【課題】アクティブマトリクス型表示装置等の半導体装置において、トランジスタの駆動能力を低下させることなく寄生容量の容量値を低減することを課題の一とする。または、寄生容量の容量値を低減した半導体装置を低コストに提供することを課題の一とする。
【解決手段】トランジスタのゲート電極と同一の材料層で形成される配線と、ソース電極またはドレイン電極と同一の材料層で形成される配線との間に、ゲート絶縁層以外の絶縁層を設ける。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させることを課題の一とする。また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させても、オフ電流の増大を抑制することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とゲート絶縁層の間に、該酸化物半導体層より導電率が高い酸化物クラスターを形成することによって、該薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させ、且つオフ電流の増大を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】例えばエアギャップ構造の形成に好適な、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜に溝を形成する工程と、第１の絶縁膜上面及び溝の内面を覆うように、Ｒｕを含む第１の金属層を形成する工程と、第１の金属層上に、銅を含む第２の金属層を形成する工程と、第１の絶縁膜上の第２の金属層及び第１の金属層を研磨し除去して、第１の絶縁膜を露出させ、溝内に形成された第１の金属層及び第２の金属層を残す工程と、研磨によって露出した第１の絶縁膜を上面から少なくとも一部除去する工程と、第１の絶縁膜の上方に、第１及び第２の金属層の少なくとも上面を覆う第２の絶縁膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の導電層と第２の導電層との順で積層されたゲート電極を含むゲート配線と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、酸化物半導体層と電気的に接続され、第３の導電層と第４の導電層との順で積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第１の導電層で形成され、ゲート配線は、第１の導電層と第２の導電層で形成され、ソース電極は、第３の導電層で形成され、ソース配線は、第３の導電層と第４の導電層で形成されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極の上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜
の上に設けられソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、ソース領域又はドレイン
領域に電気的に接続する配線又は電極と、配線又は電極の上に設けられ第１の開口部を有
する第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上に設けられ第２の開口部を有する第２の絶縁膜と
、第２の絶縁膜の上に設けられた画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコン膜を含
む積層の無機絶縁膜からなり、第２の絶縁膜は有機樹脂膜からなり、第２の絶縁膜の第２
の開口部の底面において、第１の絶縁膜の上面は第２の絶縁膜に覆われていない露呈した
部分を有し、第２の絶縁膜の第２の開口部の断面において、第２の絶縁膜の内壁面は凸状
の曲面を有しており、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介して配線又は電極
に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子をフレキシブル化する場合に、半導体素子を破壊することなく剥離を行うことを目的の一とする。また、剥離層とバッファ層との密着性を弱める技術の提供を目的の一とする。また、剥離によって半導体素子に曲げストレスが生じない技術の提供を目的の一とする。
【解決手段】剥離層上にバッファ層を介して形成した半導体素子を、エッチング液を用いて剥離層を溶解させることにより剥離を行う。または、エッチング液に接触したことによって剥離層が溶解した領域にフィルムを挿入し、剥離層が溶解していない領域に向かってフィルムを移動させることにより剥離を行う。 （もっと読む）

【課題】拡散バリア層と銅配線本体との密着性を大幅に改善することができるようにする。
【解決手段】この発明は、絶縁層に銅からなる配線本体を備えてなる銅配線において、上記絶縁層と、上記絶縁層に対向して設けられた拡散バリア層と、上記拡散バリア層上に形成された、銅（Ｃｕ）からなる配線本体と、を備え、上記拡散バリア層は、マンガン（Ｍｎ）に対する酸素（Ｏ）の組成比率（比率ｙ／ｘ）を２未満とするマンガン酸化物（組成式：Ｍｎ_xＯ_y（比率ｙ／ｘ＜２））を含むマンガン酸化物層を有する、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体にチャネル形成領域を設ける薄膜トランジスタで構成された駆動回路を有する表示装置において、回路が占める面積を大きくすることなく、薄膜トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減し、且つ薄膜トランジスタをオフにした際にソースとドレインの間を流れる電流を低減する。
【解決手段】複数のインバータ回路及び複数のスイッチを有し、インバータ回路は、第１の酸化物半導体膜を有する第１の薄膜トランジスタと、第２の酸化物半導体膜を有する第２のトランジスタと、を有し、第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタは、エンハンスメント型であり、第１の酸化物半導体膜及び第２の酸化物半導体膜上に接してＯＨ基を有する酸化珪素膜が設けられ、酸化珪素膜上に接して窒化珪素膜が設ける。 （もっと読む）

【課題】柱状半導体層が微細化されて高集積化されても、コンタクト抵抗の増加を抑制する構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板（半導体基板１）と、半導体基板１上に設けられた、半導体柱状部（柱状半導体層３）と、の天面に接するように設けられた、柱状半導体層３と同径以下のコンタクト柱状部（コンタクト層７）と、この天面に設けられた凹部をと備えるものである。 （もっと読む）

【課題】無線通信機能を有する半導体装置に振幅の大きい信号が供給された場合においても正常に動作し、且つ信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、交流電圧を生成するアンテナ１０１と、交流電圧を整流し、内部電圧Ｖｉｎを生成する整流回路１０２と、第１の保護回路１０７と、第２の保護回路１０８と、を有する。第１の保護回路１０７は、第１のダイオード２０１と、第２のダイオード２０２と、を有し、第２の保護回路は、容量素子２０３と、トランジスタ２０４と、を有する。第１の保護回路は、アンテナ１０１で生成される交流電圧の絶対値がある値よりも大きい場合に、その余剰分をカットし、第２の保護回路１０８は、整流回路１０２で生成された内部電圧Ｖｉｎが大きい場合に機能し、共振周波数をずらすことにより、半導体装置に入力される信号を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】高温の酸化性雰囲気中でのＳＯＤ膜の改質を促進する。ライナー膜下部の素子や半導体基板が酸化されてダメージを受けることを防止する。
【解決手段】凹部と、凹部の内壁側面上に順に形成した、第１のライナー膜と、酸素原子を含有する第２のライナー膜と、凹部内に充填された絶縁領域と、を有し、第１のライナー膜は第２のライナー膜よりも耐酸化性が優れるものとした半導体装置。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１５を被覆するゲート絶縁層３７と、ゲート絶縁層３７上においてゲート電極１５と端部が重畳し、第２酸化物半導体層４０と導電層４１が積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９と、少なくともゲート電極１５と重畳しゲート絶縁層３７及び該第１配線層３８及び該第２配線層３９における導電層４１の側面部及び上面部の一部と第２酸化物半導体層４０の側面部と接する第１酸化物半導体層３６とを有する非線形素子３０ａを用いて保護回路を構成する。
ゲート絶縁層３７上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子３０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、強誘電体膜を備えたキャパシタの劣化を防止すること。
【解決手段】シリコン基板３０の上方に、下部電極６１、強誘電体膜よりなるキャパシタ誘電体膜６２と、上部電極６３とを有するキャパシタQを形成する工程と、キャパシタQ上に層間絶縁膜７１を形成する工程と、層間絶縁膜７１に、上部電極６３に達するホール５９ａを形成する工程と、ホール５９ａの内面、及びホール５９ａから露出する上部電極６３の表面に第１のバリア膜６７を形成する工程と、第１のバリア膜６７上に、第１のバリア膜６７よりも酸素濃度が高い第２のバリア膜６８を形成する工程と、第２のバリア膜６８の上方に導電膜７４を形成して、ホール５９ａを埋め込む工程とを含む半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】高誘電率絶縁膜上に金属膜及び多結晶Ｓｉを堆積した構造の半導体を垂直にかつ微細に加工する。
【解決手段】半導体基板上に形成されたＨｆあるいはＺｒを含む絶縁膜１０２、該絶縁膜上に並置して形成された互いに仕事関数が異なる第１および第２の金属膜１０３，１０４、該第１および第２の金属膜上に堆積して形成した多結晶シリコン膜１０５を有し、該多結晶シリコン膜上に形成したレジスト１０８を用いて、プラズマ雰囲気中で前記多結晶シリコン膜並びに前記第１および第２の金属膜をエッチング加工する半導体加工方法において、前記前記複数種の金属膜上の多結晶シリコン膜のうちエッチング終了が早い方である第２の金属膜上の多結晶シリコン膜のエッチング終了後は、前記処理ガスとして、ＨＢｒおよび酸素を含むガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】ｈｉｇｈ−ｋ膜／メタルゲート構造を有する半導体素子のドライエッチングにおいて、メタルゲート部分を垂直にエッチングする。
【解決手段】減圧処理室２０４と、該減圧処理室に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記減圧処理室内に、半導体基板を載置して保持する試料台２０５と、前記減圧処理室に供給された処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段を備え、生成したプラズマにより前記半導体基板にプラズマエッチング処理を施す半導体加工方法において、前記試料台上に、ＨｆあるいはＺｒを含む高誘電率絶縁膜、ＴｉあるいはＴａを含む仕事関数制御金属導体膜、およびレジストを順次形成した半導体基板２０６を載置し、前記レジストを用いて前記導体膜をエッチング加工するに際して、前記試料台にオンオフ変調された基板バイアス電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】仕事関数金属膜と低抵抗膜とで構成されたゲート電極をプラズマエッチングする際に、膜質に応じたエッチングステップの切り替えの遅延を防ぐ。
【解決手段】低抵抗膜６中であって、仕事関数金属膜４との界面の近傍に、プラズマ発光モニタに感度のある、窒素を含む進捗モニタ層５を設けることで、エッチング中のプラズマ発光の変化を検知し、エッチングの進捗をモニタすることでエッチングステップ切り替えの遅延を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板に発生する応力を低減できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体素子が形成される素子領域を有する基板と、素子領域の隣接部分の基板に形成されるビアホールと、ビアホール内に絶縁層を介して設けられる導通部と、基板と絶縁層との間に設けられる緩衝層とを備え、緩衝層は、基板の熱膨張係数と緩衝層の熱膨張係数との差が、基板の熱膨張係数と絶縁層の熱膨張係数との差より小さい材料から形成される。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその製造方法を提供する。また、消費電力の低い半導体装置又はその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極として機能する透光性を有する導電層と、該透光性を有する導電層上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート電極として機能する透光性を有する導電層上にゲート絶縁膜を介して半導体層と、半導体層に電気的に接続されたソース電極又はドレイン電極として機能する透光性を有する導電層とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】コンタクト構造物の形成方法及びこれを利用した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】コンタクト領域１０３を有する対象体１００上に絶縁層１０６を形成した後、絶縁層１０６をエッチングしてコンタクト領域１０３を露出させる開口を形成する。露出されたコンタクト領域１０３上にシリコン及び酸素を含む物質膜を形成した後、シリコン及び酸素を含む物質膜上に金属膜を形成する。シリコン及び酸素を含有する物質膜と金属膜を反応させて、少なくともコンタクト領域１０３上に金属酸化物シリサイド膜１２１を形成した後、金属酸化物シリサイド膜１２１上の開口を埋める導電膜を形成する。コンタクト領域とコンタクトとの間に金属、シリコン、及び酸素が三成分系を成す金属酸化物シリサイド膜を均一に形成することができるため、改善された熱安定性及び電気的特性を有する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの開口が容易であり、歩留まりが改善され、キャパシタ特性が向上した強誘電体メモリ等の半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に層間絶縁膜６を形成する工程と、層間絶縁膜６を貫通し半導体基板表面を露出する第１のホール及び第２のホールを形成する工程と、第１のホール及び第２のホールにそれぞれ導電膜を埋め込んで第１のプラグ１０及び第２のプラグ１０を形成する工程と、層間絶縁膜６上に第１のプラグ１０と接続し、順に積層された導電性バリア膜、下部電極、誘電体膜、及び上部電極を有するキャパシタＣを形成する工程と、キャパシタＣ、層間絶縁膜６、及び第２のプラグ１０を覆うように少なくとも１つのＡｌＯＮ層を有する水素バリア膜２０を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）