【課題】 容易に貫通穴を埋めることができ、環境負荷を小さくする。
【解決手段】 貫通穴が設けられたウェハの貫通穴の開口の径が小さい側の主面を把持し、前記貫通穴の開口の径が大きい側から貫通穴に金属材料を埋め込むウェハの金属材料埋込装置であって、枠状に形成される第一の吸引部と、貫通穴から金属材料を吸引し第一の吸引部に嵌め込まれる第二の吸引部とを有する把持本体部と、第一の吸引部に沿って形成され、流路と吸引穴と第三の貫通孔とが形成されたアダプター部と、吸引穴に接続される吸引手段と、吸引配管の流量と圧力とを検出する検出手段と、金属材料が吸引されて変化した流量と圧力の値が所定の値となっているか否かを判定する判定手段と、所定の値であると判定された場合に把持本体部で吸引しているウェハからはみ出て入る金属材料を所定の加圧平面に押し当てる加圧手段と、第三の貫通孔接続される吐出手段と、を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画素スイッチング用ＴＦＴの光リーク電流の発生を低減し表示画像の高品質化を図る。
【解決手段】基板上に、走査線１１、走査線に交差するデータ線６、画素電極、第１及び第２の方向のうち一方の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域３０ａ３、第２の方向に沿ったソース長を有するソース領域３０ａ１、第１の方向に沿ったドレイン長を有するドレイン領域３０ａ５、チャネル領域及びソース領域間に形成された第１の接合領域３０ａ２、並びにチャネル領域及びドレイン間に形成された第２の接合領域３０ａ４を有し、ドレイン領域で折れ曲がっている半導体層３０ａ、チャネル領域に対向する本体部３０ｂ１、折れ曲がった部分に沿って少なくとも第２の接合領域を包囲する包囲部３０ｂ２を有するゲート電極３０ｂと、包囲部から立ち上がり又は立ち下がっており、第２の接合領域を囲む側壁部３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に形成される貫通孔底部での絶縁層のノッチの発生、貫通孔下の配線層へのダメージを抑制し、電気的絶縁性の低下や配線層の接続不良を低減できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第一の絶縁層２０３と、第一の絶縁層上の第一の配線層２０４と、半導体基板２０１を貫通し、底部に第一の絶縁層を厚さ方向に除去した部分的なエッチ部を備えた貫通孔２０１ａと、貫通孔の部分的なエッチ部の底部を除く内壁部から半導体基板の第二の面までを覆う第二の絶縁層２０６と、貫通孔の底部に、第一の配線層が露出するように第一の絶縁層に形成された開口部２０３ａと、該開口部で第一の配線層と接すると共に貫通孔の第二の絶縁層上から半導体基板の第二の面の第二の絶縁層上に亘る第二の配線層２０２とを有し、開口部に接する第一の絶縁層が、半導体基板に接する第一の絶縁層より小さい厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層を厚くして電極間の寄生容量を低く抑えることができ、かつ、当該絶縁層に精度良く開口部を形成して作製される小型の半導体装置、その半導体装置の製造方法、及びその半導体装置を含むパワーモジュールを提供する。
【解決手段】セル１６０は、基板１０４と、基板１０４上に形成されるドレイン電極１８０、ソース電極１８２、及びゲート電極１８４と、基板１０４及び各電極上に形成され、ドレイン電極１８０の表面を露出する開口部２２０が形成された絶縁層１４２とを含む。開口部２２０は、ドレイン電極１８０の表面から絶縁層１４２の表面に向かってその径を広げながら所定高さまで立上がる壁面２２２と、基板１０４の表面から当該所定高さで基板１０４の表面に平行となった踊り場状の平坦面２２４と、平坦面２２４から絶縁層１４２の表面に向かってその径を広げながら立ち上がる壁面２２６とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌを含む金属配線の形成において、サイドエッチ量を低減した微細な金属配線を形成でき、金属配線上に形成するビアホールが金属膜を突き抜けるのを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第一ＴｉＮ膜３、Ａｌを含む金属膜４、第二ＴｉＮ膜５を順次積層した金属配線層６を形成する工程と、前記金属配線層６の上にストッパー膜７、シリコン酸化膜８を順次積層したハードマスク層１２を形成する工程と、前記ハードマスク層１２を選択的にエッチングして前記金属配線層６の上にハードマスク１２ａを形成する工程と、前記ハードマスク１２ａをマスクとしてエッチングし金属配線６ａを形成する工程と、前記ハードマスク１２ａおよび前記金属配線６ａの上に層間絶縁膜１４を形成する工程と、前記ストッパー膜７をエッチングストッパとして前記層間絶縁膜１４にビアホール１７ａを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線上面部からの金属拡散を抑制することができる、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明では、半導体基板上の第一層間膜１内に形成された溝２内に、銅と第一金属元素とを含有する銅シード膜４を形成する。その後、銅メッキ処理を施す。その後、銅層の酸化が行われない第一雰囲気中にて第一熱処理を行う。そして、余分な銅合金金属層を除去し、溝２内に銅合金配線６を形成する。その後、酸素を含有する第二雰囲気中にて第二熱処理を行うことにより、銅合金配線６表面に、第一金属元素の酸化物である酸化物層７を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の配線を高信頼性化する。
【解決手段】半導体装置７０には、キャップ膜３上の層間絶縁膜４に第１の開口部が設けられ、第１の開口部には、バリアメタル膜５とＣｕ（銅）からなる配線層６が埋設される。層間絶縁膜４及び配線膜６上のキャップ膜７及び層間絶縁膜８に第３の開口部が設けられ、層間絶縁膜８上の層間絶縁膜９に第３の開口部に接するように第２の開口部が設けられる。第２及び第３の開口部はＴ字型開口部を形成する。Ｔ字型開口部には、バリアメタル膜１０とＣｕ（銅）からなる配線層１１が埋設される。配線層６は、Ｃｕ（銅）よりも応力が高い高応力膜２６と熱処理により膜中の原子空孔（Vacancy）が排出される。配線層１１は、Ｃｕ（銅）よりも応力が高い高応力膜３６と熱処理により膜中の原子空孔（Vacancy）が排出される。 （もっと読む）

【課題】無駄を省いた状態で、所望とする微細なパターンに電着による膜が形成できるようにする。
【解決手段】まず、容器１５１内に電着液１５２を収容し、電着液１５２の中で、白金からなる対向電極１５３に基板１０１の金属パターン１０４形成面を対向させて配置する。この状態で、定電圧源１５４により、対向電極１５３に正電圧を印加し、シード層１０２に負電圧を印加する。ここで、金属パターン１０５に必要な配線を接続することで、シード層１０２に対する負電圧の印加を行う。このようなカチオン電着により、金属パターン１０４および金属パターン１０５の露出している面（上面）に、電着液１５２中の電着成分が付着（析出）し、電着絶縁膜１０６が形成される。 （もっと読む）

【課題】工程効率が向上し、かつ、信頼性が向上した酸化物半導体薄膜トランジスタ基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体薄膜トランジスタは、絶縁基板上に形成され、ゲート電極を含むゲート線と、ゲート線と交差しドレイン電極接続部を含むデータ線と、ゲート電極の周辺に形成される酸化物半導体活性層パターンと、データ線と酸化物半導体活性層パターンの上に形成されドレイン電極接続部を露出する第１開口部、及び酸化物半導体活性層パターンを露出する第２開口部を有するパシベーション層と、第１開口部及び第２開口部によって酸化物半導体活性層パターンとドレイン電極接続部とを電気的に接続するドレイン電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】活性層を保護するとともにドレイン電極と画素電極との電気的導通を十分確保できるような保護層を設けたトランジスタアクティブ基板を提供する。
【解決手段】トランジスタアクティブ基板は、基板３０１、ゲート電極３０２、ゲート絶縁膜３０３、ソース電極３０４、ドレイン電極３０５および活性層３０６から構成される薄膜トランジスタ上に、保護膜３０７および画素電極３０８が配置されており、ドレイン電極３０５の表面粗さをＲａ（Ｍ）、保護膜３０７の膜厚をＤ（Ｉ）としたときに、Ｄ（Ｉ）≦Ｒａ（Ｍ）×１５の関係にある。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表裏両面間を貫通電極で接続するにあたって、貫通孔底部の角部におけるリーク電流の発生や絶縁膜のクラック等を抑制する。
【解決手段】半導体装置１は貫通孔３を有する半導体基板２を備える。貫通孔３は半導体基板２の第１の面２ａに開口された第１の開口３ａの開口径が第２の面２ｂに開口された第２の開口３ｂに近い側の内径より大きくなるように、第１の面２ａの近傍を拡張させる拡張部４を備える。半導体基板２の第１の面２ａには第１の絶縁層５と第１の配線層６とが設けられている。貫通孔３には拡張部４を充填しつつ内壁面を覆う第２の絶縁層７が設けられており、さらに第１および第２の絶縁層５、７の開口を介して第１の配線層６と接続された第２の配線層８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＧ上のパッド部の浸食を防止し、また、実デバイスのパッド部の半田のぬれ性や半田形成後のシェア強度の向上を図る。
【解決手段】半導体ウエハのチップ領域ＣＡの第３層配線Ｍ３およびスクライブ領域ＳＡの第３層配線Ｍ３を、それぞれ、ＴｉＮ膜Ｍ３ａ、Ａｌ合金膜Ｍ３ｂおよびＴｉＮ膜Ｍ３ｃで構成し、チップ領域ＣＡの再配線４９上の第２パッド部ＰＡＤ２を洗浄し、もしくはその上部に無電界メッキ法でＡｕ膜５３ａを形成する。さらに、Ａｕ膜５３ａ形成後、リテンション検査を行い、その後、さらに、Ａｕ膜５３ｂを形成した後、半田バンプ電極５５を形成する。その結果、ＴｉＮ膜Ｍ３ｃによってＴＥＧであるスクライブ領域ＳＡの第３層配線Ｍ３の第１パッド部ＰＡＤ１のメッキ液等による浸食を防止でき、また、Ａｕ膜５３ａ、５３ｂによって第２パッド部ＰＡＤ２の半田のぬれ性や半田形成後のシェア強度の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が小さく、透明導電膜との接触抵抗の上昇を回避可能であって、アルカリ系の薬液耐性に優れ、かつ良好な反射率特性を兼ね備えるＡｌ合金膜を備える電子デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明に係る電子デバイスは、基板上に、Ａｌ合金膜を少なくとも備える金属膜パターン１０と、Ａｌ合金膜と少なくとも一部の領域で直接接続する透明導電膜パターン３０とを備え、Ａｌ合金膜の最上層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｐｄ，Ｐｔ、Ｍｏ，及びＷから選ばれる少なくとも１つの金属元素が添加され、かつ、Ｏ元素の組成比が、０．１ａｔ％以上、６．０ａｔ％以下であるＯ元素含有−Ａｌ合金膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電極の断線が生じても動作可能であり、かつ大電力で動作することが可能な、小型の半導体装置を提供する。
【解決手段】セル１６０は、六角形の素子形成領域を画定する開口部を形成するように形成されたソース電極１８２と、素子形成領域に、ソース電極１８２と一定距離を隔てて帯状に形成されたドレイン電極１８０と、ソース電極１８２とドレイン電極１８０との双方から所定の距離を隔てて形成されたゲート電極１８４とを含む。ゲート電極１８４の各辺の中央部分からソース電極１８２に重畳するようにゲート引出電極１８６を形成し、ゲート引出電極１８６とソース電極１８２との間には絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンドを行っても、断線、抵抗増加および信頼性低下を防ぐことができると共に、歩留まりを向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０１の上面には半導体層１０２が形成されている。基板１０１および半導体層１０２を貫通するバイアホール１１０が形成され、半導体層１０２上にはソース電極１０４およびドレイン電極１０５が形成されている。ソース電極１０４はソース配線１０７に電気的に接続されている。バイアホール１１０およびソース配線１０７上に絶縁膜１０３が形成されている。絶縁膜１０３上には、ドレイン電極１０５に電気的に接続されたドレイン配線１０８が形成されている。ドレイン配線１０８は、バイアホール１１０と重なる領域以外の領域に形成されている。つまり、バイアホール１１０の上方においてドレイン配線１０８が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】本発明は液晶表示装置用アレイ基板製造用のエッチングテープを提供する。
【解決手段】本発明のエッチングテープは、ベースシート及びベースシート上にゲルタイプのエッチング物質が塗布されて形成されたエッチング物質層を含む。このエッチングテープは、透明絶縁基板上にゲート電極、ストレージキャパシターの第１電極、ゲート配線を形成する段階、ゲート絶縁膜、アクティブ層、オーミック接触層、ソース電極及びドレーン電極を形成し、誘電体層及びストレージキャパシターの第２電極を形成し、データ配線を形成する段階、画素電極を形成し、ゲートパッド電極を形成し、データパッド電極を形成する段階、保護層を形成する段階及びゲートパッド電極上に形成された保護層とデータパッド電極上に形成された保護層をエッチングすることでコンタクトホールを形成する段階を含む液晶表示装置用アレイ基板の製造方法に利用される。 （もっと読む）

【課題】ソース／ドレイン領域へのコンタクトの方法を改良することにより、配線抵抗を減らす。
【解決手段】基板上の酸化珪素膜と、酸化珪素膜上のソース領域、ドレイン領域、ソース領域の上部に形成された第１のシリサイド、ドレイン領域の上部に形成された第２のシリサイド、及びチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲイト絶縁膜と、多結晶珪素膜及び第３のシリサイドを有するゲイト電極と、ゲイト電極の側面に設けられた側壁と、第１のシリサイドに密着して形成された第１の金属配線と、第２のシリサイドに密着して形成された第２の金属配線と、を有し、第１の金属配線と第２の金属配線は同一金属膜をエッチングして形成された構造であり、第１乃至第３のシリサイドは、金属膜に用いられる金属を用いて形成されたシリサイドである。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜とＣｕを含む配線との間に介在する下地膜であって、特に酸素のバリア性が高い下地膜を含む電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、凹部の形成された絶縁膜と、凹部内に形成され、Ｃｕを含む配線層と、絶縁膜と前記配線層との間に形成され、Ｔａ及びＭｎを含む下地膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】配線材との密着性が良く、バリア性の高い金属膜をもつ半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜、金属からなるバリアメタル膜、及びＣｕ配線金属膜がこの順で積層された積層構造を具備してなり、バリアメタル膜の酸化物のＸ線回折測定による回折強度が、バリアメタル膜とＣｕ配線金属膜との化合物の回折強度の１０倍以下である。 （もっと読む）

【課題】ダマシン法によるＣｕ配線構造の形成において、Ｃｕ−Ｍｎ合金をバリアメタル膜に組み合わせて欠陥の自己修復および密着性の向上を図る際に、Ｍｎの拡散によるＣｕ配線パターンの抵抗増加を抑制する配線の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上方に形成された酸素を含む絶縁膜２１と、前記絶縁膜に形成された凹部２１Ｔと、凹部の内壁に形成された高融点金属膜２２と、高融点金属膜上に形成された銅とマンガンと窒素を含む金属膜２３と、金属膜上に形成され、凹部を充填する銅膜２４Ａと、を含む構造とする。 （もっと読む）