【課題】２回のリソグラフィ工程によるＳＡＤＰ法（Self Align Double Patterning）を用いて、第１配線パターン形成領域には解像限界未満のパターンを含む第１配線パターンを形成し、第２配線パターン形成領域には解像限界以上の通常パターンからなる第２配線パターンを簡便に形成する方法を提供する。
【解決手段】解像限界未満の寸法を有する複数の配線を含む第１配線パターンを、第１リソグラフィ工程と第１リソグラフィ工程の後に実施される第２リソグラフィ工程を用いて形成し、第１のリソグラフィ工程で形成されたパターンに対してのみサイドウォールの形成および除去処理を行い、その後、解像限界以上のパターンを生成する第２リソグラフィ工程を実施する。第２のリソグラフィ工程で形成される解像限界以上の通常パターンに対しては、単純なリソグラフィ工程とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 レジスト材料の利用効率を向上させて、作製コストの削減を目的としたレジス
トパターンの作製方法、レジストパターンの除去方法、半導体装置の作製方法を提供する
ことを課題とする。
【解決手段】 本発明は、減圧下で、被加工物上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジ
ストパターンを形成するステップを有することを特徴とする。また、前記レジストパター
ンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパタ
ーンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レ
ジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上
の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有するＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大するという問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、画素部に酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを用い、さらに駆動回路の少なくとも一部の回路も酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成する。同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの解像不良を引き起こす反応阻害物質を確実に除去することが可能なダマシン構造の半導体装置及びその製造方法の提供。
【解決手段】基板上に、少なくとも第１層間絶縁膜６及び低誘電率膜からなる第２層間絶縁膜４を有し、第２層間絶縁膜上に形成した第１レジストパターン１ａを用いてビアホール９を形成し、アミン成分を含有する有機剥離液で有機剥離処理を行った後、続いて第２層間絶縁膜上に第２レジストパターン１ｂを形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、ウェット処理後、第２レジストパターン下層の第２反射防止膜２ｂを塗布する前に、アニール処理、プラズマ処理、ＵＶ処理又は有機溶媒処理の少なくとも一の処理を行い、露光時にレジスト中で発生する酸の触媒作用を阻害するアミン成分を除去して第２レジストパターン１ｂの解像度の劣化を防止する。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造等を含む半導体装置の製造工程を簡略化する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１０１上に絶縁膜１０２を形成する工程（ａ）と、絶縁膜１０２上にハードマスク膜１０３を形成する工程（ｂ）と、ハードマスク膜１０３上に第１のモールド１０８を接触させて、陽極酸化により第１の酸化領域１１０を形成する工程（ｃ）と、ハードマスク膜１０３上に第２のモールド１１１を接触させて、陽極酸化により第２の酸化領域１１２を形成する工程（ｄ）と、第１の酸化領域１１０及び第２の酸化領域１１２を除去してハードマスク１０３ａを形成する工程（ｅ）と、ハードマスク１０３ａをマスクとするエッチングにより、絶縁膜１０３中に接続孔１０４及び配線溝１０５を形成する工程（ｆ）とを備える。第１の酸化領域１１０と第２の酸化領域１１２とは面積及び深さが異なる。 （もっと読む）

【課題】配線の幅とピッチが変化する部分の欠陥に対するマージンを十分に確保することが可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】第１、第２の配線１１，１２は、配線の幅と配線間のスペースの幅が等しい。第３の配線１３は、第１の配線１１の一端に接続され、幅が第１の配線１１の幅とスペースの幅に等しく、第２の配線１２の側部に接続されている。第２の配線１２は一部にギャップＧを有している。 （もっと読む）

【課題】低コストで微細パターンを形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、被加工体１０上に第１のレジスト１１を形成し、第１のレジスト１１をパターニングする工程と、第１のレジスト１１のパターニングの後、被加工体１０上に第２のレジスト１２を形成し、第２のレジスト１２に対する選択的露光、ベーク及び現像を行い、その現像時に被加工体１０上に残っている第１のレジスト１１を除去するとともに、第２のレジスト１２の一部を選択的に除去して、第２のレジスト１２をパターニングする工程と、パターニングされた第２のレジスト１２をマスクにして被加工体１０を加工する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】パターン欠陥の発生を抑制、防止して、パターンを歩留まりよく形成できるインプリント方法、それを用いた配線パターンの形成方法、該方法により形成された配線パターンを備えた積層電子部品を提供する。
【解決手段】被転写材領域Ｒ１の重心を通る直線上において、(ａ)被転写材領域内に位置する部分を線分被転写材部Ｌ１とし、(ｂ)モールドパターン領域Ｒ２内に位置する部分を線分モールドパターン部Ｌ２とし、(ｃ)プレス領域Ｒ３内に位置する部分を線分プレス部Ｌ３とした場合において、(イ)線分被転写材部の長さが線分プレス部の長さ以上で、(ロ)線分被転写材部と線分プレス部の重なる部分が線分被転写材部の９２％以上を占め、かつ、(ハ)線分被転写材部の長さが線分モールドパターン部の長さ以上で、(ニ)線分被転写材部と線分モールドパターン部の重なる部分が線分被転写材部の９７％以上を占めるという条件を満たしてインプリントを行う。 （もっと読む）

【課題】絶縁層へのコンタクトホール形成時における、導電層の浸食や破損の抑制された電界効果型トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、表示装置、及び電磁波検出器を提供する。
【解決手段】導電層形成工程によって形成されたソース電極２０Ａ、ドレイン電極２０Ｂ、及び画素電極２０Ｃを含む導電層２０上に、該導電層２０及び酸化物半導体層１８を覆うように、無機材料を主成分とする無機絶縁層２３を形成する。そして、この無機絶縁層２３上にフォトレジスト膜３０を形成してパターン状に露光した後に、現像工程において、現像液を用いて現像することでレジストパターン３０Ｂ’を形成する。現像工程では、この現像液をエッチング液として用いて、無機絶縁層２３の内のレジストパターン３０Ｂ’から露出した領域を除去することによって導電層２０の一部を露出させて、無機絶縁層２２にコンタクトホール２７を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜部の厚さが制御され所望のパターン形状を有する光硬化物複合体及び該光硬化物複合体を形成するための光硬化性組成物並びに光硬化物複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、該基板１上に形成され薄膜部２及び該薄膜部２から突出した突出部３からなる光硬化物７とを具備する光硬化物複合体であって、前記薄膜部２は、該薄膜部２の厚さ方向に重ならない粒子６を含有し、前記薄膜部２の厚さは前記粒子６によって規定されている。 （もっと読む）

【課題】高解像度であり、焦点深度（ＤＯＦ）が広く、得られるパターン形状が良好であり、且つ低比誘電率な硬化パターンを形成することができるネガ型感放射線性組成物、並びに、それを用いてなる硬化パターン及びその形成方法を提供する。
【解決手段】ポリシロキサン（Ａ）と、感放射線性酸発生剤（Ｂ）と、下記一般式（１）で表される構造単位（ｃ１）を含む重合体（Ｃ）と、溶剤（Ｄ）と、を含有するネガ型感放射線性組成物。
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【課題】重ね合わせ測定の精度を向上できる重ね合わせ測定マークを提供する。
【解決手段】第１パターンと第２パターンの重ね合わせ測定のためのマークにおいて、プラグ用ホールの開口パターンからなる第１パターンが形成された層間絶縁膜に該プラグ用ホールと同時に形成された第１ホールの開口パターンからなる第１マークと、前記層間絶縁膜に第１ホールと同時に形成され、前記プラグ用ホールの開口サイズと同程度で且つ第１ホールの開口サイズより小さい開口サイズを有する第２ホールの開口パターンからなる第２マークと、前記層間絶縁膜上の導電膜上に形成されたレジスト膜をパターニングして第２パターンと同時に形成されたレジストパターンからなる第３マークを含む構成とする。 （もっと読む）

【課題】コンタクトエッチングの加工精度を上げて、精度良くコンタクトホールが形成されたＴＦＴ基板及び、そのＴＦＴ基板を工程が煩雑にならずに製造コストが抑制可能なＴＦＴ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】厚膜レジスト部２１と厚膜レジスト部よりも厚みの薄い薄膜レジスト部２２と、開口部２３とからなる膜厚差を有するパターンのレジスト層２０を設け、レジスト層２０の開口部の絶縁膜のエッチングと、レジスト層２０の薄膜レジスト部２２の除去と、薄膜レジスト部２２の下層の絶縁膜のエッチングとを同じエッチング工程で行うことにより、ゲートコンタクトホール８及びシリコンコンタクトホール９を共に形成してＴＦＴ基板１を製造した。 （もっと読む）

【課題】 ポリマの指向性自己組織化を利用するサブリソグラフィ構造の形成方法を提供する。
【解決手段】 ブロック・コポリマの自己組織化を含む方法であって、目標とするＣＤ（限界寸法）を有する開口部（１つ又は複数の基板内の）から開始して、ホールを規則的な配列又は任意の配列に形成する方法を説明する。重要なことに、形成されたホールの平均直径の百分率ばらつきは、最初の開口部の平均直径の百分率ばらつきより小さくなる。形成されたホール（又はビア）を下層の基板に転写することができ、次にこれらのホールを金属導体のような材料で埋め戻すことができる。本発明の好ましい態様は、２２ｎｍ以下の技術ノードにおいても、より狭いピッチ及びより優れたＣＤの均一性を有するビアの作成を可能にする。 （もっと読む）

【課題】 ブロック共重合体を用いて所定の位置にホール又はビアを有するデバイスを形成する方法を提供する。
【解決手段】 例えば、光リソグラフィを用いて、輪郭を付けられた凸状のセグメントによって与えられる断面を有する開口部を基板内に形成する。開口部の断面は、例えば、重なった円形領域によって与えることができる。側壁は、種々の点で隣接し、そこで突起を画定する。ブロック共重合体を含むポリマーの層を開口部及び基板の上に塗布し、自己集合させる。開口部内に個別分離ドメインが形成され、これらを除去してホールを形成し、これを下層の基板に転写することができる。これらのドメイン及びこれらの対応するホールの位置は、側壁及びそれらに付随する突起によって所定の位置に誘導される。これらのホールを隔てる距離は、何も側壁がない場合にブロック共重合体（及び何れかの添加剤）が自己集合したとする場合よりも大きく又は小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】インプリントモールドの凹部への感光性配線ペースト層の充填不良や、ウェットエッチング（現像）工程での配線パターンの倒壊や剥がれの発生を抑制，防止して、効率よく精度の高い配線パターンを形成する。
【解決手段】感光性配線ペースト層２を形成する工程と、凹凸パターン１７を有するインプリントモールド３を感光性配線ペースト層２に押し付けて光照射する工程と、感光性配線ペースト層２の未感光部をウェットエッチングにより除去して、インプリントモールドの凹凸パターンに対応する配線パターンを形成する工程とを備えた配線パターンの形成方法において、感光性配線ペースト層２の厚みｔｐを下記の式（１）の範囲で規定する。
６μｍ＋（Ｖ／Ｓ）＜ｔｐ＜２０μｍ＋（Ｖ／Ｓ）……（１）
ただし、
ｔｐ：感光性配線ペースト層の厚み、
Ｓ：ペースト転写領域の面積、
Ｖ：前記凹凸パターンの、前記感光性配線ペースト層と接する領域における凹部の体積 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に高抵抗領域及び低抵抗領域を有するバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層の低抵抗領域を介して接触するように薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】 レジスト材料の利用効率を向上させて、作製コストの削減を目的としたレジス
トパターンの作製方法、レジストパターンの除去方法、半導体装置の作製方法を提供する
ことを課題とする。
【解決手段】 本発明は、減圧下で、被加工物上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジ
ストパターンを形成するステップを有することを特徴とする。また、前記レジストパター
ンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパタ
ーンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レ
ジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上
の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接続する素子の駆動電圧によってトランジスタのドレイン電圧が決定される。トランジスタの小型化にともないドレイン領域に集中する電界強度が高まり、ホットキャリアが生成し易くなる。ドレイン領域に電界が集中し難いトランジスタを提供することを課題の一とする。また、トランジスタを有する表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高い導電率を有する第１配線層および第２配線層の端部とゲート電極層の重なりをなくすことにより、第１電極層及び第２電極層近傍に電界が集中する現象を緩和してホットキャリアの発生を抑制し、加えて第１配線層および第２配線層より高抵抗の第１電極層および第２電極層をドレイン電極層として用いてトランジスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】高価な露光装置や高価なマスクを用いることなく、配線等のピッチを狭くすることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の導電パターン４２と、第１の導電パターンに隣接して形成された第２の導電パターン４２と、第１の導電パターンの所定領域下に形成された第１の導体プラグと、第１の導電パターンの所定領域上に形成された第２の導体プラグ６２_ｎと、第２の導電パターンのうちの、第１の導電パターンの所定領域に隣接する所定領域下に形成された第３の導体プラグと、第２の導電パターンの所定領域上に形成された第４の導体プラグ６２_ｎ＋１と、第１の導電パターン４２の上方に形成され、第２の導体プラグに接続された第３の導電パターン６２と、第２の導電パターンの上方に形成され、第４の導体プラグに接続された第４の導電パターン６４とを有し、第４の導体プラグは、第２の導体プラグに対して、ずれた位置に配されている。 （もっと読む）