【課題】 半導体基板に形成された開口部の形成状態を、断面観察しないでも確認できるようにすることを目的とする。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成されたパッド電極３を露出するように基板裏面から開口部が形成され、この開口部を介して前記パッド電極３に配線層１０が形成されて成るものにおいて、前記開口部の形成状態をモニターするためのモニター開口部６ｂをスクライブライン上に形成することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有した半導体装置において、保護膜や絶縁膜の剥離を防止し、半導体装置の信頼性を向上する。
【解決手段】半導体装置１００のコーナー部に、絶縁膜１７、保護層２３の剥離を防止するための剥離防止層３０を形成する。剥離防止層３０はコーナー部以外の半導体装置１０の空きスペース、例えば、ボール状の導電端子２４の間に配置することでさらに剥離防止効果を高めることができる。その断面構造は、半導体基板１０の裏面に形成された絶縁膜１７上に剥離防止層３０が形成され、この絶縁膜１７及び剥離防止層３０を被覆するようにソルダーレジスト等から成る保護層２３が形成される。剥離防止層３０は、電解メッキ法により形成する場合には、バリアシード層２０と上層の銅層２５からなる積層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光を精度よく被トリミング素子に照射して確実に溶断することのできる半導体装置と、そのような半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１の主表面に素子分離酸化膜２および保護膜３が形成され、その保護膜３上にヒューズ４ｂとアライメントマーク４ａが形成されている。ヒューズ４ｂとアライメントマーク４ａは、保護膜３上に形成された金属膜に所定のフォトリソグラフィと異方性エッチングを施すことにより同時に形成されている。そのヒューズ４ｂとアライメントマーク４ａを覆うように、シリコン酸窒化膜５、シリコン酸化膜６およびカバー膜８が形成されている。カバー膜８における所定の位置に、開口部８ａ，８ｂがそれぞれ形成されている。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の形成に伴う半導体基板の金属汚染を抑制することができる半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】一方表面に機能素子３が形成されたウエハＷの当該一方表面に、ウエハＷの厚さよりも浅い所定の深さの表面側凹所９を形成する。続いて、表面側凹所９内に非金属材料を供給して、当該非金属材料からなるダミープラグ８を形成する。次に、ウエハＷにおいて上記一方表面とは反対の面である裏面Ｗｒを機械的に研削して、ウエハＷを表面側凹所９の深さより小さな厚さに薄型化して、表面側凹所９をウエハＷを貫通する貫通孔にする。その後、この貫通孔内のダミープラグ８を除去し、さらに、この貫通孔内に金属材料を供給して貫通電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】 貫通電極を有する半導体装置の製造方法において、半導体装置の信頼性及び歩留まりの向上を図る。
【解決手段】 パッド電極１１に対応した位置で半導体基板１０を貫通するビアホール１６を形成する。次に、ビアホール１６を含む半導体基板１０の裏面上に絶縁膜１７を形成する。次に、半導体基板１０の裏面上に、ビアホール１６の開口部の縁でオーバーハング部１８ａを有する補強用絶縁膜１８を形成する。そして、補強用絶縁膜１８をマスクとして、ビアホール１６の側壁の絶縁膜１７を残存させつつ、当該底部の絶縁膜１７をエッチングして除去する。次に、ビアホール１６を含む半導体基板１０の裏面に、貫通電極２１、配線層２２、及び導電端子２４を形成する。最後に、ダイシングにより半導体基板１０を半導体チップ１０Ａに切断分離する。 （もっと読む）

【課題】 貫通電極を有した半導体装置の製造方法において、工程を簡略化して製造コストを極力低く抑えると共に、歩留まりの向上を図る。
【解決手段】 半導体基板１０の表面に第１の絶縁膜１１を形成し、その一部をエッチングして、半導体基板１０の一部を露出する開口部１１ａを形成する。次に、開口部１１ａ内から第１の絶縁膜１１上に延びるパッド電極１２を形成する。半導体基板１０の裏面上には第２の絶縁膜１５を形成する。次に、開口部１１ａよりも大きい開口径を有したビアホール１６を形成する。そして、ビアホール１６内から第２の絶縁膜１５上に延びる第３の絶縁膜１７を形成し、ビアホール１６の底部の第３の絶縁膜１７をエッチングしてパッド電極１２を露出する。その後、ビアホール１６内に貫通電極１９及び配線層２０を形成する。最後に、半導体基板１０を複数の半導体チップ１０Ａに切断分離する。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）キャパシタ（２４２／２５２）構造およびそれを形成する方法を提供すること。
【解決手段】第１パターン（２１６）および第２パターン（２１８）を有するデュアル・ダマシン・パターンで、半導体デバイス（２００）の誘電体層（２１４）をパターニングする。第２パターン（２１８）は、第１パターン（２１６）よりも深い。第１パターン中の誘電体層（２１４）の上に導電層（２２６）を形成し、第１パターン（２１６）中のこの導電層の上に導電層を形成する。第２パターン（２１８）の導電層（２２６）の上に、誘電体層（２３２）、導電層（２３４）、誘電体層（２３６）、および導電層（２３８）を配設する。導電層（２３４）、誘電体層（２３２）、および導電層（２２６）が、第１のＭＩＭキャパシタ（２５２）を形成する。導電層（２３８）、誘電体層（２３６）、および導電層（２３４）が、第１のＭＩＭキャパシタ（２５２）に並列な第２のＭＩＭキャパシタ（２４２）を形成する。
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ボンディング・パッド下方に各回路を有する集積回路。一実施例において、集積回路は基板と、最上部導電層と、１つ以上の中間導電層と、絶縁材料から成る各層と、各デバイスとを具備する。最上部導電層は少なくとも１個のボンディング・パッド及び比較的硬質の材料から成る副層を有する。１つ以上の中間導電層は最上部導電層及び基板の間に形成する。絶縁材料から成る各層は各導電層を分離する。更に、絶縁材料から成る各層のうちの１つの層は比較的硬質で、最上部導電層及びこの最上部導電層に最も近接した中間導電層の間に位置する。各デバイスは集積回路に形成する。また、最上部導電層に最も近接した少なくとも中間導電層は、ボンディング・パッド下方の各選択デバイスの機能的相互接続部に対して適合する。

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基板、基板上の導電パッド、および基板上の絶縁層を含む電子デバイスを形成する方法であって、上記絶縁層は導電パッドの一部を露出するバイアホールを有する。詳細には、絶縁層上であり導電パッドの露出部分上に導電構造体を形成できる。導電構造体は、チタン・タングステン（ＴｉＷ）のベース層と、アルミニウムおよび／または銅のうちの少なくとも１つの導電層とを含みうる。さらに、導電構造体のベース層を、導電層と絶縁層との間に形成できる。関連デバイスについても説明する。

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【課題】 アルミニウムを主成分とする導体膜パターンを有する半導体集積回路装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。続いて、絶縁膜１５ｂおよび第１層配線Ｌ１の表面に付着した塩素成分を、酸素ガスとメタノールガスとの混合ガスを用いたプラズマアッシング処理によって除去する。この際、フォトレジストパターン１７ａ等のアッシング除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に低くなるようにし、塩素成分の除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に高くなるようにする。また、それらのプラズマアッシング処理を別々の処理室で行う。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップを配線基板に積層しても、半導体チップを積層した半導体装置の厚みおよび基板面積の増大および半導体チップ間の配線長の増加を招かない半導体チップ、その製造方法および半導体装置等を提供する。
【解決手段】半導体基板１３と、半導体基板１３の第１の面１４に形成された第１の外部電極２１と、半導体基板１３の第２の面１７に形成された第２の外部電極２２と、半導体基板１３に形成された貫通孔１６とを有し、貫通孔１６は第２の面１７となす内角が鈍角をなして形成された斜面１５に設けられ、第１の外部電極２１と第２の外部電極２２とは、貫通孔１６の内壁および斜面１５を経由して形成された導電パターン１９により電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】オーバーエッチングが十分に行えて、しかもアルミニウム配線層の片落ちを起こすことのない微細ピッチの金属配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バリアメタル層１１、実質的なアルミニウム配線層１２、さらに破線で示すフォトレジスト層ＰＲと接触する、最上層がタングステン膜（Ｗ）で構成されるキャップ層１３が順に積層されている。このような配線パターンのエッチングに際し、オーバーエッチングによりフォトレジスト層ＰＲが目減りしてエッジ部分が型崩れすることがあっても、アルミニウム配線層１２の形状には影響ない。すなわち、最上層のタングステン膜（Ｗ）は、アルミニウム配線層１２をエッチングする際のエッチングマスク（ハードマスク）となり得るからである。 （もっと読む）