【課題】Ｃｕ配線内における空孔の集中を抑制することでＣｕ配線内でのボイドの形成を抑え、例えば２層間配線系におけるビア接続部等における、いわゆるストレスマイグレーションと呼ばれる断線等の配線不良の発生が抑制される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置の製造方法において、配線形成後に被処理基板を加熱および除熱する熱サイクル工程を行う、半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる金属付着物の除去方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】金属付着物の除去方法は、金属層が形成された被処理基板を処理する処理空間を内部に有する処理容器の内部に付着した金属付着物を昇華させるように、前記処理容器内部の温度と、前記処理空間の圧力とを、制御する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール内に良好にＡｌ膜が埋設されたコンタクトプラグを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板の層間絶縁膜内にコンタクトホールを形成する工程と、基板を加熱した状態でコンタクトプラグを形成する工程を有する。コンタクトプラグを形成する工程では、スパッタ装置のチャンバー内のステージ上に、チャックを介して基板を保持し、チャックに印加するＥＳＣ電圧を第一の電圧、第二の電圧、第三の電圧と、この順に３段階のステップ状に増加させる。チャンバー内のターゲットに対して第一のターゲット電力を印加してコンタクトホール内に第一のＡｌ膜を成膜する。次に、チャンバー内のターゲットに対して第一のターゲット電力よりも高い第二のターゲット電力を印加して第一のＡｌ膜上に第二のＡｌ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】バンプを排除した積層構造を備える電子デバイス、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子デバイス１は、積層された複数枚の基板１１〜１３を含む。複数枚の基板は、それぞれ、板面を重ね合わせて積層され、１以上の貫通電極２を含んでいる。また、１以上の貫通電極２は、複数枚の基板１１〜１３のうち、２枚以上の基板１１〜１３にわたって延在する連続導体である。本発明に係る電子デバイス１は、このように、各基板の板面同士が重ね合わせられ、２枚以上の基板１１〜１３にわたって延在する連続導体である貫通電極２を備えている。したがって、本発明に係る電子デバイスは、複数枚の基板１１〜１３が、バンプを用いることなく、積層された構造を有している。 （もっと読む）

【課題】タングステン層の膜残りの発生を抑制する。
【解決手段】半導体基板１、コンタクトホール３を備えた絶縁膜２、絶縁膜２の表面およびコンタクトホール３の表面を被覆する被覆層４、並びに、コンタクトホール３を埋込むタングステン（Ｗ）層５を有するウエハに対し、ウエハを冷却せずに、Ｗ層５を被覆層４が露出しない範囲で高速でドライエッチングする工程と、ウエハを冷却せずに、Ｗ層５を被覆層４が露出しない範囲で、低速でドライエッチングする工程と、ウエハを冷却しつつ、被覆層４が露出するまで、Ｗ層５を低速でドライエッチングする工程と、ウエハを冷却しつつ、コンタクトホール３内のＷ層５を絶縁層２の高さまで低速でドライエッチングする工程と、を有する半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シード膜の溶解を抑制し、電解めっき後のめっき膜の未析や欠陥の発生を低減する方法を提供する。
【解決手段】実施形態の電子部品の製造方法は、シード膜形成工程Ｓ１１０とめっき工程Ｓ１１４とを備えたことを特徴とする。かかるシード膜形成工程Ｓ１１０では、基体上にシード膜を形成する。そして、かかるめっき工程Ｓ１１４では、窒素ガスでバブリングされているめっき液が供給されためっき槽中の前記めっき液に前記シード膜を浸漬させ、前記シード膜をカソードとして電解めっきを行なう。 （もっと読む）

【課題】充填時の溶融温度が低く、凝固後は高い融点を確保することができ、しかも、作業操作性に優れた充填用基材及びそれを用いた充填方法を提供すること。
【解決手段】充填用基材５は、第１金属層２１と第２金属層２２とを含む金属層２を支持基体１の一面上に設けた構造になっている。第１金属層２１は、その融点よりも低い温度で溶融可能なナノ金属粒子の集合したものでなり、第２金属層２２は、その融点が第１金属層２１の融点よりも低い金属粒子の集合したものでなる。充填用基材５の一面側を、微細空間３０の開口する基板３の一面上に重ねる。そして、充填用基材５を加熱し、かつ、加圧Ｆ１して、金属層２の溶融物を微細空間３０内に充填する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、パーティクルの発生を抑制可能な製造方法、及びこの製造方法を用いる半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】
２つの金属層の間に金属化合物層が挟まれてなるバリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、チタン及びタンタルのいずれか一方の金属元素から構成されるターゲットを希ガスの雰囲気でスパッタして、複数の金属層を下地配線上に積層する過程において最下層となる第１金属層に酸化処理を施す。次いで、最下層となる第１金属層の表面に第１金属酸化物層を形成した後に、層間において構成元素が異なるように、一つ以上の金属層を含む下地の表面に対して酸化処理、窒化処理、及び酸窒化処理のいずれかの処理を施す。こうした処理より第２金属化合物層を形成する。上記金属化合物層は、金属酸化物層の他、金属窒化物層や金属酸窒化物層であってもよい。 （もっと読む）

【課題】銅配線とアルミニウム配線との間のバリアを形成するための新規な技術を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に形成された銅配線上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に凹部を形成し、凹部の底に前記銅配線を露出させる工程と、凹部の底に露出した銅配線上に、２５０℃〜３５０℃の範囲の成膜温度で、フッ化タングステンの供給期間と供給停止期間とを交互に繰り返して、ＣＶＤでタングステン膜を選択的に成膜する工程と、タングステン膜上方に、アルミニウム配線を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】金属−絶縁体相転移材料として二酸化バナジウム（ＶＯ₂）を用いた機能要素の形成方法及びこれによって形成された機能要素、並びに機能デバイスの製造方法及びこれによって製造された機能デバイスを提供すること。
【解決手段】基板４０の面に、金属−絶縁体相転移材料１０としてＶＯ₂薄膜が形成されており、平行な２つの電極１５ａ、１５ｂがＶＯ₂薄膜の面に形成されている。両電極を結ぶ複数の機能要素としての金属配線２０ａ〜２０ｅは、レーザ光源３０からのレーザ３５がＶＯ₂薄膜に走査方向３７で走査され、レーザ３５によって照射されたＶＯ₂薄膜の部分が絶縁相から金属相に相転移して金属化されるにことよって形成される。金属配線が形成された領域の少なくとも一部にレーザを照射し、高温（例えば、１００℃）とした後、低温（例えば、室温）に冷却して絶縁体化させて、金属配線が形成された領域の少なくとも一部を消去することができる。 （もっと読む）

【課題】平滑で高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー内にウエハを搬入し、安定化させた後、ウエハを加熱しつつチャンバー内にＣｕ錯体からなる成膜原料を気相状態で導入してウエハ上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜し、成膜後、チャンバー内をパージして残留ガスを除去し、その後、チャンバーから基板を搬出するＣｕ膜の成膜方法を実施するにあたり、パージの際に、ウエハへの入熱をＣｕ膜成膜の際よりも低下させる。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造において、下層金属配線への接続用スルーホール内にボイドが発生することを防止する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に金属配線３を形成し、全面に層間絶縁膜４を形成する。絶縁膜内にスルーホールを形成する。スパッタエッチングにより、スルーホール開口部に傾斜部を設け断面を大きくするとともに金属配線の表面の酸化Ａｌを除去する。半導体基板を冷却し、基板温度２０℃〜４０℃で、スルーホールの内面を含む全面に第１のチタン膜６、窒化チタン膜７、第２のチタン膜８、第１のＡｌ層９ａを形成する。続いて基板を加熱して第２のＡｌ層９ｂをリフローしながら形成した後、第３のＡｌ層９ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜時に生じる反りを緩和しうる電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】まず、４Ｈ−ＳｉＣ基板１０の第１面１０ａの上に、第１タングステン膜１１を堆積する。堆積は、基板温度を４００℃〜６００℃に保持した状態で、スパッタによって行われる。スパッタ後に室温まで冷却すると、基板全体が上方に凹になるように反る。その後、４Ｈ−ＳｉＣ基板１０の第２面１０ｂの上に、同じ材質、厚さの第２タングステン膜１２を堆積する。４Ｈ−ＳｉＣ基板１０に対する，第１，第２タングステン膜１１，１２の収縮による応力が互いに釣り合い、反りがなくなる。その後、平坦な基板上にレジスト膜Ｒｅを形成して、第１タングステン膜１１から注入マスク１１ａを形成する。正確な注入マスク１１ａを用いて、高い精度で不純物拡散領域１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ系薄膜と導電膜が直接接続する構造を備えたものであって、該Ａｌ系薄膜と導電膜の接触抵抗の安定的低減が可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にて、純ＡｌまたはＡｌ合金からなる薄膜（以下「Ａｌ系薄膜」という）と導電膜が直接接続する構造を有する表示装置の製造方法であって、前記Ａｌ系薄膜を形成する工程、該Ａｌ系薄膜上に絶縁膜を形成する工程、該絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程、および前記導電膜を形成する工程を含み、前記コンタクトホールを形成する工程の後であって前記導電膜を形成する工程の前に、または、前記導電膜を形成する工程において、前記Ａｌ系薄膜の急速加熱および／または急冷を行って該Ａｌ系薄膜上の自然酸化膜に亀裂を生じさせる工程を含むようにする。 （もっと読む）

【課題】安定した大きなオーバーハングを形成することによって十分な厚さの金属薄膜を基板の上に形成する薄膜パターンの形成方法を提供しようとするものである。
【解決手段】基板１の上のフォトレジスト層３を露光させ、その後１次現像によってフォトレジスト層３とリフトオフレジスト層２の一部を除去し、フォトレジスト層３を現像液に対する耐性処理を行い、２次現像によってリフトオフ層２の一部を除去することによってフォトレジスト層３にオーバーハングを形成し、その後に金属薄膜５の形成を行い、その後フォトレジスト層３をリフトオフレジスト層２とともに除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】集積回路のためのアルミニウム相互接続部メタライゼーションを、所望によりアルゴンが追加されてもよい純粋な酸素雰囲気中で制御可能に酸化させる。
【解決手段】ウエハ３２をアルミニウムスパッタリング中に生じる３００℃を超える温度からアルミめっきを施したウエハをプラスチックカセット３４に装填させることを可能にする１００℃未満まで冷却させるので有利に行われる。酸化は高真空搬送チャンバ６２と低真空搬送チャンバ４０の間の通過チャンバ５６、８０内で制御可能に行うことができる。酸素分圧は有利には０.０１〜１トール、好ましくは０.１〜０.５トールである。１トールを超える全圧にアルゴンを添加すると、ウエハが水冷却ペデスタル上に載置された場合にウエハ冷却が促進される。スパッタチャンバへの酸素逆流を防止するために冷却チャンバは冷却中に真空ポンプで排気されず最初にアルゴンが次に酸素が冷却チャンバにパルスされる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子において、特に、金属絶縁体金属（ＭＩＭ：ｍｅｔａｌ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｍｅｔａｌ）キャパシタを製造する方法を提供する。
【解決手段】ＭＩＭキャパシタを持つ金属膜において、エッチング時に発生するブリッジによるエラーを熱処理により解決し、かつ、ＭＩＭ構造の電極形成のためのエッチング時に発生する異常現象により後続の下部電極（Ｂｏｔｔｏｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）エッチング工程に誘発されるエラーを防止する。 （もっと読む）

【課題】有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる基板処理方法と、当該基板処理方法を用いた半導体装置の製造方法、有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる基板処理装置、および当該基板処理装置を動作させるプログラムが記載された記録媒体を提供する。
【解決手段】金属層が形成された被処理基板を第１の温度に設定し、有機化合物を含む処理ガスを前記金属層に吸着させて金属錯体を形成する第１の工程と、前記被処理基板を前記第１の温度よりも高い第２の温度となるように加熱して、前記金属錯体を昇華させる第２の工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。 （もっと読む）

【課題】 微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 表面に酸化膜が発生している被処理体Ｗは、処理容器１０内に搬入され、該処理容器内は真空に維持され、Ｎ₂ とＨ₂ との混合ガスがプラズマ発生部３０に導入され、プラズマ化され、それぞれの活性ガス種が形成される。活性化ガス種は被処理体に向けてフローされ、これにＮＦ₃ ガスが添加され、活性化されたガスが形成される。被処理体は所定温度以下に冷却手段２２により冷却され、活性化されたＮＦ₃ ガスに曝され、該ガスと反応し、酸化膜は変質して反応膜が被処理体Ｗの表面に形成される。Ｎ₂ 、Ｈ₂ 及びＮＦ₃ ガスの供給が停止され、加熱手段１９で被処理体は所定の温度に加熱され、反応膜が昇華して除去される。 （もっと読む）

【目的】シード膜の溶解を抑制し、電解めっき後のめっき膜の未析や欠陥の発生を低減する方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の電子部品の製造方法は、基板上にシード膜を形成するシード膜形成工程（Ｓ１１０）と、前記シード膜を冷却する冷却工程（Ｓ１１２）と、冷却された前記シード膜をめっき液に浸漬させ、前記シード膜をカソードとして電解めっきを行なうめっき工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）