【課題】リソグラフィの解像限界以上で、かつ、寸法制御性に優れた超微細パターンを容易に形成する。
【解決手段】パターニングすべき第１の膜として、例えばアモルファスシリコン膜１３を形成し、このアモルファスシリコン膜１３上にラインとスペースの比率が略３：１のパターン１４、１７を形成し、次いで、パターン１４、１７をマスクとしてアモルファスシリコン膜１３を加工し、次いで、パターン１４、１７を両側から幅が略１／３となるまでスリミングした後、このスリミングされたパターンの反転パターン層として、例えばＢＳＧ膜１８を形成し、次いで、このＢＳＧ膜１８をマスクとしてアモルファスシリコン膜１３を再加工して、ラインとスペースの比率が略１：１で、かつ、ピッチが元の略半分のパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】メタルゲートのドライエッチング時に、下地ＨｆＳｉＯＮ膜の突き抜けを防止しながら、ｐ−ｎ差の無いエッチング形状を得る。
【解決手段】シリコン基板の表面に形成された下地ＨｆＳｉＯＮ膜１６と、この上に形成されたＴａＳｉＮ膜１４とＴｉＮ膜１５からなるメタルゲートと、この上に形成されたＷ膜１３と、ＳｉＮ膜１２と、反射防止膜１１と、レジスト膜１０とを有するウェハのドライエッチング方法において、メタルゲート１４、１５のドライエッチング時に、下地ＨｆＳｉＯＮ膜１６に対する選択比が高い、ＣＦ系ガス（ＣＨＦ_３、ＣＦ_４など）と塩素と窒素ガスとの混合ガスを用いて０．５Ｐａ以下の圧力でエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィ工程およびダマシン工程への適用できる反射防止膜用架橋重合体、これを含む反射防止膜用組成物、及びこれを利用したフォトレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】アクリレート及びアクロレインの共重合体をエタンチオールで変性して得られた（アクリレート／３，３ージチオエチルプロペン）高分子がイオウ元素を含む屈折率の高い反射防止膜用架橋剤重合体として優れていることを見いだした。さらに、反射防止膜用組成物に関するものであり、上記架橋重合体、光吸収用ベース樹脂、熱酸発生剤及び有機溶媒から構成される。該反射防止膜用組成物は半導体素子の製造工程中、特に１９３ｎｍＡｒＦ光源を利用した液浸リソグラフィ工程及びダマシン工程に非常に適切に用いられ得る。 （もっと読む）

【課題】オーバーレイによって臨界寸法が不良になる問題を除去すると共に、ＤＥＥＴ方法で全形態の微細パターンを形成することが可能な半導体素子の微細パターン形成方法の提供。
【解決手段】半導体基板上にエッチング対象膜、第１補助膜、分離膜および第２補助膜を形成する段階と、第１補助膜に焦点を合わせて第１露光工程を行う段階と、第２補助膜に焦点を合わせて第２露光工程を行う段階と、第２補助膜を現像して第２補助パターンを形成する段階と、第２補助パターンをエッチングマスクとして用いるエッチング工程によって分離膜および第１補助膜をエッチングして第１補助パターンを形成する段階と、第１補助パターンを現像して第３補助パターンを形成する段階と、第３補助パターンを用いてエッチング対象膜をエッチングする段階とを含む、半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】タングステン配線の断面形状を良好にすることにより、配線抵抗の増大及び配線信頼性の低下を防ぐ。
【解決手段】先ず、下地１００を用意して、下地上に、バリア膜１２０、配線膜１３０及びマスク膜１４０を順次に積層する。バリア膜及びマスク膜が窒化チタンであり、配線膜がタングステンである。次に、マスク膜上に、反射防止膜１５０を塗布する。次に、反射防止膜上に、レジスト膜を形成した後、フォトリソグラフィによりパターニングして、レジストマスク１６０を形成する。レジストマスクは、配線形成領域１０５を覆い、かつ配線非形成領域１０７を露出する。次に、フッ素系ガスを用いたエッチングにより反射防止膜のパターニングを行う。次に、塩素系ガスを用いたエッチングによりマスク膜のパターニングを行う。次に、フッ素系ガスを用いたエッチングにより配線膜のパターニングを行う。 （もっと読む）

【課題】ダマシン法で多層配線構造を形成する際に、ＥＭ耐性およびＳＭ耐性を高めつつ、接続不良を防いで配線の歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板上に形成され、銅を主成分とする材料により構成された銅配線上にシリコン含有ガスを照射して、銅配線の表面にシリコン含有層を形成する工程（Ｓ１０２）と、銅配線上に、拡散防止膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、拡散防止膜上に、Ｓｉ、Ｏ、およびＣを含む層間絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０６）と、層間絶縁膜に、拡散防止膜に達する凹部を形成する工程（Ｓ１０８）と、凹部側壁に露出した層間絶縁膜表面に他の領域よりも酸素濃度が高い改質層を形成する工程（Ｓ１１０）と、拡散防止膜を除去して銅配線表面を露出させる工程（Ｓ１１２）と、凹部内に導電材料を埋め込み配線を形成する工程（Ｓ１１４）とにより形成される。 （もっと読む）

【課題】複数の絶縁膜にパターンの異なる配線溝またはビアホールを形成して多層配線構造を形成する際に、パターンの違いに関わらず、配線幅またはビア幅を均等にする。
【解決手段】層間絶縁膜上に反射防止膜と上層レジスト膜とをこの順で積層し、上層レジスト膜をマスクとして反射防止膜をエッチングする際に、上層レジスト膜に形成される開口部の寸法幅Ｌ_１に対する層間絶縁膜に形成される凹部の寸法幅Ｌ_２の寸法シフト量Δ（Ｌ_２−Ｌ_１）と相関関係を有するエッチング条件の値を、上層レジスト膜に形成される開口部の開口率が大きいほど寸法シフト量Δ（Ｌ_２−Ｌ_１）が小さくなるように開口率に応じて変動させて反射防止膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】プロセスコストを抑制しつつも、微細なパターンを形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１の主表面上に被加工層５２を形成する工程と、被加工層５２上に下地層５３を形成する工程と、下地層５３上に第１中間層５４と第２中間層５５とを順次形成する工程と、下地層５３で被加工層５２を覆った状態で、第２中間層５５をパターニングする工程と、パターニングされた第２中間層５５上に第１マスクパターンを形成する工程と、第１マスクパターンを用いて、第２中間層５５をパターニングする工程と、パターニングされた第２中間層５５を用いて、第１中間層５４と下地層５３をパターニングして、第２マスクパターンを形成する工程と、第２マスクパターンを用いて、被加工層５２をパターニングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンと炭素とを含む被エッチング基板に対してプラズマエッチングを行ってホールを形成する場合、ホール同士の端部の間隔が例えば１０μｍ以上に広い場合や０．１μｍ程度に狭い場合であっても、エッチングストップ膜を貫通することなく、更に途中でエッチングが停止することなくエッチングを行うこと。
【解決手段】メインエッチングの後のオーバーエッチングを行う際に、炭素とフッ素とを含む処理ガスをプラズマ化して、更に基板に対向するように設けられた上部電極に負の直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】複数のパターンを合成して微細パターンを形成する方法において、プロセスを簡易化し、低コストで実施できる方法を提供する。
【解決手段】第１のパターンを形成する工程と、保護膜を形成する工程と、第２のパターンを保護膜上に形成する工程と、第２のパターンをマスクとして、保護膜と、保護膜により保護されたパターンをドライエッチングする工程と、保護膜を除去する工程とを備え、保護膜の形成工程から保護膜の除去工程までの工程を、単数回または複数回実施する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のインライン欠陥検査工程において、物理解析時に短時間で故障箇所の位置を確認することのできる技術を提供する。
【解決手段】テストパターンの基幹配線部、配線中央部および配線端部にそれぞれ基幹配線部セパレータ１、配線中央部セパレータ２および配線端部セパレータ３を配置し、テストパターンに搭載したこれら各種セパレータ１，２および３を、欠陥観察の際に欠陥の座標位置を確認する指標とする。例えば配線中央部セパレータ２は、セパレータ長Ｌの長さ分だけ第２配線層４を表面に露出させて、配線パターンとして観察される構造とし、その他の配線中央部は第１配線層５を経由して基幹配線部から配線端部へと電気的に接続することにより、配線パターンとして観察されない構造とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子においてコンタクト孔の深さが異なるデュアルダマシン構造を形成する場合に、配線溝の深さが不均一となる。
【解決手段】コンタクト孔６０が形成された層間絶縁膜５４の表面に、２層のＢＡＲＣ膜６２，６４を順次形成し、コンタクト孔６０を段階的に埋め、当該表面を平坦化する。ＢＡＲＣ膜６２は、ＢＡＲＣ材をスピンコートしベークして形成する。ＢＡＲＣ膜６２のベーク後、間断なく、ＢＡＲＣ膜６４を形成するＢＡＲＣ材の塗布を行う。これにより、異なる深さのコンタクト孔６０-1〜６０-3の上に形成されるＢＡＲＣ膜６２，６４の厚みを均等とすることができ、エッチバックにてＢＡＲＣ膜６２，６４から層間絶縁膜５４の上部まで掘り下げて形成される配線溝６８の深さも均等とすることができる。 （もっと読む）

【課題】オートアライメントコンタクトを利用したコンタクト形成の際、高い縦横比によるエッチングターゲットの増加を防止でき、オートアライメントコンタクトエッチングに用いるハードマスクによる段差を克服し、後続のパターニングを容易に行い、かつ、処理を単純化させることができる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】パターン２２〜２４が形成された半導体基板２１上にエッチングバリア膜２５を形成するステップ、エッチングバリア膜上に層間絶縁膜２６Ｂを形成するステップ、層間絶縁膜を平坦化するステップ、層間絶縁膜をリセスさせるステップ、層間絶縁膜上にハードマスクパターン２００Ｂを形成するステップ、層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトホール２０１を形成するステップ、コンタクトホールの底のエッチングバリア膜をエッチングするステップ、及び、コンタクトホール内にプラグコンタクトを形成するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の上に形成された構造体の配置密度や大きさに不均一性があっても、半導体基板を保護しながら所望の構造体を選択的にエッチングすることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、（Ａ）シリコン基板１０に複数のゲート電極１５を形成する工程と、（Ｂ）シリコン基板１０の全面に、複数のゲート電極１５を被覆する有機反射防止膜１６を形成する工程と、（Ｃ）複数のゲート電極１５のうち加工対象であるゲート電極１５の上方に開口を有するレジスト１７を形成する工程と、（Ｄ）前記開口の内側においてシリコン基板１０が有機反射防止膜１６で被覆された状態を維持しながらレジスト１７をマスクとして有機反射防止膜１６をエッチングし、加工対象であるゲート電極１５を露出させる工程と、（Ｅ）前記開口の内側において有機反射防止膜１６を残存させながら、加工対象であるゲート電極１５をエッチングする工程と、（Ｆ）レジスト１７と有機反射防止膜１６とを除去する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクを使用して金属膜、絶縁膜等の膜をパターニングする工程を含むＦｅＲＡＭ等の半導体装置の製造方法において、ハードマスクを用いて膜をパターニングした後の基板上の残渣、スカム等をさらに減らす製造方法を提供する。
【解決手段】パターニングの対象となるＩｒＯ2からなる第１の導電膜１５の上に、アルミナ膜の犠牲膜１６を介してＴｉＮなどの窒化物のハードマスク１７ａを形成し、その後に、ハードマスク１７ａに覆われない領域の第１の導電膜１５をパターニングし、その後に、犠牲膜１６をフッ化アンモニウム、アミド、有機酸、有機酸塩類、水の混合液を使用したウェット処理により除去することにより、ハードマスク１７ａを第１の膜１５のパターンの上から剥離してハードマスク１７ａの表面に付着した残渣、スカム等が再付着する防止工程を有している。 （もっと読む）

【課題】 基板上の膜を処理する方法の提供。
【解決手段】 一態様において、方法は、シリコンと、炭素とを含み、所望により酸素及び/又は窒素を含んでもよい薄層を膜上に堆積させることによりフォトレジストが膜から除去された後のパターン形成された低誘電率膜を処理するステップを含む。薄層は、パターン形成された低誘電率膜に炭素を多く含む疎水性表面を与える。薄層は、また、続いての湿式洗浄プロセスと、低誘電率膜上に続いて堆積される層の前駆物質による浸透から低誘電率膜を保護する。 （もっと読む）

【課題】 パターン形成を簡略化した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 被加工膜１００上に第一のパターン１０５を形成し、第一のパターン１０５が形成された領域を含む被加工膜１００上に反射防止膜１０６及びレジスト膜１０７を順に形成し、レジスト膜１０７を加工してレジストパターン１０３を形成し、レジストパターン１０８下に露出した反射防止膜１０６をレジスト膜１０７の加工に使用した現像液と同一の現像液により加工して、被加工膜１００の一部及び第一のパターン１０５の少なくとも一部を露出し、第一のパターン１０５及びレジストパターン１０８をマスクに被加工膜１００を加工することにより、被加工膜１００に配線パターン１１０等を形成する。 （もっと読む）

【課題】上部ダマシン銅配線と下部配線のダマシン・タングステンとの間の、信頼性ある、低抵抗な接続形成方法および構造の提供。
【解決手段】下部ダマシン・タングステン配線に接続するデュアル・ダマシン銅相互接続部を製造するための方法であり、半導体基板１１０上に第１の層を形成し、第１の層上に窒化ケイ素層、窒化ケイ素層上に二酸化ケイ素層１５０を形成する。第１の層は絶縁材料によって電気的に絶縁されたタングステン相互接続部を含む。二酸化ケイ素層と窒化ケイ素層とを通る２つの接続トラフをエッチングし、下部タングステン相互接続部を露出させ、２つの接続トラフ間の二酸化ケイ素層の最上部をエッチングすることによって、連続スペースを形成する。２つの接続トラフ間の二酸化ケイ素層の角部が低減される。連続スペースにダマシン銅を充填すれば、デュアル・ダマシン銅相互接続部が、露出した下部タングステン相互接続部と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線の信頼性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、表面に第１層配線溝１ａを有するウェハＷ上に、少なくとも第１層配線溝１ａに埋め込まれ、不純物濃度が下部４ｂより上部４ａの方が高いめっき膜４を形成する工程と、めっき膜４に熱処理を施す工程と、めっき膜４を熱処理した後、第１層配線溝１ａに埋め込まれた部分以外のめっき膜４を除去する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 フォトリソグラフィ工程での解像限界を超える微細ピッチのパターン形成を実現可能とする、微細ピッチのハードマスクパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１ハードマスク層を形成する。第１ハードマスク層２０上に複数の第１犠牲パターンを形成し、第１犠牲パターンのうち相互隣接した２個の第１犠牲パターン間にリセスの形成された上面を有する第２ハードマスク４０層を形成し、リセス内に第２犠牲パターンを形成する。第１犠牲パターンの上面を露出させて第１及び第２犠牲パターンを除去する。第２ハードマスク層４０の上部をエッチングマスクとして第２及び第１ハードマスク層４０及び２０をエッチングしハードマスクパターン６０を形成する。ハードマスクパターン６０をエッチングマスクとして利用し半導体素子の微細パターンを形成する。 （もっと読む）