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Fターム[5F031MA37]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 処理装置 (13,378) | 工程 (11,004) | テープの貼付 (630)

Fターム[5F031MA37]に分類される特許

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【課題】装置全体のコンパクト化、処理時間の短縮化を図ることができるようにすること。
【解決手段】支持装置10は、半導体ウエハWが載置される載置面17を有する載置手段11と、半導体ウエハWのVノッチNの位置を検出する検出手段12と、半導体ウエハWの外縁に当接可能な複数の当接手段22と、当接手段22を回転して半導体ウエハWを周方向に回転可能な回動モータ23と、当接手段22を介して支持された半導体ウエハWを載置面17に離間接近可能に設けられた昇降手段25と、載置面17と平行な方向に当接手段22を移動可能な移動手段26とを備えて構成されている。当接手段22、回動モータ23、昇降手段25及び移動手段26は、載置手段11に組み込まれている。 (もっと読む)


【課題】板状部材の反りを解消して平面となるように支持することができるようにすること。
【解決手段】支持装置10は、板状部材Pを引寄せる牽引手段12と、この牽引手段12を所定の平面に沿って移動可能な移動手段14と、板状部材Pを移動不能に支持する移動規制手段15とを備えて構成されている。移動手段14は、板状部材Pに反りが生じた場合であっても、牽引手段12を移動することで、板状部材Pの面が平らな状態になるように調整して支持可能に設けられている。 (もっと読む)


【課題】位置センサを備えることなく押圧手段を所定位置にセットアップでき、装置全体にかかるコストを低減すること。
【解決手段】本実施の形態に係るワーク保持装置は、気体供給部637によって供給される気体を吸引口から噴出しながら保持部(保持板624)とステージ602との間の距離を変化させ、このときの圧力変化のマップを圧力センサ633によって検出し、圧力センサ633の検出する圧力の値と前記マップに基づいて保持部とステージ602との間の距離を算出する構成とした。 (もっと読む)


【課題】ワーク厚みのバラつきや樹脂の量の増減にかかわらず、樹脂を適切に押し広げること。
【解決手段】本実施の形態に係る樹脂塗布装置1は、ステージ602の上面に供給された液状樹脂Lを押圧部604における押圧面634に保持したワークWで上から押圧し液状樹脂LをワークW下面に広げる樹脂塗布装置1であって、押圧部604には、移動部606によるワークWのステージ602への接近によってワークW下面に液状樹脂Lが押し広げられる際に押圧面634が受ける圧力を検出する圧力センサ633が備えられ、制御部は圧力センサ633が検出した圧力に基づいて移動部606の動作を制御する構成とした。 (もっと読む)


【課題】ステージ上面に気密に貼り付けられたシートを、ステージ上面から容易に剥がすこと。
【解決手段】本実施の形態に係るステージ602は、シートSの外周領域を保持する第一の保持面652と、シートSの内側領域に対応して設けられた凹部622の内底面において、シートSの内側領域を保持する第二の保持面653と、凹部622の内周面にて、シートSと第二の保持面653と共に閉空間657を形成する側面654と、閉空間657からエアを吸引する吸引口813とが形成され、吸引口813からのエアの吸引により、第一の保持面652に保持されたシートSを引き伸ばしつつ、第二の保持面653に保持させる構成とした。 (もっと読む)


【課題】作業効率に優れ、カセットを収容する空間の省スペース化を実現すること。
【解決手段】本実施の形態に係るカセット収容装置は、カセット台103を、横2列上下2段に4個配設し、上下にスライド移動可能な内部ドア107を各カセット台103に対応するように4個配設し、上段のカセット台103に対応する内部ドア107は上方向にスライドした際に開位置、下方向にスライドした際に閉位置に位置づけられるように構成し、下段のカセット台103に対応する内部ドア107は上方向にスライドした際に閉位置、下方向にスライドした際に開位置に位置づけられる構成とした。 (もっと読む)


【課題】安価な構成で精度よくウエハマウントを作製するウエハマン作製方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの回路面に液状の接着剤を塗布し、塗布面に支持板を貼り合わせ、当該支持板を保持して半導体ウエハの裏面を研削し、支持用の前記粘着テープを介してリングフレームに半導体ウエハを支持し、半導体ウエハから支持板を分離し、さらに半導体ウエハ上でフィルム状になっている接着剤に半導体ウエハの直径以上の幅を有する剥離テープを貼り付けて当該剥離テープを剥離することにより、当該接着剤を一体にして半導体ウエハから剥離する。 (もっと読む)


【解決課題】バックリンス操作のときに、バックリンス液で、支持基材の半導体ウェハ仮固定面側の仮固定樹脂組成物又は半導体ウェハの加工面とは反対側の面側の仮固定樹脂組成物が除去されることがない半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】支持基材を回転させながら、該支持基材の半導体ウェハ仮固定面に仮固定樹脂組成物液を供給し、次いで、該仮固定樹脂組成物液の供給を行っている最中に又は該仮固定樹脂組成物液の供給を終了した後、該支持基材を回転させながら、該支持基材の裏面に、下記式(I):0.1≦Bsp−Asp≦1.5(I)(式(I)中、Aspは仮固定樹脂組成物液中の溶剤のSP値であり、Bspはバックリンス液のSP値である。)を満たすバックリンス液を供給して、該支持基材の半導体ウェハ仮固定面に、仮固定樹脂組成物塗膜を形成させる仮固定樹脂組成物塗膜形成工程を有すること、を特徴とする半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】裏面研削等のために物体の表面にフィルムを貼付する技術において、より簡易な手法で正確にフィルムを貼付できるようにする。
【解決手段】第1面10a及び第2面10bを有する物体10と、物体の第1面よりも大きな表面12aを有し、可撓性を有するフィルム12と、フィルムの外周縁に沿って配置可能な形状及び寸法を有し、フィルムよりも高い剛性を有するフレーム部材14と、液状接着剤16とを用意する。物体の第1面又はフィルムの表面に液状接着剤を配置する。フィルムの外周縁に沿ってフレーム部材を固定する。物体とフィルムとを、第1面と表面とが互いに対向するとともにフィルムの外周縁に沿った領域が物体の外側に張り出す相対位置に配置して、第1面と表面との双方を液状接着剤に接触させる。液状接着剤を固化させて、物体の第1面にフィルムを固着させる。 (もっと読む)


【課題】不良デバイスの発生を抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、第1供給部からの帯状の基板を第1回収部へ送る第1送り機構と、第1供給部から送られた基板の裏面の少なくとも一部にカバー部材を着ける第1装置と、裏面にカバー部材が着けられた状態で第1装置から送られた基板の表面の処理を行う表面処理装置と、表面処理装置と第1回収部との間に配置され、表面処理装置から送られた基板からカバー部材を離す第2装置と、を備える。 (もっと読む)


【課題】ラミネーティング過程で発生する接触面上の気泡を除去できるようなエアープレッシングパターンを形成できるラミネーティング装置及びそのラミネーティング方法を提供する。
【解決手段】ラミネーティング装置は、キャリア装置及び正圧プレス装置を含み、キャリア装置は、被加工物である基板などを収容し、真空を形成して基板と基板とを固定圧着させ、正圧プレス装置は、キャリア装置の弾性膜に向かってエアーを噴射して基板間の接着力を高めると同時に、噴射されたエアーがまるで基板をその中心から縁部に掃き出すような効果を持たせることによって、ラミネーティング過程で発生しうる基板間の気泡を除去する。このようなエアープレッシングによる加圧では、基板などをチャンバーではなく別の移送可能なキャリア装置に収容するため、正圧プレス装置が複数個のキャリア装置に対して反復的なエアープレッシング工程を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】ウェーハの表面に触れることなく加工処理することができるレーザダイシング装置及び方法、割断装置及び方法、並びにウェーハ処理方法を提供する。
【解決手段】ウェーハWは、裏面に透明なダイシング用テープTが貼着されて、ダイシング用フレームFにマウントされる。ダイシング用フレームFにマウントされたウェーハWは、裏面を吸引されて、透明なウェーハテーブル20に保持される。レーザ光は、透明なウェーハテーブル20及び透明なダイシング用テープTを通してウェーハWの裏面に入射される。これにより、ウェーハWの表面に触れることなくウェーハWを保持して、ウェーハWの裏面にレーザ光を入射することができ、ウェーハWの表面に形成された素子等を破壊することなく、レーザダイシングすることができる。 (もっと読む)


【課題】ダイシング時におけるチップ飛びを防止するとともに、ピックアップ性の向上させることができる半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体用フィルム10は、接着層3と支持フィルム4とが積層されてなり、支持フィルム4の平均厚さが100μm以下であり、かつ、支持フィルム4の剛性が40N以上1,000N以下である。この半導体用フィルム10は、接着層3の支持フィルムとは反対側の面に半導体ウエハー7を貼着し、この状態で半導体ウエハー7および接着層3を切断して個片化し、得られた個片83を支持フィルム4を介して少なくとも1本の突き上げピンにより突き上げつつ支持フィルム4からピックアップする際に用いるものである。 (もっと読む)


【課題】リングフレームの半導体ウエハを接着保持する支持用粘着テープの切断精度を向上させることのできる粘着テープ切断方法およびこれを用いた粘着テープ貼付け装置を提供する。
【解決手段】カッタ刃42を装着したカッタホルダ43の先端側の基準面62を支持用粘着テープDTの基材bの表面に接触させた状態で、カッタホルダ43の基準面を基材表面に追従させながら支持用粘着テープDTを切断してゆく。このとき、カッタ刃42の先端が、粘着層aを貫通させずにリングフレームfとの接着界面の間際を通過させる。 (もっと読む)


【課題】減圧加熱工程を有する半導体の加工時において半導体に貼付してこれを保護するための半導体加工用テープを提供する。
【解決手段】減圧加熱工程を有する半導体の加工時において半導体に貼付してこれを保護するための半導体加工用テープであって、基材の少なくとも一方の面に、光硬化型粘着剤100質量部に対して7〜20質量部のシリカ微粒子を含有する粘着剤層を有するものであり、前記シリカ微粒子は、平均粒子径が0.9μm以下、かつ、最大粒子径が5.0μm以下となるように前記粘着剤層中に分散している半導体加工用テープ。 (もっと読む)


【課題】ダイシングシートのエキスパンド作業からウエハパレットへの取り付けまでの作業を簡単に行うことができるようにする。
【解決手段】厚み(高さ)の異なる複数種類のスペーサの中から、ダイシングシート41の必要とするエキスパンド量に応じた厚みのスペーサ48を選択して、該スペーサ48をパレットベースプレート42の所定位置にセットした後、パレットベースプレート42に設けたエキスパンド用円筒部材44上にダイシングシート41を載せて、押さえプレート47でダイシングシート41の外周部のダイシングフレーム46を押さえ付けて、該押さえプレート47とパレットベースプレート42との間にダイシングフレーム46とスペーサ48とを挟み込んでナット49を完全に締め付けて固定する。 (もっと読む)


【課題】対象物を強固に接着して支持しつつ、支持体を対象物から容易に分離することができる積層体およびその積層体の分離方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る積層体は、光透過性の支持体と、上記支持体によって支持される被支持基板と、上記被支持基板における上記支持体によって支持される側の面に設けられている接着層と、上記支持体と上記被支持基板との間に設けられている、無機物からなる分離層とを備えており、上記分離層は、上記支持体を介して照射される光を吸収することによって変質するようになっており、上記分離層における上記接着層に対向する側の面は、平坦になっている。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハを破損させることなく効率よく保護テープを剥離する。
【解決手段】研削工程を行う前のウエハ10の外周10Aの一部に、ウエハ10の径方向外側に向かって突出した凸部12を形成する。剥離テープ20は、ウエハ10の外周10Aに形成された凸部12に重なり、凸部12が剥離開始位置P1となるように貼り付ける。剥離テープ20とともに保護テープ14を剥離する際には、ウエハ10の凸部12を剥離開始位置P1とすることで、凸部12と保護テープ14との接着面積が小さくなり、保護テープ14とウエハ10との密着性を低くすることができる。このため、保護テープ14がウエハ10から剥離し易くなり、ウエハ10に作用する力が低減されることで、ウエハ10を破損させることなく効率よく剥離することができる。 (もっと読む)


【課題】検出手段によって接着シートを精度良く検出でき、当該検出のための調整作業の負担を軽減することができるようにすること。
【解決手段】シート貼付装置10は、帯状の剥離シートRLに接着シートSが仮着された原反Rを繰り出す繰出手段12と、この繰出手段12で繰り出される原反Rの剥離シートRLから接着シートSを剥離する剥離手段14と、剥離手段14を通過する接着シートSを検出する検出手段16と、この検出手段16の検出結果を基に、繰出手段12を所定制御可能な制御手段19とを備えて構成されている。剥離手段14は、検出手段16に向かって光を発光可能に設けられている。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハへの良好な密着性、粘着性を有し、耐薬品性、耐熱性、低透湿性に優れ、かつ、使用後は半導体ウエハ表面に残存せずに容易に剥離できる半導体ウエハの保護膜、ならびに該保護膜を利用する半導体ウエハ表面の保護方法および半導体ウエハの加工方法を提供する。
【解決手段】硬化性フルオロポリエーテルエラストマー組成物の硬化皮膜からなる半導体ウエハの保護膜;半導体ウエハの片面または両面を上記保護膜で被覆することを含む半導体ウエハ表面の保護方法;(a)半導体ウエハの片面を上記保護膜で被覆して保護膜被覆半導体ウエハを得る工程を有する半導体ウエハの加工方法。上記加工方法は、(b)裏面研削工程、(c)貫通孔形成工程、(d)貫通電極作製工程、および(e)保護膜剥離工程の特定の組み合わせを更に有してもよい。 (もっと読む)


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