【課題】微細なラインアンドスペースパターンを含むパターンを精度良く形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、被加工膜（被加工材）１上に芯材４を形成する工程と、芯材４の上面および側面を覆うように第２の膜（被覆膜）５を形成する工程と、第２の膜５を形成した後、芯材４を除去する工程と、芯材４を除去した後、第２の膜５を芯材４の側面に位置していた部分を残して除去し、側壁スペーサーマスク７に加工する工程と、側壁スペーサーマスク７をマスクとして用いて、被加工膜１をエッチング加工する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板上の凹部が形成された層間絶縁膜の露出面にバリア膜を成膜し、凹部内に下層側の金属配線と電気的に接続される銅配線を形成するにあたり、段差被覆性の良好なバリア膜を形成することができ、しかも配線抵抗の上昇を抑えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜に形成された凹部２１の底面に露出した下層側の銅配線１３の表面の酸化膜を還元あるいはエッチングして、当該銅配線１３の表面の酸素を除去した後、マンガンを含み、酸素を含まない有機金属化合物を供給することによって、凹部２１の側壁及び層間絶縁膜の表面などの酸素を含む部位に自己形成バリア膜である酸化マンガン２５を選択的に生成させる一方、銅配線１３の表面にはこの酸化マンガン２５を生成させないようにして、その後この凹部に銅を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】基板の凹凸を維持しながら、堆積技術よりも低コスト、かつ、高スループットでコンフォーマルな膜を成膜し、パターンを形成するパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】凹凸を有した下地層上に、この下地層の凹凸に沿って触媒膜３を成膜する工程と、触媒膜３上に、流動性材料を塗布して塗布膜４を成膜する工程と、塗布膜４を触媒膜３に沿って反応させ、塗布膜４内に、溶剤に対して不溶な不溶化層５を形成する工程と、溶剤を用いて塗布膜４の未反応部分を除去し、不溶化層５を残す工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】炭素系ハードマスクの形成において、垂直形状に優れたパターンを形成することができる炭素系ハードマスクの形成方法を提供する。
【解決手段】処理ガスが、式（１）：ＣｘＨｙＦｚ〔式中、ｘは３〜６のいずれかの整数を表し、ｙは１〜４のいずれかの整数を表し、ｚは正の整数を表し、かつ、（ｙ＋ｚ）は２ｘ以下である。〕で表されるフッ素化炭化水素を含むことを特徴とするハードマスク形成方法。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィー工程を２回行って配線を形成する際のレジストパターン剥がれを防止する。
【解決手段】第１の配線５１と第１の配線５１を覆う層間絶縁層３０とが形成された基板１０上に、隣り合うように延在する複数本の第２の配線５２を第１の配線５１と交差するように形成する電気光学装置の製造方法であって、基板１０上に導電材料層５０を形成する第１の工程と、導電材料層５０をパターニングして第２の配線５２を形成する第２の工程と、第２の配線５２を、互いに離間しているレジストパターン２０で覆う第３の工程と、レジストパターン２０で覆われていない領域に残る導電材料層５０をエッチングする第４の工程と、を含み、第３の工程はレジストパターン２０がブリッジ２２により隣り合うレジストパターン２０と互いに連結されるように形成する工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の配線間容量を低減する。
【解決手段】半導体装置７０には、積層形成される配線膜６及び１０から構成される配線層が設けられる。キャップ膜３上に形成される層間絶縁膜４の第１の開口部には、配線膜６が埋設される。配線膜６の底部及び側面部にはバリアメタル膜５が設けられる。層間絶縁膜４及び配線膜６上に形成されるキャップ膜７及び層間絶縁膜８の第２の開口部には、配線膜１０が埋設される。配線膜１０の底部及び側面部にはバリアメタル膜９が設けられる。層間絶縁膜８及び配線膜１０上に形成される。配線膜１０は配線膜６上に設けられ、配線膜１０の端部は配線層６の端部よりも内側に設けられる。 （もっと読む）

【課題】簡易な手順で平面視で矩形形状を有するコンタクトを形成する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜１０８上に下層レジスト膜１１０を形成する工程と、下層レジスト膜１１０に、平面視で円形形状を有する第１の開口部と、当該第１の開口部の四方にそれぞれ配置された第２から第５の開口部とを形成する工程と、下層レジスト膜１１０をマスクとして層間絶縁膜１０８をエッチングする工程とを含む。層間絶縁膜１０８をエッチングする工程において、下層レジスト膜１１０の第１の開口部と、第２から第５の開口部とがそれぞれ隣り合う領域に硬化層１３２を形成し、硬化層１３２をマスクとして、層間絶縁膜１０８のエッチングを行い、層間絶縁膜１０８において、下層レジスト膜１１０の第１の開口部に対応する箇所に平面視で矩形形状を有するコンタクトホール１２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された低誘電率絶縁膜の比誘電率を向上させることができる、基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、ウエハＷをほぼ水平に保持するスピンチャック２と、スピンチャック２に保持されたウエハＷの表面付近の雰囲気をその周囲から遮断するための遮断板３とを備えている。遮断板３の下面には、シリル化剤（ＨＭＤＳガス）を吐出するためのシリル化剤ノズル１１と、窒素ガスを吐出するための窒素ガス吐出口１５とが形成されている。遮断板３がスピンチャック２に保持されたウエハＷの表面に対向配置された状態で、窒素ガス吐出口１５からウエハＷと遮断板３との間に窒素ガスが供給される。また、遮断板３がスピンチャック２に保持されたウエハＷの表面に対向配置された状態で、シリル化剤ノズル１１からウエハＷと遮断板３との間にシリル化剤が供給される。 （もっと読む）

【課題】化学エッチング液の膜を通じた拡散による犠牲膜材料の分解により、微細構造のエアギャップを形成する。
【解決手段】微細構造に少なくとも一つのエアギャップ３５を製造する方法として、（ａ）犠牲材料で充填された少なくとも一つのギャップ３５を備えた微細構造を提供し、前記ギャップ３５は非透過性膜であるが犠牲材料を分解する性質を有する化学エッチング液の作用により透過性膜へと転換し得る膜３３によりその表面の少なくとも一部分を覆われ画定される工程と、（ｂ）膜３３を透過性へと転換させ犠牲材料を分解するために前記化学エッチング液と微細構造とを接触させる工程と、（ｃ）微細構造から化学エッチング液を除去し、前記化学エッチング液はフッ化水素酸及び／又はフッ化アンモニウムを含む流体である工程を含む。 （もっと読む）

【課題】配線の加工精度を、十分に向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置１の製造方法は、半導体基板２上に金属配線層３ａを形成する工程と、金属配線層３ａ上の所定領域にレジストパターン４を形成する工程と、レジストパターン４の一部の耐熱性を向上させることにより、レジストパターン４の少なくとも側壁部に、高耐熱性領域４ａを形成するとともに、高耐熱性領域４ａに挟まれた部分に、レジストパターン４の下面から上面に達するように、高耐熱性領域４ａよりも低い耐熱性を有する非高耐熱性領域４ｂを形成する工程と、レジストパターン４をマスクとして金属配線層３ａをエッチングすることにより、金属配線３を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】露光装備の最大解像度より微細なパターンを形成すること。
【解決手段】半導体基板上に第１のエッチングマスクパターンを形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターンに対応する段差を維持し得る厚さで第１のエッチングマスクを含む上記半導体基板上に補助膜を形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターンの側壁に形成された上記補助膜の間の空間に第２のエッチングマスクパターンを形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターン上に形成された上記補助膜を除去して両端の下部が互いに連結されて上記両端が上部に突出した第１の補助膜パターンを形成する段階と、上記第１のエッチングマスクパターン及び上記第２のエッチングマスクパターンを除去する段階及び上記第１の補助膜パターンの上記両端が隔離されるように上記両端間をエッチングして第２の補助膜パターンを形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】基板上の膜にプラズマエッチングにより平行なライン状のパターンを形成するエッチング方法において、露光解像度以上に微細化したパターンの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上の酸化膜２１上に、窒化膜２２、酸化膜２３、窒化膜の３層からなるマスク層を形成する。幅と間隔の等しく形成した窒化膜のマスクパターンの側壁にアモルファスシリコン層を堆積し、異方性エッチングにより側壁膜を形成する。これをマスクとして酸化膜２３をエッチングする。この上にアモルファスシリコン３８を堆積し、異方性エッチングにより側壁膜を形成する。これをマスクとして窒化膜２２をエッチングし、窒化膜２２からなる微細なマスクとする。 （もっと読む）

【課題】工程を増やすことなく、１枚のマザーガラス基板上に所望の部分にそれぞれ精密に配線の側面の角度を異ならせた配線を提供することを課題とする。
【解決手段】多階調マスクを用いることで１つのフォトレジスト層を１枚のマザーガラス基板から遠ざかる方向に向かって断面積が連続的に減少するテーパ形状を有するフォトレジスト層を形成する。１本の配線を形成する際、１枚のフォトマスクを用い、金属膜を選択的にエッチングすることで、場所によって側面形状（具体的には基板主平面に対する角度）が異なる１本の配線を得る。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストパターンの側壁にスペーサ膜を形成し、スペーサをエッチングマスクとして用いて微細金属パターンを形成すると同時に、金属配線の断線部分は前記フォトレジストパターン間の間隔を狭めて前記スペーサが接し合うようにし、微細金属パターンが形成されることを防止する半導体素子の金属配線方法の提供。
【解決手段】半導体基板上に絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜を含んだ全体構造上に複数（多数）の平行なフォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンの側壁にスペーサを形成する段階と、前記フォトレジストパターンを除去して前記絶縁膜を露出させる段階と、前記露出する絶縁膜をエッチングしてダマシンパターンを形成する段階と、前記スペーサを除去する段階と、前記ダマシンパターンを含んだ全体構造上に金属物質を形成した後、平坦化して金属配線を形成する段階とを含む、半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 （もっと読む）

シリコン系ハードマスク組成物を提供する。ハードマスク組成物は、（ａ）有機シラン重合体および（ｂ）溶媒を含む。有機シラン重合体は式１で示される：


式１において、ｘ、ｙ、ｚは、前記重合体中、繰り返し単位（ＳｉＯ_１．５−Ｙ−ＳｉＯ_１．５）、（Ｒ_３ＳｉＯ_１．５）および（ＸＳｉＯ_１．５）のの相対的な比を示し、０．０５≦ｘ≦０．９、０．０５≦ｙ≦０．９、０≦ｚ≦０．９並びにｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満たし；ｅおよびｆは、それぞれ、前記重合体中２ｘ＋ｙ＋ｚ個のケイ素（Ｓｉ）原子数に対する、ケイ素（Ｓｉ）原子に結合している末端−ＯＨ基および−ＯＲ基の数の比を示し、０．０３≦ｅ≦０．２および０．０３≦ｆ≦０．２５を満たし；Ｘは、少なくとも１の置換または非置換の芳香族環を含有するＣ_６〜Ｃ_３０の官能基であり；Ｒ_３はＣ_１〜Ｃ_６のアルキル基であり；Ｙは、芳香族環、置換もしくは非置換の直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１〜Ｃ_２０アルキレン基、主鎖に少なくとも１の芳香族環もしくはヘテロ環を含むか、または、主鎖に少なくとも１の尿素基もしくはイソシアヌレート基を含む、Ｃ_１〜Ｃ_２０のアルキレン基、および、少なくとも１の多重結合を含むＣ_２〜Ｃ_２０の炭化水素基からなる群より選択される連結基であり；Ｒ_６はＣ_１〜Ｃ_６のアルキル基である。 （もっと読む）

【課題】整列誤差の発生のない、露光装備の解像度より微細なパターンを有する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】コンタクトホールパターンのピッチより２倍大きいピッチで第１のエッチングマスクパターン１１３ａを形成する。このパターンの側壁に補助膜を形成し、これをエッチングすることにより、第１のエッチングマスクパターン間に第２のエッチングマスクパターン１２１ａを自動整列方式で形成する。第１及び第２のエッチングマスクパターンで下部のハードマスク１０９をエッチングし、ハードマスクパターンを形成する。これをマスクにエッチング対象膜である層間絶縁膜１０７をエッチングしコンタクトホールを形成する。 （もっと読む）

本発明は、多重深さインプリントリソグラフィマスクおよびダマシンプロセスを用いて３次元メモリアレイを形成するシステム、装置および方法を提供する。３次元メモリ内のメモリ層製造用のインプリントリソグラフィマスクが説明される。マスクは、ダマシンプロセスで用いられる転写材料内のインプリントを作製するためのフィーチャが形成される半透明材料を含む。マスクは複数のインプリント深さを有し、少なくとも１つのインプリント深さはメモリ線形成用の溝に対応し、少なくとも１つの深さはビア形成用の孔に対応する。この他にも数々の態様が開示される。
（もっと読む）

【課題】半導体装置を製造する際、側壁加工プロセスで形成される不要な配線を介したショートの発生を防ぎ、マイクロローディング効果やディッシング現象の発生を防ぐ。
【解決手段】基板上に被加工絶縁性膜を形成し、前記基板に設けられる素子を接続する第１の配線が配置される第１のエリアに前記第１の配線を形成するためにパターニングされた第１の犠牲膜を形成し、ダミー配線が配置される第２のエリアに前記ダミー配線を形成するためにパターニングされた第２の犠牲膜を形成し、前記第１の犠牲膜の側壁に形成される第３の犠牲膜と前記第２の犠牲膜の側壁に形成される第４の犠牲膜とを、分離した膜として形成し、前記第３の犠牲膜と前記第４の犠牲膜とをマスクとして前記被加工絶縁性膜をエッチングして凹部を形成し、導電性材料を前記凹部に埋め込むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】平面上で垂直方向と水平方向にライン状のパターニング工程のみを行って露光装備の解像度以下に稠密に配列されたハードマスクパターンを形成すること。
【解決手段】半導体基板上に第２のハードマスクパターン１０７ａを形成する段階と、第２のハードマスクパターン１０７ａと交差する第１のパターン１１５ａと第２のハードマスクパターン１０７ａ間に位置する第２のパターン１１５ｂを含む第３のハードマスクパターンを形成する段階と、第１のパターン１１５ａ間に第４のハードマスクパターン１２３ａを形成する段階と、を含む半導体素子のハードマスクパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】エッチ処理に高アスペクト比を適用するための異方性特徴部を形成する方法を提供する。本願に記載の本方法は高アスペクト比の特徴部のプロファイルと寸法の制御を円滑に行い、有利である。
【解決手段】一実施形態において、基板上で誘電体層を異方性エッチングする方法は、誘電体層上にパターンマスク層が配置された基板をエッチチャンバ内に配置し、少なくともフッ素・炭素含有ガスとケイ素・フッ素ガスを含むガス混合物をエッチチャンバに供給し、ガス混合物から形成したプラズマの存在下で誘電体層に特徴部をエッチングすることを含む。 （もっと読む）