【課題】フォトレジストマスクパターンより下層の積層化された薄膜をプラズマ処理する方法において、形成されたパターン側面の凹凸を改善し、ＬＥＲ、ＬＷＲを低減する。
【解決手段】半導体基板２０６の上に積層化された薄膜（ゲート絶縁膜２０５、導電膜２０４、マスク層２０３、反射防止膜２０２）と、該反射防止膜上に形成されたフォトレジストマスクパターン２０１を有する被処理材をゲート電極を形成するためにエッチング処理するにあたって、前記マスクパターン２０１のエッチング処理する前に、窒素ガスまたは、窒素ガスと堆積性ガスとの混合雰囲気をプラズマ化することによって該マスクパターン２０１にプラズマキュア処理を行い、該マスクパターン２０１の表面と側面の凹凸を減少させた後、該マスクパターン２０１より下層の積層化された薄膜２０２、２０３、２０４をプラズマエッチング処理する。 （もっと読む）

【課題】複数のパターンを合成して微細パターンを形成する方法において、プロセスを簡易化し、低コストで実施できる方法を提供する。
【解決手段】第１のパターンを形成する工程と、保護膜を形成する工程と、第２のパターンを保護膜上に形成する工程と、第２のパターンをマスクとして、保護膜と、保護膜により保護されたパターンをドライエッチングする工程と、保護膜を除去する工程とを備え、保護膜の形成工程から保護膜の除去工程までの工程を、単数回または複数回実施する。 （もっと読む）

【課題】ワード線電極へのコンタクトの加工工程を短縮してコスト削減を可能とする、メモリセルを三次元的に積層した不揮発性半導体記憶装置を提供すること。
【解決手段】本発明の不揮発性半導体記憶装置１は、基板と、前記基板表面上方に配設され、且つメモリセルが形成される領域において平板状の形状を有する第１のワード線と、前記第１のワード線表面上方に配設された平板状の第２のワード線と、前記第１及び第２のワード線と駆動回路とを接続する複数のメタル配線と、前記第１及び第２のワード線と前記複数のメタル配線とを接続する複数のコンタクトと、を有し、前記第１のワード線の前記コンタクトが形成されるコンタクト領域は、前記第２のワード線の前記コンタクトが形成されるコンタクト領域まで引き出された前記第１のワード線の表面上に設けられていることを特徴としている。 （もっと読む）

ブロック共重合体は自己集合し、例えば本明細書に記載のサブリソグラフィックパターニングのための方法で使用され得る。ブロック共重合体は、ジブロック共重合体、トリブロック共重合体、マルチブロック共重合体、もしくはそれらの組み合わせであってよい。そのような方法は、例えばサブリソグラフィック導電性ラインを含むデバイスの作成に有用であり得る。
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【課題】 ダミー配線やデポ性ガスの添加を用いずに、配線幅や形状が安定したアルミ合金のエッチングを提供する。
【解決手段】 フォトレジスト３にレジストが薄い部分と厚い部分からなるレジストの溝３１を形成し、ウエハ上のレジスト表面積を増やすことで、デポジション成分をレジストから供給し、配線幅や形状が安定したアルミ合金のエッチングを提供する。 （もっと読む）

【課題】オートアライメントコンタクトを利用したコンタクト形成の際、高い縦横比によるエッチングターゲットの増加を防止でき、オートアライメントコンタクトエッチングに用いるハードマスクによる段差を克服し、後続のパターニングを容易に行い、かつ、処理を単純化させることができる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】パターン２２〜２４が形成された半導体基板２１上にエッチングバリア膜２５を形成するステップ、エッチングバリア膜上に層間絶縁膜２６Ｂを形成するステップ、層間絶縁膜を平坦化するステップ、層間絶縁膜をリセスさせるステップ、層間絶縁膜上にハードマスクパターン２００Ｂを形成するステップ、層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトホール２０１を形成するステップ、コンタクトホールの底のエッチングバリア膜をエッチングするステップ、及び、コンタクトホール内にプラグコンタクトを形成するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】間便に所望の形状のパターンを得ることのできる多層薄膜パターン及び表示装置の製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる多層薄膜パターンの製造方法は、基板上に金属膜３を形成する工程と、金属膜３上に第２の透明導電性膜４を形成する工程と、第２の透明導電性膜４上にレジストパターン５を形成する工程と、レジストパターン５を介して第２の透明導電性膜４をエッチングする工程と、有機溶媒もしくはＲＥＬＡＣＳ材料を用いてレジストパターン５を変形させ、第２の透明導電性膜４のエッチング後の端面を覆う工程と、第２の透明導電性膜４の端面がレジストパターン５により覆われた状態で、金属膜３をエッチングする工程と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】 パターン形成を簡略化した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 被加工膜１００上に第一のパターン１０５を形成し、第一のパターン１０５が形成された領域を含む被加工膜１００上に反射防止膜１０６及びレジスト膜１０７を順に形成し、レジスト膜１０７を加工してレジストパターン１０３を形成し、レジストパターン１０８下に露出した反射防止膜１０６をレジスト膜１０７の加工に使用した現像液と同一の現像液により加工して、被加工膜１００の一部及び第一のパターン１０５の少なくとも一部を露出し、第一のパターン１０５及びレジストパターン１０８をマスクに被加工膜１００を加工することにより、被加工膜１００に配線パターン１１０等を形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチングプロセスのゆらぎによるばらつきを抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、第１の材料膜を介して第２の材料膜を形成する膜形成工程と、前記第２の材料膜を所定のパターンにするパターン化工程と、所定のパターンにされた前記第２の材料膜の幅をエッチングにより細めるスリミング工程と、前記第１の材料膜をエッチングして、幅を細めた前記第２の材料膜のパターンを前記第１の材料膜に転写する第１の材料膜エッチング工程と、エッチングされた前記第１の材料膜の幅を測定する測定工程と、測定した前記第１の材料膜の幅に基づき、前記第１の材料膜の幅を所定の幅にする寸法調整工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 所望の形状の微細パターンを有する半導体装置の製造方法を提供することを目
的とする。
【解決手段】 下地膜１００上に炭素を含む第一の膜１０１を形成し、第一の膜１０１を
加工して第一のパターン１０５を形成し、第一のパターン１０５を覆うように下地膜１０
０上に第二の膜１０６を形成し、第二の膜１０６を加工して第一のパターン１０５側壁部
に第二のマスクパターン１０７を形成し、第一のパターン１０５を除去した後、第二のマ
スクパターン１０７をマスクに下地膜１００を加工することにより、下地膜１００に所望
の形状の配線パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】開口が密に形成された領域と、疎に形成された領域とが混在する場合に、疎密いずれの領域においても、十分なＤＯＦマージンを確保することができる半導体装置の製造方法を提案する。
【解決手段】基板上の第１の領域に、第１の開口を有する第１のレジストパターンを形成し、該基板上の第２の領域に、第１の開口よりも開口幅が広い第２の開口を有する第２のレジストパターンを形成する工程と、該第２の領域にエネルギー線を照射する工程と、該第１の領域と該２の領域を含む表面に厚肉化材料を形成する工程と、該第１のレジストパターンと厚肉化材料との間のミキシングにより、第１の不溶解層を形成し、該第２のレジストパターンと厚肉化材料との間のミキシングにより、第１の不溶解層よりも厚さが厚い第２の不溶解層を形成する工程と、該第１の不溶解層および該第２の不溶解層を除く厚肉化材料を、選択的に除去する工程とを含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマダメージの影響を抑止するシール層を用いて、ビア抵抗を増大させることなく信頼性不良を低減することを可能とする。
【解決手段】層間絶縁膜１１に凹部（ビアホール１３、配線溝１４）を形成する工程と、前記凹部の内面にアルキル基を有するシラン系のガスをプリカーサとして用いたシール層１５を形成する工程と、前記シール層１５に対して電子線キュアもしくは紫外線キュアを行う工程と、前記凹部に導電体１７を埋め込む工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極パッドと貫通電極との接続面積を確保しつつ、下地膜が確実に形成される半導体装置、半導体装置の製造方法、回路基板および電子機器を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の能動面１０ａ側に設けられた第一絶縁膜２２と、第一絶縁膜２２上に設けられた電極パッド１２と、電極パッド１２の形成位置に対応し、半導体基板１０および第一絶縁膜２２に形成された貫通孔Ｈ３と、貫通孔Ｈ３の少なくとも側面に設けられた第二絶縁膜２３と、第二絶縁膜２３と電極パッド１２とを覆うように設けられた下地膜２４と、下地膜２４の内側で、貫通孔Ｈ３に埋め込まれた導電材料からなる貫通電極３０と、を具備した半導体装置１００において、貫通孔Ｈ３の側面と電極パッド１２の裏面との角部２３ａに、第二絶縁膜２３がフィレット状に形成されている （もっと読む）

【課題】半導体装置のゲートパターンの寸法精度を高める。
【解決手段】被加工膜に所定のパターンを形成する際に、被加工膜上に、第１の膜、第２の膜、および第３の膜がこの順で積層された積層ハードマスク膜を形成し（Ｓ１００）、微細パターン用レジスト膜を用いて第２の膜をエッチングストッパとして第３の膜に細幅ラインパターンを形成し（Ｓ１０２）、微細パターン用レジスト膜を除去する（Ｓ１０４）。つづいて、再度レジスト膜を用いた露光を行い（Ｓ１０６〜Ｓ１１０）、第２の膜、第１の膜および被加工膜を順次選択的にドライエッチングして被加工膜を所定のパターンに形成する（Ｓ１１２）。その後、被加工膜上に残った第１の膜を除去する（Ｓ１１４）。 （もっと読む）

【課題】露光装置での微細化を単純に進めることが困難な状況において、コンタクトホールの微細化を簡単に実現する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に形成された絶縁膜とを有する表示装置であって、前記絶縁膜は、貫通孔を有し、前記貫通孔は、平面で見たときに、４つの角部が丸みを帯びた矩形形状であり、前記４つの角部のうち、第１の角部及び前記第１の角部の対角に位置する第２の角部は、残りの第３の角部及び第４の角部よりも曲率が大きい。前記第１の角部と前記第２の角部は、曲率が互いにほぼ等しく、前記第３の角部と前記第４の角部は、曲率が互いにほぼ等しい。 （もっと読む）

【課題】 有機膜パターンへの２回目以降の現像処理をスムーズに行うことなどを可能とする基板処理方法及びそれに用いる薬液を提供する。
【解決手段】 基板１上の有機膜パターン４の表面には、有機膜パターン４の表層部が変質してなる変質層と、該有機膜パターンの表面上に堆積物が堆積してなる堆積層と、のうちの少なくとも一方からなる阻害層が形成されている。この場合に、少なくとも前記阻害層を除去する除去処理に用いられる薬液であって、ヒドロキシルアミン誘導体とヒドラジン誘導体とのうちの少なくとも一方からなる第１の成分と、現像機能液成分と、を含む水溶液である。 （もっと読む）

【課題】配線とコンタクトビアとの接触部分におけるコンタクト抵抗を低減させること。
【解決手段】上面の少なくとも一部の領域において、両側壁の一方側が細くなったテーパー部２ａを有するとともに、他方側が平坦になった平坦部２ｂを有する配線２と、テーパー部２ａの少なくとも一部を含む領域上に形成されるとともにテーパー部２ａと接触するコンタクトビア４と、を備える。 （もっと読む）

2倍以上のピッチマルチプリケーションのための単一スペーサープロセスが提供される。一実施形態では、n（n≧2）層の積層マンドレル（150b）、（140a）が基板の上に形成され、n層の各々は互いにほぼ平行な複数のマンドレル（150b）、（140a）から構成される。第n層のマンドレル（150b）は第n-1層のマンドレル（140a）の上にあり、平行で、第n層の隣接マンドレル間の距離は第n-1層の隣接マンドレル間の距離よりも大きい。スペーサー（185）はマンドレル（150b）、（140a）の側壁に接して同時に形成される。マンドレル（150b）、（140a）の露出部分はエッチングで除去され、スペーサー（185）によって画定されるラインのパターンが基板（110）に転写される。
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【課題】フォトマスクやレジストを使用することなく、薄膜加工を簡単な工程で精度良く行う方法、また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板１００上に第１の層１０１を形成し、第１の層１０１上に光吸収層１０３を形成し、光吸収層１０３に選択的にレーザビーム１０５を照射する。光吸収層１０３がレーザビーム１０５のエネルギーを吸収することで、光吸収層１０３内における気体の放出、光吸収層１０３の昇華または蒸発等により、一部が物理的に解離する。即ち、光吸収層の一部にレーザビーム１０５を照射し、当該照射領域の一部を除去する。残存する光吸収層１１３をマスクとして用いて、第１の層１０１をエッチングすることにより、従来のフォトリソグラフィー技術を用いずとも、第１の層１０１を所望の場所及び形状に加工することができる。 （もっと読む）

酸化ケイ素層などの層間誘電体層（130）は、ケイ素種とハロゲン種、また好ましくは炭素種と酸素種を含む、プラズマ化学エッチングを用いて選択的にエッチングされる。ケイ素種は、Si_xM_yH_zなどのケイ素化合物から生成することができ、“Si”はケイ素、“M”は一つ以上のハロゲン、“H”は水素であり、x≧1、y≧0、z≧0である。炭素種はC_αM_βH_γなどの炭素化合物から生成することができ、“C”は炭素、“M”は一つ以上のハロゲン、“H”は水素であり、α≧1、β≧0、γ≧0である。酸素種はO₂などの酸素化合物から生成することができ、これは炭素と反応して揮発性化合物を形成し得る。
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