【課題】 何ら不具合が発生することなく、半導体基板に貫通電極が設けられた構造の貫通電極付基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 仮基板１０上に、該仮基板１０から剥離できる状態で金属ポスト１８ａを形成する工程と、金属ポスト１８ａに対応する位置に貫通孔２０ｘが設けられた正規の基板２０を仮基板１０の上に配置することにより、正規の基板２０の貫通孔２０ｘに仮基板１０上の金属ポスト１８ａを挿入する工程と、仮基板１０を金属ポスト１８ａから剥離することにより、正規の基板２０を貫通する金属ポスト１８ａからなる貫通電極１８を得る工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 基板を貫通する貫通配線などの導電材層と基板との間に安定して絶縁材層を形成することができ、また導電材層の厚みを均一にして貫通配線を安定して形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１に半導体基板１１の一方の表面部２１側から半導体基板１１の厚み方向に延びる筒状の絶縁材充填用孔２５を形成して、絶縁材充填用孔２５の内方に、残留する半導体基板１１からなる柱状体２６を形成する。形成された絶縁材充填用孔２５に絶縁材料を充填して筒状の絶縁材層２７を形成した後、柱状体２６を除去して絶縁材層２７の内方に柱状の導電材充填用孔２９を形成する。形成された導電材充填用孔２９に導電材料を充填して、絶縁材層２７で囲繞された導電材層３０を形成する。これによって、導電材層３０と半導体基板１１との間に絶縁材層２７を安定して形成することができる。また導電材層３０の厚みを均一にすることができる。 （もっと読む）

本発明の電解研磨電解質は酸溶液および少なくとも１個のヒドロキシル基を有するアルコール添加剤を含有し、その際アルコール添加剤の接触角が電解研磨下の金属層上の酸溶液にお接触角より小さい。アルコール添加剤はメタノール、エタノールおよびグリセリンから選択され、酸溶液が燐酸を含有する。グリセリンと燐酸の体積比は１：５０〜１：２００であり、有利に１：１００である。メタノールと燐酸の体積比は１：１００〜１：１５０であり、エタノールと燐酸の体積比は１：１００〜１：１５０である。酸溶液は更に酢酸およびクエン酸からなる群から選択される有機酸を含有する。酢酸の濃度は１００００〜１２０００ｐｐｍであり、クエン酸の濃度は５００〜１０００ｐｐｍである。
（もっと読む）

半導体ウエハ上に形成された金属層を適応的に研磨する。金属層の一部分が電解研磨され、金属層のその他の部分が別個に電解研磨される。電解研磨の前に、金属層の研磨部分の厚さの測定値が決定される。電解研磨量は厚さの測定値に基づいて調整される。半導体ウエハ上に形成される金属層が研磨され、その金属層は障壁層上に形成されており、障壁層は凹部領域と非凹部領域を有する誘電体層上に形成され、さらに金属層は凹部領域と非凹部領域をカバーする。非凹部領域をカバーする金属層を取り除くために金属層が研磨される。凹部領域中の金属層を非凹部領域以下の高さにまで研磨するが、この高さは障壁層の厚さと等しくあるいはそれよりも大きい。
（もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法に関し、ウェーハ周辺のエッジリンスやＣＭＰ法に依る研磨を行っても、多層配線構造に於ける構成材料の剥離に起因する異物の発生が抑制されて、高品質の半導体装置を高い歩留りで製造することができ、併せて、ビアホールや配線溝を形成するエッチングを行った場合、Ｃｕ層に損傷が発生しないようにする。
【解決手段】 多層配線を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、第１の低誘電層３と第２の絶縁層４とに形成した第１の配線溝を埋めるＣｕからなる第１の配線７Ａは、そのウェーハ周辺側端縁がハードマスクを兼ねる第１の低誘電層３のウェーハ周辺領域側端縁を越えるように形成し、その後、第１の配線７Ａを保護する為に形成する第１のブロック層８が第１の低誘電層３と接触することがないようにし、以下、絶縁層を介して上記低誘電層以下の積層及び加工の工程を繰り返して多層配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 配線金属膜の表面を酸化や汚染などのダメージから保護し、その後の平坦化工程をより容易しつつ、配線を形成できるようにする。
【解決手段】 絶縁膜内に配線用凹部４２を形成し表面をバリア膜４４で覆った基板Ｗを用意し、基板Ｗの表面に配線金属膜４８を形成して配線用凹部４２内に配線金属を埋込み、配線金属膜４８の表面に高分子保護膜５０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの貫通孔部分のメッキ加工等の加工を容易にかつ良好に行うことができ、生産効率良く良好な半導体装置を製造することができる半導体ウエハ支持板及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ支持板１は、紫外線が透過可能なガラス若しくは樹脂から略円板状に形成され、その外径は、支持する半導体ウエハ１０の外径より大きく設定されている。半導体ウエハ支持板１には、半導体ウエハ１０に形成されている複数の貫通孔１１に対応して、複数の開口２が形成されている。これらの開口２は、貫通孔１１の開口面積よりも開口面積が広く、すなわち、開口径が大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】 液滴吐出装置から液滴を吐出してＴＦＴ用ソース電極またはドレイン電極を設けること。
【解決手段】 配線パターン形成方法は、バンクパターンに縁取られたパターン形成領域における所定のセクションへ液状の導電性材料の液滴を吐出して、パターン形成領域を覆う導電性材料層を形成するステップ（Ａ）を含んでいる。セクションのＸ軸方向に沿った長さをＬとし、Ｙ軸方向に沿った長さをＭとすると、吐出される液滴の直径φは、Ｌ以下であるとともに、Ｍ以下である。そして、ステップ（Ａ）は、バンクパターンから少なくとも直径φの１／２倍離れた位置に液滴の中心が当たるように、液滴を吐出するステップ（ａ１）を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】電解研磨のためのシステムと方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体ウェハの導電性表面を電解研磨する処理を提供する。この処理中、コンタクト溶液中のコンタクト電極は、導電層の表面上のコンタクト領域にコンタクト溶液を接触させる。さらに、この処理中、処理溶液中の処理電極は、導電性表面上の処理領域に処理溶液を接触させ、同時に、コンタクト電極と処理電極との間に電位差を与えて、処理領域の導電層の表面を電解研磨する。
（もっと読む）

【課題】 ヒューズの飛び散りを原因とする、回路素子、配線、及び半導体基板に対する損傷を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】 表面に回路素子が設けられた半導体基板上に絶縁層が形成され、絶縁層上にレーザートリミングされるヒューズが形成され、ヒューズ上に保護膜が形成されてなる半導体装置であって、ヒューズ近傍に少なくとも１以上の空洞を形成してなる。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置の内部で発生する熱を効率よく外部へ発散させることによって半導体素子の動作特性の劣化を防止することができる半導体装置及びこの半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
表面に半導体素子を形成した半導体基板の裏面全体に放熱電極を形成し、この放熱電極に導通するバイアホールを形成した半導体装置を製造する際に、半導体基板の裏面に凹部を形成し、その後、この凹部とバイアホールの内面とに放熱電極を形成することによって放熱電極に凹部を設けた。 （もっと読む）

【課題】 ボンディング工程、ＣＭＰ工程、熱応力等による機械的衝撃やウエハの変形によるビアの変位を小さく制御できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１配線２２と、第１配線２２の上に配置された低誘電率絶縁膜３１０と、低誘電率絶縁膜３１０の中に第１配線２２と接続するように埋め込まれ、第１配線２２の長手方向に測った第１長さＬｘ、第１配線２２が配置された平面で第１配線２２に直交する方向に測った第２長さＬｙ、第１配線２２が配置された平面に垂直な高さＨに対する第１及び第２長さＬｘ，Ｌｙの少なくとも一方との比が１以上である複数の第１扁平ビア３１ａ，３１ｂと、低誘電率絶縁膜３１０の上に配置され、複数の第１扁平ビア３１ａ，３１ｂにそれぞれ接続された第２配線３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】ダマシン配線に含まれる不純物の濃度を低下させて、配線中の欠陥を低減させる事が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハＷ上の層間絶縁膜１に幅が０．３μｍ以下の細幅配線溝１ａ及び幅が０．３μｍを超える太幅配線溝１ｂを形成する。層間絶縁膜１上にバリアメタル膜２及びシード膜３を形成する。その後、細幅配線溝１ａ全体に埋め込まれ、かつ太幅配線溝１ｂの一部に埋め込まれるように膜４を電解めっき法により形成する。太幅配線溝１ｂの他の部分に埋め込まれるように膜４よりも不純物濃度が低い膜５をスパッタ法により形成する。熱処理により膜４中の不純物を膜５中に拡散して、配線膜６を形成する。最後に層間絶縁膜１上の不要なバリアメタル膜２及び配線膜６を除去し、細幅配線と太幅配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型液晶表示装置において、データライン等による反射光の干渉を抑止し、ＬＣＤパネルに虹状のむらが生じるのを防止する。
【解決手段】アクティブマトリクス型液晶表示装置において、距離的に周期性を有して配置されている構成要素、例えば、データライン１０、ゲートライン２０、補助容量ライン３０、能動層６１については、これらの表面に入射する外光による反射による反射光の干渉が生じ、虹状の表示むらが発生する。これらの表面に、複数の凹部及び凸部が形成し、互いに隣接する凸部の間隔及び互いに隣接する凹部の間隔に距離的な周期性がないようにすることで、反射光の干渉をなくす。距離的に周期性を有して配置されている構成要素の全てにそのような複数の凹部及び凸部を形成することが好ましいが、少なくとも１つの構成要素にそのような複数の凹部及び凸部を形成してもよい。 （もっと読む）

本発明は、一般に材料を処理するための方法に関する。より詳細には、本発明は反応性流体、および被覆材料、金属、非金属、層状材料、有機物、ポリマーおよび半導体材料を非限定的に含む付着材料を除去するための反応性流体の使用に関する。本発明は、半導体チップ生産のような商用プロセスに適用することが可能である。

（もっと読む）

【課題】
【解決手段】集積回路の配線構造を形成する方法が、誘電材料の層（１３）内に複数のフィーチャ（１６）を形成するステップと、フィーチャの側壁（１６ｓ）にスペーサ（２０）を形成するステップとを含む。次に、スペーサによって側壁から分離された導体（２５）をフィーチャ内に形成する。その後、スペーサを除去して側壁のところに空隙（４０）を形成し、それによって導体が空隙によって側壁から分離されるようにする。導体の上下の誘電体層（４２、１２）は、導体間の誘電体の誘電率よりも低い誘電率を有する低ｋ誘電体とすることができる。各導体（２５）の断面は、低ｋ誘電体層（１２）と接触する底部と、他の低ｋ誘電体（４２）と接触する上部と、空隙（４０）とのみ接触する側面とを有する。空隙は、層内静電容量を低減する機能を果たす。 （もっと読む）

半導体（１０）はトランジスタのような能動素子を有し、この能動素子はキャパシタ（７５，７７，７９）のような受動素子の直下に位置し、能動素子及び受動素子はビアまたは導電領域（５２）及び配線（６８，９９）によって接続される。ビアまたは導電領域（５２）はトランジスタの拡散領域またはソース領域（２２）の底面にコンタクトし、更にキャパシタ電極の内の第１電極（７５）にコンタクトする。横方向に位置する縦型ビア（３２，５４，６８）及び配線（９９）はキャパシタ電極の内の第２電極（７９）にコンタクトする。金属配線または導電材料（６８）は電源プレーンとして使用することができ、この電源プレーンは、電源プレーンをトランジスタに隣接させるのではなくトランジスタの下に位置するように用いることによって回路面積を節約するように作用する。
（もっと読む）

本発明は、被加工物の不良品化を招くと考えられるピットの発生を効果的に防止することができるようにした電解加工装置及び電解加工方法を提供する。この電解加工装置は、被加工物を加工する加工電極（２１０）と、被加工物に給電する給電電極（２１２）と、加工電極（２１０）と給電電極（２１２）との間に電圧を印加する電源（２３２）と、加工電極（２１０）及び給電電極（２１２）を内部に収納した耐圧容器（２００）と、耐圧容器（２１０）内に高圧液体を供給する高圧液体供給系（２０４）を有する。
（もっと読む）