【課題】リソグラフィの露光解像限界を超えた寸法を有するパターンの形成において、工程数の削減が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された被加工膜上に第１のマスク材膜を形成し、前記第１のマスク材膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを覆うように前記第１のマスク材膜上に所定の膜厚の第２のマスク材膜を形成し、前記第２のマスク材膜をエッチバックして前記レジストパターン及び前記第１のマスク材膜を露出させ、エッチバックされた前記第２のマスク材膜を残したまま、露出した前記レジストパターン及び前記第１のマスク材膜を同時に加工し、前記第１のマスク材膜下に露出する前記被加工膜部を加工する。 （もっと読む）

【課題】高い精度で安定的にパターンを形成することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被加工膜ＰＳ上に、第１無機材料からなる第１無機膜ＨＵと、第２無機材料からなりかつ第１無機膜ＨＵと被加工膜ＰＳとの間に位置する第２無機膜ＨＤとが形成される。第１無機膜ＨＵ上の第１フォトレジストマスクＲ１をマスクとして用いて第１無機膜ＨＵがエッチングされる。第２無機膜ＨＤ上に第２フォトレジストマスクＲ２が形成される。第２フォトレジストマスクＲ２および第１無機膜ＨＵをマスクとして用いて第２無機膜ＨＤがエッチングされる。第２無機膜ＨＤをマスクとして用いて被加工膜ＰＳがエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】プロセス数の低減が可能であり、プロセスの単純化が容易なエッチングマスク形成方法を提供する。
【解決手段】エッチングの対象となる対象層１０上に、対象層１０をエッチングするためのエッチングマスクを形成するマスク膜１２を形成し、マスク膜１２に転写されるべき第１のパターンを有する第１のマスク層１６ａ，２０をマスク膜１２上に形成し、マスク膜１２に転写されるべき第２のパターンを有する第２のマスク層２２ａ，２４を第１のマスク層上に形成し、第２のマスク層の第２のパターンを第１のマスク層に転写して、第１のパターンおよび第２のパターンを有する第３のマスク層を形成する第３のマスク層形成工程と、第３のマスク層を用いてマスク膜をエッチングして、対象層のエッチングに使用されるエッチングマスクを形成するエッチングマスク形成工程と、を含むエッチングマスク形成方法が提供される。 （もっと読む）

【解決手段】
半導体デバイスの高性能な金属化システムにおいてビア開口をパターニングする間、開口（２２１Ａ）が導電性キャップ層（２１３）を通って延び、適切なイオン衝撃が確立されて下層の金属領域（２１２）の材質が導電性キャップ層（２１３）の露出した側壁部分へ再分配され、それにより保護材質（２１２Ｐ）が確立される。その結果、後続のウエット化学的エッチング処理（２１５）において、導電性キャップ層（２１３）の過度な材質除去の可能性を大幅に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】１３０ｎｍ、９０ｎｍおよび６５ｎｍテクニカル・ノードのプロセス等に適用されるＣｕ-ＣＭＰ工程においては、Ｃｕ配線の腐食を防止する目的で防食剤を添加したスラリが主流となっている。ところが、防食剤を添加したスラリを用いたＣｕ-ＣＭＰ工程について、本願発明者らが検討したところによると、防食剤はＣｕと錯体を形成する場合が多く、異物としてウェハ上に多量に残留し歩留の低下や、Ｃｕ配線におけるＴＤＤＢ特性といった信頼度を劣化させる要因となることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、ポストＣＭＰ洗浄において、ウエハのデバイス面をほぼ水平上向きで、当該面に薬液又は純水等の洗浄液体を供給するとともに、ウエハを水平面内で、ほぼその中心の周りで自転させながらウエット洗浄するときに、その自転速度をデバイス面上における洗浄液体の厚さがほぼ均一になる程度に低速にするものである。 （もっと読む）

【課題】簡易な手順で平面視で矩形形状を有するコンタクトを形成する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜１０８上に下層レジスト膜１１０を形成する工程と、下層レジスト膜１１０に、平面視で円形形状を有する第１の開口部と、当該第１の開口部の四方にそれぞれ配置された第２から第５の開口部とを形成する工程と、下層レジスト膜１１０をマスクとして層間絶縁膜１０８をエッチングする工程とを含む。層間絶縁膜１０８をエッチングする工程において、下層レジスト膜１１０の第１の開口部と、第２から第５の開口部とがそれぞれ隣り合う領域に硬化層１３２を形成し、硬化層１３２をマスクとして、層間絶縁膜１０８のエッチングを行い、層間絶縁膜１０８において、下層レジスト膜１１０の第１の開口部に対応する箇所に平面視で矩形形状を有するコンタクトホール１２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】側壁転写プロセスによる微細パターンの形成において、パターン上部の形状が左右非対称になることを防止することが出来る製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に被加工膜２、シリコン酸化膜３、シリコン窒化膜４、反射防止膜を形成する。その上にライン幅とスペース幅の比率が１：１のパターンのレジストを形成する。スリミング技術を用いて反射防止膜を加工して、反射防止膜とレジストのライン幅寸法をスペース幅寸法の１／３にする。反射防止膜とレジストをマスクにしてシリコン酸化膜３とシリコン窒化膜を加工する。反射防止膜とレジストを除去した後に、加工されたシリコン窒化膜のライン幅寸法と同一膜厚のシリコン酸化膜１１を形成する。シリコン酸化膜１１上に犠牲膜１３を形成し、犠牲膜とシリコン酸化膜１１を平坦化する。犠牲膜及びシリコン窒化膜を除去し酸化膜マスクパターンとする。これをマスクに被加工膜を加工する。 （もっと読む）

【課題】層間誘電体（ＩＬＤ）上でハードマスクを用いながら、ＩＬＤ内のトレンチのアンダーカットを減らしたり、防止したりさえする方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、シリコン層３１０とシリコン層上に配置された誘電体層１０１とを含んでいる。誘電体層は、その間に誘電体層の領域が配置されるように第１トレンチ４０１Ａと第２トレンチ４０２Ａとを有し、第１、第２トレンチは、各々、金属を含み、また誘電体層の上述の領域の炭素濃度よりも高い炭素濃度有する側壁を有する。 （もっと読む）

【課題】露光装備の最大解像度より微細なパターンを形成すること。
【解決手段】半導体基板上に第１のエッチングマスクパターンを形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターンに対応する段差を維持し得る厚さで第１のエッチングマスクを含む上記半導体基板上に補助膜を形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターンの側壁に形成された上記補助膜の間の空間に第２のエッチングマスクパターンを形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターン上に形成された上記補助膜を除去して両端の下部が互いに連結されて上記両端が上部に突出した第１の補助膜パターンを形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターン及び上記第２のエッチングマスクパターンを除去する段階及び上記第１の補助膜パターンの上記両端が隔離されるように上記両端間をエッチングして第２の補助膜パターンを形成する段階を含む。 （もっと読む）

シリコン系ハードマスク組成物を提供する。ハードマスク組成物は、（ａ）有機シラン重合体および（ｂ）溶媒を含む。有機シラン重合体は式１で示される：


式１において、ｘ、ｙ、ｚは、前記重合体中、繰り返し単位（ＳｉＯ_１．５−Ｙ−ＳｉＯ_１．５）、（Ｒ_３ＳｉＯ_１．５）および（ＸＳｉＯ_１．５）のの相対的な比を示し、０．０５≦ｘ≦０．９、０．０５≦ｙ≦０．９、０≦ｚ≦０．９並びにｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満たし；ｅおよびｆは、それぞれ、前記重合体中２ｘ＋ｙ＋ｚ個のケイ素（Ｓｉ）原子数に対する、ケイ素（Ｓｉ）原子に結合している末端−ＯＨ基および−ＯＲ基の数の比を示し、０．０３≦ｅ≦０．２および０．０３≦ｆ≦０．２５を満たし；Ｘは、少なくとも１の置換または非置換の芳香族環を含有するＣ_６〜Ｃ_３０の官能基であり；Ｒ_３はＣ_１〜Ｃ_６のアルキル基であり；Ｙは、芳香族環、置換もしくは非置換の直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１〜Ｃ_２０アルキレン基、主鎖に少なくとも１の芳香族環もしくはヘテロ環を含むか、または、主鎖に少なくとも１の尿素基もしくはイソシアヌレート基を含む、Ｃ_１〜Ｃ_２０のアルキレン基、および、少なくとも１の多重結合を含むＣ_２〜Ｃ_２０の炭化水素基からなる群より選択される連結基であり；Ｒ_６はＣ_１〜Ｃ_６のアルキル基である。 （もっと読む）

【課題】整列誤差の発生のない、露光装備の解像度より微細なパターンを有する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】コンタクトホールパターンのピッチより２倍大きいピッチで第１のエッチングマスクパターン１１３ａを形成する。このパターンの側壁に補助膜を形成し、これをエッチングすることにより、第１のエッチングマスクパターン間に第２のエッチングマスクパターン１２１ａを自動整列方式で形成する。第１及び第２のエッチングマスクパターンで下部のハードマスク１０９をエッチングし、ハードマスクパターンを形成する。これをマスクにエッチング対象膜である層間絶縁膜１０７をエッチングしコンタクトホールを形成する。 （もっと読む）

【課題】配線部間の寄生容量を小さくすることができ、その上、エアギャップに起因する短絡、および、配線間隔が小さくなることによる耐圧劣化や配線部同士の短絡の発生を防ぐことができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の絶縁膜１０２上には、配線部１０８，１０９の上面および側面を覆う第３の絶縁膜１１０が形成されている。第３の絶縁膜１１０は、第１アスペクト比を有する第１の領域１５５と、その第１アスペクト比よりも小さな第２アスペクト比を有する第２の領域１５６とを備え、配線部１０９は第２のアスペクト比を有する第２の領域１５６を備えている。第１の領域１５５にはエアギャップ１１１が形成され、第２の領域１５６にはエアギャップ１１１が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルにおいて、比較的簡単な方法により、ゲート配線の上面による外光反射に起因するコントラスト低下を抑制する。
【解決手段】 ゲート電極２およびゲート配線３を、Ａｌを主成分としてＮｉを含有するＡｌ合金によって形成し、それらの上面に変色用処理液を用いて変色層２ａ、３ａを形成すると、変色層２ａ、３ａの反射率がＡｌ合金の反射率よりも低くなるので、ゲート配線３の上面による外光反射に起因するコントラスト低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】平面上で垂直方向と水平方向にライン状のパターニング工程のみを行って露光装備の解像度以下に稠密に配列されたハードマスクパターンを形成すること。
【解決手段】半導体基板上に第２のハードマスクパターン１０７ａを形成する段階と、第２のハードマスクパターン１０７ａと交差する第１のパターン１１５ａと第２のハードマスクパターン１０７ａ間に位置する第２のパターン１１５ｂを含む第３のハードマスクパターンを形成する段階と、第１のパターン１１５ａ間に第４のハードマスクパターン１２３ａを形成する段階と、を含む半導体素子のハードマスクパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】エアギャップにより配線間の寄生容量を低減しつつ、ボトムボーダーレスビアによるエアギャップを介した隣接配線との短絡を防ぐことができる半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の絶縁膜上に所定間隔で設けられた少なくとも一対の第１の金属配線と、第１の金属配線を覆う配線間絶縁膜と、配線間絶縁膜上で、第１の金属配線と交差する第２の金属配線と、一対の第１の金属配線の一方又は両方と第２の金属配線とに接続されるプラグとを備え、配線間絶縁膜が、一対の第１の金属配線の間において、エアギャップを含む領域と、配線間絶縁膜のみからなる領域とを備え、配線間絶縁膜のみからなる領域が、プラグと接続される部位に対応する前記一対の第１の金属配線間に位置することを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】Ｗを材料とする接続部の下地膜の形成工程として、形成容易なプロセスを選択することができ、下層のＣｕ配線である第１の配線のＣｕの浸食を抑制することにより、第１の配線と接続部との間における接触抵抗を低く抑えるとともにその均一性を高め、信頼性の高い半導体装置を実現する。
【解決手段】熱ＣＶＤ法によりＷＦ₆、Ｈ₂及びＢ₂Ｈ₆を含有し、シラン系ガスを含有しない第１の供給ガスを用いてＷ膜１８ａを形成した後、ＷＦ₆及びＨ₂を含有する第２の供給ガスを用いてＷ膜１８ｂを形成し、ＣＭＰを経て、ビア孔１６をＷ膜１８で充填するＷプラグ１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングにおけるパターンのＣＤの均一性を向上させることができ、ＣＤが均一で良好なエッチングマスクを形成することのできるエッチングマスクの形成方法、制御プログラム及びプログラム記憶媒体を提供する。
【解決手段】測定したフォトレジスト１０５ｂの線幅と、測定したＳｉＯ₂層１０３からなるマスクパターンの線幅とから、フォトレジスト１０５ｂをマスクとして形成されるＳｉ₃Ｎ₄層１０２からなるマスクの線幅が、ＳｉＯ₂層１０３からなるマスクパターンの線幅と同一になるようにフィードフォワード制御を行う。例えば、フォトレジスト１０５ｂの線幅が、ＳｉＯ₂層１０３からなるマスクパターンの線幅と同一になるようにフォトレジスト１０５ｂの線幅のトリミング量の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】意図する電気的特性を得ることができる。
【解決手段】半導体基板上に第１の絶縁層１、第２の絶縁層２、第３の絶縁層３の順番に積層する。次に、第３の絶縁層３の所定部位に第１の絶縁層１が露出する開口部４を形成する。次に、第３の絶縁層３をマスクにして開口部４から露出する第１の絶縁層１を、その一部が残るように選択的に除去する。また、第３の絶縁層３を剥離する。次に、開口部４から露出する第１の絶縁層１の残りを選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性や絶縁性の劣化などの不良の発生が抑えられた絶縁膜と、金属配線とを備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に吸湿性を有する絶縁膜１０２を形成し、絶縁膜にダミーコンタクトホールとコンタクトホールとを形成する。基板を熱処理して絶縁膜に含まれる水分を脱離させた後、金属膜で構成されるコンタクト１０３およびダミーコンタクト１１０をそれぞれ形成する。熱処理により、コンタクトホールおよびダミーコンタクトホールを通して絶縁膜中の水分を脱離させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板上の被処理膜に所定の微細なパターンを効率よく形成する。
【解決手段】ウェハＷ上に被処理膜Ｆ、反射防止膜Ｂ、レジスト膜Ｒを下から順に形成する（図５（ａ））。レジスト膜Ｒと反射防止膜ＢにパターンＲ１、Ｂ１をそれぞれ形成する（図５（ｂ））。パターンＲ１をマスクとして被処理膜Ｆをエッチングし、被処理膜ＦにパターンＦ１を形成する（図５（ｃ））。パターンＢ１の側壁部を溶解して、反射防止膜ＢにパターンＢ２を形成する（図５（ｄ））。パターンＢ２を覆うように犠牲膜Ｇを形成する（図５（ｅ））。パターンＲ１、Ｂ２をそれぞれ除去する（図５（ｆ））。犠牲膜ＧをマスクとしてパターンＦ１をエッチングし、被処理膜ＦにパターンＦ２を形成する（図５（ｇ））。犠牲膜Ｇを除去する（図５（ｈ））。 （もっと読む）