【課題】 容量低減とビア加工マージンの確保を効率的に達成する。
【解決手段】 複数の配線層を有する半導体装置であって、所定領域を有する第１配線層２６と、第１配線層の上層に位置する第２配線層４７と、第１配線層と第２配線層との間に設けられる層間絶縁膜３６と、層間絶縁膜と第１配線層の配線との間に設けられるバリア絶縁膜（２９，３１）とを有し、所定領域における配線上部のバリア絶縁膜の厚さは、所定領域以外の領域における配線上部のバリア絶縁膜の厚さよりも厚く、所定領域においては隣接する配線間にエアギャップ３５が形成され、所定領域以外においては隣接する配線間にエアギャップが形成されない。 （もっと読む）

【課題】プラグに対する信号配線層の接続抵抗を低減しながら暗電流を抑制する。
【解決手段】光電変換装置は、光電変換部と、前記光電変換部の上方に設けられ、画素における少なくとも前記光電変換部を除く領域を遮光する遮光層と、前記光電変換部で発生した電荷を電圧に変換する半導体領域と、前記半導体領域又は配線層にプラグを介して接続された信号配線層と、前記遮光層の下面に沿って配された第１のバリアメタル層と、前記信号配線層の上面又は下面に沿って前記信号配線層と前記プラグとの間に配された第２のバリアメタル層とを備え、前記第１のバリアメタル層は、前記光電変換部における暗電流を抑制するように、前記第２のバリアメタル層より水素吸蔵能力の低い材料で形成されており、前記第２のバリアメタル層は、前記信号配線層と前記プラグとの接続抵抗を低減するように、前記第１のバリアメタル層より比抵抗の小さい材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】安定した利得が得られるアンテナ素子を備えた半導体装置、通信モジュールおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体装置１０は、能動素子が形成された能動面１ａを有する半導体基板１と、能動面１ａ上に少なくとも１層以上の絶縁性樹脂層を介して設けられた第１の配線層８と、第１の配線層８に形成されたスロットアンテナ１１と、スロットアンテナ１１に接続された共振用キャパシタ１３とを備え、スロットアンテナ１１は、矩形状の開口部１１ｂを有する平面型のアンテナ素子である。 （もっと読む）

【課題】貫通孔底部にノッチを有する半導体装置のノッチ部に被覆性良好な連続した金属膜を積層するプロセスを提供し、半導体装置の歩留まりと信頼性向上をはかること。
【解決手段】ノッチ部を含む貫通孔にＣＶＤ絶縁膜を積層した後に、バリア層およびシード層のメタル層をスパッタ法により形成する。メタル層のスパッタ成膜中に基板バイアス（負電圧）を印加して、アルゴンやクリプトン等の希ガスのプロセスガスイオンを貫通孔内部へ引き込み、既にある程度貫通孔底部に積層したメタル層をスパッタエッチングするか、貫通孔底部にメタル層を積層すると同時にスパッタエッチングしたメタル材料を貫通孔底部周辺のノッチ部分へ飛散させる。飛散したメタル材料はノッチ部分の絶縁膜上に付着し積層する。Ａｒ＋イオン等により飛散されたメタルは高いエネルギーを有する為、メタル層がノッチ内部へ強固に付着する。 （もっと読む）

サブリソグラフィックな寸法又は高アスペクト比を含む、小寸法の開口内に電極材料を均一に形成する方法を提供する。この方法は、内部に形成された開口を有する絶縁層を提供するステップと、開口の上部及び内部に非等質的導電又は準抵抗性材料を形成するステップと、導電材料を移動化して開港内に圧縮するステップとを有する。この方法は、導電又は準抵抗性材料における空孔又は欠陥密度を堆積されたままの状態に対して低減する。移動化するステップは、押出又は熱的リフローによって達成され、空隙又は欠陥を合体、崩壊、染み透り又は他の方法によって堆積したままの導電又は準抵抗性材料から除去する。
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【課題】合計長が長くなることにより抵抗値が大きくなり、また、表皮効果により、実施的な抵抗値が大きくなった。
【解決手段】インダクタを含む半導体装置であって、前記インダクタは、（１）第１の導体と、当該第１の導体の表面に形成されている、前記第１の導体より導電性が高い第２の導体と備える渦巻状の巻線本体と、（２）第３の導体と、当該第３の導体の表面に形成されている、前記第３の導体より導電性が高い第４の導体とを備え、前記巻線本体の両端部のうち中心側の端部を起点として外側に向けて延在する配線と、（３）前記巻線本体の中心側の端部と前記配線の中心側の端部とを斜めに接続するビアと、を有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハレベルＣＳＰにおいて、傾斜面を有する樹脂ポストが存在する場合であっても、樹脂ポスト近辺に微細な再配線を設計どおりに高密度に形成することができ、チップの小型化及び端子数の増加に対応することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、少なくとも一面に電極３を備えた基板２上の所定位置に、面状をなす第一頂部４ａを備えた突起状の第一樹脂ポスト４を形成する工程αと、前記第一樹脂ポストの第一頂部上に、該第一頂部の一部を少なくとも露出させるように、該第一頂部よりも小さい面状をなす第二頂部５ａを備えた突起状の第二樹脂ポスト５を形成する工程βと、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ膜からなる配線層と封止樹脂層との密着性を向上させ、両層間での剥離を防止し信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１Ａ（１）は、一面に電極３を配してなる半導体基板２と、前記半導体基板の一面を覆うように配され、前記電極と整合する位置に電極用の開口部αを有する絶縁樹脂層４と、前記絶縁樹脂層の一部を覆うように配され、前記開口部αを通して前記電極と電気的に接続される配線層５と、を少なくとも備える半導体装置であって、前記配線層は、Ｃｕ膜からなり、該配線層の表面が１０ｎｍ〜３００ｎｍの凹凸形状を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速ショットキーデバイス及びｐｎ接合デバイスにおける寄生容量を低減すると共にボンディング強度を改善する。
【解決手段】基板３０３と、基板３０３の上に配置される半導体デバイス３００、３０２、及び半導体デバイス３００、３０２との電気的接触を行うボンディング用パッド３０７を有し、ベンゾシクロブテンの層３０４が半導体デバイスの周辺に設けられ、ボンディング用パッド３０７がベンゾシクロブテンの層３０４の頂面に設けられる。 （もっと読む）

【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多層配線の形成方法は、シロキサン構造を含むビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４を金属配線４１ａ上に形成する第一の工程（図１［１］）と、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４の一部に金属配線４１ａに達する凹部としてのデュアルダマシン溝４８を形成する第二の工程（図１［２］〜図２［２］）と、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４とデュアルダマシン溝４８内で露出した金属配線４１ａとに水素プラズマ処理を施すことにより、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４の表面に改質層４９を形成するとともに金属配線金属配線４１ａの表面を還元する第三の工程（図３［１］）と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アンテナが半導体チップの回路に及ぼす悪影響を最小限に抑えることができる半導体装置、電子機器の提供。
【解決手段】半導体装置は、集積回路１２が形成される半導体チップ１０と、少なくとも１つのスロット５２を有し、半導体チップ１０の主面１３に直交する方向を第１の方向Ｄ１とした場合に半導体チップ１０の第１の方向Ｄ１に少なくとも絶縁層３０を介して設けられ、半導体チップ１０の集積回路１２に電気的に接続されるスロットアンテナ５０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の導通確認をウェハ単位で簡便に行なうことができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコンウェハ２５０の能動面１０ａに形成された複数の集積回路を個片化して複数の半導体装置１を製造する方法であって、複数の集積回路を個片化する前に、集積回路のそれぞれに形成された能動面電極１２０ａ，１２０ｂ，外部接続用電極１２２，及びダミー電極を覆って導電膜１９０を形成する工程と、能動面１０ａと反対の裏面１０ｂからシリコンウェハ２５０を貫通して能動面電極１２０ａ，１２０ｂに達する貫通電極１１２ａ，１１２ｂを形成する工程と、裏面１０ｂから一対の貫通電極１１２ａ，１１２ｂをプロービングして貫通電極１１２ａ，１１２ｂと能動面電極１２０ａ，１２０ｂとの導通を検査する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、層間絶縁層のＳＯＧ膜から発生する脱ガスにより接続用電極が酸化し、接続用電極上の抵抗値が低減され難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、接続用電極２６上のＴＥＯＳ膜２７、ＳｉＮ膜２８に開口領域２９、３３が形成される。開口領域２９、３３では、接続用電極２６上にメッキ用金属層３４、Ｃｕメッキ層３６が積層される。そして、接続用電極２６が開口領域２９、３３から露出する際、ＳＯＧ膜１４、２２が露出することがなく、接続用電極２６がＳＯＧ膜１４、２２から発生する脱ガスにより酸化されず、接続用電極２６上の抵抗値が低減される。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、層間絶縁層のＳＯＧ膜から発生する脱ガスにより接続用電極が酸化し、接続用電極上の抵抗値が低減され難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、接続用電極２６上のＴＥＯＳ膜２７、ＳｉＮ膜２８に開口領域２９、３１が形成される。開口領域２９、３１では、接続用電極２６上にメッキ用金属層３２、Ｃｕメッキ層３４が積層される。そして、接続用電極２６が開口領域２９、３１から露出する際、ＳＯＧ膜１４、２２が露出することがなく、接続用電極２６がＳＯＧ膜１４、２２から発生する脱ガスにより酸化されず、接続用電極２６上の抵抗値が低減される。 （もっと読む）

【課題】高耐圧の半導体装置に対する小型化要求と電極配線の信頼性確保を両立するため、高温封止工程に耐えうる電極配線を持った半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、シリコン単結晶基板の主表面に形成された１つ以上の半導体素子と、シリコン単結晶基板の前記主表面上に形成された層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に形成され前記半導体素子に電力を供給する電極配線を有する半導体装置であって、前記電極配線は前記層間絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して前記半導体素子に接続されており、酸化アルミニウム保護層が前記電極配線の表面に形成されており、パシベーション膜が前記電極配線を被覆するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、層間絶縁層のＳＯＧ膜から発生する脱ガスにより接続用電極が酸化し、接続用電極上の抵抗値が低減され難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、接続用電極２６上のＴＥＯＳ膜２７、ＳｉＮ膜２８に開口領域２９が形成される。開口領域２９では、接続用電極２６上にメッキ用金属層３４、Ｃｕメッキ層３６が積層される。そして、接続用電極２６が開口領域２９から露出する際、ＳＯＧ膜１４、２２が露出することがなく、接続用電極２６がＳＯＧ膜１４、２２から発生する脱ガスにより酸化されず、接続用電極２６上の抵抗値が低減される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表裏両面間を貫通配線層で接続した半導体装置において、グランド特性や放熱性を改善する。
【解決手段】半導体装置１は貫通孔３を有する半導体基板２を備える。半導体基板２の第１の主面２ａには活性層４が設けられている。貫通孔３の内壁面、活性層４で塞がれた貫通孔３の底面、および半導体基板２の第２の主面２ｂは絶縁層５で覆われている。貫通孔３の底面に存在する絶縁層５には第１の開口部６が設けられている。半導体基板２の第２の主面２ｂに存在する絶縁層５には第２の開口部７が設けられている。第１の配線層８は貫通孔３内から半導体基板２の第２の主面２ｂに亘って設けられている。第２の配線層９は第２の開口部７を介して第２の主面２ｂと接続するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】微小ビアでの接続信頼性を確保した信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１上に配されるとともに、少なくとも１以上の第１配線層、少なくとも１以上の第１絶縁層、及び第１ビアを有する第１配線構造体１２と、第１配線構造体１２上に配されるとともに、少なくとも１以上の第２配線層１５、少なくとも１以上の第２絶縁層１４、第２ビア１６、及び第３ビア１９を有する第２配線構造体１７と、第２配線構造体１７上に設けられた外部端子１８と、を備える半導体装置において、第２配線構造体１７の第２配線層１５と外部端子１８に接合される第２ビア１６は、外部端子１８側の端部に接合界面１６ａが配されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の貫通接続部において、表面側配線層の貫通孔底部での剥離および破断が防止され、接続不良等が改善された半導体装置と、そのような半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】貫通孔３を有する半導体基板２の表面に、該貫通孔３と同径の開口４ａを有する第１の絶縁層４が被覆され、その上に第１の配線層５が開口４ａを覆い形成されている。また、貫通孔３内および半導体基板２の裏面に第２の絶縁層６が被覆されている。第２の絶縁層６は、第１の配線層５と内接するように形成され、内接部に第１の絶縁層４の開口４ａよりも小径の複数の開口６ａを有している。さらに、貫通孔３内に第２の配線層７が充填・形成され、この第２の配線層７は第２の絶縁層６の複数の開口６ａを介して第１の配線層５に内接している。 （もっと読む）

【課題】製造時における半導体素子へのプラズマダメージの影響を小さくすることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に半導体素子を形成する工程と、マイクロ波をプラズマ源とし、半導体基板の表面近傍において、プラズマの電子温度が１．５ｅＶよりも低く、かつプラズマの電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３よりも高いマイクロ波プラズマを用いたＣＶＤ処理によって半導体素子上に膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）