【課題】ウェットエッチングにより形成される配線の線幅のばらつきが抑えられた半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、半導体層１４上に電極１１を形成する工程と、半導体層１４上に、電極１１に達する配線接続孔１２ａを有し、配線接続孔１２ａの周りに凹部１２ｂが形成された層間絶縁膜１２を形成する工程と、層間絶縁膜１２上から配線材料１８を堆積する工程であって、層間絶縁膜１２の凹部１２ｂに対応して配線材料１８に凹部１８ａが形成される工程と、配線材料１８上に、電極１１に配線接続孔１２ａを介して接続される配線１３を形成するためのレジスト膜１９を、配線材料１８に形成された凹部１８ａを覆うように形成する工程と、レジスト膜１９をマスクとしてウェットエッチングを行い、配線材料１８を選択的に除去して配線１３を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】駆動安定性を高め、積層工程での歩留まりを向上させ、実装形態での長期信頼性を向上させた薄型半導体チップの積層パッケージを実現する。
【解決手段】チップ表面に半導体素子１１０と、半導体素子１１０に信号を供給する配線と信号用電極と電源用電極とグランド用電極を有し、チップ裏面に信号用電極と電源用電極とグランド用電極を有し、チップ表面の電極とチップ裏面の電極とを電気的に接続する貫通配線を有し、チップの裏面を覆い、グランド用電極と接続した導体層１２０が形成されている複数の半導体チップ５００、５０１とインターポーザ５０２とが積層されている半導体パッケージ。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層と多結晶シリコン半導体層を共に用い得る有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板本体と、基板本体上に形成された第１ゲート電極及び第２半導体層と、第１ゲート電極及び第２半導体層の上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介在して第１ゲート電極及び第２半導体層上にそれぞれ形成された第１半導体層及び第２ゲート電極と、第１半導体層と少なくとも一部が相接して重畳した複数のエッチングストッパ層と、複数のエッチングストッパ層をそれぞれ露出する複数のコンタクトホールを有し、第１半導体層及び第２ゲート電極上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成され、複数のエッチングストッパ層を通じて第１半導体層とそれぞれ直接的／間接的に接続された第１ソース電極及び第１ドレイン電極と、層間絶縁膜上に形成され、第２半導体層と接続された第２ソース電極及び第２ドレイン電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】凹凸のあるスルーホール部分であっても、層間絶縁膜の上下の導電層間で良好な電気的な接続が得られる、版を用いた印刷法による薄膜トランジスタアレイの製造方法を提供すること。
【解決手段】版に形成された画素電極パターンのスルーホールに対向する位置に保持されたインクの量を、画素電極パターンのスルーホールに対向する位置以外の部分に保持されたインクの量よりも多くすることによって、凹凸のあるスルーホール部分であっても、層間絶縁膜の上下の導電層間で良好な電気的な接続が得られる、版を用いた印刷法による薄膜トランジスタアレイの製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】配線の設計自由度が高く、ゲート電極及びソース／ドレイン領域に接続されるコンタクト部の形成に問題が生じ難く、微細化プロセスに適した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、（ａ）基体２１上にゲート電極３１を形成し、基体にソース／ドレイン領域３７及びチャネル形成領域３５を形成し、ソース／ドレイン領域３７上にゲート電極３１の頂面と同一平面内に頂面を有する第１層間絶縁層４１を形成した後、（ｂ）第１層間絶縁層４１に溝状の第１コンタクト部４３を形成し、（ｃ）全面に第２層間絶縁層５１を形成した後、（ｄ）第１コンタクト部４３の上の第２層間絶縁層５１の部分に孔状の第２コンタクト部５３を形成し、その後、（ｅ）第２層間絶縁層５１上に、第２コンタクト部５３と接続された配線６１を形成する各工程から成る。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の再配線層において配線を狭ピッチ化して隣接する配線間距離が著しく近接しても、配線間でイオンマイグレーションを効果的に抑制する。
【解決手段】一方の主面１１ａに半導体デバイスおよび電極１１ｃが設けられた半導体基板１１と、一方の主面１１ａの上に形成された層間絶縁層１２と、層間絶縁層１２上において個々の配線パターンに沿って複数形成されたポリイミドからなる樹脂パターン部１３と、樹脂パターン部１３の上にそれぞれ形成された再配線層１４と、再配線層１４の上を封止する封止絶縁層１５とを有し、樹脂パターン部１３の側面１３ａが、配線パターンの長手方向に垂直な断面において凹凸状とされている。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線層上にＣｕバンプを形成可能とする半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、シリコン基板１上に形成される保護層６と、前記保護層６に形成され、前記シリコン基板１に形成される半導体素子と電気的に接続するＣｕ配線層９と、前記Ｃｕ配線層９を被覆し、前記保護層６上に形成される樹脂膜１０と、前記樹脂膜１０に形成される開口領域を介して前記Ｃｕ配線層９と接続するパッド電極１２と、前記パッド電極１２上に形成されるＣｕから成るスタッドバンプ２６とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線層上にＣｕワイヤを実装可能とする半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置は、シリコン基板１上に形成される保護層６と、前記保護層６に形成され、前記シリコン基板１に形成される半導体素子と電気的に接続するＣｕ配線層９と、前記Ｃｕ配線層９を被覆し、前記保護層６上に形成される樹脂膜１０と、前記樹脂膜１０に形成される開口領域１１を介して前記Ｃｕ配線層９と接続するパッド電極１２と、前記パッド電極１２上にワイヤボンディングされるＣｕワイヤ１４とを有し、前記Ｃｕワイヤ１４と前記Ｃｕ配線層９との間には合金層１３が配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的低い温度のもとで、良質で、かつ、薄いシリコン酸化膜等を均一に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ステップ１では、半導体基板がモノシラン（ＳｉＨ₄）に暴露される。次に、ステップ２では、残存するモノシラン（ＳｉＨ₄）が排気される。そして、ステップ３では、半導体基板が亜酸化窒素プラズマに晒される。ステップ１〜３を１サイクルとして、必要とされる膜厚が得られるまでこのサイクルを繰り返すことで、所望のシリコン酸化膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスに電力を提供する電力グリッド構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一実施形態は、誘電体層の内部に形成された第１の導電性材料のスタッドと、底部及び側壁を有する第２の導電性材料のビアであって、底部及び側壁は導電性ライナで覆われ、底部はスタッドの直接上に形成され、かつ、導電性ライナを通してビアと接触した状態にある、ビアと、ビアの側壁において導電性ライナを通してビアに接続する第３の導電性材料の１つ又は複数の導電性パスとを含むことができる半導体構造体を提供する。半導体構造体を製造する方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】絶縁層へのコンタクトホール形成時における、導電層の浸食や破損の抑制された電界効果型トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、表示装置、及び電磁波検出器を提供する。
【解決手段】導電層形成工程によって形成されたソース電極２０Ａ、ドレイン電極２０Ｂ、及び画素電極２０Ｃを含む導電層２０上に、該導電層２０及び酸化物半導体層１８を覆うように、無機材料を主成分とする無機絶縁層２３を形成する。そして、この無機絶縁層２３上にフォトレジスト膜３０を形成してパターン状に露光した後に、現像工程において、現像液を用いて現像することでレジストパターン３０Ｂ’を形成する。現像工程では、この現像液をエッチング液として用いて、無機絶縁層２３の内のレジストパターン３０Ｂ’から露出した領域を除去することによって導電層２０の一部を露出させて、無機絶縁層２２にコンタクトホール２７を形成する。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れた半導体装置の製造方法、半導体装置、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板７の一方の面側に、トランジスタ４のゲート絶縁体層４４を形成する第１の工程と、ゲート絶縁体層４４上に、厚さ方向に貫通する貫通部９１を備える絶縁体層９を形成する第２の工程と、貫通部９１内の底部付近のゲート絶縁体層４４上、および、貫通部９１の周囲の絶縁体層９上に、気相成膜法により同時にかつ互いに接触しないようにそれぞれ電極を形成し、ゲート絶縁体層４４上に形成された電極を用いて、ゲート電極４５を形成するとともに、絶縁体層９上に形成された電極を用いて、画素電極６を形成する第３の工程とを有する。また、平面視で、貫通部９１の開口部の縁が、当該貫通部９１の底部の縁より内側に位置する。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が低いながらも接触特性が良い接触部を含み、優れた接触特性を有する接触部を含む薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板と、ゲート線と、ゲート絶縁層と、半導体層と、データ線と、前記データ線と分離されているドレーン電極と、前記半導体層を覆っていて前記ドレーン電極を露出する第１接触孔、前記ゲート線の一部を露出する第２接触孔、前記データ線の一部を露出する第３接触孔を有する保護膜と、前記第１接触孔を通じて前記ドレーン電極と連結される画素電極と、前記第２接触孔を通じて前記ゲート線と連結されているゲート接触補助部材と、前記第３接触孔を通じて前記データ線に連結されるデータ接触補助部材とを含み、前記データ接触補助部材は凹凸を有することを特徴とする薄膜トランジスタ表示板を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実
にした半導体装置を提供するものである。
【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極
上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間
絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールとを有する。前記第１の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜
厚の１／３以下に形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊に至らない微量の電荷の蓄積を抑制した半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１１の上に形成された半導体素子１及び保護ダイオード２を備えている。半導体基板１１の上には、半導体素子１及び保護ダイオード２を覆うように第１の層間絶縁膜２２が形成されている。第１の層間絶縁膜２２には、半導体素子１と電気的に接続された第１のプラグ２５と、保護ダイオード２と電気的に接続された第２のプラグ２３、２４とが形成されている。第２のプラグ２３、２４の上面の面積は、第１のプラグ２５の上面の面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】銅ピラーを有するウェハ裏面構造を提供する。
【解決手段】集積回路構造は、前面および背面を有する半導体基板と、半導体基板を貫通する導電ビアとを含む。導電ビアは、半導体基板の背面に延伸する後端を含む。再分配線（ＲＤＬ）が半導体基板の背面上にあり、導電ビアの後端に電気的に接続される。パッシベーション層がＲＤＬ上にあり、パッシベーション層には開口があり、ＲＤＬの一部が開口を通して露出される。銅ピラーは開口内に一部を有し、ＲＤＬに電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。また、該薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層を介して電気的に接続されるように薄膜トランジスタを形成する。また、バッファ層に逆スパッタ処理及び窒素雰囲気下での熱処理を行うことにより、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ビアと配線の間に位置ずれが生じても、エアギャップとビアが繋がることを抑制できるようにする。
【解決手段】配線１６２は第１絶縁層１２０に埋め込まれており、上面が第１絶縁層１２０の上面より高い。エアギャップ１２８は、配線１６２と第１絶縁層１２０の間に位置している。第２絶縁層２００は、少なくとも第１絶縁層１２０上及びエアギャップ１２８上に形成されている。本図に示す例では、第２絶縁層２００は配線１６２を被覆していない。エッチングストッパー膜２１０は、少なくとも第２絶縁層２００上に形成されている。本図に示す例では、エッチングストッパー膜２１０は、第２絶縁層２００上及び配線１６２上に形成されている。第３絶縁層２２０はエッチングストッパー膜２１０上に形成されている。ビア２６２は第３絶縁層２２０に埋め込まれており、配線１６２に接続している。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に高抵抗領域及び低抵抗領域を有するバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層の低抵抗領域を介して接触するように薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】接続する素子の駆動電圧によってトランジスタのドレイン電圧が決定される。トランジスタの小型化にともないドレイン領域に集中する電界強度が高まり、ホットキャリアが生成し易くなる。ドレイン領域に電界が集中し難いトランジスタを提供することを課題の一とする。また、トランジスタを有する表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高い導電率を有する第１配線層および第２配線層の端部とゲート電極層の重なりをなくすことにより、第１電極層及び第２電極層近傍に電界が集中する現象を緩和してホットキャリアの発生を抑制し、加えて第１配線層および第２配線層より高抵抗の第１電極層および第２電極層をドレイン電極層として用いてトランジスタを構成する。 （もっと読む）