磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスおよび製作方法が、開示される。特定の実施形態では、底部キャップ層および垂直軸を有する底部金属充填トレンチを含む構造体上に磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスを形成するステップを含む方法が、開示され、磁気トンネル接合デバイスは、底部電極、磁気トンネル接合層、磁気トンネル接合シール層、上部電極、およびロジックキャップ層を含み、磁気トンネル接合デバイスは、垂直軸からオフセットしているＭＴＪ軸を有する。
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【課題】
ボディ・コンタクトを半導体オン・インシュレータ・デバイスに設け、それにより、デバイスに寄生容量の低減をもたらすこと。
【解決手段】
１つの実施形態において、本発明は、絶縁層の上を覆うように配置された半導体層を含む基板であって、半導体層は、半導体ボディと、半導体ボディの外周の周りに存在する分離領域とを含む基板と、基板の半導体層の上を覆うゲート構造体であって、半導体ボディの上面の第１の部分上に存在するゲート構造体と、非シリサイド半導体領域によって半導体ボディの第１の部分から分離される半導体ボディの第２の部分と直接物理的に接触しているシリサイド・ボディ・コンタクトとを含む、半導体デバイスの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】側壁転写加工技術を用いる場合に、転写用のマスクが非対称な形状となることに起因した不具合を極力防止する
【解決手段】半導体基板１上に形成したシリコン酸化膜４にコンタクトプラグ５を形成し、シリコン窒化膜６、シリコン酸化膜７を積層し、芯材用膜を積層して芯材パターンに加工する。上面に非晶質シリコン膜を形成してスペーサ加工をしてマスクパターンを形成する。このとき、マスクパターンは、芯材パターンを挟んで対向するペア部の間隔に対して隣接部の間隔が小さくなるように形成される。芯材パターン除去の後、マスクパターンをマスクとしてシリコン酸化膜７、シリコン窒化膜６を加工して配線溝パターンを形成し、内部に導体膜８，９を埋め込み、埋め込み配線１０ａ、１０ｂを形成する。埋め込み配線１０ｂは、上部で配線幅が広く形成されている。 （もっと読む）

【課題】難エッチング材料を不活性ガスによりエッチングする際に残渣なく加工する方法を提供する。
【解決手段】難エッチング性の金属薄膜２上に、断面形状がハンマーヘッド型となるようにレジスト４を形成した後に前記金属薄膜をドライエッチングし、その後前記レジストを除去する。前記ハンマーヘッド型の断面形状を有するレジストパターンは、現像液に対する溶解速度が異なる２種類のレジストを積層塗布して露光・現像することによって得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は複数のメモリセルを含むメモリセル領域を備える半導体装置に関し、メモリセルブロックに含まれる全てのメモリセルに安定した特性を付与することを目的とする。
【解決手段】半導体装置の複数の層に、半導体装置の機能上必要なパターンである機能パターン１００と、機能上は不必要なダミーパターン１０２とを形成する。シリコン基板８０と機能パターン１００との間、あるいは機能パターン１００相互間には、所望の配線構成を形成するためプラグ１０４が形成されている。一方、各層のダミーパターン１０２間には、ダミーパターン１０２を所定電位の端子に導通させるためのダミープラグ１０６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高速電子による有機膜の改質効果を十分に発揮することができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】プラズマエッチングによりエッチング対象膜にホールを形成するにあたり、プラズマ生成用高周波電力印加ユニットをオンにして処理容器内にプラズマを生成する第１条件と、プラズマ生成用高周波電力印加ユニットをオフにして処理容器内のプラズマを消滅させる第２条件とを交互に繰り返し、第１の直流電源から、第１条件の期間よりも第２条件の期間のほうが印加電圧の絶対値が大きくなるように負の直流電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ法の露光解像限界を超えた寸法を有するパターンの形成において、工程数を削減し、製造コストを抑えることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、被加工膜２上に、被加工膜２を加工する際のマスク材となる膜をＣＶＤ法によって形成するに当って、第１の温度条件でマスクとして機能する第１の領域３を形成し、第１の領域３上に、同一チャンバー内にて第１の温度条件を変えた第２の温度条件で反射防止膜として機能する第２の領域４を形成し、第１および第２の領域３、４からなる第１のマスク材膜５を形成する工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】貫通配線が断線しにくい信頼性の高い半導体装置１および前記半導体装置１の製造方法を提供する。
【解決手段】電気回路１１が形成された第１の主面１０Ａと第１の主面１０Ａと対向する第２の主面１０Ｂとを有し第１の主面１０Ａと第２の主面１０Ｂとを貫通する貫通孔１０Ｃのある半導体基板１０と、電気回路１１と接続された複数の導体配線層１２と、貫通孔１０Ｃの第１の主面１０Ａの開口部である貫通孔開口部と同じ位置に同じ大きさの絶縁層開口部のある複数の層間絶縁層１３と、を有する多層配線層１４と、導体配線層１２と接続され絶縁層開口部を覆う電極パッド１６と、貫通孔内に形成され電極パッド１６と接続した貫通配線層１９Ａと、貫通配線層１９Ａと一体に形成された接続用配線層１９Ｂと、有する引き出し配線層１９と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】側壁転写プロセスによりパターンを形成するときに、被加工膜の加工形状差を抑制できるようにする。
【解決手段】シリコン窒化膜１０の上にシリコン酸化膜１１を形成し、リソグラフィによりパターニングし、シリコン酸化膜１１をスリミング技術によりスリミングし、シリコン酸化膜１１の上面および側面並びにシリコン窒化膜１０の上面上に沿って非晶質シリコン膜１３を堆積する。非晶質シリコン膜１３を異方性エッチング処理することでシリコン酸化膜１１の側面に沿ってスペーサ状に残留させる。次に、シリコン酸化膜１１の上端１１ａが非晶質シリコン膜１３の上端１３ａよりも低くなるようにエッチング処理し、非晶質シリコン膜１３の上面１３ｂを上に凸となる湾曲面に形成する。 （もっと読む）

【課題】ホールの上面形状を整えて線条痕をなくすと共に、ボトム形状に歪みがなく、しかもボーイング形状の発生を防止して良好な垂直加工形状のホールを処理対象層に形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理ガスとしてＣＦ_４ガス、ＣＨＦ_３ガス及びＣ_４Ｆ_８ガスを含有する混合ガスを用い、処理圧力１００ｍＴｏｒｒ（１．３３×１０Ｐａ）〜１５０ｍＴｏｒｒ（２．０×１０Ｐａ）で中間層としてのＢＡＲＣ膜５３をエッチングし、次いで、処理ガスとしてＣＯＳガス含有ガスを用いて下層レジスト層としてのＡＣＬ５２をエッチングし、その後、処理ガスとしてＣ_６Ｆ_６ガス含有ガスを用いて処理対象層としての酸化膜５１をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィの露光解像限界未満の寸法を有するパターンを形成するための工程数を削減し、また、歩留まりを向上させる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被加工材上に第１のレジスト材からなる第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジスト材が感光するエネルギー線を前記第１のレジストパターンに照射する工程と、前記エネルギー線を照射後に前記第１のレジストパターンのベーク処理を行う工程と、前記被加工材上に前記第１のレジストパターンを覆うように被覆膜を形成する工程と、前記ベーク処理後に前記被覆膜上に第２のレジスト材からなる第２のレジストパターンを形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】スケーリングされたフラッシュメモリ装置で低いビット線コンタクト抵抗を容易にする、改良されたフラッシュメモリ装置の製造技術が必要とされている。
【解決手段】 半導体装置ウェハ上でエッチマスクの一連の開口部をパターニングする際に使用するためにリソグラフィマスク上に光学的特徴を作るための方法（２１０）が提供され、この方法は、第１の方向に沿ってリソグラフィマスク上で互いから間隔をあけられた一連の光学的特徴を作るステップ（３００，３１０）を含み、個々の光学的特徴は、エッチマスクにパターニングされる開口部に対する所望の第１の寸法より小さい第１の方向に沿った第１のマスク特徴寸法を有する。 （もっと読む）

【解決手段】
半導体デバイスのメタライゼーションシステムにおいて、対応するエッチングシーケンスを修正することによって、増大された程度の先細りを伴う遷移ビアを設けることができる。例えば、ビア開口を形成するためのレジストマスクが、対応するマスク開口の横方向サイズを増大するために、１回又は数回侵食されてよい。明白な程度の先細りにより、ビア開口及びそれに接続される幅広の溝を共通的に充填するための後続の電気化学的堆積プロセスの間、強化された堆積条件が達成され得る。 （もっと読む）

【課題】側壁加工プロセスを用いて形成されたラインアンドスペースパターンを備える構成について、生産性の向上を可能とする、半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１のピッチの第１の層を形成し、第１の層の側壁に第２の層を形成し、第２のピッチのライン部及びスペース部を備える第１のパターン構造体を形成し、第１のパターン構造体のスペース部のうち、第１の層のスペース部に由来する第１のスペース部の幅Ｓｘと、第１の層のライン部に由来する第２のスペース部の幅Ｓｙとから、第１のパターン構造体のライン部の位置ずれ量を計測し、第１のパターン構造体と、第１のパターン構造体に重ね合わせて形成される第２のパターン構造体との合わせ規格を、位置ずれ量に基づいて動的に補正し、第１のパターン構造体及び第２のパターン構造体の合わせずれが、補正後の合わせ規格に適合するか否かを判定することを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体装置の製造方法等に関し、ハードマスクを用いることなくエッチング加工が可能となる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、ゲート絶縁膜及び素子分離膜２の上にゲート電極３を形成する工程と、第１の層間絶縁膜４を形成する工程と、第１のＡｌ合金膜からなるＡｌ合金配線５を形成する工程と、第２の層間絶縁膜６を形成する工程と、第２のＡｌ合金膜７ａを形成する。次いで、第２のＡｌ合金膜７ａ上にレジストパターン８ａを形成する工程と、レジストパターン８ａにフロロカーボン系ガスを用いたプラズマ処理を行うことにより、レジストパターンの表面に硬化層８ｂを形成する工程と、硬化層８ｂが表面に形成されたレジストパターンをマスクとして異方性エッチングを行うことにより第２のＡｌ合金膜７ａを加工する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置における基板貫通電極の形成において、貫通電極形成用穴内部にバリア層やめっきのためのシード層を成膜する際、貫通電極穴内部の成膜レートと、基板平面部の成膜レートが大きく異なるために、貫通電極形成用穴内部で所定の膜厚を得ようとすると、基板平面部には必要以上の厚みをもった膜が形成されてしまう。結果として、後工程でのウエットエッチングによる配線パターニングの際に、基板横方向へのエッチング液の入り込みによる大幅な寸法シフトが発生し、微細化の妨げとなっている。
【解決手段】貫通電極形成用穴の開口部を除く基板平面部にフォトレジストを形成してから成膜を行い、成膜後にフォトレジスト表面に付着した膜と共にフォトレジストを除去することで、貫通電極形成用穴内部に付着した薄膜は残したまま基板平面部を露出され、改めて基板平面部に必要分だけ成膜を行うことで課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】レジスト開口寸法を、許容範囲内にすることができ、レジスト開口寸法のバラツキを、少なくすることができる。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下地膜を形成した後、その上に所定の開口を有するレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクとして、下地膜を加工する工程を含み、下地膜の膜厚を考慮してレジスト膜の膜厚を決定するものである。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの更なる微細化及び高集積化が進んでも、リソグラフィー及びエッチングにより被加工対象の極めて高い寸法精度を達成し、信頼性の高い電子デバイスを実現する。
【解決手段】被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定のエッチング条件で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状（膜厚及びテーパ角度）を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。 （もっと読む）

【課題】芯材パターンの側壁に形成するマスク材を利用したパターン形成において工程数を削減できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、露光により酸を発生する酸発生剤を含む芯材パターン１５を下地膜上に形成する工程と、芯材パターン１５における長手方向の端部１５ａを除く部分を選択的に露光する工程と、芯材パターン１５から酸の供給を受けて架橋可能なマスク材１６を芯材パターン１５を覆うように下地膜上に供給する工程と、マスク材１６をエッチバックして、芯材パターン１５の上面を露出させると共に、マスク材１６における芯材パターン１５の端部１５ａに形成された部分を除去し、芯材パターン１５の側壁に形成されたマスク材側壁部１６ａを残す工程と、芯材パターン１５を除去し、下地膜上に残されたマスク材側壁部１６ａをマスクにして下地膜を加工する工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチングを採用した場合でも、未エッチング部分を発生させずに微細なパターンを形成することができる電気的固体装置の製造方法、電気的固体装置、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板上に、スリット７ｂを備えた透光性の画素電極７ａを形成するにあたって、透光性導電膜７の上にレジストマスク９６を形成した後、ウエットエッチングを行なう。レジストマスク９６において、マスク開口部９６ｂを挟むマスク線状部９６ｅの側面部９６ｆは斜め上向きのテーパ面になっている。 （もっと読む）