【課題】多層マスクエッチングを用いたホール加工において、開口径及び深さの均一なホールを絶縁膜内に形成する。
【解決手段】窒化膜１上に、層間絶縁膜２とレジスト膜３とハードマスク膜４とを順に積層させた多層マスクを形成する工程と、層間絶縁膜２を露出させる開口を多層マスクに形成する工程と、フルオロカーボンを含むガスＦＲをエッチングガスとしてエッチングを行うことにより、開口内の層間絶縁膜２を除去しつつ、開口の周囲のハードマスク膜４を除去する工程（図３（ｂ））と、開口の周囲にレジスト膜３が露出する前に、ガスＦＲをガスＦＲよりもＣ／Ｆ（炭素原子数とフッ素原子数との比率）が高いフルオロカーボンを含むガスＦＰに切り替えてエッチングを行うことにより、開口から窒化膜１が底面をなすコンタクトホールを形成する工程（図３（ｃ））と、を含む。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィの露光解像限界未満の寸法を有するパターンを形成するための工程数を削減し、また、歩留まりを向上させる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被加工材上に第１のレジスト材からなる第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジスト材が感光するエネルギー線を前記第１のレジストパターンに照射する工程と、前記エネルギー線を照射後に前記第１のレジストパターンのベーク処理を行う工程と、前記被加工材上に前記第１のレジストパターンを覆うように被覆膜を形成する工程と、前記ベーク処理後に前記被覆膜上に第２のレジスト材からなる第２のレジストパターンを形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 反射防止膜を使用しなくてもアルミニウム配線パターンを高精度に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０上にアルミニウム層もしくはアルミニウム合金層３をバリアメタル層２を介して形成し、アルミニウム合金層３の表面にドライエッチングガスを用いて均一な微細凹凸を有する表面層３ａを形成する。そして、アルミニウム合金層上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストを配線パターンを有するフォトマスクを用いて露光し、現像して配線パターンを形成し、フォトレジストをマスクにして、アルミニウム合金層をエッチングしアルミニウム配線５を形成する。表面層３ａを窒素および酸素条件下でアッシング処理して表面層３ａの凹凸より細かい凹凸を有する酸化膜を形成することによって反射率を大きく低下させることができる。 （もっと読む）

【課題】プロセスの自由度が大きい配線の形成方法を提供する。
【解決手段】配線層２５上に絶縁層３１を形成する工程と、絶縁層３１上に第１マスク層３２と第２マスク層３３とを形成する工程と、第２マスク層３３上にレジスト層４２を形成する工程と、レジスト層４２をパターニングする工程と、レジスト層４２をマスクとして第２マスク層３３をパターニングする工程と、レジスト層４２及び第２マスク層３３をマスクとして第１マスク層３２を途中までエッチングする工程と、レジスト層４２を取り除く工程と、第２マスク層３２をマスクとして第１マスク層３２の残りをエッチングして第１マスク層３２をパターニングする工程と、パターニングされた第１マスク層３３をマスクとして絶縁層３１をエッチングして配線溝３６を形成する工程と、配線溝３６に導電体３７を埋め込んで、配線層２５に接続する埋め込み配線層３８を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の導電層と第２の導電層との順で積層されたゲート電極を含むゲート配線と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、酸化物半導体層と電気的に接続され、第３の導電層と第４の導電層との順で積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第１の導電層で形成され、ゲート配線は、第１の導電層と第２の導電層で形成され、ソース電極は、第３の導電層で形成され、ソース配線は、第３の導電層と第４の導電層で形成されている。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン溝（接続孔）内への異物の残留を回避し、配線接続の信頼性および半導体装置性能の向上を図る。
【解決手段】第４配線層の配線３３上に絶縁膜３４〜３８を順次形成し（絶縁膜３４，３６，３８はシリコン窒化膜からなる。絶縁膜３５，３７はシリコン酸化膜からなる）、絶縁膜３８に溝パターン４０ａ、４０ｂをフォトリソグラフィを用いて転写する。絶縁膜３８の溝パターン４０を埋め込む反射防止膜４１を形成し、さらに孔パターン４３を有するレジスト膜４２を形成する。レジスト膜４２の存在下でエッチング処理を施し、絶縁膜３８，３７，３６および絶縁膜３５の一部に孔パターン４３を転写する。その後、レジスト膜４２，反射防止膜４１を除去し、絶縁膜３８をマスクとして溝パターン４０を絶縁膜３７に、孔パターン４３を絶縁膜３５に転写する。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率膜(Low-k膜、例えばSiOCH)において、膜ダメージを発生せず、高選択比で高精度なエッチングを実現可能な処理条件を提供する。
【解決手段】 BARCエッチングステップにてパターン寸法よりも溝又は孔を細く加工し、N_２またはO_２を含む高マスク選択比条件にてエッチングを行う。その後N_２またはO_２を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを行う、又はパターン寸法よりも溝又は孔をやや細く加工するN_２またはO_２を含む高マスク選択比条件と、N_２またはO_２を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを周期的に行う。 （もっと読む）

【課題】 誘電率の増加を抑制しながら、しかも平滑な底面を有するトレンチを備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 被処理基板上に第１の絶縁膜６４を形成する工程と、第１の絶縁膜６４上に有機薄膜６５を形成する工程と、有機薄膜６５上に第２の絶縁膜６６を形成する工程と、第１の絶縁膜６４と有機薄膜６５と第２の絶縁膜６６を貫通するビアホール７１ａを形成する工程と、第２の絶縁膜６６上にビアホール７１ａが埋められように無機系材料からなる犠牲膜６８を形成する工程と、犠牲膜６８上に所定のパターンを有するレジスト膜６９を形成する工程と、レジスト膜６９のパターンにしたがって有機薄膜６５の上面に達するトレンチ７１ｂを形成する工程と、レジスト膜６９および有機薄膜６５のうちトレンチ７１ｂに露出した部分を被処理基板から同時に除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造の半導体装置のパッケージ工程や環境試験において、膜剥れが起き難い技術を提供する。
【解決手段】絶縁層中に配線層が構成された下層配線層、前記下層配線層上に設けられた層間絶縁層、前記層間絶縁層の上に設けられた絶縁層中に配線層が構成された上層配線層、及び前記層間絶縁層に構成された前記下層配線層の配線層と前記上層配線層の配線層とを電気的に接続する為の接続層とを具備する半導体装置において、
前記層間絶縁層Ａ７に、該層間絶縁層Ａ７の上層および／または下層に繋がる埋設層Ａ１５が構成され、前記埋設層Ａ１５および接続層Ａ１２を有する層間絶縁層Ａ７の平均弾性率が１０ＧＰａ以上であるよう構成されてなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において大気中の水分による銅配線や層間絶縁膜への影響を抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、金属層、層間絶縁膜を順次形成し、層間絶縁膜に、フッ素系エッチングガスを用いてエッチングを行い、金属層に到達する所定パターンの開口部を形成した後、大気に晒すことなく、半導体基板上に塩素系シランガスを供給して放電し、少なくとも開口部の内面にＳｉ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 従来のエアギャップ構造より、さらに容量及び容量ばらつきを低減することができる。
【解決手段】 基板上の絶縁膜１７上に、銅を主成分として含む配線２６を形成する。それから、リザーバーパターン用絶縁膜２１、２２及びバリア絶縁膜２９を形成し、配線２６の上面および側面上と絶縁膜１７及び絶縁膜２９上に銅の拡散を抑制または防止する機能を有する絶縁膜３１を形成する。このとき、狭い配線間スペース底部の絶縁膜１７の膜厚保は、配線２６上の絶縁膜３１の膜厚より、薄く成膜することで細線ピッチの配線容量を効率良く低減する。その後、低誘電率からなる絶縁膜３６及び絶縁膜３７を成膜する。その際、配線２６の隣接配線間において、対向する配線側面の上方での堆積速度が下方での堆積速度より大きくなるように絶縁膜３６を形成し、エアギャップを形成する。最後に、層間ＣＭＰによって、絶縁膜３７を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】ＣＯ₂プラズマに晒された低誘電率絶縁膜のダメージを回復させて、低誘電率絶縁膜を良好な状態にすることができ、半導体装置における性能の向上と信頼性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板に形成された低誘電率絶縁膜をエッチングするエッチング処理工程と、当該エッチング処理工程の後に基板をＣＯ₂プラズマに晒すＣＯ₂プラズマ処理工程と、ＣＯ₂プラズマ処理工程の後に、低誘電率絶縁膜に紫外線を照射する紫外線処理工程とを有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複数の物質層間の溶解度差を利用してダブルパターニングを具現する半導体素子の微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の微細パターンの形成方法は、基板１００上に、空間を介して相互に離隔されている複数の第１マスクパターン１２０を、基板１００の主面と平行方向に形成するステップと、溶解剤に対して第１溶解度を有する第１物質からなる複数のキャッピング層１３０を、複数の第１マスクパターン１２０のそれぞれの側壁及び上面に形成するステップと、溶解剤に対して第１溶解度より低い第２溶解度を有する第２物質からなる第２マスク層を、空間内に形成するステップと、溶解剤を利用してキャッピング層１３０を除去し、かつ、第２マスク層の一部を除去した後、空間に残った第２マスク層の残留部分を、複数の第２マスクパターン１４０Ａとして形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】複数のライン状のパターンの端部におけるレジストパターン倒れ等の加工プロセスの問題を回避する。
【解決手段】 半導体基板上に被パターニング部材を形成した後に、被パターニング部材をパターニングして、複数のライン状のパターンを並列に形成するとともにライン状のパターンの端部から所定間隔をもってライン状のパターンの長手方向と垂直な方向にダミーパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率絶縁膜に形成される酸化層を薄膜化する技術を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上方に層間絶縁膜を形成する工程と、第１のエッチング工程及び第２のエッチング工程により層間絶縁膜にビアホールを形成する工程と、を備え、第２のエッチング工程は、層間絶縁膜のビアホールが形成される部分の側壁を平滑化するエッチング条件で実行される。 （もっと読む）

【課題】配線間の層間絶縁膜に空洞を形成する場合における配線間の層間絶縁膜の高さの減少を抑制することを目的とする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上方に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
第１の層間絶縁膜上に保護膜を形成する工程と、保護膜及び第１の層間絶縁膜に配線溝を形成する工程と、酸素を含む処理ガスを用いたプラズマ処理により、第１の層間絶縁膜の側面部分に酸化膜を形成する工程と、配線溝に金属膜を形成する工程と、研磨処理により、金属膜を部分的に除去することで配線溝に金属配線を形成する工程と、保護膜及び酸化膜の除去処理により、酸化膜を除去した部分に空間を形成する工程と、第１の層間絶縁膜、金属配線及び空間を覆うように第２の層間絶縁膜を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ポリマー残渣の発生と、エッチングプロセスの変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｌｏｗ−ｋ膜ＩＩ２の上面に、パターニングされたハードマスク層ＨＭが形成される。ハードマスク層ＨＭをマスクとしてＬｏｗ−ｋ膜ＩＩ２にエッチングが施されてＬｏｗ−ｋ膜ＩＩ２に配線用溝ＴＲが形成される。配線用溝ＴＲ形成のためのエッチングを行なったチャンバーと同じチャンバー内でハードマスク層ＨＭが除去されてＬｏｗ−ｋ膜ＩＩ２の上面が露出される。 （もっと読む）

【課題】Ｌｏｗ−Ｋ膜へのダメージを抑制するとともに、フローが冗長化せずかつ微細化にも対応可能な半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】少なくとも１層以上の層間膜を備える半導体装置の製造方法であって、（ａ）層間膜であるＬｏｗ−Ｋ膜１０２上に形成されたマスクを用いて層間膜にトレンチ開口部１１０を形成する工程と、（ｂ）アッシングプロセスによりマスクを除去すると同時にビア開口部１０６およびトレンチ開口部１１０に側壁保護膜１１１を生成する工程を備える。さらに、（ｃ）ビア開口部１０６およびトレンチ開口部１１０にＣｕを埋め込む工程を備えて構成される。 （もっと読む）

デュアルダマシンプロセスに使用される組成物が開示される。
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【課題】製造効率を高めることができる半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体装置１の製造方法は、絶縁層１２のダイシング領域に溝部１２０を形成し、内部回路形成領域にビアホール１２６を形成する工程、絶縁層１２上に第一のレジスト膜１３を設ける工程、第一のレジスト膜１３を覆う第二のレジスト膜１４を設ける工程、第二のレジスト膜１４の内部回路形成領域を覆う領域に配線用開口１４１を形成し第二のレジスト膜１４のダイシング領域を覆う領域に位置合わせ用開口１４２を形成する工程、溝部１２０と位置合わせ用開口１４２との位置関係を検出し第二のレジスト膜１４の配線用開口１４１が絶縁層１２のビアホール１２６に対し所定の位置にあるかどうか検出する工程を含む。第二のレジスト膜１４を選択的に除去する工程では、位置合わせ用開口１４２の領域が絶縁層１２中の溝部１２０を覆うように位置合わせ用開口１４２を形成する。 （もっと読む）