【課題】センサ基板と回路基板とを電極間で張り合わせてなる構成において電極間の接合面積を確保することが可能な３次元構造の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換部２１が配列形成されたセンサ基板２と、光電変換部２１を駆動する回路が形成されセンサ基板２に対して積層された回路基板７と、センサ基板２における回路基板７側の界面に引き出されたセンサ側電極４５と、回路基板７におけるセンサ基板２側の界面に引き出された回路側電極６５とを備え、センサ側電極４５と回路側電極６５とは、凹型電極に凸型電極を嵌め合わせた状態で接合されていることを特徴とする固体撮像素子１である。 （もっと読む）

【課題】実効誘電率が低く、かつ信頼性の高いバリア絶縁膜を有する半導体装置を提供することができる。
【解決手段】半導体装置１００は、層間絶縁膜１０と、層間絶縁膜１０中に設けられた配線２０と、層間絶縁膜１０上および配線２０上に設けられたＳｉＮ膜３０と、を備え、ＦＴＩＲによって測定したＳｉＮ膜３０のＳｉ−Ｎ結合のピーク位置が８４５ｃｍ^−１以上８６０ｃｍ^−１以下である。これにより、配線金属の拡散を防ぐためのバリア絶縁膜である窒化シリコン膜において、リーク電流を抑制することができる （もっと読む）

【課題】配線の絶縁膜内へのＣｕ溶出を抑制すると共に、配線間におけるショートの発生を抑止し、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＣＭの半導体装置において、ベアチップ１，２間を接続する配線４ａをＣｕ材料１３を用いてダマシン法で形成する際に、上面が有機絶縁膜１１の表面から上方に突出し、上面の配線幅方向の中央部位が端部位よりも厚い配線４ａを形成し、配線４ａのＣｕ材料１３上のみにメタルキャップ膜５を形成する。 （もっと読む）

【課題】ボンディング・パッド下方に各回路を有する集積回路。
【解決手段】一実施例において、集積回路は基板と、最上部導電層と、１つ以上の中間導電層と、絶縁材料から成る各層と、各デバイスとを具備する。最上部導電層は少なくとも１個のボンディング・パッド及び比較的硬質の材料から成る副層を有する。１つ以上の中間導電層は最上部導電層及び基板の間に形成する。絶縁材料から成る各層は各導電層を分離する。更に、絶縁材料から成る各層のうちの１つの層は比較的硬質で、最上部導電層及びこの最上部導電層に最も近接した中間導電層の間に位置する。各デバイスは集積回路に形成する。また、最上部導電層に最も近接した少なくとも中間導電層は、ボンディング・パッド下方の各選択デバイスの機能的相互接続部に対して適合する。 （もっと読む）

【課題】安定した特性のヒューズ素子を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部２０を画成する被覆構造体３０と、空洞部２０に収容されたヒューズ素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃと、を含み、被覆構造体３０は、導電層を有し、ヒューズ素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃの材質は、導電層の材質と同じである。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブによりビアプラグを構成する半導体装置の製造方法において、製造効率を向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜中にビアホールを形成し、ビアホールの底に触媒粒子３ｃを付着させる。ビアホール中において触媒粒子を起点に、カーボンナノチューブを絶縁膜の表面を超えて成長させ、複数のカーボンナノチューブよりなるカーボンナノチューブの束を形成する。絶縁膜上に前記カーボンナノチューブの束を覆って、誘電体膜の塗布液を塗布し、絶縁膜上における塗布液の厚さを、絶縁膜上における塗布膜の表面の高さが絶縁膜表面におけるカーボンナノチューブの高さ以下になるように減少させる。厚さが低減された塗布膜を硬化させて誘電体膜４Ｄを形成し、誘電体膜を除去して絶縁膜の表面を露出させ、絶縁膜の表面に、カーボンナノチューブによりビアプラグ４ＶＡ，４ＶＢを形成する。 （もっと読む）

【課題】少なくともフォトマスクの枚数を増加させることなく、積層構造の下部の導電層が露出するように該導電層上の絶縁膜に対する開口部の形成方法を提供する。
【解決手段】開口部が設けられる部分の積層構造の下部の導電層を、該開口部を形成するフォトマスクと同一のフォトマスクを用いて形成されたエッチングマスクにより予め露出させ、その後保護絶縁膜を形成し、前記積層構造の上部の導電層が開口部において露出されないように、保護絶縁膜に開口部を形成する。このような開口部の形成方法は、半導体装置の作製方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置ならびに半導体装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現することを目的としている。
【解決手段】基板上に逆スタガ型のＴＦＴ上に無機材料から成る第１の層間絶縁層と、第１の層間絶縁膜上に形成された有機材料から成る第２の層間絶縁層と、前記第2の層間絶縁層に接して形成された画素電極とを設け、前記基板の端部に他の基板の配線と電気的に接続する入力端子部とを有し、該入力端子部は、ゲート電極と同じ材料から成る第1の層と、画素電極と同じ材料から成る第２の層とから形成されていることを特徴としている。このような構成とすることで、フォトリソグラフィー技術で使用するフォトマスクの数を５枚とすることができる。 （もっと読む）

【課題】３次元的に積層された複数の半導体チップを有する半導体装置の製造歩留まりを向上できる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１の第２面１ｂからパッド３に達する貫通電極１７が形成されている。貫通電極１７の内部にある貫通空間は、第１孔７および第１孔７よりも孔径の小さい第２孔１１によって構成されている。半導体基板１の第２面１ｂから半導体基板１を貫通して層間絶縁膜２の途中まで第１孔７が形成されている。そして、第１孔７の底部から層間絶縁膜２を貫通してパッド３に達する第２孔１１が形成されている。このとき、半導体基板１の第１面１ａに形成されている層間絶縁膜２は、第１孔７の底面と半導体基板１の第１面１ａとの段差を反映して段差形状になっている。すなわち、第１孔７の底面とパッド３間に存在する層間絶縁膜２の膜厚がその他の場所の層間絶縁膜２の膜厚よりも薄くなっている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成するインダクタのインダクタンスを大きくすること。
【解決手段】半導体基板上に形成された少なくとも１層からなるコイル配線のコイル中央孔に別基板に形成されたコアを挿入する。コアをコイル中央孔に固定した後、別基板は分離する。コアは別基板に接合材を介してコア材（磁性体）の薄板を付着させて、パターニングする。半導体基板上に形成されたコイル中央孔は流動性接着剤が入っていて、コアを挿入した後に流動性接着剤が硬化してコアが固定される。コアが固定された後に接合剤の接着力を低下させて別基板を分離する。コア材はバルクと同じ高透磁率を有するので、非常に大きなインダクタンスを持つインダクタを形成できる。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を低下させることなくＬＤＭＯＳＦＥＴを有するチップの面積を縮小する。
【解決手段】ＬＤＭＯＳＦＥＴのソース領域と基板１の裏面に形成されたソース裏面電極３６とを電気的に接続するｐ型打ち抜き層４を不純物を高濃度でドープした低抵抗のｐ型多結晶シリコン膜もしくは低抵抗の金属膜から形成する。そして、ＬＤＭＯＳＦＥＴの基本セルのソース同士を電気的に接続するソース配線は配線２４Ａのみとし、ソース配線を形成する配線層数は、ドレイン配線（配線２４Ｂ、２９Ｂ、３３）を形成する配線層数より少なくする。 （もっと読む）

【課題】貫通電極のための開口部を形成する時に、上部配線層の配線とのミスアラインメント問題が発生しない半導体装置を製造する方法の提供。
【解決手段】第１面及び第１面の反対側に第２面を有する基板を準備する段階と、基板の第１面から基板の厚さ方向に延長して貫通電極が形成される領域に犠牲膜パターンを形成する段階と、基板の第１面上に形成され、犠牲膜パターン上に位置する配線を有する上部配線層を形成する段階と、基板の第２面を部分的に除去して犠牲膜パターンを露出させる段階と、犠牲膜パターンを基板の第２面から除去して配線を露出させる開口部を形成する段階と、開口部内に配線と電気的に接続される貫通電極を形成する段階と、を有する。 （もっと読む）

【課題】水素又はカルボン酸を用いたリフロー時の導電部と絶縁層の密着力低下を抑制する。
【解決手段】半導体基板の上に設けられた第１導電部上に絶縁層を形成し（ステップＳ１）、その絶縁層を被覆するようにバリア層を形成した後（ステップＳ２）、そのバリア層の上に第２導電部を形成する（ステップＳ３）。そして、第１導電部上の絶縁層がバリア層で被覆されている状態で、第２導電部を水素又はカルボン酸を含む雰囲気中で溶融し（ステップＳ４）、その後、その第２導電部をマスクにして、絶縁層の上からバリア層を除去する（ステップＳ５）。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に生じたボイドを高感度に検出する。
【解決手段】この半導体装置は、多層配線層（非図示、以下略）と、多層配線層中に形成された第一ＴＥＧパターン（非図示）を備える。第一ＴＥＧパターンは、互いに平行に延伸した複数の第一下層配線４０２と、層間絶縁膜（非図示）を貫通し、平面視で第一下層配線４０２間に位置する第一ビア６０２と、多層配線層の最上層（非図示）に形成され、第一ビア６０２に接続している第一端子７６２と、上記した同一の最上層に形成され、第一下層配線４０２に接続している第二端子７６４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して、信頼性の高い半導体
装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電層を形成し、該導電層上に光透過層を形成し、該光透過層上か
らフェムト秒レーザを照射して、該導電層及び該光透過層を選択的に除去する工程を有す
る。なお、該導電層の端部は、該光透過層の端部より内側に配置されるように該導電層及
び該光透過層を除去されていてもよい。また、フェムト秒レーザを照射する前に、該光透
過層表面に撥液処理を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを有するプラグ配線において良好な電気的接続を得ることができるカーボンナノチューブ配線の製造方法を提供する。
【解決手段】第１配線層１２上に層間絶縁膜１３を形成する工程と、第１配線層上の層間絶縁膜内にコンタクト孔１５を形成する工程と、コンタクト孔内の第１配線層上にカーボンナノチューブ１６を成長させ、コンタクト孔から先端が突き出た複数のカーボンナノチューブを形成する工程と、層間絶縁膜上及び複数のカーボンナノチューブ間に、ストッパ膜１７を形成する工程と、ストッパ膜上及び複数のカーボンナノチューブ上に絶縁膜を形成する工程と、ストッパ膜をストッパとして用い、ストッパ膜上の絶縁膜と共に、コンタクト孔上の複数のカーボンナノチューブを除去する工程と、複数のカーボンナノチューブ上に第２配線層１４を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造に際して配線にヒロックが発生せず、かつエッチング形状の制御が容易な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、基板上にマトリクス配置された走査線と、信号線１２と、前記走査線及び信号線に接続される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続される画素電極２７とを有する液晶表示装置において、前記走査線が下層からアルミニウム−ネオジム合金層２１１と高融点金属層２１２との積層構造からなり、前記信号線１２が下層から高融点金属層２３１とアルミニウム−ネオジム合金層２３２と高融点金属層２３３との３層構造からなり、高融点金属の種類に応じて、ネオジム含有量を調整する。 （もっと読む）

【課題】本発明はコンタクト開口をエッチングにより形成した場合にその下に位置する埋込絶縁膜がエッチングされないようにした構造の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、半導体基板と、半導体基板の主面に形成され活性領域を横断して素子分離領域まで延在するトレンチと、トレンチの下部側に形成された埋込型ゲート電極と、活性領域において埋込型ゲート電極の上方のトレンチ内を充填し、かつ、素子分離領域において埋込型ゲート電極の上方のトレンチ内を完全には充填せずにトレンチの内側面に接して配置されるサイドウォールを構成するキャップ絶縁膜と、素子分離領域においてサイドウォールの内側のトレンチを埋めて埋込型ゲート電極に接続形成されたパッドコンタクトプラグと、パッドコンタクトプラグおよびキャップ絶縁膜上を覆う層間膜と、パッドコンタクトプラグに接続するゲートコンタクトプラグとを具備してなる。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜上層に形成される絶縁膜の膜浮きの発生を防止或いは抑制し、歩留り或いは信頼性を向上することの可能な薄膜トランジスタアレイ基板、及び液晶表示装置を得る。
【解決手段】この発明のＴＦＴアレイ基板１００においては、ＴＦＴ５１と、ソース電極５３及びドレイン電極５４、並びにソース電極５３及びドレイン電極５４と同一材料により同層に形成される金属パターン５の何れかに直接重なり形成される透明導電膜パターン６と、透明導電膜パターン６上を含むゲート絶縁膜８上を覆う上層絶縁膜９を備え、少なくとも額縁領域４２に形成される透明導電膜パターン６は、ソース電極５３、ドレイン電極５４或いは金属パターン５のパターン端面を覆うことなく形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大させることなく、相性の悪い２つの膜（ＩＴＯ膜とアルミニウム膜）からなる配線や電極等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は、配線または電極をアルミニウム合金膜の単層とし、そのアルミニウム合金膜の組成を調節してＩＴＯとの良好なオーミック接合を目指すのではなく、３層構造とすることで課題を解決する。本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域への拡散を防止するために、ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。さらに、その第２導電層の上に、ＩＴＯと反応しないアルミニウム合金からなる第３導電層を設け、配線又は電極を３層構造としてＩＴＯと接合させる。 （もっと読む）