウントする工程2、及び、前記リングフレーム内にマウントされた前記ウェハの表面にめっき処理を行う工程3を備えた半導体デバイスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】所望の中間搬送位置に被搬送物を搬送可能な、簡易で且つ安価な構成の搬送機構を提供する。
【解決手段】圧縮エアにより第一の搬送位置Aと第二の搬送位置B間を選択的に往復動するピストン部材54とを含むエアアクチュエータ50と、ピストン部材54に連結され被搬送物を保持する保持手段と、を具備する。第一の搬送位置Aと第二の搬送位置Bとの間の所望の位置に少なくとも1個の中間搬送位置Mを有し、中間搬送位置に対応して停止手段52が配設されている。当接部材66が作用位置に位置づけられると、エアアクチュエータ50によって移動される保持手段が当接部材66に当接することによって保持手段の移動が停止され、当接部材66が非作用位置に位置づけられると、保持手段が当接部材66に当接することなく移動することができる。 (もっと読む)


【課題】支持テープを介してリングフレームに半導体ウエハを接着保持するウエハマウント方法において、支持テープの撓みに起因するチップの損傷を未然に回避する。
【解決手段】両面粘着テープBTを介して補強用の支持基板Pを表面に貼付けた半導体ウエハWから支持基板Pを分離除去し、その後、支持基板Pを除去した半導体ウエハWを、その裏面側から支持テープDTを介してリングフレームfに接着保持し、リングフレームfと一体化された半導体ウエWの表面から両面粘着テープBTを剥離除去する。 (もっと読む)


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