【課題】ＩＴＯ等の酸化物透明導電膜の上に直接、光反射率が高いＡｌ系合金膜を成膜した欠陥のない積層導電膜を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る積層導電膜は、光透過性を有する透明導電膜と、前記透明導電膜上に直接積層して形成され、前記透明導電膜との界面近傍に窒素原子、酸素原子の少なくとも１種類以上を含むことにより、前記透明導電膜に電気的に接続されるＡｌ又はＡｌを主成分とするメタル導電膜とを有する。また、メタル導電膜は、透明導電膜との界面近傍にさらに周期律の８族元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、４ｂ族元素のＣ、Ｓｉ、Ｇｅから選ばれる少なくとも１種類以上の原子を含む。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを容易且つ確実に効率よく形成することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】水素バリア膜７に、配線層９と、ＭＯＳトランジスタＴのゲート電極３、ソース電極及びドレイン電極とを接続する第一のコンタクトホールＨ１を通すための除去領域７Ａを形成し、この除去領域７Ａの内側に、第一のコンタクトホールＨ１を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、層間絶縁層のＳＯＧ膜から発生する脱ガスにより接続用電極が酸化し、接続用電極上の抵抗値が低減され難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、接続用電極２６上のＴＥＯＳ膜２７、ＳｉＮ膜２８に開口領域２９、３１が形成される。開口領域２９、３１では、接続用電極２６上にメッキ用金属層３２、Ｃｕメッキ層３４が積層される。そして、接続用電極２６が開口領域２９、３１から露出する際、ＳＯＧ膜１４、２２が露出することがなく、接続用電極２６がＳＯＧ膜１４、２２から発生する脱ガスにより酸化されず、接続用電極２６上の抵抗値が低減される。 （もっと読む）

基板上にエアギャップ構造を作製する方法及びシステムが記載されている。当該方法は、基板上に犠牲層を形成する工程を有する。前記犠牲層は、約350℃より高温の熱分解温度で熱分解する分解可能材料を有する。その後、前記犠牲層の熱分解温度よりも低い基板温度で前記犠牲層上にキャップ層が形成される。前記犠牲層は、紫外(UV)放射線への前記基板の第1曝露を実行し、かつ前記基板を前記犠牲層の熱分解温度よりも低い第1温度にまで加熱することによって分解される。前記の分解した犠牲層は前記キャップ層を介して除去される。UV放射線への前記基板の第2曝露を実行し、かつ前記基板を前記第1温度よりも高い第2温度にまで加熱することによって、前記キャップ層は架橋して硬化する。
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【課題】高耐圧の半導体装置に対する小型化要求と電極配線の信頼性確保を両立するため、高温封止工程に耐えうる電極配線を持った半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、シリコン単結晶基板の主表面に形成された１つ以上の半導体素子と、シリコン単結晶基板の前記主表面上に形成された層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に形成され前記半導体素子に電力を供給する電極配線を有する半導体装置であって、前記電極配線は前記層間絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して前記半導体素子に接続されており、酸化アルミニウム保護層が前記電極配線の表面に形成されており、パシベーション膜が前記電極配線を被覆するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】支持基板を貼り合せた半導体基板の位置検出を容易化することによって、半導体装置の製造効率の向上や製造コストの低減等を図る。
【解決手段】第１の切り欠き部７を有する半導体基板１と第２の切り欠き部８を有する支持基板とを、第１の切り欠き部７と第２の切り欠き部８とが重なるように貼り合せる。支持基板２が貼り合わされた半導体基板１の支持基板２と対向する面１ａとは反対側の面１ｂを加工し、半導体基板１の厚さを所定の厚さまで薄厚化する。さらに、必要に応じて半導体基板１の加工面１ｂに対して成膜工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】 構造の接点抵抗を改善した、すなわち低下させた半導体構造を提供する。
【解決手段】 自己組織化・ポリマー技術を用いて、半導体構造の導電性コンタクト領域に存在する材料内に少なくとも１つの配列されたナノサイズ・パターンを形成する。配列されたナノサイズ・パターンを有する材料は、相互接続構造または電界効果トランジスタの半導体ソースおよびドレイン領域の導電材料である。接点領域内に整列ナノサイズ・パターニング材料が存在することによって、以降の接点形成のための全領域（すなわち界面領域）が拡大し、これによって構造の接点抵抗が低下する。接点抵抗の低下により、構造を通る電流が改善する。上述のことに加えて、本発明の方法および構造では、接合領域が不変のままであるので、構造の接合容量は影響を受けない。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩチップなどの半導体チップをより薄型化することが可能な技術を提供する。また、三次元半導体集積回路において、ＬＳＩチップをより薄型化して積層することで集積密度を向上させることが可能な技術を提供する。
【解決手段】ＬＳＩなどの集積回路が形成された半導体基板をＣＭＰ等により研磨し、半導体基板中に脆化層を形成して半導体基板の一部を分離することにより半導体基板を薄膜化して、従来にない薄さのＬＳＩチップなどの半導体チップを得る。また、このような薄型化したＬＳＩチップを積層し、半導体基板を貫通する配線によって電気的に接続することで、集積密度が向上した三次元半導体集積回路を得る。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に配置される光透過性保護部材にキズやクラック等が生じることを抑制することによって、半導体装置の受光特性や製造歩留り等を向上させる。
【解決手段】半導体装置１は、第１の主面２ａに受光部３と電極４とが設けられた半導体基板２を具備する。半導体基板２は第１の主面２ａと第２の主面２ｂとを繋ぐ貫通配線層６を有する。半導体基板２上には第１の主面２ａを覆うように光透過性保護部材９が配置されている。受光部３上には所定の間隙１１が形成される。光透過性保護部材９の表面９ａには保護膜１２が形成されている。保護膜１２は受光部３に対応する領域に設けられた開口１２ａを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表裏両面間を貫通配線層で接続した半導体装置において、グランド特性や放熱性を改善する。
【解決手段】半導体装置１は貫通孔３を有する半導体基板２を備える。半導体基板２の第１の主面２ａには活性層４が設けられている。貫通孔３の内壁面、活性層４で塞がれた貫通孔３の底面、および半導体基板２の第２の主面２ｂは絶縁層５で覆われている。貫通孔３の底面に存在する絶縁層５には第１の開口部６が設けられている。半導体基板２の第２の主面２ｂに存在する絶縁層５には第２の開口部７が設けられている。第１の配線層８は貫通孔３内から半導体基板２の第２の主面２ｂに亘って設けられている。第２の配線層９は第２の開口部７を介して第２の主面２ｂと接続するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板とゲート絶縁膜との界面近傍における窒素濃度を必要以上に高くすることなく、ゲート絶縁膜中の窒素濃度を高める。
【解決手段】電界効果トランジスタのゲート絶縁膜は、半導体基板に近い第１領域と、第１領域よりもゲート電極に近い第２領域とで窒素濃度のピークが異なっており、第１領域における窒素濃度のピークは、２．５atomic％〜１０atomic％であり、第２領域における窒素濃度のピークは、第１領域における窒素濃度のピークよりも高い。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の貫通接続部において、表面側配線層の貫通孔底部での剥離および破断が防止され、接続不良等が改善された半導体装置と、そのような半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】貫通孔３を有する半導体基板２の表面に、該貫通孔３と同径の開口４ａを有する第１の絶縁層４が被覆され、その上に第１の配線層５が開口４ａを覆い形成されている。また、貫通孔３内および半導体基板２の裏面に第２の絶縁層６が被覆されている。第２の絶縁層６は、第１の配線層５と内接するように形成され、内接部に第１の絶縁層４の開口４ａよりも小径の複数の開口６ａを有している。さらに、貫通孔３内に第２の配線層７が充填・形成され、この第２の配線層７は第２の絶縁層６の複数の開口６ａを介して第１の配線層５に内接している。 （もっと読む）

【課題】集積回路のためのアルミニウム相互接続部メタライゼーションを、所望によりアルゴンが追加されてもよい純粋な酸素雰囲気中で制御可能に酸化させる。
【解決手段】ウエハ３２をアルミニウムスパッタリング中に生じる３００℃を超える温度からアルミめっきを施したウエハをプラスチックカセット３４に装填させることを可能にする１００℃未満まで冷却させるので有利に行われる。酸化は高真空搬送チャンバ６２と低真空搬送チャンバ４０の間の通過チャンバ５６、８０内で制御可能に行うことができる。酸素分圧は有利には０.０１〜１トール、好ましくは０.１〜０.５トールである。１トールを超える全圧にアルゴンを添加すると、ウエハが水冷却ペデスタル上に載置された場合にウエハ冷却が促進される。スパッタチャンバへの酸素逆流を防止するために冷却チャンバは冷却中に真空ポンプで排気されず最初にアルゴンが次に酸素が冷却チャンバにパルスされる。 （もっと読む）

【課題】
互いにパターン（平面形状）の異なる２種類以上の薄膜を積層した積層構造を形成する工程にて、１回のフォトリソグラフィ工程で夫々の薄膜形状を画定すること。
【解決手段】
基板１上に２層の薄膜３，２を順次成膜し、次に薄膜２の上面に形成された第１マスクパターン４を用いて薄膜２のエッチングを行い、第１の薄膜パターン６を形成する。その後、第１マスクパターン４を残した状態で第１マスクパターン４及び薄膜２の上に、有機材料のオフセット印刷、インクジェット印刷、又はディスペンサノズルによる追加塗布で第２マスクパターン５を形成する。最後に、薄膜３を第１マスクパターン４及び第２マスクパターン５を用いて第２の薄膜パターン７に成形し、続いて２つのマスクパターン４，５を除去する。以上の工程により、フォトリソグラフィが第１マスクパターン４を形成する１回のみに制限されるも、基板１の主面に所望の積層構造が形成される。 （もっと読む）

【課題】 バリアメタル層や配線材のカバレジの向上する半導体装置を提供する。
【解決手段】 コンタクトホール近傍の材質を単一にすることで、コンタクト側壁の凸凹の発生を防止するにより、バリアメタル層及び配線材のカバレジを良くすることが出来る。加えて、バリアメタル層を安定して作成することが出来るため、バリアメタル層の断線を防止し、配線材の基板への染み出しを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 多層配線を有する半導体装置において配線層内の水分の有無を直接評価することができる配線構造及び多層配線を有する半導体装置の水分検出方法を実現する。
【解決手段】 半導体装置１の多層配線構造において、第３配線層３３より腐食されやすい材料により形成された薄膜抵抗体２０ａ、２０ｂが第３配線層３３に配置され、薄膜抵抗体２０ａ、２０ｂの抵抗値を測定可能に構成されているため、水分の侵入などにより第３配線層３３内に水分が存在する場合には、水分が第３配線層３３内を移動して薄膜抵抗体２０ａ、２０ｂに到達し、薄膜抵抗体２０ａ、２０ｂが腐食されて抵抗が急増するので、薄膜抵抗体２０ａ、２０ｂの抵抗値を測定することにより第３配線層３３内の水分の有無を直接検出することができる。 （もっと読む）

【課題】 バリアメタル層の薄膜化や断線によっておこる配線材の基板への染み出しを、バリアメタル層の積層の状態によらず防止する。
【解決手段】 本発明において、上述バリアメタル層堆積後に、絶縁膜等で側壁に保護層を形成することにより、コンタクトホールの側壁やバリアメタル層の積層の状況によらず、Alloy後の熱処理の影響における配線材の基板への染み出しを防止することができる。また、保護層を形成することにより、側壁のより滑らかにすることが出来るので、同時に配線材のカバレジも向上させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】 積層半導体パッケージに適した半導体パッケージ用貫通電極、及び前記貫通電極を有する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】 半導体パッケージ用貫通電極は、半導体チップを貫通して、内部にリセス部が形成された第１の電極、及び前記リセス部内に配置された第２の電極を含む。半導体パッケージは、回路部を有する半導体チップ本体及び前記回路部と連結されたボンディングパッドを有する半導体チップ、並びに、前記ボンディングパッド及び前記ボンディングパッドと対応する前記半導体チップ本体を貫通し、内部にリセス部を有する第１の電極、及び前記リセス部の内部に配置された第２の電極を有する貫通電極を含む。 （もっと読む）

【課題】ビアホールの位置が大きくシフトした場合でも、層間絶縁膜に形成されるボイドとの接触を確実に防止して、高い信頼性および高い歩留まりを確保できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、層間絶縁膜と、層間絶縁膜の下側に配置された下側配線層と、層間絶縁膜の上側に配置された上側配線層と、層間絶縁膜を貫通して、下側配線層に属する配線と上側配線層に属する配線を電気接続するためのビアホールとを備える。下側配線層において、所定の方向に沿って延びる複数の配線ラインと、少なくとも２つの配線ラインの部分的連結によって形成され、ビアホールと接触するためのコンタクト領域とが設けられる。互いに隣接した配線ライン間に位置する層間絶縁膜には、ボイドが存在しており、一方、コンタクト領域におけるビアホールの接触部分と、コンタクト領域に隣接する配線ラインとの間に位置する層間絶縁膜にはボイドが存在していない。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に貫通配線層を形成する際の貫通孔底部での壁状付着物や有機マスク残渣の発生を防ぐことにより、貫通接続部の接続不良や機械的信頼性が改善された半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通孔３を有する半導体基板２の表面に、該貫通孔３よりも小径の開口４ａを有する第１の絶縁層４が被覆され、その上に第１の配線層５が開口４ａを覆い形成されている。また、貫通孔３内および半導体基板２の裏面に第２の絶縁層６が被覆され、その上には拡散防止機能を有する高抵抗金属からなる金属マスク層７が形成されている。第２の絶縁層６および金属マスク層７は、第１の絶縁層４の開口４ａと同径の開口６ａ、７ａを有している。さらに、貫通孔３内に第２の配線層８が充填・形成され、この第２の配線層８は第１の絶縁層４および第２の絶縁層６の開口４ａ、６ａを介して第１の配線層５に内接している。 （もっと読む）