【課題】ウェーハの裏面研削やダイシングの際に生じる、水分の浸入による汚れ、あるいは割れ、クラック、チッピング、層間剥離等の物理的損傷を抑制することを目的とする。
【解決手段】基板１１上のチップ領域１２の周縁部にその内側の部分を連続して取り囲むよう有機保護膜２３’を形成する。また、パッシベーション膜２２および有機保護膜２３がキャップ層４７上に閉環状開口部を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の顧客による各々異なるＬＳＩが共同で作製された基板を、守秘性が得られた状態で各々の顧客に提供できるようにする。
【解決手段】特定の顧客への提供対象とするＬＳＩチップ領域３３１以外の領域が開放した開口部３０７ａを備えるマスクパターン３０７を形成する。次に、マスクパターン３０７をマスクとし、開口部３０７に露出しているＬＳＩチップ領域３３２をエッチング除去し、ブラインド領域３０１ａを形成する。ブラインド領域３０１ａの形成では、第１配線層３０２，第２配線層３０３，および第３配線層３０４を除去し、これらの下層の一部までを除去する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子を積層させる半導体装置を低コストで製造する手段を提供する。
【解決手段】半導体装置３１は、回路基板１上に第１の半導体素子１０が実装されており、第１の半導体素子１０の第１の電極パッド１４上のハンダバンプ１７に第２の半導体素子２０の接続端子２６が接合されている。第１の半導体素子１０の第２、第３の電極パッド１５，１６はワイヤ１８で回路基板１に電気的に接続されている。第１の半導体素子１０と第２の半導体素子２０の間の距離Ｈ０は、背高の接続端子２６によって、ワイヤ１８のループ高さＨ１以上になっている。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ開口に起因する凹部が形成されないようにする。
【解決手段】半導体ウエハ５０の表面に成膜された絶縁層３１に形成されたヒューズ開口１３ｂに向けて、液体吐出ヘッド８２からペースト状樹脂６０を吐出し、ペースト状樹脂６０によってヒューズ開口１３ｂを埋めてペースト状樹脂６０を硬化させ、ペースト状樹脂６０が硬化してなる埋込樹脂１４を成し、絶縁層３１及び埋込樹脂１４の上に配線２３を形成し、配線２３の端部の上に柱状電極２５を形成し、柱状電極２５の周囲において絶縁層３１の上に封止層２６を積層してその封止層２６で配線２３を覆う。 （もっと読む）

【課題】ビアホール内のコンタクト材料としてカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いつつ、ビア抵抗の低減及びプロセスの容易化をはかる。
【解決手段】配線層間のビアにＣＮＴを用いた半導体装置であって、表面にＣｕ配線１７を有する基板上に設けられた層間絶縁膜１９と、層間絶縁膜１９に形成されＣｕ配線１７に接続されるビアホールと、ビアホール内に露出するＣｕ配線１７上に選択的に形成され、Ｃｕ配線１７に対するバリアとなり、且つＣＮＴの成長の助触媒となる第１の金属膜２１と、ビアホール内の少なくとも第１の金属膜２１上に形成された、ＣＮＴの成長の触媒となる第２の金属膜２２と、第１及び第２の金属膜２１，２２が形成されたビアホール内に形成されたＣＮＴ２３と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】互いに交差し、絶縁膜を介して前記絶縁膜上を配線するブリッジ配線の導通不良の原因の絶縁膜のしみ上がりを防ぐ。
【解決手段】互いに交差する複数の配線と、前記複数の配線の交差部において、前記配線間に形成される絶縁層とを含む回路基板の製造方法であって、基板配線形成工程と、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層の表面に前記基板配線に交差するブリッジ配線を形成するブリッジ配線形成工程とを含み、前記絶縁膜形成工程は、前記絶縁膜の材料を含む機能液を液滴として吐出する液滴吐出工程を含み、前記機能液はレベリング剤を含む。 （もっと読む）

【課題】貫通孔となるべきアスペクト比が２０以上の深孔を埋め込む貫通電極金属としては、埋め込み特性が良好なタングステンが使用されることが多いが、通常のドライエッチングによる深孔は、ボッシュプロセスによるものに比べて寸法の大きなものとなる。この比較的大きな深孔を埋め込むためには、必然的にウエハの表面に成膜すべきタングステン膜の膜厚も厚くなり、その結果、ウエハの反りが、プロセスを正常に実行できる限界を超える程度にまで増加する。また、このような問題が許容できる限度内である場合にも、タングステン膜を堆積する際に、ウエハの周辺で下地膜の剥がれが発生する等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、貫通ビアを形成するための非貫通孔をタングステン部材で埋め込むに当たり、ウエハの周辺部において、下地のバリアメタル膜の外延部より内側に、タングステン部材の外延部を位置させるように成膜を実行するものである。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上にポリイミドなどからなる保護膜が形成された半導体装置の製造中に、保護膜の上面層が変質しても、この変質による悪影響が生じないようにする。
【解決手段】 ポリイミドなどからなる保護膜５に開口部６を形成したとき、保護膜５の開口部６を介して露出された接続パッド２の上面にポリイミドなどからなる残渣が残存する場合がある。そこで、次に、この残渣を酸素プラズマアッシングにより除去する。この場合、保護膜５の上面側に凸凹構造の変質層Ａが形成される。次に、開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面に形成された自然酸化膜をアルゴンプラズマエッチングにより除去する。この場合、変質層Ａがさらに変質して網目構造の変質層Ｃが形成される。次に、チタンなどからなる第１の下地金属層７を成膜する。この場合、第１の下地金属層７は網目構造の変質層Ｃの上面に成膜されるため、その界面の密着力は高い。 （もっと読む）

【課題】配線とコンタクトプラグの短絡を効果的に防止する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、隣り合う配線の間に位置する層間絶縁膜内に、配線が露出した第１のコンタクトホールを含む複数のコンタクトホールを形成する。次に、（ｉ）配線の露出した側面が、第１のコンタクトホールの第１の絶縁膜から構成される内壁側面と実質的に同一面となるか、又は（ｉｉ）第１のコンタクトホールの内壁側面において配線の露出した側面が窪んだ凹形状が形成されるように、露出した前記配線の一部を除去する。この後、コンタクトホールの内壁側面上にサイドウォール膜を形成後、コンタクトホール内に導電材料を充填することによりコンタクトプラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】精度良く形成された小型化された電極を備えた電極構造体及びその製造方法、並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の層間絶縁膜１３に、第１の方向に延在する複数の第１の溝１６を形成し、第１の溝１６の対向する２つの側面及び底面を覆うように第１の導電膜３２を形成し、第１の導電膜３２が形成された複数の第１の溝１６を第１の絶縁膜１９で充填し、第１の層間絶縁膜１３、第１の絶縁膜１９、及び第１の導電膜３２の上面に、第２の方向に延在する複数の開口部を有したハードマスク層３３を形成し、異方性エッチング法により、複数の開口部から露出された部分の第１の絶縁膜１９及び第１の導電膜３２を除去することで、第１の溝１６に第１の導電膜３２よりなる電極を形成すると共に、第１の層間絶縁膜１３に第１の溝１６と交差する第２の溝１７を複数形成し、ハードマスク層３３を除去した後、第２の溝１７を第２の絶縁膜２１で充填する。 （もっと読む）

【課題】 合成樹脂基板及び電極の両方に対するレベリング性に優れ、平滑性及び絶縁性に優れた硬化膜が得られる紫外線硬化型インクジェット記録用インク、それから得られた絶縁膜、電子素子及び電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 エネルギー線硬化性化合物、光重合開始剤、及び表面張力調整剤を含有し、硬化性を有さないポリマーを含まず、２５℃における粘度が１００ｍＰａ・ｓｅｃ以下、表面張力が２２〜３５ｍＮ／ｍ、かつインク硬化膜の体積抵抗率１０^１３Ω・ｃｍ以上であり、絶縁破壊強度１．２MV／ｃｍ^２以上である、絶縁膜を形成するためのソルベントフリー紫外線線硬化型インクジェット記録用インク、それを硬化してなる絶縁膜等を提供する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、剥離しにくい低誘電率膜を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の上面の周辺部を除く領域には低誘電率膜４と配線５との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部３が設けられている。低誘電率膜配線積層構造部３の上面にはパッシベーション膜７および保護膜９が設けられている。保護膜９の上面およびシリコン基板１の周辺部上面には封止膜１４が設けられている。これにより、特に、低誘電率膜配線積層構造部３の側面は封止膜１４によって覆われ、低誘電率膜４が剥離しにくい構造となっている。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に高い位置精度で膜を形成する。
【解決手段】電極形成用テンプレート１１２の表面１１２ａには、ウェハＷの貫通孔に対応する位置に開口部１１５が複数形成されている。電極形成用テンプレート１１２は、開口部１１５に連通する膜形成用液の流通路１１６を備えている。この電極形成用テンプレート１１２とウェハＷを密着させた後、この状態のまま、めっき液供給口１１７から流通路１１６を介して開口部１１５からウェハＷの貫通孔に対してめっき液を供給することで、ウェハＷの貫通孔に電極を形成する。 （もっと読む）

低誘電率層を基板上に堆積するための方法が提供される。一実施形態では、本方法は、１種または複数のオルガノシリコン化合物をチャンバに導入するステップであって、１種または複数のオルガノシリコン化合物がシリコン原子およびこのシリコン原子に結合されたポロゲン成分を含むステップと、１種または複数のオルガノシリコン化合物を、ＲＦ電力の存在下で反応させることにより、低誘電率層をチャンバ内の基板上に堆積させるステップと、低誘電率層からポロゲン成分が実質的に除去されるようにこの低誘電率層を後処理するステップとを含む。任意選択で、不活性キャリアガス、酸化ガス、またはその両方を、１種または複数のオルガノシリコン化合物と共に処理チャンバ内に導入してもよい。後処理プロセスは、堆積した材料の紫外線硬化とすることができる。ＵＶ硬化プロセスは、熱または電子ビーム硬化プロセスと同時にまたは連続して使用してもよい。低誘電率層は、良好な機械的性質および望ましい誘電率を有する。
（もっと読む）

【課題】 プリント配線基板等の基板上に描画済の配線パターンの変更を簡易に行ない、生産性を向上すること。
【解決手段】 基板１０上に描画済の既設配線を修正する基板１０の配線修正装置１００であって、第１の既設配線１１を設定された切断位置においてレーザにより切断するレーザ切断装置１４０と、第１の既設配線１１における接続予定部と第２の既設配線１２における接続予定部とをつなぐ再配線３０を描画する配線用インクジェット塗布装置１５０を有するもの。 （もっと読む）

【課題】 少ない無機フィラーの含有量であっても、より熱伝導性が高い充填層を形成することができる層間充填材組成物を提供すること。
【解決手段】 三次元集積回路用の層間充填材組成物が、微粒子状樹脂フィラー、熱伝導度が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機フィラー、及びマトリックス樹脂を含有し、かつ該層間充填材組成物１００体積％あたり、微粒子状樹脂フィラーを１体積％以上５０体積％以下、無機フィラーを１体積％以上８０体積％以下含有する。 （もっと読む）

【課題】配線の導通信頼性を損なうことなく、エアギャップを形成でき、配線間容量Ｃが低減した配線膜構造を有する半導体装置を提供することである。
【解決手段】 半導体装置の製造方法において、第１絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、前記第１絶縁膜に配線膜を形成する配線膜形成工程と、前記配線膜が形成されてない箇所の前記第１絶縁膜にドライエッチングで溝を形成するドライエッチング工程と、前記ドライエッチング工程の後、前記溝が埋め尽くされることが無いよう、前記配線膜および前記溝上に第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程とを具備する。 （もっと読む）

高温オゾン処理を含むナノ細孔の超低誘電薄膜の製造方法及びこれによって製造されたナノ細孔の超低誘電薄膜が提供され、前記製造方法は、有機シリケートマトリックス−含有溶液と反応性ポロゲン−含有溶液とを混合して混合溶液を準備し、前記混合溶液を基材上に塗布して薄膜を形成し、前記薄膜を熱処理し、前記熱処理の過程中にオゾン処理を行うことを含み、このような製造方法によって製造されたナノ細孔の超低誘電薄膜は、高温のオゾン処理及び処理温度の最適化による薄膜内の細孔のサイズと分布度の改善を通じて、２.３以下の誘電率と１０ＧＰａ以上の機械的強度とを有することができる。
（もっと読む）

【課題】積層チップパッケージの電気的な接続に関する信頼性を高める。
【解決手段】半導体基板はスクライブラインに沿って複数の溝部が形成されている。半導体基板は、複数の溝部のいずれか少なくとも一つに接する単位領域と、その単位領域内に一部が配置されている配線電極とを有している。そして、複数の溝部は、底部を含む溝下部よりも幅の広い幅広部が入り口に形成されている口広構造を有している。半導体基板は、幅広部が入り口の長さ方向全体に形成されていてもよい。 （もっと読む）