【課題】電子と正孔いずれがキャリアの場合でも接触抵抗が低減された電極を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上にｎ型拡散層１０２とｐ型拡散層１０４を備え、ｎ型拡散層１０２およびｐ型拡散層１０４と絶縁層１０６を介して形成された第１の金属配線１０８、第２の金属配線１１０と、ｎ型拡散層１０２と第１の金属配線１０８を電気的に接続するための第１のコンタクト電極１１２と、ｐ型拡散層１０４と第２の金属配線１１０を電気的に接続するための第２のコンタクト電極１１３とを有し、第１のコンタクト電極１１２のｎ型拡散層１０２と接合する部分と、第２のコンタクト電極１１３のｐ型拡散層１０４と接合する部分とが、第１の金属含有導電体１１４と、希土類金属を含む第２の金属含有導電体１１６とによって形成されている半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線構造体内に空隙を生成するための新規な方法を提供する。
【解決手段】基板上に配置されると共に互いに空隙によって分離された導電体からなる少なくとも１つのレベルの配線を含み、電気絶縁材料層が前記配線のレベルを覆う、集積回路用のダマシンタイプの電気配線の構造体を製造する方法であって、前記方法は、基板上に犠牲材料層を堆積する段階と、導電体に対応するパターンを有して犠牲材料層をエッチングする段階と、犠牲材料層のエッチングされた表面に、犠牲材料を分解することができる攻撃剤に対して透過性の材料で膜層を堆積する段階と、攻撃剤を用いて犠牲材料を分解する段階であって、空隙が分解された犠牲材料の位置に形成されるような段階と、空隙によって分離された導電体を得るために、エッチングされたパターンに導電体を形成する段階と、得られた配線のレベルを覆うために、電気絶縁材料層を堆積する段階と、からなる段階を含む方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を構成する金属に残留するフッ素を低減して、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】被処理基板に形成される半導体装置の電極あるいは配線を形成している金属に生成した金属フッ化物を除去する処理を行うフッ化物除去工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記フッ化物除去工程では、前記被処理基板に気体状態の蟻酸を供給し、前記金属フッ化物を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

本発明の種々の実施形態は、非単結晶基板上にナノ構造物を形成する方法、並びにその結果得られるナノ構造物及びナノスケール機能デバイスに関する。本発明の一実施形態では、ナノ構造物を形成する方法は、金属層（１００）及びシリコン層（１０４）を含む多層構造物（１０６）を形成することを含む。多層構造物（１０６）は、熱工程にかけられ、それにより金属シリサイド晶子（１１０）が形成される。金属シリサイド晶子（１１０）上にはナノ構造物（１１４）が成長される。本発明の別の実施形態では、構造物は、非単結晶基板（１０２）及び非単結晶基板（１０２）上に形成された層（１０８）を含む。層（１０８）は、金属シリサイド晶子（１１０）を含む。金属シリサイド晶子（１１０）上にいくつかのナノ構造物（１１４）が形成されてもよい。開示の構造物は、電子デバイス及び／又は光電子デバイスで使用されるいくつかの異なるタイプの機能デバイスを形成するために使用することができる。
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【課題】信頼性が高くかつ初期のビア抵抗値のばらつきが小さい半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、第１の絶縁層１０内に形成されている第１の配線１２と、第１の絶縁層１０および第１の配線１２上に形成されている第２の絶縁層２０内に形成されている第２の配線１２とを有する半導体装置である。ここで、第１の配線１２および第２の配線２２の少なくともいずれかはＣｕＡｌ配線である。また、第２の配線２２は、そのビアプラグ部２２ｖで、複数のバリア層２４を介在して、第１の配線１２に電気的に接続している。また、バリア層において、ＣｕＡｌ配線と接触するＣｕＡｌ接触バリア層は、窒素原子含有量が１０原子％未満である。 （もっと読む）

【課題】配線溝とスルーホール形成時の洗浄でキャップ金属が溶解して初期不良率の低下、エレクトロマイグレーション耐性の低下を防止することを目的とする。
【解決手段】上層配線開口部１１２の底部となる下部銅配線上に密着性を向上させるために形成されるキャップ金属の少なくとも上部のプラグと接続する部分を、科学的に安定するように変性された変性膜にすることにより、配線溝１１３形成後の洗浄工程においてキャップ金属の溶解を防止でき、初期不良率の低減及びエレクトロマイグレーション耐性の向上を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１００は、シリコン基板の上部に形成され、所定の箇所に凹部１０３が設けられた層間絶縁膜１０１、層間絶縁膜１０１の内壁を覆うバリアメタル膜１０５、バリアメタル膜１０５に接して設けられるとともに凹部１０３の内部に埋設された下層銅配線１０７、および、下層銅配線１０７の上部に接して設けられるとともに下層銅配線１０７の上部の実質的に全面に設けられた保護膜１１５を含む。下層銅配線１０７の上面は、凹部１０３の側壁におけるバリアメタル膜１０５の上面より基板側に後退して設けられている。保護膜１１５は、構成元素としてＣｏまたはＮｉを含み、バリアメタル膜１０５の側壁近傍における保護膜１１５中のＣｏ濃度またはＮｉ濃度が、凹部１０３の中央部におけるバリアメタル膜１０５中のＣｏ濃度またはＮｉ濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを有する電気配線構造及びその形成方法を提供する。
【解決手段】集積回路装置は、カーボンナノチューブを含む導電性配線を含む。電気配線は、第１金属領域を含む。第１導電性バリア層が前記第１金属領域の上部表面上に提供され、第２金属領域は、前記第１導電性バリア層上に提供される。前記第１導電性バリア層は、前記第１金属領域からの前記第１金属の外部拡散を抑制する物質を含み、前記第２金属領域は、内部に触媒金属を含む。内部に開口を有する絶縁層が前記第２金属領域上に提供される。多数のカーボンナノチューブが、前記開口内に垂直電気配線として提供される。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブと層間配線される導体との間に良好な電気的接触を付与するカーボンナノチューブに基づく層間配線要素を提供する。
【解決手段】マイクロエレクトロニクス回路の少なくとも２つの導体を層間配線するために設計された要素であって、下側導体と称する初期導体２１０と、前記初期導体に配置された誘電層２３０と、前記誘電層上の上側導体と称する第２の導体２２０と、一方で下側導体上に、そして他方で上側導体上に現れる誘電層における空洞２４０とを含む、要素に関連する。上側導体２２０は下側導体２１０の上方にブリッジを形成しており、空洞２４０はそれが上側導体上に現れる水平面で後者の両側に２つのベント２４３を形成している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において、フォトレジストを用いたリソグラフィー工程を簡略化する半導体装置の製造技術を提供して、製造コストを低減し、スループットを向上させる。
【解決手段】基板上に第１材料層、第２材料層を順次積層して被照射体を形成する。当該被照射体に、第１材料層に吸収される第１のレーザビームと、第２材料層に吸収される第２のレーザビームを重畳するように照射し、該重畳するようにレーザビームが照射された領域の一部或いは全部をアブレーションさせ、開口を形成する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタが備えるキャパシタ誘電体膜の特性を向上させることが可能な半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１導電膜２３の上に、少なくともゾル・ゲル法による成膜ステップを含む成膜方法により第１強誘電体膜２４ｂを形成する工程と、第１強誘電体膜２４ｂの上に、スパッタ法により第２強誘電体膜２４ｃを形成する工程と、第２強誘電体膜２４ｃの上に第２導電膜２５を形成する工程と、第１導電膜２３、第１、第２強誘電体膜２４ｂ、２４ｃ、及び第２導電膜２５をパターニングして、下部電極２３ａ、キャパシタ誘電体膜２４ａ、及び上部電極２５ａを備えたキャパシタQを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極を好適な仕事関数を有する導電材料から構成することができ、ゲート電極の構成材料と層間絶縁層のエッチング条件との関係を考慮する必要のない半導体装置を提供する。
【解決手段】ＮＭＩＳＦＥＴ及びＰＭＩＳＦＥＴを含む半導体装置であって、各ゲート電極32A,32Bは、層間絶縁層の下層部28Aに設けられたゲート電極形成用開口部に埋め込まれており、ＮＭＩＳＦＥＴのゲート電極32Aの少なくとも底面部と側面部は第１の導電材料33Aから構成されており、ＰＭＩＳＦＥＴのゲート電極32Bの少なくとも底面部と側面部は第１の導電材料とは異なる第２の導電材料33Bから構成されており、各ゲート電極32A,32Bの頂面上には、導電性を有する保護層35A,35Bが形成されており、各ゲート電極用コンタクトプラグ44A,44Bは、保護層35A,35Bを介して、各ゲート電極32A,32Bの頂面に接続されている。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】チューブを絶縁層の開口形成領域上に絶縁層に接して配置し、そのチューブを通して処理剤（エッチングガス又はエッチング液）を絶縁層に吐出する。吐出（された処理剤（エッチングガス又はエッチング液）によって、絶縁層を選択的に除去し、絶縁層に開口を形成する。従って、導電層上に開口を有する絶縁層が形成され、絶縁層下の導電層が開口の底面に露出する。露出された導電層と接するように開口に導電膜を形成し、導電層と導電膜を絶縁層に設けられた開口において電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】導電層上にマスクを設け、マスクを設けた導電層上に絶縁膜を成膜し、マスクを除去することで開口を有する絶縁層を形成する。露出した導電層と接するように開口に導電膜を形成することによって、導電層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。開口の形状はマスク形状を反映し、柱状（角柱、円柱、三角柱など）、針状などを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】界面破壊現象が発生しない炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを利用した半導体素子配線の形成方法が開示されている。
【解決手段】基板上に酸化金属膜を形成した後、前記酸化金属膜上に前記酸化金属膜の表面を露出させる開口を含む絶縁膜パターンを形成する。前記開口に露出された前記酸化金属膜を炭素ナノチューブの成長が可能な触媒金属膜パターンに形成する。前記触媒金属膜パターンから炭素ナノチューブを成長させて炭素ナノチューブ配線を形成する。前述した炭素ナノチューブ配線の形成方法は、前記絶縁膜パターンと触媒金属膜パターンとの間で炭素ナノチューブが成長する現象を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上に選択的に光吸収層を形成し、絶縁表面上及び光吸収層上に絶縁層を形成し、絶縁表面、光吸収層及び絶縁層にレーザ光を照射し、絶縁層のレーザ光照射領域において光吸収層上の絶縁層のみを選択的に除去し絶縁層に光吸収層に達する開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】ダマシン構造の多層配線およびＣｏＷＰ等の導電性バリア膜を有する半導体装置において、従来よりも電気特性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】下層配線１２に至るビア孔１７を開口する際、下層配線１２表面に残存する導電性バリア膜１３と下層配線１２との間で形成される反応層１４が除去される。よって、ビア１７下面と下層配線１２とが接合する界面において、導電性バリア膜１３と下層配線１２との間で形成される反応層１４が存在しないため、ビア抵抗を十分に下げることができる。 （もっと読む）

【課題】銅配線上にキャップ膜を形成した配線構造を有する半導体装置において、配線間リーク耐性を向上させるとともに、配線間容量を低減させた配線構造を有する半導体装置とその製造方法を得ること。
【解決手段】下部層間絶縁膜１１と、下部層間絶縁膜１１上に形成される銅拡散防止膜２１と、銅拡散防止膜２１を貫通し下部層間絶縁膜１１に形成された配線用溝１２の側面と底面に形成されるバリア膜１３と、バリア膜１３が形成された配線用溝１２に埋め込まれたＣｕを含む材料からなる下層銅配線１４と、下層銅配線１４上に形成されるＣｏを含む材料からなるキャップ膜１５と、銅拡散防止膜２１とキャップ膜１５上に形成される上部層間絶縁膜３１と、上部層間絶縁膜３１中の下層銅配線１４の形成位置内の所定の位置に形成されたビアホール３２に埋め込まれたプラグ３３と、プラグ３３を含む上部層間絶縁膜３１上に形成される上層配線３４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して、信頼性の高い半導体装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電層を形成し、該導電層上に光透過層を形成し、該光透過層上からフェムト秒レーザを照射して、該導電層及び該光透過層を選択的に除去する工程を有する。なお、該導電層の端部は、該光透過層の端部より内側に配置されるように該導電層及び該光透過層を除去されていてもよい。また、フェムト秒レーザを照射する前に、該光透過層表面に撥液処理を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】 導電部材の酸化を防止して信頼性を向上した半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体基板上に第一の絶縁層１００を形成し、第一の絶縁層１００に溝１０７を形成し、溝１０７内に表面に銅を含有する配線層１０１を形成し、配線層１０１表面に活性化処理を施して、無電解めっき法により配線層１０１表面上にコバルトを含有したキャップ膜１０５を形成し、キャップ膜１０５形成部を除く配線層１０１表面に、シリコン及び窒素を含む反応性ガスを用いてプラズマ処理を施して、窒素含有銅シリサイド膜１０６を形成し、第一の絶縁層１００上、キャップ膜１０５上及び窒素含有銅シリサイド膜１０６上に第二の絶縁層１０３を形成する。 （もっと読む）