【課題】十分に低いリーク電流、高い電気的ストレス耐性、及び高いエッチング耐性を有する絶縁膜を半導体基板の表面に堆積する、半導体装置の製造方法、並びに、その絶縁膜を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコンソースと酸化剤とを交互に供給して半導体基板の表面にシリコン酸化膜を堆積する、半導体装置の製造方法であって、前記シリコンソースの供給を、前記半導体基板へ前記シリコンソースの分子が吸着飽和することなく吸着量が増加する供給条件で行い、前記酸化剤の供給を、前記半導体基板に吸着された前記シリコンソースの分子中に不純物が残存する供給条件で行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、製造コストの上昇を抑えつつ、歩留まりを向上させること。
【解決手段】シリコン（半導体）基板１と、シリコン基板１に形成される素子分離絶縁膜６と、シリコン基板１の上、及び素子分離絶縁膜６の上に形成され、素子分離絶縁膜６の上に側面１３ｅを有する導電パターン１３ａと、素子分離絶縁膜６の上、導電パターン１３ａの上、及び導電パターン１３ａの側面１３ｅに形成される絶縁膜１６とを有し、導電パターン１３ａの側面１３ｅにノッチ１３ｗが形成された半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適し、高誘電率窒化金属シリケート膜を含んでなる絶縁膜を形成する。
【解決手段】金属原子及びシリコン原子が酸化反応を生じ難い雰囲気中にてスパッタ法によりシリコン基体１０１上に金属及びシリコンからなる膜１０２を堆積する第１の工程と、膜１０２を窒素プラズマを用いて窒化して窒素、金属及びシリコンからなる膜１０３を形成する第２の工程と、膜１０３を酸素プラズマを用いて酸化して窒化金属シリケート膜１０４を形成する第３の工程とを含む。第１の工程の終了から第２の工程の開始までの間、膜１０２を、その酸化反応が生じ難い雰囲気中に保持する。第３の工程により、膜１０４の下のシリコン基体１０１の表層部を酸化してシリコン酸化膜１０５を形成する。金属は、少なくともハフニウム及びジルコニウムのうちのいずれかを含む。 （もっと読む）

【課題】 ２つの異なる方向にサブリソグラフィ幅および間隔を有するナノスケール構造およびこれを製造する方法を提供する。
【解決手段】 サブリソグラフィ幅およびサブリソグラフィ間隔を有し、第１の方向に沿って延在する半導体基板上の第１のナノスケール自己整合自己組織化ネスト線構造は、第１の層（２０）内の第１の自己組織化ブロック・コポリマーから形成される。第１の層に充填材料を充填し、第１のナノスケール・ネスト線構造を含む第１の層（２０）の上に、第２の層（６０）を堆積する。サブリソグラフィ幅およびサブリソグラフィ間隔を有し、第２の方向に沿って延在する第２のナノスケール自己整合自己組織化ネスト線構造は、第２の層（６０）内の第２の自己組織化ブロック・コポリマーから形成される。第１のナノスケール・ネスト線構造および第２のナノスケール・ネスト線構造の複合パターンを、第１の層（２０）の下の基層（１２）に転写して、２つの方向に周期性を有する構造のアレイを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、高性能化、低消費電力化を目的の一とする。また、より高集積化された高性能な半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に複数の電界効果トランジスタがそれぞれ層間絶縁層を介して積層している半導体装置とする。複数の電界効果トランジスタの有する半導体層は半導体基板より分離されており、該半導体層は絶縁表面を有する基板、又は層間絶縁層上にそれぞれ設けられた絶縁層に接して接合されている。複数の電界効果トランジスタはそれぞれ前記半導体層に歪みを与える絶縁膜で覆われている。 （もっと読む）

【課題】誘電体メモリの微細化が進むと、上部電極の電位を拡散層へ引き出す構造におけるアスペクト比が大きくなるため、上部電極のカバレッジが悪化し、誘電体を結晶化させる熱処理時に上部電極が断線してしまう。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板の上方に形成された第１の導電膜及び第２の導電膜と、第１の導電膜を覆うように形成された第１の絶縁膜と、第２の導電膜を覆うように形成された第２の絶縁膜と、第１の絶縁膜に形成され、第１の導電膜に達する第１の開口部と、第１の開口部の壁部及び底部に沿って形成された第３の導電膜と、第３の導電膜、第１の絶縁膜、及び第２の絶縁膜上に形成された誘電体膜と、第２の絶縁膜及び誘電体膜の積層膜に形成され、第２の導電膜に達する第２の開口部と、誘電体膜の上並びに第２の開口部の壁部及び底部に沿って形成された第４の導電膜とを備える。第２の絶縁膜の膜厚が、第１の絶縁膜の膜厚よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ウェハーホルダ１２に対して傾斜した複数のカソード１１を有し、該カソード１１に該カソード１１の中央軸とずれた軸で回転する複数のマグネット１８を設け、反応容器内を５Ｐａより高い圧力に制御し、プラズマがカソード１１に印加されたｒｆ電力の容量的結合によって生成されるとき、選択されたカソード１１の上に負の自己バイアス電圧を生成し、前記カソード１１から放出されたスパッタ原子をイオン化し、前記負バイアス電位により加速するように為したスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成する。
【解決手段】５Ｐａより高い圧力下において、ウェハー基板２４を回転させながら、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体材料を有するターゲットおよびカソード１１を傾斜させて配置し、該カソード１１と下部電極１５にそれぞれｒｆ電流を印加し、下部電極１５にプラズマ電位に対して負のバイアス電位を印加してスパッタリングを行う。 （もっと読む）

【課題】銅めっき層をアンテナの導体に用いた、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、銅の拡散による回路素子の電気特性への悪影響を防止するとともに、密着性の良い銅めっき層を提供することを課題とする。また、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、アンテナと集積回路の接続不良に伴う半導体装置の不良を防止することを課題とする。
【解決手段】アンテナ１０１と集積回路１００が一体形成された半導体装置において、アンテナ１０１として銅めっき層を用いるとともに、そのシード層１０７としてＡｇ、Ｐｄ及びＣｕの合金を用い、バリア層１１６としてＴｉＮ又はＴｉを用いるものである。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＮＯＳ型不揮発性半導体記憶装置において、製造時にメモリセルを紫外線から保護する紫外線遮光膜を安定して形成できるようにする。
【解決手段】半導体基板１の上部にＸ方向に延びるビット線拡散層９と、半導体基板１の上にＹ方向に延びると共に電荷トラップ膜４及びゲート電極５からなるゲート構造体とを有する不揮発性半導体記憶装置に、ビット線拡散層３と接続される第１のコンタクト９が形成された第１の層間絶縁膜８と、該第１の層間絶縁膜８の上に形成された紫外線遮光膜１０及び第２の層間絶縁膜１１を貫通して下端部が第１のコンタクト９と接し且つ上端部が金属配線１３と接続される第２のコンタクト１２とを設ける構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＣＤドライバなどで小型化によるプラグの高抵抗化を抑制し、かつ、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と配線間の耐圧不良を改善できる技術を提供する。
【解決手段】ＬＣＤドライバにおいて、高耐圧ＭＩＳＦＥＴでは、電界緩和用絶縁領域３上にゲート電極１０ｂの端部が乗り上げている。そして、高耐圧ＭＩＳＦＥＴ上の１層目の層間絶縁膜上にソース配線あるいはドレイン配線となる配線ＨＬ１が形成されている。このとき、半導体基板１Ｓとゲート絶縁膜８の界面からゲート電極１０ｂの上部までの距離をａ、ゲート電極１０ｂの上部から配線ＨＬ１が形成されている層間絶縁膜の上部までの距離をｂとすると、ａ＞ｂとなっている。このように構成されている高耐圧ＭＩＳＦＥＴにおいて、配線ＨＬ１は、高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート電極１０ｂと平面的な重なりを有しないように配置されている。 （もっと読む）

【課題】低電圧動作のトランジスタ群と高耐圧（高電圧動作）のトランジスタ群とを同一半導体基板に形成して、高耐圧のトランジスタ群のゲート電極の低抵抗化を可能にする。
【解決手段】半導体基板１１に、第１トランジスタ群と、第１トランジスタ群の動作電圧よりも低い動作電圧の第２トランジスタ群とを備え、第１トランジスタ群は、半導体基板１１上に第１ゲート絶縁膜１３を介して形成された第１ゲート電極１５と、この第１ゲート電極１５上に形成されたシリサイド層４０とを有し、第２トランジスタ群は、半導体基板１１上の絶縁膜（ライナー膜３６、第１層間絶縁膜３８）に形成したゲート形成溝４２に第２ゲート絶縁膜４３を介して形成された第２ゲート電極４７、４８を有し、第１トランジスタ群の第１ゲート電極１５上のシリサイド層４０を被覆する保護膜４１が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

電子素子、特にＴＦＴ、蓄積コンデンサまたはスタック装置の導電層間の交差部等を備えるものが開示されている。電子素子は、電極を形成する第１の導電層を基板上に備える。第２の導電層により形成された第２の電極は第１の電極から少なくとも誘電体層により隔てられている。この誘電体層は電気絶縁材料の中間層、好ましくは絶縁破壊に対して高い耐性を有する中間層と、光パターニング可能な電気絶縁材料のさらなる層とを包含する。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型トランジスタの特性向上処理とＮ型トランジスタの特性向上処理とを施したとしても、製造工程の増加を抑制することができ、かつデバイス全体の性能の劣化を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第一の領域の半導体基板１上に、加熱により応力が生ずるカバー膜１１を形成する。当該カバー膜１１が形成された半導体基板１に対して、加熱処理を施す。これにより、カバー膜１１に応力が発生し、当該応力に起因して第一のトランジスタの特性を向上させる第一の特性向上処理が、半導体基板１に施される。また、カバー膜１１をマスクとして使用して、当該カバー膜１１から露出している第二の領域の半導体基板１に対して、第二のトランジスタの特性を向上させる第二の特性向上処理を施す。 （もっと読む）

【課題】ビット線と容量コンタクトプラグとの短絡及びビット線の異常酸化を防止して、動作特性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】第１窒化膜上に突出したビット線を覆うように設けられた第２窒化膜の膜厚が、第１窒化膜よりも厚いことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ソース電極又はドレイン電極の膜厚のばらつき又は断線を防止した半導体装置を容易に作製する方法を提案する。
【解決手段】絶縁基板上に形成された半導体層と、半導体層上に形成された第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された第２の絶縁層と、を有し、少なくとも第１の絶縁層、及び第２の絶縁層に形成された半導体層に達する開口部と、前記開口部において前記第２の絶縁層の側面に形成された段差と、を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が良好であって容量密度が大きなキャパシタ素子、当該キャパシタ素子を有する半導体装置、および当該キャパシタ素子を製造するキャパシタ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】組成が（Ｂａ_１−ｘ，Ｓｒ_ｘ）Ｔｉ_１−ｚＳｃ_ｙＯ_３＋δ（但し、０<ｘ<１，０．０１<ｚ<０．３，０．００５<ｙ<０．０２，−０．５<δ<０．５）となるとともに、結晶の面内歪みεが、−０．４<ε<０．４である誘電体層と、前記誘電体層を上下に挟持する上部電極および下部電極と、前記上部電極、下部電極、および誘電体層が設置される基板と、を有することを特徴とするキャパシタ素子。 （もっと読む）

【課題】ボロン漏れの抑制とリーク電流増加の抑制とを同時に実現可能な、絶縁膜及びこの絶縁膜を備えた半導体装置と、絶縁膜の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】微結晶組織からなるハフニウム含有窒化シリコン酸化物層３ａと、非晶質組織からなるハフニウム含有窒化シリコン酸化物層３ｂとが半導体基板２上に積層されてなる積層膜からなり、積層膜の窒素濃度が１５原子％以上４０原子％以下の範囲であることを特徴とする半導体装置用の絶縁膜積層体３を採用する。 （もっと読む）

【課題】溝の埋め込み性を改善することと、溝の埋め込み高さを確保することを両立させることができる半導体装置の製造方法を実現する。
【解決手段】半導体装置の製造方法として、半導体基板１上の層間膜２に幅の異なる溝３，４を形成する工程と、溝３，４が形成された層間膜２上にバリアメタル層５を形成する工程と、バリアメタル層５を覆いかつ溝３，４の形成部位に開口部を有するレジストマスク７を形成する工程と、レジストマスク７を用いてバリアメタル層５をエッチングすることによりオーバーハング部６を除去する工程と、レジストマスク７を除去した後、半導体基板１上で溝３，４に配線材料を埋め込む工程と、半導体基板１上で配線材料とバリアメタル層５の余剰部を研磨により除去する工程とによって溝配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】レジストを使用することなく、薄膜加工を簡単な工程で精度良く行う方法を提案する。また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板上に第１の層を形成し、第１の層上に剥離層を形成し、剥離層側から剥離層に選択的にレーザビームを照射して一部の剥離層の付着力を低減させる。次に、付着力が低減された剥離層を除去し、残存した剥離層をマスクとして第１の層を選択的にエッチングする。また、基板上に剥離層を形成し、少なくとも剥離層に選択的に第１のレーザビームを照射して一部の剥離層の付着力を低減させる。次に、付着力が低減された剥離層を除去する。次に、残存した剥離層上に第１の層を形成し、残存した剥離層に第２のレーザビームを照射して残存した剥離層の付着力を低減させ、残存した剥離層及び当該剥離層に接する第１の層を除去する。 （もっと読む）