電極構造体及びその製造方法、並びに半導体装置
【課題】精度良く形成された小型化された電極を備えた電極構造体及びその製造方法、並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の層間絶縁膜１３に、第１の方向に延在する複数の第１の溝１６を形成し、第１の溝１６の対向する２つの側面及び底面を覆うように第１の導電膜３２を形成し、第１の導電膜３２が形成された複数の第１の溝１６を第１の絶縁膜１９で充填し、第１の層間絶縁膜１３、第１の絶縁膜１９、及び第１の導電膜３２の上面に、第２の方向に延在する複数の開口部を有したハードマスク層３３を形成し、異方性エッチング法により、複数の開口部から露出された部分の第１の絶縁膜１９及び第１の導電膜３２を除去することで、第１の溝１６に第１の導電膜３２よりなる電極を形成すると共に、第１の層間絶縁膜１３に第１の溝１６と交差する第２の溝１７を複数形成し、ハードマスク層３３を除去した後、第２の溝１７を第２の絶縁膜２１で充填する。
【解決手段】第１の層間絶縁膜１３に、第１の方向に延在する複数の第１の溝１６を形成し、第１の溝１６の対向する２つの側面及び底面を覆うように第１の導電膜３２を形成し、第１の導電膜３２が形成された複数の第１の溝１６を第１の絶縁膜１９で充填し、第１の層間絶縁膜１３、第１の絶縁膜１９、及び第１の導電膜３２の上面に、第２の方向に延在する複数の開口部を有したハードマスク層３３を形成し、異方性エッチング法により、複数の開口部から露出された部分の第１の絶縁膜１９及び第１の導電膜３２を除去することで、第１の溝１６に第１の導電膜３２よりなる電極を形成すると共に、第１の層間絶縁膜１３に第１の溝１６と交差する第２の溝１７を複数形成し、ハードマスク層３３を除去した後、第２の溝１７を第２の絶縁膜２１で充填する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極構造体及びその製造方法、並びに該電極構造体を備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体記憶装置として相変化材料層（以下、「抵抗値可変材料層」という）の抵抗値変化を利用した相変化メモリ（Ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｇｅ Ｍｅｍｏｒｙ；以下、「ＰＲＡＭ」という）の開発が行われている（例えば、特許文献１参照。）。
ＰＲＡＭでは、抵抗値可変材料層と接触する電極に電流を流して、抵抗値可変材料層を高抵抗のアモルファス状態から低抵抗の結晶状態に遷移させたり、或いは、結晶状態からアモルファス状態に遷移させたりすることで、記録素子として機能させる。
ＰＲＡＭでは、抵抗値可変材料層と電極とが接触する面積を小さくして、相変化する領域を小さくすることで、ＰＲＡＭの動作特性を向上できる。言い換えれば、電極のサイズを小さくすることで、ＰＲＡＭの動作特性を向上できる。そのため、電極のサイズを小型化することが望まれている。
【０００３】
電極のサイズを小型化可能な電極の形成方法としては、例えば、特許文献１には、絶縁膜にコンタクトホールを形成後、コンタクトホールの側壁にコンタクトホールの径を小さくするためのスペーサを形成し、その後、スペーサが形成されたコンタクトホールに導電膜を埋め込むことで電極を形成することが開示されている。
また、特許文献２，３には、絶縁層上に、第１の方向に延在する複数の第１の溝を有した第１のレジストマスクと、第１の方向とは異なる第２の方向に延在し、第１の溝と交差する複数の第２の溝を有した第２のレジストマスクとを重ね合わせ、第１及び第２のレジストマスクを介して絶縁層をエッチングすることで、絶縁層に微細なコンタクトホールを形成することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−０１９６８８号公報
【特許文献２】特開２００３−２２９４９７号公報
【特許文献３】特開２００５−１５０３３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の電極形成方法では、コンタクトホールの径方向にスペーサの厚さを厚くした場合、コンタクトホールの底部にスペーサが残る虞があるため、所望の形状となるように複数の電極を精度良く形成することができないという問題があった。
また、コンタクトホールの底部にスペーサが残らなかったとしても、スペーサが形成されたコンタクトホールの開口径はかなり小さくなる。そのため、スペーサが形成されたコンタクトホール内部にボイド（空洞）を生じることなく、電極の母材となる金属膜を埋め込むことが困難となるので、所望の形状とされた複数の電極を精度良く形成することができない。
【０００６】
また、特許文献２，３の電極形成方法においても、微細な開口径とされたコンタクトホール内に電極の母材となる金属膜を埋め込むことが困難となるため、所望の形状とされた複数の電極を精度良く形成することができないという問題があった。
特に、コンタクトホールのアスペクト比（＝コンタクトホールの深さ／コンタクトホールの開口径）が高い場合には、コンタクトホール内に電極の母材となる金属膜を埋め込むことが困難となるため、上記問題が顕著となる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、第１の層間絶縁膜を形成する第１の層間絶縁膜形成工程と、異方性エッチング法により、前記第１の層間絶縁膜を貫通し、第１の方向に延在する複数の第１の溝を形成する第１の溝形成工程と、前記第１の溝の対向する２つの側面、及び前記第１の溝の底面を覆うように、第１の導電膜を形成する第１の導電膜形成工程と、前記第１の導電膜が形成された複数の前記第１の溝を第１の絶縁膜で充填する第１の絶縁膜充填工程と、前記第１の層間絶縁膜、前記第１の絶縁膜、及び前記第１の導電膜の上面に、前記第１の方向と交差する第２の方向に延在する複数の開口部を有したハードマスク層を形成するハードマスク層形成工程と、異方性エッチング法により、前記ハードマスク層に形成された複数の前記開口部から露出された部分の前記第１の絶縁膜及び前記第１の導電膜を除去することで、前記第１の溝に前記第１の導電膜よりなる電極を複数形成すると共に、前記第１の層間絶縁膜をエッチングすることで、前記第１の層間絶縁膜に、前記第１の溝と交差する前記第２の溝を複数形成する電極及び第２の溝形成工程と、前記電極及び第２の溝形成工程後、前記ハードマスク層を除去するハードマスク層除去工程と、前記ハードマスク層除去工程後、複数の前記第２の溝を第２の絶縁膜で充填する第２の絶縁膜充填工程と、を含むことを特徴とする電極構造体の製造方法。が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の電極構造体の製造方法によれば、従来のホールでは無く、第１の方向に延在する第１の溝内に電極の母材となる第１の導電膜を形成することにより、第１の溝の２つの側面及び第１の溝の底面に、均一な厚さとなるように第１の導電膜を形成することが可能となる。これは、第１の溝が従来のホールと同程度の幅を有する場合でも、第１の溝の延在する第１の方向においては、第１の溝の側面の影響を受けないため、第１の溝内への第１の導電膜の成膜が容易になるためである。
また、異方性エッチング法により、ハードマスク層に形成された複数の開口部から露出された部分の第１の絶縁膜及び第１の導電膜を除去することで、第１の溝に電極を複数形成することで、複数の電極間の形状ばらつきを抑制することが可能となり、小型化された複数の電極を所望の形状に加工することができる。
また、ハードマスク層に形成された複数の開口部の第１の方向に対する幅を広くすることで、第１の方向に対する複数の電極の幅を容易に小さくすることができる。つまり、第１の方向に対する複数の電極のサイズを容易に小型化することができる。
さらに、上記複数の電極の形状がコの字型となるため、電極の上端（例えば、抵抗値可変材料層と接触する部分）の面積を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体を説明するための概略図であって、図１（ａ）は構造体の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線方向の構造体の断面図であり、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ線方向の構造体の断面図であり、図１（ｄ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ線方向の構造体の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その１）であり、図２（ａ）は平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その２）であり、図３（ａ）は平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図３（ｃ）は図３（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その３）であり、図４（ａ）は平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図４（ｃ）は図４（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その４）であり、図５（ａ）は平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図５（ｃ）は図５（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その５）であり、図６（ａ）は平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図６（ｃ）は図６（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その６）であり、図７（ａ）は平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図７（ｃ）は図７（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その７）であり、図８（ａ）は平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図８（ｃ）は図８（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その８）であり、図９（ａ）は平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図９（ｃ）は図９（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その９）であり、図１０（ａ）は平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図１０（ｃ）は図１０（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その１０）であり、図１１（ａ）は平面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図１１（ｃ）は図１１（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その１１）であり、図１２（ａ）は平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図１２（ｃ）は図１２（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図であり、図１２（ｄ）は図１２（ａ）に示す構造体のＣ−Ｃ線方向の断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その１２）であり、図１３（ａ）は平面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図１３（ｃ）は図１３（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図であり、図１３（ｄ）は図１３（ａ）に示す構造体のＣ−Ｃ線方向の断面図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る電極構造体の他の製造工程を示す図である。
【図１５】図１に示す電極構造体を備えた半導体装置に設けられた活性領域、ゲート電極、ビット線、接地用配線、電極、第３のコンタクトプラグ、及び第４のコンタクトプラグの位置関係を説明するための概略平面図である。
【図１６】図１５に示す半導体装置のＤ−Ｄ線方向の断面図である。
【図１７】図１５に示す半導体装置のＥ−Ｅ線方向の断面図である。
【図１８】図１に示す電極構造体を備えた半導体装置の製造工程を示す断面図（その１）である。
【図１９】図１に示す電極構造体を備えた半導体装置の製造工程を示す断面図（その２）である。
【図２０】図１に示す電極構造体を備えた半導体装置の製造工程を示す断面図（その３）である。
【図２１】図１に示す電極構造体を備えた半導体装置の製造工程を示す断面図（その４）である。
【図２２】図１５に示す半導体装置４５のＥ―Ｅ線方向の断面に対応する図２１に示す構造体の断面図である。
【図２３】図１に示す電極構造体を備えた半導体装置の製造工程を示す断面図（その５）である。
【図２４】図１５に示す半導体装置４５のＥ―Ｅ線方向の断面に対応する図２３に示す構造体の断面図である。
【図２５】図１に示す電極構造体を備えた半導体装置の製造工程を示す断面図（その６）である。
【図２６】図１５に示す半導体装置４５のＥ―Ｅ線方向の断面に対応する図２５に示す構造体の断面図である。
【図２７】図２７は、本発明の第２の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体を説明するための概略図であり、図２７（ａ）は構造体の平面図であり、図２７（ｂ）は図２７（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図２７（ｃ）は図２７（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図であり、図２７（ｄ）は図２７（ａ）に示す構造体のＣ−Ｃ線方向の断面図である。
【図２８】本発明の第２の実施の形態に係る電極構造体の製造工程を示す図（その１）である。
【図２９】本発明の第２の実施の形態に係る電極構造体の製造工程を示す図（その２）である。
【図３０】本発明の第２の実施の形態に係る電極構造体の製造工程を示す図（その３）である。
【図３１】図２７に示す電極構造体を備えた半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明を適用した実施の形態について詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、本発明の実施形態の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の構造体、電極構造体、及び半導体装置の寸法関係とは異なる場合がある。
【００１１】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体を説明するための概略図である。図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ線方向の断面図であり、図１（ｄ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ線方向の断面図である。
【００１２】
図１を参照するに、構造体５は、第１の実施の形態の電極構造体１０と、第１の絶縁層１１と、コンタクトプラグ１２を有する。
電極構造体１０は、第１の層間絶縁膜１３を構成するシリコン窒化膜１４及びシリコン酸化膜１５と、第１の溝１６と、第２の溝１７と、電極１８と、第１の絶縁膜１９と、第２の絶縁膜２１とを有する。
【００１３】
シリコン窒化膜１４は、第１の絶縁層１１の上面１１ａに設けられている。シリコン酸化膜１５は、シリコン窒化膜１４の上面１４ａに設けられている。シリコン窒化膜１４としては、例えば、Ｓｉ３Ｎ４膜（例えば、厚さが１０〜３０ｎｍ）を用いることができる。
第１の溝１６は、Ｙ方向に延在する溝であり、シリコン窒化膜１４及びシリコン酸化膜１５を貫通するように形成されている。第１の溝１６は、Ｘ方向に対して所定の間隔で複数配列されている。第１の溝１６の底面１６ｃは、第１の溝１６から露出された部分のコンタクトプラグ１２の上端面１２ａ及び第１の絶縁層１１の上面１１ａにより構成されている。
なお、図１において、複数の第１の溝１６は、Ｘ方向に延在する複数の第２の溝１７により複数の位置で交差している。また、図１では、第１の溝１６と第２の溝１７との交差する角度が９０度の場合を例に挙げて図示しているが、第１の溝１６と第２の溝１７とが交差する角度は、これに限定されない。
第２の溝１７は、Ｘ方向に延在する溝であり、シリコン酸化膜１５を貫通するように複数形成されている。第２の溝１７は、Ｘ方向に対して所定の間隔で配列されている。第２の溝１７は、シリコン窒化膜１４の上面１４ａを露出している。
【００１４】
電極１８は、複数の第１の溝１６のうち、第２の溝１７と交差しない部分の第１の溝１６に設けられている。電極１８は、コの字型の形状とされており、第１の導電膜（例えば、金属膜であるＴｉＮ膜）により構成されている。電極１８は、第１の導電部２３と、第２の導電部２４と、第３の導電部２５とを有する。
第１の導電部２３は、第１の溝１６の一方の側面１６ａに設けられている。第１の導電部２３の上端面２３ａは、第１の絶縁層１１及びシリコン酸化膜１５から露出されている。
第１の導電部２３の上端面２３ａとシリコン酸化膜１５の上面１５ａとは、面一とされている。第１の導電部２３の上端面２３ａは、例えば、電極構造体１０上に抵抗値可変材料層（図示せず）を配置した場合、抵抗値可変材料層と接触する部分である。
【００１５】
第２の導電部２４は、第１の溝１６の他方の側面１６ｂ（側面１６ａと対向する側面）に設けられている。第２の導電部２４は、第１の導体と対向するように配置されている。第２の導電部２３の上端面２４ａ（電極１８の端部）は、第１の絶縁層１１及びシリコン酸化膜１５から露出されている。第２の導電部２４の上端面２４ａとシリコン酸化膜１５の上面１５ａとは、面一とされている。第２の導電部２４の上端面２４ａは、例えば、電極構造体１０上に抵抗値可変材料層（図示せず）を配置した場合、抵抗値可変材料層と接触する部分である。
第３の導電部２５は、第１の導体２３と第２の導体２４との間に位置する部分の第１の溝１６の底面１６ｃに設けられている。第３の導電部２５は、第１及び第２の導体部２３，２４と一体的に構成されている。
【００１６】
第１の絶縁膜１９は、電極１８が形成された部分の複数の第１の溝１６を充填するように設けられている。第１の絶縁膜１９の上面１９ａ、第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａと、及びシリコン酸化膜１５の上面１５ａは、面一とされている。第１の絶縁膜１９としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）を用いることができる。好ましくは、第１の絶縁膜１９としては、例えば、埋め込み特性に優れたスピンナ法により形成された塗布系の絶縁膜であるＳＯＤ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓ）膜を用いるとよい。
【００１７】
第２の絶縁膜２１は、複数の第２の溝１７を充填するように設けられている。第２の絶縁膜２１の上面２１ａは、シリコン酸化膜１５の上面１５ａに対して面一とされている。第２の絶縁膜２１としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）を用いることができる。好ましくは、第２の絶縁膜２１としては、例えば、埋め込み特性に優れたスピンナ法により形成された塗布系の絶縁膜であるＳＯＤ膜を用いるとよい。
【００１８】
第１の絶縁層１１は、複数のコンタクトプラグ１２が形成される層である。第１の絶縁層１１としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）を用いることができる。
コンタクトプラグ１２は、第１の絶縁層１１を貫通するように複数設けられている。複数のコンタクトプラグ１２は、コンタクトプラグ１２の上端面１２ａが第１の溝１６から露出されるように、第１の方向であるＹ方向に所定の間隔で配置されている。
【００１９】
本実施の形態の電極構造体によれば、第１の溝１６に配置された電極１８の形状がコの字型であるため、第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａの面積を小さくすることが可能となる。これにより、例えば、電極構造体１０上に第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａと接触する抵抗値可変材料層（図示せず）を設けた場合、電極１８と抵抗値可変材料層とが接触する部分の面積を小さくすることができる。
【００２０】
図２〜図１３は、本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図である。なお、図２〜図１３において、図１に示す構造体５と同一構成部分には、同一符号を付す。
なお、図２（ａ）は平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
また、図３（ａ）は平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図３（ｃ）は図３（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
また、図４（ａ）は平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図４（ｃ）は図４（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
また、図５（ａ）は平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図５（ｃ）は図５（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
また、図６（ａ）は平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図６（ｃ）は図６（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
また、図７（ａ）は平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図７（ｃ）は図７（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
また、図８（ａ）は平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図８（ｃ）は図８（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【００２１】
また、図９（ａ）は平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図９（ｃ）は図９（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
また、図１０（ａ）は平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図１０（ｃ）は図１０（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
また、図１１（ａ）は平面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図１１（ｃ）は図１１（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
また、図１２（ａ）は平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図１２（ｃ）は図１２（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図であり、図１２（ｄ）は図１２（ａ）に示す構造体のＣ−Ｃ線方向の断面図である。
また、図１３（ａ）は平面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図１３（ｃ）は図１３（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図であり、図１３（ｄ）は図１３（ａ）に示す構造体のＣ−Ｃ線方向の断面図である。
【００２２】
図２〜図１３を参照して、構造体５を製造する場合を例に挙げて、第１の実施の形態の電極構造体１０の製造方法について説明する。
始めに、図２に示す工程では、第１の絶縁層１１を形成後、第１の絶縁層１１に複数の貫通孔２６を形成し、その後、複数の貫通孔２６を充填するコンタクトプラグ１２を形成する。第１の絶縁層１１としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）を用いることができる。また、コンタクトプラグ１２としては、例えば、チタン（Ｔｉ）層、窒化チタン（ＴｉＮ）層、及びタングステン（Ｗ）膜とが順次積層された積層膜を用いることができる。
次いで、第１の絶縁層１１の上面１１ａからコンタクトプラグ１２の上端が突出した場合には、研磨により、突出した部分（不要な部分）のコンタクトプラグ１２を除去する。これにより、第１の絶縁層１１の上面１１ａとコンタクトプラグ１２の上面１２ａとは、面一となる。不要な部分のコンタクトプラグ１２の除去には、例えば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法を用いることができる。
【００２３】
次いで、第１の絶縁層１１の上面１１ａ及びコンタクトプラグ１２の上面１２ａを覆うシリコン窒化膜１４を形成し、次いで、シリコン窒化膜１４の上面１４ａを覆うシリコン酸化膜１５を形成する（第１の層間絶縁膜形成工程）。
これにより、シリコン窒化膜１４及びシリコン酸化膜１５よりなる第１の層間絶縁膜１３が形成される。シリコン窒化膜１４としては、例えば、Ｓｉ３Ｎ４膜（例えば、厚さが１０〜３０ｎｍ）を用いることができる。また、シリコン酸化膜１５としては、例えば、ＳｉＯ２膜（例えば、厚さが７０ｎｍ）を用いることができる。
【００２４】
次いで、図３に示す工程では、シリコン酸化膜１５の上面１５ａ（第１の層間絶縁膜１３の上面１３ａに相当する面）を覆う第１の反射防止膜２７を形成する。
第１の反射防止膜２７としては、例えば、ＢＡＲＣ（Ｂｏｔｔｏｍ Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｃｏａｔｉｎｇ）膜を用いることができる。第１の反射防止膜２７は、例えば、シリコン酸化膜１５の上面１５ａ（第１の層間絶縁膜１３の上面１３ａ）にアクリル系の有機材料を３０〜１００ｎｍの厚さで塗布することで形成できる。
次いで、第１の反射防止膜２７の上面２７ａに、フォトリソ技術により、第１の溝１６（図１参照）を形成する際のエッチング用マスクとなる第１のレジストパターン２８を形成する。
【００２５】
このとき、第１の溝１６（図１参照）の形成領域に対応する部分の第１のレジストパターン２８に、第１の反射防止膜２７の上面２７ａを露出する開口部２９を複数形成する。複数の開口部２９は、Ｙ方向に延在するように形成する。また、複数の開口部２９は、シリコン窒化膜１４、シリコン酸化膜１５、及び第１の反射防止膜２７を介して、Ｙ方向に配置された複数のコンタクトプラグ１２の上面１２ａと対向するように形成する。
具体的には、第１のレジストパターン２８は、第１の反射防止膜２７の上面２７ａにレジスト膜（図示せず）を塗布後、露光装置（図示せず）に配置されたレチクルを介してレジスト膜を露光し、その後、露光されたレジスト膜を現像処理することで形成する。
【００２６】
このように、第１の反射防止膜２７上に第１のレジストパターン２８を形成することにより、レジスト膜（図示せず）を露光する際に、シリコン酸化膜１５により反射された光がレジスト膜に到達することを抑制できるため、開口部２９の形状（例えば、Ｘ方向における開口部２９の幅）が所望の形状となるように、開口部２９を精度よく形成することができる。
上記第１のレジストパターン２８を形成する際の露光装置として、ＡｒＦ（フッ化アルゴン）レーザを光源とする液浸露光装置を用いる場合、開口部２９のＸ方向の幅は、例えば、４０〜４５ｎｍとすることができる。
【００２７】
次いで、図４に示す工程では、第１のレジストパターン２８を介した異方性エッチング法（例えば、ドライエッチング法）により、開口部２９に露出された部分の第１の層間絶縁膜１３及び第１の反射防止膜２７を除去することで、第１の層間絶縁膜１３に、第１の絶縁層１１の上面１１ａ、及びＹ方向に配置された複数のコンタクトプラグ１２の上面１２ａを露出する第１の溝１６を複数形成する（第１の溝形成工程）。
複数の第１の溝１６は、Ｙ方向に延在するように形成する。第１の溝１６は、複数の電極１８（図１参照）を形成するための溝であり、対向する側面１６ａ，１６ｂ（２つの側面）及び底面１６ｃを有する。複数の第１の溝１６は、第１の層間絶縁膜１３を貫通するように形成する。
このように、第１の層間絶縁膜１３を貫通するように複数の第１の溝１６を形成することにより、複数の電極１８の底部に相当する部分に、電極構造体１０の下方に配置されたコンタクトプラグ１２（図１参照）を接続させることが可能となる。
【００２８】
上記異方性エッチング法としてドライエッチング法を用いる場合、エッチング装置としては、例えば、マグネトロンＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置を用いることができる。
この場合、第１の反射防止膜２７をエッチングする第１の反射防止膜エッチングステップと、第１の層間絶縁膜１３をエッチングする第１の層間絶縁膜エッチングステップとに分けてエッチングを行う。
第１の反射防止膜エッチングステップでは、例えば、ＣＦ４ガス（例えば、流量が１００ｓｃｃｍ）とＣＨＦ３（例えば、流量が５０ｓｃｃｍ）とを混合したエッチングガスを用いて、圧力が６０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワーが５００Ｗの条件でエッチングを行う。
また、第１の層間絶縁膜エッチングステップでは、例えば、ＣＦ４ガス（例えば、流量が１００ｓｃｃｍ）、ＣＨ２Ｆ２（例えば、流量が３０ｓｃｃｍ）、及びＯ２ガス（例えば、流量が５０ｓｃｃｍ）を混合したエッチングガスを用いて、圧力が６０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワーが５００Ｗの条件でエッチングを行う。
【００２９】
このように、異方性エッチング法により、複数の電極１８が配置される第１の溝１６を形成することで、第１の溝１６のＸ方向の幅を狭く（例えば、４０〜４５ｎｍ）した場合でも、第１の溝１６のＹ方向の幅が非常に広いため、Ｘ方向の幅の狭い第１の溝１６を容易に形成することができる。
言い換えれば、第１の溝１６のアスペクト比（＝第１の溝１６の深さ／Ｙの方向に対する第１の溝１６の幅）は、従来の微細なコンタクトホールのアスペクト比（＝コンタクトホールの深さ／コンタクトホールの開口径）よりも小さいため、異方性エッチング法により、容易にＸ方向の幅の狭い第１の溝１６を形成することができる。
なお、第１の溝１６のＸ方向の幅を狭くすることで、複数の電極１８のＸ方向の幅を狭くすることが可能となるので、複数の電極１８のＸ方向のサイズの小型化を図ることができる。
なお、図３及び図４に示す工程が、第１の溝形成工程に相当する工程である。
【００３０】
次いで、図５に示す工程では、図４に示す第１のレジストパターン２８及び第１の反射防止膜２７を除去する。
次いで、図６に示す工程では、複数の第１の溝１６の側面１６ａ，１６ｂ及び底面１６ｃを覆う第１の導電膜３２を形成する（第１の導電膜形成工程）。
これにより、第１の溝１６の底面１６ｃに形成された部分の第１の導電膜３２は、複数のコンタクトプラグ１２の上面１２ａと接触する。
また、第１の導電膜形成工程では、第１の溝１６の一方の側面１６ａに形成された第１の導電膜３２と、第１の溝１６の他方の側面１６ｂに形成された第１の導電膜３２との間に隙間が形成されるように、第１の導電膜３２を形成する。
例えば、第１の溝１６のＸ方向の幅が４５ｎｍの場合、第１の導電膜３２の厚さは、例えば、１０ｎｍとすることができる。
【００３１】
第１の導電膜形成工程では、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により第１の導電膜３２を形成する。
このように、ＣＶＤ法を用いて、複数の第１の溝１６に第１の導電膜３２を形成することで、複数の第１の溝１６の側面１６ａ，１６ｂ及び底面１６ｃに均一な厚さとなるように、第１の導電膜３２を形成することができる。
なお、ＣＶＤ法を用いて第１の導電膜３２を形成する場合、シリコン酸化膜１５の上面１５ａにも第１の導電膜３２（図示せず）が形成される（図２８に示す第１の導電膜３２参照。）。
第１の導電膜３２としては、例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）膜を用いることができるが、窒化チタン（ＴｉＮ）膜以外の金属膜を用いてもよい。
【００３２】
次いで、第１の導電膜３２が形成された複数の第１の溝１６を第１の絶縁膜１９で充填する（第１の絶縁膜充填工程）。
第１の絶縁膜１９としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）やシリコン窒化膜等を用いることができる。第１の絶縁膜１９としてシリコン酸化膜を用いる場合、第１の絶縁膜１９は、例えば、スピンナ法やＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の方法により形成することができる。
このように、埋め込み特性に優れたスピンナ法を用いて複数の第１の溝１６を塗布系の第１の絶縁膜１９で充填することにより、第１の絶縁膜１９にボイドが発生することを防止できる。
第１の絶縁膜としてシリコン窒化膜を用いる場合、第１の絶縁膜１９は、例えば、ＬＰ−ＣＶＤ（低圧化学気相蒸着）法により形成することができる。
なお、第１の絶縁膜充填工程では、シリコン酸化膜１５の上面１５ａ上に位置する部分の第１の導電膜３２上にも第１の絶縁膜１９が形成される（図２９に示す第１の絶縁膜１９参照。）。
【００３３】
次いで、シリコン酸化膜１５の上面１５ａ（第１の層間絶縁膜１３の上面１３ａに相当する面）から突出した部分の第１の導電膜３２及び第１の絶縁膜１９を除去する（第１の導電膜及び第１の絶縁膜除去工程）。
第１の導電膜及び第１の絶縁膜除去工程では、例えば、シリコン酸化膜１５の上面１５ａから突出した部分の第１の導電膜３２及び第１の絶縁膜１９をエッチバック法或いはＣＭＰ法により除去する。
これにより、図６（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜１５の上面１５ａ、第１の絶縁膜１９の上面１９ａ、及び第１の導電膜３２の上面３２ａ，３２ｂが同一平面上に配置される。
【００３４】
次いで、図７に示す工程では、シリコン酸化膜１５の上面１５ａ、第１の絶縁膜１９の上面１９ａ、及び第１の導電膜３２の上面３２ａ，３２ｂに、ハードマスク層３３の母材となる膜を成膜する。この段階では、ハードマスク層３３に、複数の開口部は形成されていない。ハードマスク層３３の母材となる膜としては、例えば、メタン（ＣＨ４）等のハイドロカーボンを原料としてＣＶＤ法で形成したアモルファスカーボン膜（例えば、厚さ１００ｎｍ）を用いることができる。
次いで、図７に示すハードマスク層３３の上面３３ａに、第２の反射防止膜３４を形成する。第２の反射防止膜３４としては、例えば、ＡＲＬ（Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）膜を用いることができる。また、ＡＲＬ膜としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を含有した膜（例えば、厚さ３０ｎｍ）を用いることができる。
【００３５】
次いで、図８に示す工程では、第２の反射防止膜３４の上面３４ａに、フォトリソ技術により、ハードマスク層３３に複数の開口部を形成する際のエッチング用マスクとなる第２のレジストパターン３６を形成する。
このとき、第２の溝１７（図１参照）の形成領域に対応する部分の第２のレジストパターン３６に、第２の反射防止膜３４の上面３４ａを露出すると共に、Ｘ方向に延在する開口部３７を複数形成する。
第２のレジストパターン３６は、電極１８及び電極１８の形成領域に対応する部分の第１の絶縁膜１９の上方に位置する部分の第２の反射防止膜３４の上面３４ａを覆うように形成する。
【００３６】
具体的には、複数の開口部３７を有した第２のレジストパターン３６は、第２の反射防止膜３４の上面３４ａにレジスト膜（図示せず）を塗布後、露光装置（図示せず）に配置されたレチクル（図示せず）を介してレジスト膜を露光し、その後、露光されたレジスト膜を現像処理することで形成する。
このように、第２の反射防止膜３４上に第２のレジストパターン３６を形成することにより、レジスト膜（図示せず）を露光する際に、ハードマスク層３３により反射された光がレジスト膜に到達することを抑制できるため、開口部３７の形状（例えば、Ｙ方向における開口部３７の幅）が所望の形状となるように、開口部３７を精度よく形成することができる。
これにより、後述する図１０に示す工程において、ハードマスク層３３に、所望の形状とされた複数の開口部３９を形成することができる。
【００３７】
次いで、図９に示す工程では、複数の開口部３７を有した第２のレジストパターン３６を介した異方性エッチング法により、複数の開口部３７に露出された部分のハードマスク層３３及び第２の反射防止膜３４を除去することで、ハードマスク層３３に、Ｘ方向に延在する複数の開口部３９を形成する。このとき、複数の開口部３９は、シリコン酸化膜１５の上面１５ａを露出するように形成する。複数の開口部３９は、Ｙ方向に対して交差している。
【００３８】
図９に示す工程において、異方性エッチング法としてドライエッチング法を用いる場合、エッチング装置としては、例えば、マグネトロンＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置を用いることができる。
この場合、第２の反射防止膜３４をエッチングする第２の反射防止膜エッチングステップと、ハードマスク層３３をエッチングするハードマスク層エッチングステップとに分けてエッチングを行う。
第２の反射防止膜エッチングステップでは、例えば、ＣＦ４ガス（例えば、流量が２４０ｓｃｃｍ）とＯ２（例えば、流量が５ｓｃｃｍ）とを混合したエッチングガスを用いて、圧力が４０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワーが４００Ｗの条件でドライエッチングを行う。
【００３９】
ハードマスク層エッチングステップでは、ハードマスク層３３としてアモルファスカーボン膜を用いる場合、例えば、Ａｒガス（例えば、流量が１５０ｓｃｃｍ）とＯ２（例えば、流量が９０ｓｃｃｍ）とを混合したエッチングガスを用いて、圧力が１５ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワーが５００Ｗの条件でドライエッチングを行う。
第２のレジストパターン３６を形成する際の露光装置として、ＡｒＦ（フッ化アルゴン）レーザを光源とする液浸露光装置（図示せず）を用いる場合、ハードマスク層３３に形成される開口部３９のＹ方向の幅は、例えば、４０〜４５ｎｍとすることができる。
ハードマスク層３３の母材となる膜としてアモルファスカーボン膜を用いた場合には、そのドライエッチングにおいて、第２のレジストパターン３６は同時に除去されるが、酸窒化シリコンを含有した膜で第２の反射防止膜３４を形成しておくことにより、第２のレジストパターン３６のマスク形状を維持することができる。
すなわち、アモルファスカーボン膜をエッチングする際に耐性を備えた材料で第２の反射防止膜３４を形成しておくことにより、第２の反射防止膜３４をハードマスクとしても機能させることができる。
次いで、図１０に示す工程では、図９に示す第２のレジストパターン３６を除去する。なお、図７〜図１０に示す工程が、ハードマスク層形成工程に相当する工程である。
【００４０】
次いで、図１１に示す工程では、異方性エッチング法（例えば、ドライエッチング法）により、図１０に示す複数の開口部３９から露出された部分の第１の絶縁膜１９及び第１の導電膜３２を除去することで、ハードマスク層３３に覆われた部分の第１の溝１６に電極１８を形成すると共に、複数の開口部３９から露出された部分のシリコン酸化膜１５を除去する（言い換えれば、第１の層間絶縁膜１３をエッチングする）ことで、Ｙ方向に延在し、第１の溝１６と交差する第２の溝１７を複数形成する（電極及び第２の溝形成工程）。
このとき、ハードマスク層３３上に形成された第２の反射防止膜３４は、第１の絶縁膜１９及びシリコン酸化膜１５をエッチングする際に除去される。
第１の導電膜３２として窒化チタン（ＴｉＮ）膜を用いた場合、第１の導電膜３２は、例えば、Ｃｌ２ガス（例えば、流量が５０ｓｃｃｍ）、ＣＦ４（例えば、流量が１００ｓｃｃｍ）、及びＡｒガス（例えば、流量が４０ｓｃｃｍ）を混合したエッチングガスを用いて、圧力が１０ｍＴｏｒｒ、ＩＣＰソースパワーが８００Ｗ、ＲＦバイアスパワーが８０Ｗの条件でドライエッチングを行う。
上記電極及び第２の溝形成工程では、第１の溝１６の一方の側面１６ａに形成され、上端面２３ａが第１の絶縁層１１及びシリコン酸化膜１５から露出された第１の導電部２３と、第１の溝１６の他方の側面１６ｂに形成され、上端面２４ａが第１の絶縁層１１及びシリコン酸化膜１５から露出された第２の導電部２４と、第１の導体２３と第２の導体２４との間に位置する部分の第１の溝１６の底面１６ｃに形成された第３の導電部２５とを有し、コの字型形状とされた電極１８が複数形成される。
【００４１】
このように、複数の開口部３９を有したハードマスク層３３を介した異方性エッチング法により、第１の溝１６の側面１６ａ，１６ｂ及び底面１６ｃに形成された第１の導電膜３２をパターニングして、第１の溝１６に第１の導電膜３２よりなる電極１８を複数形成することで、容易に小型化された電極１８（所望の形状とされた電極１８）を形成することができると共に、複数の電極１８間の形状ばらつきを抑制することができる。
また、複数の電極１８の形状がコの字型となるため、従来の円柱形状とされた電極と比較して、第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａの面積を小さくすることができる。
【００４２】
次いで、図１２に示す工程では、図１１に示すハードマスク層３３を除去する（ハードマスク層除去工程）。
ハードマスク層３３としてアモルファスカーボン層を用いた場合、ハードマスク層３３は、例えば、酸素（Ｏ２）ガスを用いたアッシングにより除去する。
【００４３】
次いで、図１３に示す工程では、複数の第２の溝１７を第２の絶縁膜２１で充填する（第２の絶縁膜充填工程）。これにより、電極構造体１０を備えた構造体５が製造される。なお、
第２の絶縁膜充填工程では、第２の絶縁膜２１の上面２１ａが、シリコン酸化膜１５の上面１５ａ、第１の絶縁膜１９の上面１９ａ、及び第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａに対して面一となるように、第２の絶縁膜２１を形成する。
具体的には、第２の絶縁膜２１は、例えば、複数の第２の溝１７にシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を埋め込んだ後、シリコン酸化膜１５の上面１５ａから突出した部分のシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜を除去することで形成する。シリコン酸化膜１５の上面１５ａから突出した部分のシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜は、例えば、エッチバック法やＣＭＰ法の方法により除去することができる。
【００４４】
第２の絶縁膜２１としてシリコン酸化膜を用いる場合、第２の絶縁膜２１は、例えば、スピンナ法やＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の方法により形成することができる。
このように、埋め込み特性に優れたスピンナ法を用いて複数の第２の溝１７を塗布系の第２の絶縁膜２１で充填することにより、第２の絶縁膜２１にボイドが発生することを防止できる。
また、第２の絶縁膜２１としてシリコン窒化膜を用いる場合、第２の絶縁膜２１は、例えば、ＬＰ−ＣＶＤ（低圧化学気相蒸着）法により形成することができる。
【００４５】
本実施の形態の電極構造体の製造方法によれば、従来のホールでは無く、Ｙ方向に延在する第１の溝１６内に電極１８の母材となる第１の導電膜３２を形成することにより、第１の溝１６の２つの側面１６ａ，１６ｂ及び底面１６ｃに、均一な厚さとなるように第１の導電膜３２を形成することが可能となる。
これは、第１の溝１６が従来のホールと同程度の幅を有する場合でも、第１の溝１６の延在するＹ方向においては、第１の溝１６の側面の影響を受けないため、第１の溝１６内への第１の導電膜３２の成膜が容易になるためである。
【００４６】
また、異方性エッチング法により、ハードマスク層３３に形成された複数の開口部３９から露出された部分の第１の導電膜３２を除去することで、第１の溝１６に第１の導電膜３２よりなる電極１８を複数形成することで、容易に小型化された電極１８（所望の形状とされた電極１８）を形成することができると共に、複数の電極１８間の形状ばらつきを抑制することができる。
また、複数の電極１８の形状がコの字型となるため、従来の円柱形状とされた電極と比較して、第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａの面積を小さくすることができる。
【００４７】
図１４は、本発明の第１の実施の形態に係る電極構造体の他の製造工程を示す図である。なお、図１４（ａ）は、平面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図１４（ｃ）は、図１４（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
ここで、図１４を参照して、電極構造体１０の他の製造方法について説明する。
先に説明した図１１に示す工程（電極及び第２の溝形成工程）において、図１４に示すように、開口部３９に対応する部分のハードマスク層３３がサイドエッチングされるエッチング条件を用いて、複数の第２の溝１７を形成してもよい。
【００４８】
このように、開口部３９に対応する部分のハードマスク層３３がサイドエッチングされるエッチング条件を用いて複数の第２の溝１７を形成することにより、図１４に示す開口部３９間に位置する部分のハードマスク層３３のＹ方向の幅Ｗ２が図１１に示すハードマスク層３３のＹ方向の幅Ｗ１よりも狭くなる。
これにより、図１４に示す電極１８のＹ方向の幅を図１１に示す電極１８のＹ方向の幅よりも狭くすることが可能となるので、複数の電極１８のＹ方向のサイズを容易に小型化することができる。言い換えれば、複数の電極１８のＹ方向のサイズを露光装置（図示せず）の解像限界以下の数値にすることができる。
これにより、図１４に示す電極１８を構成する第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａの面積を、図１１に示す電極１８を構成する第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａの面積よりも小さくすることができる。
【００４９】
図１５は、図１に示す電極構造体を備えた半導体装置に設けられた活性領域、ゲート電極、ビット線、接地用配線、電極、第３のコンタクトプラグ、及び第４のコンタクトプラグの位置関係を説明するための概略平面図である。図１６は、図１５に示す半導体装置のＤ−Ｄ線方向の断面図であり、図１７は、図１５に示す半導体装置のＥ−Ｅ線方向の断面図である。
なお、図１５〜図１７では、半導体装置の一例として相変化メモリ（Ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｇｅ Ｍｅｍｏｒｙ；以下、「ＰＲＡＭ」という）を例に挙げて図示する。また、図１５に、図１６及び図１７に示す半導体装置４５の構成要素を全て図示することは困難なため、図１５には、半導体装置４５の構成要素の一部のみ図示する。
また、図１５では、実際には半導体装置４５の厚さ方向に対して異なる平面上に配置された活性領域５６、ゲート電極６１、ビット線４９、接地用配線７１、電極１８、第３のコンタクトプラグ６９、及び第４のコンタクトプラグ７３を同一平面上に図示している。
また、図１６及び図１７において、図１に示す電極構造体１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００５０】
図１５〜図１７を参照するに、半導体装置４５は、電極構造体１０と、半導体基板４６と、多層配線構造体４７と、ビット線４９と、第５の層間絶縁膜５１と、配線５２と、保護膜５３とを有する。
電極構造体１０は、多層配線構造体４７上に設けられている。電極構造体１０は、多層配線構造体４７とビット線４９と間に配置されており、多層配線構造体４７及びビット線４９と電気的に接続されている。
半導体基板４６は、多層配線構造体４７を形成するための第１の導電型（例えば、Ｐ型）の基板である。半導体基板４６としては、例えば、シリコン基板を用いることができる。
多層配線構造体４７は、素子分離領域５５と、活性領域５６と、第１の不純物拡散領域５７と、第２の不純物拡散領域５８と、ゲート絶縁膜５９と、ゲート電極６１と、シリコン窒化膜６２と、サイドウォール膜６３と、第２の層間絶縁膜６４と、第１のコンタクトプラグ６６と、第２のコンタクトプラグ６７と、第３の層間絶縁膜６８と、第３のコンタクトプラグ６９と、接地用配線７１と、第４の層間絶縁膜７２と、第４のコンタクトプラグ７３とを有する。
【００５１】
素子分離領域５５は、半導体基板４６に形成されている。素子分離領域５５は、絶縁膜（例えば、シリコン酸化膜）により構成されている。素子分離領域５５としては、例えば、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）を用いることができる。
活性領域５６は、素子分離領域５５により区画された領域である。
第１の不純物拡散領域５７は、第２の不純物拡散領域５８間に位置する部分の半導体基板４６に形成されている。第２の不純物拡散領域５８は、第１の不純物拡散領域５７を挟み込むように配置されている。第１及び第２の不純物拡散領域５７，５８は、第２の導電型不純物（例えば、Ｎ型不純物）が拡散された領域である。第１及び第２の不純物拡散領域５７，５８は、一方がソース領域、他方がドレイン領域として機能する不純物拡散領域である。
【００５２】
ゲート絶縁膜５９は、半導体基板４６の表面４６ａ（第１及び第２の不純物拡散領域５７，５８の上面を含む面）、及び素子分離領域５５の上面に設けられている。
ゲート電極６１は、第１の不純物拡散領域５７と第２の不純物拡散領域５８との間に配置されたゲート絶縁膜５９上に設けられている。ゲート電極６１は、Ｘ方向に延在している。ゲート電極６１は、ワード線として機能する電極である。
シリコン窒化膜６２は、ゲート電極６１上に設けられている。シリコン窒化膜６２は、ゲート電極６１を保護する膜である。
サイドウォール膜６３は、ゲート電極６１の側面を覆うように設けられている。サイドウォール膜６３としては、例えば、シリコン窒化膜を用いることができる。
【００５３】
第２の層間絶縁膜６４は、ゲート電極６１、シリコン窒化膜６２、及びサイドウォール膜６３を覆うように、ゲート絶縁膜５９上に設けられている。第２の層間絶縁膜６４としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）を用いることができる。
第１のコンタクトプラグ６６は、第１の不純物拡散領域５７上に位置する部分の第２の層間絶縁膜６４を貫通するように設けられている。これにより、第１のコンタクトプラグ６６の下端は、第１の不純物拡散領域５７と接触している。
第２のコンタクトプラグ６７は、第２の不純物拡散領域５８上に位置する部分の第２の層間絶縁膜６４を貫通するように設けられている。これにより、第２のコンタクトプラグ６７の下端は、第２の不純物拡散領域５８と接触している。
上記構成とされた第１及び第２のコンタクトプラグ６６，６７の材料としては、例えば、リンを含有した多結晶シリコンやタングステン（Ｗ）等を用いることができる。
【００５４】
第３の層間絶縁膜６８は、第２の層間絶縁膜６４の上面６４ａに設けられている。第３の層間絶縁膜６８としては、例えば、シリコン酸化膜を用いることができる。
第３のコンタクトプラグ６９は、第１のコンタクトプラグ６６の上端と対向する部分の第３の層間絶縁膜６８を貫通するように設けられている。第３のコンタクトプラグ６９の下端は、第１のコンタクトプラグ６６の上端と接触している。これにより、 第３のコンタクトプラグ６９は、第１のコンタクトプラグ６６を介して、第１の不純物拡散領域５７と電気的に接続されている。第３のコンタクトプラグ６９の材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）を用いることができる。
【００５５】
接地用配線７１は、図１５に示すようにＸ方向に延在する配線であり、Ｘ方向に配置された複数の第３のコンタクトプラグ６９と接触している。接地用配線７１は、複数の第３のコンタクトプラグ６９を接地電位にするための配線である。
第４の層間絶縁膜７２は、接地用配線７１を覆うように、第３の層間絶縁膜６８の上面６８ａに設けられている。第４の層間絶縁膜７２の上面７２ａには、電極構造体１０を構成するシリコン窒化膜１４が形成されている。
【００５６】
第４のコンタクトプラグ７３は、第２のコンタクトプラグ６７上に位置する部分の第３及び第４の層間絶縁膜６８，７２を貫通するように設けられている。第４のコンタクトプラグ７３の下端は、第２のコンタクトプラグ６７の上端と接触している。これにより、第４のコンタクトプラグ７３は、第２のコンタクトプラグ６７を介して、第２の不純物拡散領域５８と電気的に接続されている。
第４のコンタクトプラグ７３の上端面７３ａは、第４の層間絶縁膜７２の上面７２ａに対して面一となるように配置されている。
第４のコンタクトプラグ７３の上端面７３ａは、電極構造体１０に設けられた第３の接続部２５と接続されている。これにより、電極１８は、第２のコンタクトプラグ６７及び第４のコンタクトプラグ７３を介して、第２の不純物拡散領域５８と電気的に接続されている。第４のコンタクトプラグ７３の材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）を用いることができる。
【００５７】
ビット線４９は、抵抗値可変材料層７５と、配線７６とが順次積層された構成とされている。抵抗値可変材料層７５は、Ｙ方向に延在するように、シリコン酸化膜１５の上面１５ａ、第１の絶縁膜１９の上面１９ａ、及び第２の絶縁膜２１の上面２１ａの一部に設けられている。
抵抗値可変材料層７５は、Ｙ方向に配列された複数の電極１８の上端（具体的には、第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａ）と接触している。
このように、第１〜第３の導電部２３〜２５を備え、コの字型形状とされた電極１８を設け、第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａと抵抗値可変材料層７５とを接触させることにより、従来の円柱形状とされた電極と抵抗値可変材料層との接触面積と比較して、抵抗値可変材料層７５を加熱する電極１８と抵抗値可変材料層７５との接触面積を小さくすることが可能となる。
これにより、抵抗値可変材料層７５の抵抗を変化（具体的には、高抵抗のアモルファス状態から低抵抗の結晶状態に変化、或いは結晶状態からアモルファス状態に変化）させる領域を小さくすることが可能となるので、データの書き込みや読み込みを高速で行うことができる。
【００５８】
抵抗値可変材料層７５の材料としては、例えば、カルコゲナイド材料を用いることができる。カルコゲナイド材料とは、ゲルマニウム(Ｇｅ)、アンチモン(Ｓｂ)、テルル(Ｔｅ)、インジウム(Ｉｎ)、セレン(Ｓｅ)等の元素を少なくとも一つ以上含む合金のことである。
具体的には、カルコゲナイド材料としては、例えば、ＧａＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＳｅ、Ｓｂ２Ｔｅ３、ＧｅＴｅ等の２元系元素、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５、ＩｎＳｂＴｅ、ＧａＳｅＴｅ（ＧＳＴ）、ＳｎＳｂ２Ｔｅ４、ＩｎＳｂＧｅ等の３元系元素、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、（ＧｅＳｎ）ＳｂＴｅ、ＧｅＳｂ（ＳｅＴｅ）、Ｔｅ８１Ｇｅ１５Ｓｂ２Ｓ２等の４元系元素を用いることができる。
【００５９】
配線７６は、抵抗値可変材料層７５上に設けられている。これにより、配線７６は、Ｙ方向に延在している。配線７６としては、例えば、チタン（Ｔｉ）膜や窒化チタン（ＴｉＮ）膜、或いは、チタン（Ｔｉ）膜と窒化チタン（ＴｉＮ）膜とが積層されたＴｉ／ＴｉＮ積層膜等を用いることができる。
【００６０】
第５の層間絶縁膜５１は、ビット線４９を覆うように、第２の絶縁膜２１の上面２１ａに設けられている。第５の層間絶縁膜５１としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）を用いることができる。
配線５２は、第５の層間絶縁膜５１の上面５１ａに設けられている。配線５２は、多層配線構造体４７と電気的に接続されている。配線５２は、外部接続用のパッドである電極パッド部（図示せず）を有する。配線５２の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等を用いることができる。
【００６１】
本実施の形態の半導体装置によれば、コの字型形状とされた電極１８を構成する第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａと抵抗値可変材料層７５とを接触させて、抵抗値可変材料層７５を加熱する電極１８と抵抗値可変材料層７５との接触面積を小さくすることが可能となる。
これにより、抵抗値可変材料層７５の抵抗を変化（具体的には、高抵抗のアモルファス状態から低抵抗の結晶状態に変化、或いは結晶状態からアモルファス状態に変化）させる領域を小さくすることが可能となるので、データの書き込みや読み込みを高速で行うことができる。
【００６２】
図１８〜図２１、図２３、及び図２５は、図１に示す電極構造体を備えた半導体装置の製造工程を示す断面図である。図２２は、図１５に示す半導体装置４５のＥ―Ｅ線方向の断面に対応する図２１に示す構造体の断面図である。図２４は、図１５に示す半導体装置４５のＥ―Ｅ線方向の断面に対応する図２３に示す構造体の断面図である。図２６は、図１５に示す半導体装置４５のＥ―Ｅ線方向の断面に対応する図２５に示す構造体の断面図である。
なお、図１８〜図２１、図２３、及び図２５は、図１５に示す半導体装置４５のＤ−Ｄ線方向の断面に対応する図（言い換えれば、図１６に示す半導体装置４５に対応する図）である。また、図１８〜図２６において、図１６に示す半導体装置４５と同一構成部分には同一符号を付す。
【００６３】
図１８〜図２６を参照して、図１に示す電極構造体１０を備えた半導体装置４５の製造方法について説明する。
始めに、図１８に示す工程では、第１の導電型（例えば、Ｐ型）の半導体基板４６に、素子分離領域５５として例えば、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）を形成する。次いで、半導体基板４６の表面４６ａ及び素子分離領域５５上に、ゲート絶縁膜５９を形成する。ゲート絶縁膜５９としては、例えば、シリコン酸化膜を用いることができる。次いで、周知の手法により、ゲート絶縁膜５９上にゲート電極６１及びシリコン窒化膜６２を順次形成する。次いで、半導体基板４６に第２の導電型不純物（例えば、Ｎ型不純物であるリン）を注入することで、第１及び第２の不純物拡散領域５７，５８を形成する。次いで、周知の手法により、ゲート電極６１の側面を覆うサイドウォール膜６３を形成する。
なお、図１８には、図示していないが、サイドウォール膜６３を形成後に、半導体基板４６に高濃度の第２の導電型不純物を注入することで、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造のトランジスタを形成してもよい。
【００６４】
次いで、図１９に示す工程では、シリコン窒化膜６２及びサイドウォール膜６３を覆うように、第２の層間絶縁膜６４を形成する。第２の層間絶縁膜６４としては、例えば、シリコン酸化膜を用いることができる。
次いで、第２の層間絶縁膜６４及びゲート絶縁膜を貫通する貫通孔８１，８２を形成する。貫通孔８１は、第１の不純物拡散領域５７を露出するように形成する。貫通孔８１は、第２の不純物拡散領域５８を露出するように形成する。
次いで、貫通孔８１に第１のコンタクトプラグ６６を形成すると共に、貫通孔８２に第２のコンタクトプラグ６７を形成する。このとき、第１及び第２のコンタクトプラグ６６，６７の上端面６６ａ，６７ａを、第２の層間絶縁膜６４の上面６４ａに対して面一にする。
第１及び第２のコンタクトプラグ６６，６７は、例えば、貫通孔８１，８２にリン含有した多結晶シリコンやタングステン（Ｗ）を埋め込むことで形成する。
【００６５】
次いで、図２０に示す工程では、第２の層間絶縁膜６４の上面６４ａに、第１のコンタクトプラグ６６の上端面６６ａを露出する貫通孔８４を有した第３の層間絶縁膜６８を形成する。第３の層間絶縁膜６８としては、例えば、シリコン酸化膜を用いることができる。
次いで、貫通孔８４に第３のコンタクトプラグ６９を形成する。第３のコンタクトプラグ６９の材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）を用いることができる。
次いで、第３の層間絶縁膜６８の上面６８ａに、第３のコンタクトプラグ６９の上端と接触する接地用配線７１を形成する。
次いで、第３の層間絶縁膜６８の上面６８ａに、接地用配線７１を覆う第４の層間絶縁膜７２を形成する。第４の層間絶縁膜７２としては、例えば、シリコン酸化膜を用いることができる。
【００６６】
次いで、第３及び第４の層間絶縁膜６８，７２に、第２のコンタクトプラグ６７の上面６７ａを露出する貫通孔８５を形成する。
次いで、貫通孔８５内を充填するように、第４のコンタクトプラグ７３を形成する。
このとき、第４のコンタクトプラグ７３の上端面７３ａを第４の層間絶縁膜７２の上面７２ａに対して面一にする。第４のコンタクトプラグ７３の材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）を用いることができる。
これにより、半導体基板４６に多層配線構造体４７が形成される。
【００６７】
次いで、図２１に示す工程では、第４の層間絶縁膜７２の上面７２ａ及び第４のコンタクトプラグ７３の上端面７３ａ（多層配線構造体４７の上面）に、先に説明した図２〜図１３に示す工程と同様な手法により電極構造体１０を形成する。
このとき、電極１８を構成する第３の導電部２５が、第４のコンタクトプラグ７３の上端面７３ａと接触するように、電極構造体１０を形成する。これにより、多層配線構造体４７と電極構造体１０とが電気的に接続される。
図２１に示す工程では、図２２に示すように、第２の溝１７に第２の絶縁膜２１が充填されている。
【００６８】
次いで、図２３に示す工程では、図２３及び図２４に示すように、シリコン酸化膜１５の上面１５ａ（第１の層間絶縁膜１３の上面１３ａ）及び第２の絶縁膜２１の上面２１ａに、Ｙ方向に配置された複数の電極１８に設けられた第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａ及び第１の絶縁膜１９の上面１９ａと接触する抵抗値可変材料層７５と、抵抗値可変材料層７５上に配置される配線７６とを順次積層させることで、抵抗値可変材料層７５及び配線７６よりなるビット線４９を形成する。
【００６９】
このように、第１〜第３の導電部２３〜２５を備え、コの字型形状とされた電極１８を設け、第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａと抵抗値可変材料層７５とを接触させることにより、従来の円柱形状とされた電極と抵抗値可変材料層との接触面積と比較して、抵抗値可変材料層７５を加熱する電極１８と抵抗値可変材料層７５との接触面積を小さくすることが可能となる。
これにより、抵抗値可変材料層７５の抵抗を変化（具体的には、高抵抗のアモルファス状態から低抵抗の結晶状態に変化、或いは結晶状態からアモルファス状態に変化）させる領域を小さくすることが可能となるので、データの書き込みや読み込みを高速で行うことができる。
【００７０】
次いで、図２５に示す工程では、図２３及び図２４に示す構造体に設けられたシリコン酸化膜１５の上面１５ａ（第１の層間絶縁膜１３の上面１３ａ）及び第２の絶縁膜２１の上面２１ａに、ビット線４９を覆う第５の層間絶縁膜５１を形成する。次いで、第５の層間絶縁膜５１の上面５１ａに、配線５２を形成し、その後、第５の層間絶縁膜５１の上面５１ａに、配線５２を覆う保護膜５３を形成する。
これにより、本実施の形態の半導体装置４５が製造される。
【００７１】
（第２の実施の形態）
図２７は、本発明の第２の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体を説明するための概略図である。図２７（ａ）は平面図であり、図２７（ｂ）は図２７（ａ）のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図２７（ｃ）は図２７（ａ）のＢ−Ｂ線方向の断面図であり、図２７（ｄ）は図２７（ａ）のＣ−Ｃ線方向の断面図である。
なお、図２７において、図１に示す第１の実施の形態の構造体５と同一構成部分には同一符号を付す。
【００７２】
図２７を参照するに、第２の実施の形態の構造体９０は、第１の実施の形態の構造体５に設けられた電極構造体１０の代わりに、電極構造体９５を設けた以外は構造体５と同様な構成とされている。
【００７３】
電極構造体９５は、電極構造体１０の構成に、さらに第２の導電膜９６を設けた以外は電極構造体１０と同様に構成される。
第２の導電膜９６は、第１の絶縁膜１９と第３の導電部２５との間に位置する部分の複数の第１の溝１６に設けられている。第２の導電膜９６の材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）を用いることができる。
【００７４】
本実施の形態の電極構造体によれば、第１の絶縁膜１９と第３の導電部２５との間に位置する部分の複数の第１の溝１６に第２の導電膜９６を設けることにより、電極１８の抵抗値を低くすることができる。
また、第１の絶縁膜１９と第３の導電部２５との間に位置する部分の複数の第１の溝１６に埋め込む第２の導電膜９６の厚さＧは、第２の導電膜９６が埋め込まれた電極１８の抵抗値が所望の抵抗値となるように設定する。
【００７５】
図２８〜図３０は、本発明の第２の実施の形態に係る電極構造体の製造工程を示す図である。図２８〜図３０は、図２７（ａ）に示す構造体９０のＡ−Ａ線方向の断面に対応する断面図である。図２８〜図３０において、図２７に示す構造体９０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００７６】
図２８〜図３０を参照して、第２の実施の形態の電極構造体９５の製造方法について説明する。
始めに、第１の実施の形態で説明した図２〜図５に示す工程と同様な処理を行うことで、図５に示す構造体を形成する。次いで、第１の実施の形態で説明した図６に示す第１の導電膜形成工程を行うことで、複数の第１の溝１６に第１の導電膜３２を形成する（第１の導電膜形成工程）。このとき、後述する図２８に示すように、シリコン酸化膜１５の上面１５ａにも第１の導電膜３２が形成される。つまり、この段階では、複数の第１の溝１６以外にも第１の導電膜３２が形成される。
【００７７】
次いで、図２８に示す工程では、複数の第１の溝１６に、第２の導電膜９６を埋め込み、次いで、第２の導電膜９６を全面エッチバックすることで、複数の第１の溝１６内に厚さＧとされた第２の導電膜９６を形成する（第２の導電膜埋込工程）。
第２の導電膜９６の材料は、第１の導電膜３２の材料とは異なる材料を用いるとよい。
このように、第２の導電膜９６の材料と第１の導電膜３２の材料とを異ならせることにより、第２の導電膜９６を全面エッチバックする際に、第１の溝１６に形成された第１の導電膜３２がエッチングされることを防止できる。つまり、第２の導電膜９６を選択的にエッチングすることができる。
第１の導電膜３２の材料として窒化チタン膜（ＴｉＮ）を用いる場合、第２の導電膜９６の材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）を用いることができる。
なお、第２の導電膜埋込工程では、第１の導電膜３２が形成された第１の溝１６の深さよりも浅い深さまで、第２の導電膜９６を埋め込む。
【００７８】
次いで、図２９に示す工程では、第２の導電膜９６が形成された複数の第１の溝１６内に、第１の絶縁膜１９を充填する（第１の絶縁膜充填工程）。
第１の絶縁膜１９は、第１の実施の形態の図６で説明した形成方法と同様な手法により形成する。このとき、図２９に示すように、第１の導電膜３２上にも第１の絶縁膜１９が形成される。
【００７９】
次いで、図３０に示す工程では、図２９に示すシリコン酸化膜１５の上面１５ａ（第１の層間絶縁膜１３の上面１３ａ）から突出した部分の第１の導電膜３２及び第１の絶縁膜１９を除去する（第１の導電膜及び第１の絶縁膜除去工程）。
その後、第１の実施の形態で説明した図７〜図１０に示す工程と同様な処理を行う。次いで、第１の実施の形態で説明した図１１に示す工程（電極及び第２の溝形成工程）において、異方性エッチング法（例えば、ドライエッチング法）により、複数の開口部３９から露出された部分の第１の絶縁膜１９、第１の導電膜３２、及び第２の導電膜９６（図示せず）を除去することで、ハードマスク層３３に覆われた部分の第１の溝１６に第２の導電膜９６を備えた電極１８を形成すると共に、複数の開口部３９から露出された部分のシリコン酸化膜１５を除去する（第１の層間絶縁膜１３をエッチングする）ことで、Ｙ方向に延在し、第１の溝１６と交差する第２の溝１７を複数形成する。
その後、第１の実施の形態で説明した図１２及び図１３に示す工程を行うことで、図２７に示す本実施の形態の電極構造体９５が製造される。
【００８０】
本実施の形態の電極構造体の製造方法によれば、第１の導電膜形成工程と第１の絶縁膜充填工程との間に、第１の導電膜３２が形成された第１の溝１６の深さよりも浅い深さまで、第２の導電膜９６を埋め込む工程（第２の導電膜埋込工程）を設けることで、電極１８の抵抗値を低くすることができる。
【００８１】
図３１は、図２７に示す電極構造体を備えた半導体装置の断面図である。なお、図３１では、半導体装置の一例としてＰＲＡＭを用いた場合を例に挙げて図示する。また、図３１において、図１６に示す第１の実施の形態の半導体装置４５、及び図２７に示す電極構造体９５と同一構成部分には同一符号を付す。
図３１を参照するに、第２の実施の形態の半導体装置１００は、第１の実施の形態の半導体装置４５（図１６参照）に設けられた電極構造体１０の代わりに、図２７に示す電極構造体９５を設けた以外は、半導体装置４５と同様な構成とされている。
【００８２】
電極構造体９５は、ビット線４９と多層配線構造体４７との間に設けられている。これにより、電極構造体９５は、ビット線４９及び多層配線構造体４７と電気的に接続されている。電極構造体９５は、多層配線構造体４７上に、電極１８を構成する第３の導電部２５が第４のコンタクトプラグ７３の上端面７３ａと接触するように形成されている。また、電極１８を構成する第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａは、抵抗値可変材料層７５と接触している。
【００８３】
上記構成とされた半導体装置１００は、図２８〜図３０で説明した方法により、電極構造体９５を形成する以外は、第１の実施の形態の半導体装置４５と同様な手法により製造することができる。
【００８４】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
例えば、第１及び第２の実施の形態では、半導体装置４５，１００の一例としてＰＲＡＭを用いた場合を例に挙げて説明したが、ＰＲＡＭ以外の半導体装置に第１及び第２の実施の形態で説明した電極構造体１０，９５を設けてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明は、電極を備えた電極構造体及びその製造方法、並びに該電極構造体を備えた半導体装置に適用可能である。
【符号の説明】
【００８６】
５，９０…構造体、１０，９５…電極構造体、１１…第１の絶縁層、１１ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａ，１９ａ，２１ａ，２７ａ，３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３４ａ，５１ａ，６４ａ，７２ａ…上面、１２…コンタクトプラグ、１２ａ，２３ａ，２４ａ，６６ａ，６７ａ，７３ａ…上端面、１３…第１の層間絶縁膜、１４…シリコン窒化膜、１５…シリコン酸化膜、１６…第１の溝、１６ａ，１６ｂ…側面、１６ｃ…底面、１７…第２の溝、１８…電極、１９…第１の絶縁膜、２１…第２の絶縁膜、２３…第１の導電部、２４…第２の導電部、２５…第３の導電部、２７…第１の反射防止膜、２６，８１，８２，８４，８５…貫通孔、２８…第１のレジストパターン、２９，３７，３９…開口部、３２…第１の導電膜、３３…ハードマスク層、３４…第２の反射防止膜、３６…第２のレジストパターン、４５，１００…半導体装置、４６…半導体基板、４６ａ…表面、４７…多層配線構造体、４９…ビット線、５１…第５の層間絶縁膜、５２…配線、５３…保護膜、５５…素子分離領域、５６…活性領域、５７…第１の不純物拡散領域、５８…第２の不純物拡散領域、５９…ゲート絶縁膜、６１…ゲート電極、６２…シリコン窒化膜、６３…サイドウォール膜、６４…第２の層間絶縁膜、６６…第１のコンタクトプラグ、６７…第２のコンタクトプラグ、６８…第３の層間絶縁膜、６９…第３のコンタクトプラグ、７１…接地用配線、７２…第４の層間絶縁膜、７３…第４のコンタクトプラグ、７５…抵抗値可変材料層、７６…配線、９６…第２の導電膜、Ｇ…厚さ、Ｗ１，Ｗ２…幅、
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極構造体及びその製造方法、並びに該電極構造体を備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体記憶装置として相変化材料層（以下、「抵抗値可変材料層」という）の抵抗値変化を利用した相変化メモリ（Ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｇｅ Ｍｅｍｏｒｙ；以下、「ＰＲＡＭ」という）の開発が行われている（例えば、特許文献１参照。）。
ＰＲＡＭでは、抵抗値可変材料層と接触する電極に電流を流して、抵抗値可変材料層を高抵抗のアモルファス状態から低抵抗の結晶状態に遷移させたり、或いは、結晶状態からアモルファス状態に遷移させたりすることで、記録素子として機能させる。
ＰＲＡＭでは、抵抗値可変材料層と電極とが接触する面積を小さくして、相変化する領域を小さくすることで、ＰＲＡＭの動作特性を向上できる。言い換えれば、電極のサイズを小さくすることで、ＰＲＡＭの動作特性を向上できる。そのため、電極のサイズを小型化することが望まれている。
【０００３】
電極のサイズを小型化可能な電極の形成方法としては、例えば、特許文献１には、絶縁膜にコンタクトホールを形成後、コンタクトホールの側壁にコンタクトホールの径を小さくするためのスペーサを形成し、その後、スペーサが形成されたコンタクトホールに導電膜を埋め込むことで電極を形成することが開示されている。
また、特許文献２，３には、絶縁層上に、第１の方向に延在する複数の第１の溝を有した第１のレジストマスクと、第１の方向とは異なる第２の方向に延在し、第１の溝と交差する複数の第２の溝を有した第２のレジストマスクとを重ね合わせ、第１及び第２のレジストマスクを介して絶縁層をエッチングすることで、絶縁層に微細なコンタクトホールを形成することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−０１９６８８号公報
【特許文献２】特開２００３−２２９４９７号公報
【特許文献３】特開２００５−１５０３３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の電極形成方法では、コンタクトホールの径方向にスペーサの厚さを厚くした場合、コンタクトホールの底部にスペーサが残る虞があるため、所望の形状となるように複数の電極を精度良く形成することができないという問題があった。
また、コンタクトホールの底部にスペーサが残らなかったとしても、スペーサが形成されたコンタクトホールの開口径はかなり小さくなる。そのため、スペーサが形成されたコンタクトホール内部にボイド（空洞）を生じることなく、電極の母材となる金属膜を埋め込むことが困難となるので、所望の形状とされた複数の電極を精度良く形成することができない。
【０００６】
また、特許文献２，３の電極形成方法においても、微細な開口径とされたコンタクトホール内に電極の母材となる金属膜を埋め込むことが困難となるため、所望の形状とされた複数の電極を精度良く形成することができないという問題があった。
特に、コンタクトホールのアスペクト比（＝コンタクトホールの深さ／コンタクトホールの開口径）が高い場合には、コンタクトホール内に電極の母材となる金属膜を埋め込むことが困難となるため、上記問題が顕著となる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、第１の層間絶縁膜を形成する第１の層間絶縁膜形成工程と、異方性エッチング法により、前記第１の層間絶縁膜を貫通し、第１の方向に延在する複数の第１の溝を形成する第１の溝形成工程と、前記第１の溝の対向する２つの側面、及び前記第１の溝の底面を覆うように、第１の導電膜を形成する第１の導電膜形成工程と、前記第１の導電膜が形成された複数の前記第１の溝を第１の絶縁膜で充填する第１の絶縁膜充填工程と、前記第１の層間絶縁膜、前記第１の絶縁膜、及び前記第１の導電膜の上面に、前記第１の方向と交差する第２の方向に延在する複数の開口部を有したハードマスク層を形成するハードマスク層形成工程と、異方性エッチング法により、前記ハードマスク層に形成された複数の前記開口部から露出された部分の前記第１の絶縁膜及び前記第１の導電膜を除去することで、前記第１の溝に前記第１の導電膜よりなる電極を複数形成すると共に、前記第１の層間絶縁膜をエッチングすることで、前記第１の層間絶縁膜に、前記第１の溝と交差する前記第２の溝を複数形成する電極及び第２の溝形成工程と、前記電極及び第２の溝形成工程後、前記ハードマスク層を除去するハードマスク層除去工程と、前記ハードマスク層除去工程後、複数の前記第２の溝を第２の絶縁膜で充填する第２の絶縁膜充填工程と、を含むことを特徴とする電極構造体の製造方法。が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の電極構造体の製造方法によれば、従来のホールでは無く、第１の方向に延在する第１の溝内に電極の母材となる第１の導電膜を形成することにより、第１の溝の２つの側面及び第１の溝の底面に、均一な厚さとなるように第１の導電膜を形成することが可能となる。これは、第１の溝が従来のホールと同程度の幅を有する場合でも、第１の溝の延在する第１の方向においては、第１の溝の側面の影響を受けないため、第１の溝内への第１の導電膜の成膜が容易になるためである。
また、異方性エッチング法により、ハードマスク層に形成された複数の開口部から露出された部分の第１の絶縁膜及び第１の導電膜を除去することで、第１の溝に電極を複数形成することで、複数の電極間の形状ばらつきを抑制することが可能となり、小型化された複数の電極を所望の形状に加工することができる。
また、ハードマスク層に形成された複数の開口部の第１の方向に対する幅を広くすることで、第１の方向に対する複数の電極の幅を容易に小さくすることができる。つまり、第１の方向に対する複数の電極のサイズを容易に小型化することができる。
さらに、上記複数の電極の形状がコの字型となるため、電極の上端（例えば、抵抗値可変材料層と接触する部分）の面積を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体を説明するための概略図であって、図１（ａ）は構造体の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線方向の構造体の断面図であり、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ線方向の構造体の断面図であり、図１（ｄ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ線方向の構造体の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その１）であり、図２（ａ）は平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その２）であり、図３（ａ）は平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図３（ｃ）は図３（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その３）であり、図４（ａ）は平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図４（ｃ）は図４（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その４）であり、図５（ａ）は平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図５（ｃ）は図５（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その５）であり、図６（ａ）は平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図６（ｃ）は図６（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その６）であり、図７（ａ）は平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図７（ｃ）は図７（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その７）であり、図８（ａ）は平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図８（ｃ）は図８（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その８）であり、図９（ａ）は平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図９（ｃ）は図９（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その９）であり、図１０（ａ）は平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図１０（ｃ）は図１０（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その１０）であり、図１１（ａ）は平面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図１１（ｃ）は図１１（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その１１）であり、図１２（ａ）は平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図１２（ｃ）は図１２（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図であり、図１２（ｄ）は図１２（ａ）に示す構造体のＣ−Ｃ線方向の断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図（その１２）であり、図１３（ａ）は平面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図１３（ｃ）は図１３（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図であり、図１３（ｄ）は図１３（ａ）に示す構造体のＣ−Ｃ線方向の断面図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る電極構造体の他の製造工程を示す図である。
【図１５】図１に示す電極構造体を備えた半導体装置に設けられた活性領域、ゲート電極、ビット線、接地用配線、電極、第３のコンタクトプラグ、及び第４のコンタクトプラグの位置関係を説明するための概略平面図である。
【図１６】図１５に示す半導体装置のＤ−Ｄ線方向の断面図である。
【図１７】図１５に示す半導体装置のＥ−Ｅ線方向の断面図である。
【図１８】図１に示す電極構造体を備えた半導体装置の製造工程を示す断面図（その１）である。
【図１９】図１に示す電極構造体を備えた半導体装置の製造工程を示す断面図（その２）である。
【図２０】図１に示す電極構造体を備えた半導体装置の製造工程を示す断面図（その３）である。
【図２１】図１に示す電極構造体を備えた半導体装置の製造工程を示す断面図（その４）である。
【図２２】図１５に示す半導体装置４５のＥ―Ｅ線方向の断面に対応する図２１に示す構造体の断面図である。
【図２３】図１に示す電極構造体を備えた半導体装置の製造工程を示す断面図（その５）である。
【図２４】図１５に示す半導体装置４５のＥ―Ｅ線方向の断面に対応する図２３に示す構造体の断面図である。
【図２５】図１に示す電極構造体を備えた半導体装置の製造工程を示す断面図（その６）である。
【図２６】図１５に示す半導体装置４５のＥ―Ｅ線方向の断面に対応する図２５に示す構造体の断面図である。
【図２７】図２７は、本発明の第２の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体を説明するための概略図であり、図２７（ａ）は構造体の平面図であり、図２７（ｂ）は図２７（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図２７（ｃ）は図２７（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図であり、図２７（ｄ）は図２７（ａ）に示す構造体のＣ−Ｃ線方向の断面図である。
【図２８】本発明の第２の実施の形態に係る電極構造体の製造工程を示す図（その１）である。
【図２９】本発明の第２の実施の形態に係る電極構造体の製造工程を示す図（その２）である。
【図３０】本発明の第２の実施の形態に係る電極構造体の製造工程を示す図（その３）である。
【図３１】図２７に示す電極構造体を備えた半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明を適用した実施の形態について詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、本発明の実施形態の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の構造体、電極構造体、及び半導体装置の寸法関係とは異なる場合がある。
【００１１】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体を説明するための概略図である。図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ線方向の断面図であり、図１（ｄ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ線方向の断面図である。
【００１２】
図１を参照するに、構造体５は、第１の実施の形態の電極構造体１０と、第１の絶縁層１１と、コンタクトプラグ１２を有する。
電極構造体１０は、第１の層間絶縁膜１３を構成するシリコン窒化膜１４及びシリコン酸化膜１５と、第１の溝１６と、第２の溝１７と、電極１８と、第１の絶縁膜１９と、第２の絶縁膜２１とを有する。
【００１３】
シリコン窒化膜１４は、第１の絶縁層１１の上面１１ａに設けられている。シリコン酸化膜１５は、シリコン窒化膜１４の上面１４ａに設けられている。シリコン窒化膜１４としては、例えば、Ｓｉ３Ｎ４膜（例えば、厚さが１０〜３０ｎｍ）を用いることができる。
第１の溝１６は、Ｙ方向に延在する溝であり、シリコン窒化膜１４及びシリコン酸化膜１５を貫通するように形成されている。第１の溝１６は、Ｘ方向に対して所定の間隔で複数配列されている。第１の溝１６の底面１６ｃは、第１の溝１６から露出された部分のコンタクトプラグ１２の上端面１２ａ及び第１の絶縁層１１の上面１１ａにより構成されている。
なお、図１において、複数の第１の溝１６は、Ｘ方向に延在する複数の第２の溝１７により複数の位置で交差している。また、図１では、第１の溝１６と第２の溝１７との交差する角度が９０度の場合を例に挙げて図示しているが、第１の溝１６と第２の溝１７とが交差する角度は、これに限定されない。
第２の溝１７は、Ｘ方向に延在する溝であり、シリコン酸化膜１５を貫通するように複数形成されている。第２の溝１７は、Ｘ方向に対して所定の間隔で配列されている。第２の溝１７は、シリコン窒化膜１４の上面１４ａを露出している。
【００１４】
電極１８は、複数の第１の溝１６のうち、第２の溝１７と交差しない部分の第１の溝１６に設けられている。電極１８は、コの字型の形状とされており、第１の導電膜（例えば、金属膜であるＴｉＮ膜）により構成されている。電極１８は、第１の導電部２３と、第２の導電部２４と、第３の導電部２５とを有する。
第１の導電部２３は、第１の溝１６の一方の側面１６ａに設けられている。第１の導電部２３の上端面２３ａは、第１の絶縁層１１及びシリコン酸化膜１５から露出されている。
第１の導電部２３の上端面２３ａとシリコン酸化膜１５の上面１５ａとは、面一とされている。第１の導電部２３の上端面２３ａは、例えば、電極構造体１０上に抵抗値可変材料層（図示せず）を配置した場合、抵抗値可変材料層と接触する部分である。
【００１５】
第２の導電部２４は、第１の溝１６の他方の側面１６ｂ（側面１６ａと対向する側面）に設けられている。第２の導電部２４は、第１の導体と対向するように配置されている。第２の導電部２３の上端面２４ａ（電極１８の端部）は、第１の絶縁層１１及びシリコン酸化膜１５から露出されている。第２の導電部２４の上端面２４ａとシリコン酸化膜１５の上面１５ａとは、面一とされている。第２の導電部２４の上端面２４ａは、例えば、電極構造体１０上に抵抗値可変材料層（図示せず）を配置した場合、抵抗値可変材料層と接触する部分である。
第３の導電部２５は、第１の導体２３と第２の導体２４との間に位置する部分の第１の溝１６の底面１６ｃに設けられている。第３の導電部２５は、第１及び第２の導体部２３，２４と一体的に構成されている。
【００１６】
第１の絶縁膜１９は、電極１８が形成された部分の複数の第１の溝１６を充填するように設けられている。第１の絶縁膜１９の上面１９ａ、第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａと、及びシリコン酸化膜１５の上面１５ａは、面一とされている。第１の絶縁膜１９としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）を用いることができる。好ましくは、第１の絶縁膜１９としては、例えば、埋め込み特性に優れたスピンナ法により形成された塗布系の絶縁膜であるＳＯＤ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓ）膜を用いるとよい。
【００１７】
第２の絶縁膜２１は、複数の第２の溝１７を充填するように設けられている。第２の絶縁膜２１の上面２１ａは、シリコン酸化膜１５の上面１５ａに対して面一とされている。第２の絶縁膜２１としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）を用いることができる。好ましくは、第２の絶縁膜２１としては、例えば、埋め込み特性に優れたスピンナ法により形成された塗布系の絶縁膜であるＳＯＤ膜を用いるとよい。
【００１８】
第１の絶縁層１１は、複数のコンタクトプラグ１２が形成される層である。第１の絶縁層１１としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）を用いることができる。
コンタクトプラグ１２は、第１の絶縁層１１を貫通するように複数設けられている。複数のコンタクトプラグ１２は、コンタクトプラグ１２の上端面１２ａが第１の溝１６から露出されるように、第１の方向であるＹ方向に所定の間隔で配置されている。
【００１９】
本実施の形態の電極構造体によれば、第１の溝１６に配置された電極１８の形状がコの字型であるため、第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａの面積を小さくすることが可能となる。これにより、例えば、電極構造体１０上に第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａと接触する抵抗値可変材料層（図示せず）を設けた場合、電極１８と抵抗値可変材料層とが接触する部分の面積を小さくすることができる。
【００２０】
図２〜図１３は、本発明の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体の製造工程を示す図である。なお、図２〜図１３において、図１に示す構造体５と同一構成部分には、同一符号を付す。
なお、図２（ａ）は平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
また、図３（ａ）は平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図３（ｃ）は図３（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
また、図４（ａ）は平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図４（ｃ）は図４（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
また、図５（ａ）は平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図５（ｃ）は図５（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
また、図６（ａ）は平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図６（ｃ）は図６（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
また、図７（ａ）は平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図７（ｃ）は図７（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
また、図８（ａ）は平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図８（ｃ）は図８（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【００２１】
また、図９（ａ）は平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図９（ｃ）は図９（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
また、図１０（ａ）は平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図１０（ｃ）は図１０（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
また、図１１（ａ）は平面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図１１（ｃ）は図１１（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
また、図１２（ａ）は平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図１２（ｃ）は図１２（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図であり、図１２（ｄ）は図１２（ａ）に示す構造体のＣ−Ｃ線方向の断面図である。
また、図１３（ａ）は平面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図１３（ｃ）は図１３（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図であり、図１３（ｄ）は図１３（ａ）に示す構造体のＣ−Ｃ線方向の断面図である。
【００２２】
図２〜図１３を参照して、構造体５を製造する場合を例に挙げて、第１の実施の形態の電極構造体１０の製造方法について説明する。
始めに、図２に示す工程では、第１の絶縁層１１を形成後、第１の絶縁層１１に複数の貫通孔２６を形成し、その後、複数の貫通孔２６を充填するコンタクトプラグ１２を形成する。第１の絶縁層１１としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）を用いることができる。また、コンタクトプラグ１２としては、例えば、チタン（Ｔｉ）層、窒化チタン（ＴｉＮ）層、及びタングステン（Ｗ）膜とが順次積層された積層膜を用いることができる。
次いで、第１の絶縁層１１の上面１１ａからコンタクトプラグ１２の上端が突出した場合には、研磨により、突出した部分（不要な部分）のコンタクトプラグ１２を除去する。これにより、第１の絶縁層１１の上面１１ａとコンタクトプラグ１２の上面１２ａとは、面一となる。不要な部分のコンタクトプラグ１２の除去には、例えば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法を用いることができる。
【００２３】
次いで、第１の絶縁層１１の上面１１ａ及びコンタクトプラグ１２の上面１２ａを覆うシリコン窒化膜１４を形成し、次いで、シリコン窒化膜１４の上面１４ａを覆うシリコン酸化膜１５を形成する（第１の層間絶縁膜形成工程）。
これにより、シリコン窒化膜１４及びシリコン酸化膜１５よりなる第１の層間絶縁膜１３が形成される。シリコン窒化膜１４としては、例えば、Ｓｉ３Ｎ４膜（例えば、厚さが１０〜３０ｎｍ）を用いることができる。また、シリコン酸化膜１５としては、例えば、ＳｉＯ２膜（例えば、厚さが７０ｎｍ）を用いることができる。
【００２４】
次いで、図３に示す工程では、シリコン酸化膜１５の上面１５ａ（第１の層間絶縁膜１３の上面１３ａに相当する面）を覆う第１の反射防止膜２７を形成する。
第１の反射防止膜２７としては、例えば、ＢＡＲＣ（Ｂｏｔｔｏｍ Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｃｏａｔｉｎｇ）膜を用いることができる。第１の反射防止膜２７は、例えば、シリコン酸化膜１５の上面１５ａ（第１の層間絶縁膜１３の上面１３ａ）にアクリル系の有機材料を３０〜１００ｎｍの厚さで塗布することで形成できる。
次いで、第１の反射防止膜２７の上面２７ａに、フォトリソ技術により、第１の溝１６（図１参照）を形成する際のエッチング用マスクとなる第１のレジストパターン２８を形成する。
【００２５】
このとき、第１の溝１６（図１参照）の形成領域に対応する部分の第１のレジストパターン２８に、第１の反射防止膜２７の上面２７ａを露出する開口部２９を複数形成する。複数の開口部２９は、Ｙ方向に延在するように形成する。また、複数の開口部２９は、シリコン窒化膜１４、シリコン酸化膜１５、及び第１の反射防止膜２７を介して、Ｙ方向に配置された複数のコンタクトプラグ１２の上面１２ａと対向するように形成する。
具体的には、第１のレジストパターン２８は、第１の反射防止膜２７の上面２７ａにレジスト膜（図示せず）を塗布後、露光装置（図示せず）に配置されたレチクルを介してレジスト膜を露光し、その後、露光されたレジスト膜を現像処理することで形成する。
【００２６】
このように、第１の反射防止膜２７上に第１のレジストパターン２８を形成することにより、レジスト膜（図示せず）を露光する際に、シリコン酸化膜１５により反射された光がレジスト膜に到達することを抑制できるため、開口部２９の形状（例えば、Ｘ方向における開口部２９の幅）が所望の形状となるように、開口部２９を精度よく形成することができる。
上記第１のレジストパターン２８を形成する際の露光装置として、ＡｒＦ（フッ化アルゴン）レーザを光源とする液浸露光装置を用いる場合、開口部２９のＸ方向の幅は、例えば、４０〜４５ｎｍとすることができる。
【００２７】
次いで、図４に示す工程では、第１のレジストパターン２８を介した異方性エッチング法（例えば、ドライエッチング法）により、開口部２９に露出された部分の第１の層間絶縁膜１３及び第１の反射防止膜２７を除去することで、第１の層間絶縁膜１３に、第１の絶縁層１１の上面１１ａ、及びＹ方向に配置された複数のコンタクトプラグ１２の上面１２ａを露出する第１の溝１６を複数形成する（第１の溝形成工程）。
複数の第１の溝１６は、Ｙ方向に延在するように形成する。第１の溝１６は、複数の電極１８（図１参照）を形成するための溝であり、対向する側面１６ａ，１６ｂ（２つの側面）及び底面１６ｃを有する。複数の第１の溝１６は、第１の層間絶縁膜１３を貫通するように形成する。
このように、第１の層間絶縁膜１３を貫通するように複数の第１の溝１６を形成することにより、複数の電極１８の底部に相当する部分に、電極構造体１０の下方に配置されたコンタクトプラグ１２（図１参照）を接続させることが可能となる。
【００２８】
上記異方性エッチング法としてドライエッチング法を用いる場合、エッチング装置としては、例えば、マグネトロンＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置を用いることができる。
この場合、第１の反射防止膜２７をエッチングする第１の反射防止膜エッチングステップと、第１の層間絶縁膜１３をエッチングする第１の層間絶縁膜エッチングステップとに分けてエッチングを行う。
第１の反射防止膜エッチングステップでは、例えば、ＣＦ４ガス（例えば、流量が１００ｓｃｃｍ）とＣＨＦ３（例えば、流量が５０ｓｃｃｍ）とを混合したエッチングガスを用いて、圧力が６０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワーが５００Ｗの条件でエッチングを行う。
また、第１の層間絶縁膜エッチングステップでは、例えば、ＣＦ４ガス（例えば、流量が１００ｓｃｃｍ）、ＣＨ２Ｆ２（例えば、流量が３０ｓｃｃｍ）、及びＯ２ガス（例えば、流量が５０ｓｃｃｍ）を混合したエッチングガスを用いて、圧力が６０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワーが５００Ｗの条件でエッチングを行う。
【００２９】
このように、異方性エッチング法により、複数の電極１８が配置される第１の溝１６を形成することで、第１の溝１６のＸ方向の幅を狭く（例えば、４０〜４５ｎｍ）した場合でも、第１の溝１６のＹ方向の幅が非常に広いため、Ｘ方向の幅の狭い第１の溝１６を容易に形成することができる。
言い換えれば、第１の溝１６のアスペクト比（＝第１の溝１６の深さ／Ｙの方向に対する第１の溝１６の幅）は、従来の微細なコンタクトホールのアスペクト比（＝コンタクトホールの深さ／コンタクトホールの開口径）よりも小さいため、異方性エッチング法により、容易にＸ方向の幅の狭い第１の溝１６を形成することができる。
なお、第１の溝１６のＸ方向の幅を狭くすることで、複数の電極１８のＸ方向の幅を狭くすることが可能となるので、複数の電極１８のＸ方向のサイズの小型化を図ることができる。
なお、図３及び図４に示す工程が、第１の溝形成工程に相当する工程である。
【００３０】
次いで、図５に示す工程では、図４に示す第１のレジストパターン２８及び第１の反射防止膜２７を除去する。
次いで、図６に示す工程では、複数の第１の溝１６の側面１６ａ，１６ｂ及び底面１６ｃを覆う第１の導電膜３２を形成する（第１の導電膜形成工程）。
これにより、第１の溝１６の底面１６ｃに形成された部分の第１の導電膜３２は、複数のコンタクトプラグ１２の上面１２ａと接触する。
また、第１の導電膜形成工程では、第１の溝１６の一方の側面１６ａに形成された第１の導電膜３２と、第１の溝１６の他方の側面１６ｂに形成された第１の導電膜３２との間に隙間が形成されるように、第１の導電膜３２を形成する。
例えば、第１の溝１６のＸ方向の幅が４５ｎｍの場合、第１の導電膜３２の厚さは、例えば、１０ｎｍとすることができる。
【００３１】
第１の導電膜形成工程では、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により第１の導電膜３２を形成する。
このように、ＣＶＤ法を用いて、複数の第１の溝１６に第１の導電膜３２を形成することで、複数の第１の溝１６の側面１６ａ，１６ｂ及び底面１６ｃに均一な厚さとなるように、第１の導電膜３２を形成することができる。
なお、ＣＶＤ法を用いて第１の導電膜３２を形成する場合、シリコン酸化膜１５の上面１５ａにも第１の導電膜３２（図示せず）が形成される（図２８に示す第１の導電膜３２参照。）。
第１の導電膜３２としては、例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）膜を用いることができるが、窒化チタン（ＴｉＮ）膜以外の金属膜を用いてもよい。
【００３２】
次いで、第１の導電膜３２が形成された複数の第１の溝１６を第１の絶縁膜１９で充填する（第１の絶縁膜充填工程）。
第１の絶縁膜１９としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）やシリコン窒化膜等を用いることができる。第１の絶縁膜１９としてシリコン酸化膜を用いる場合、第１の絶縁膜１９は、例えば、スピンナ法やＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の方法により形成することができる。
このように、埋め込み特性に優れたスピンナ法を用いて複数の第１の溝１６を塗布系の第１の絶縁膜１９で充填することにより、第１の絶縁膜１９にボイドが発生することを防止できる。
第１の絶縁膜としてシリコン窒化膜を用いる場合、第１の絶縁膜１９は、例えば、ＬＰ−ＣＶＤ（低圧化学気相蒸着）法により形成することができる。
なお、第１の絶縁膜充填工程では、シリコン酸化膜１５の上面１５ａ上に位置する部分の第１の導電膜３２上にも第１の絶縁膜１９が形成される（図２９に示す第１の絶縁膜１９参照。）。
【００３３】
次いで、シリコン酸化膜１５の上面１５ａ（第１の層間絶縁膜１３の上面１３ａに相当する面）から突出した部分の第１の導電膜３２及び第１の絶縁膜１９を除去する（第１の導電膜及び第１の絶縁膜除去工程）。
第１の導電膜及び第１の絶縁膜除去工程では、例えば、シリコン酸化膜１５の上面１５ａから突出した部分の第１の導電膜３２及び第１の絶縁膜１９をエッチバック法或いはＣＭＰ法により除去する。
これにより、図６（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜１５の上面１５ａ、第１の絶縁膜１９の上面１９ａ、及び第１の導電膜３２の上面３２ａ，３２ｂが同一平面上に配置される。
【００３４】
次いで、図７に示す工程では、シリコン酸化膜１５の上面１５ａ、第１の絶縁膜１９の上面１９ａ、及び第１の導電膜３２の上面３２ａ，３２ｂに、ハードマスク層３３の母材となる膜を成膜する。この段階では、ハードマスク層３３に、複数の開口部は形成されていない。ハードマスク層３３の母材となる膜としては、例えば、メタン（ＣＨ４）等のハイドロカーボンを原料としてＣＶＤ法で形成したアモルファスカーボン膜（例えば、厚さ１００ｎｍ）を用いることができる。
次いで、図７に示すハードマスク層３３の上面３３ａに、第２の反射防止膜３４を形成する。第２の反射防止膜３４としては、例えば、ＡＲＬ（Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）膜を用いることができる。また、ＡＲＬ膜としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を含有した膜（例えば、厚さ３０ｎｍ）を用いることができる。
【００３５】
次いで、図８に示す工程では、第２の反射防止膜３４の上面３４ａに、フォトリソ技術により、ハードマスク層３３に複数の開口部を形成する際のエッチング用マスクとなる第２のレジストパターン３６を形成する。
このとき、第２の溝１７（図１参照）の形成領域に対応する部分の第２のレジストパターン３６に、第２の反射防止膜３４の上面３４ａを露出すると共に、Ｘ方向に延在する開口部３７を複数形成する。
第２のレジストパターン３６は、電極１８及び電極１８の形成領域に対応する部分の第１の絶縁膜１９の上方に位置する部分の第２の反射防止膜３４の上面３４ａを覆うように形成する。
【００３６】
具体的には、複数の開口部３７を有した第２のレジストパターン３６は、第２の反射防止膜３４の上面３４ａにレジスト膜（図示せず）を塗布後、露光装置（図示せず）に配置されたレチクル（図示せず）を介してレジスト膜を露光し、その後、露光されたレジスト膜を現像処理することで形成する。
このように、第２の反射防止膜３４上に第２のレジストパターン３６を形成することにより、レジスト膜（図示せず）を露光する際に、ハードマスク層３３により反射された光がレジスト膜に到達することを抑制できるため、開口部３７の形状（例えば、Ｙ方向における開口部３７の幅）が所望の形状となるように、開口部３７を精度よく形成することができる。
これにより、後述する図１０に示す工程において、ハードマスク層３３に、所望の形状とされた複数の開口部３９を形成することができる。
【００３７】
次いで、図９に示す工程では、複数の開口部３７を有した第２のレジストパターン３６を介した異方性エッチング法により、複数の開口部３７に露出された部分のハードマスク層３３及び第２の反射防止膜３４を除去することで、ハードマスク層３３に、Ｘ方向に延在する複数の開口部３９を形成する。このとき、複数の開口部３９は、シリコン酸化膜１５の上面１５ａを露出するように形成する。複数の開口部３９は、Ｙ方向に対して交差している。
【００３８】
図９に示す工程において、異方性エッチング法としてドライエッチング法を用いる場合、エッチング装置としては、例えば、マグネトロンＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置を用いることができる。
この場合、第２の反射防止膜３４をエッチングする第２の反射防止膜エッチングステップと、ハードマスク層３３をエッチングするハードマスク層エッチングステップとに分けてエッチングを行う。
第２の反射防止膜エッチングステップでは、例えば、ＣＦ４ガス（例えば、流量が２４０ｓｃｃｍ）とＯ２（例えば、流量が５ｓｃｃｍ）とを混合したエッチングガスを用いて、圧力が４０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワーが４００Ｗの条件でドライエッチングを行う。
【００３９】
ハードマスク層エッチングステップでは、ハードマスク層３３としてアモルファスカーボン膜を用いる場合、例えば、Ａｒガス（例えば、流量が１５０ｓｃｃｍ）とＯ２（例えば、流量が９０ｓｃｃｍ）とを混合したエッチングガスを用いて、圧力が１５ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワーが５００Ｗの条件でドライエッチングを行う。
第２のレジストパターン３６を形成する際の露光装置として、ＡｒＦ（フッ化アルゴン）レーザを光源とする液浸露光装置（図示せず）を用いる場合、ハードマスク層３３に形成される開口部３９のＹ方向の幅は、例えば、４０〜４５ｎｍとすることができる。
ハードマスク層３３の母材となる膜としてアモルファスカーボン膜を用いた場合には、そのドライエッチングにおいて、第２のレジストパターン３６は同時に除去されるが、酸窒化シリコンを含有した膜で第２の反射防止膜３４を形成しておくことにより、第２のレジストパターン３６のマスク形状を維持することができる。
すなわち、アモルファスカーボン膜をエッチングする際に耐性を備えた材料で第２の反射防止膜３４を形成しておくことにより、第２の反射防止膜３４をハードマスクとしても機能させることができる。
次いで、図１０に示す工程では、図９に示す第２のレジストパターン３６を除去する。なお、図７〜図１０に示す工程が、ハードマスク層形成工程に相当する工程である。
【００４０】
次いで、図１１に示す工程では、異方性エッチング法（例えば、ドライエッチング法）により、図１０に示す複数の開口部３９から露出された部分の第１の絶縁膜１９及び第１の導電膜３２を除去することで、ハードマスク層３３に覆われた部分の第１の溝１６に電極１８を形成すると共に、複数の開口部３９から露出された部分のシリコン酸化膜１５を除去する（言い換えれば、第１の層間絶縁膜１３をエッチングする）ことで、Ｙ方向に延在し、第１の溝１６と交差する第２の溝１７を複数形成する（電極及び第２の溝形成工程）。
このとき、ハードマスク層３３上に形成された第２の反射防止膜３４は、第１の絶縁膜１９及びシリコン酸化膜１５をエッチングする際に除去される。
第１の導電膜３２として窒化チタン（ＴｉＮ）膜を用いた場合、第１の導電膜３２は、例えば、Ｃｌ２ガス（例えば、流量が５０ｓｃｃｍ）、ＣＦ４（例えば、流量が１００ｓｃｃｍ）、及びＡｒガス（例えば、流量が４０ｓｃｃｍ）を混合したエッチングガスを用いて、圧力が１０ｍＴｏｒｒ、ＩＣＰソースパワーが８００Ｗ、ＲＦバイアスパワーが８０Ｗの条件でドライエッチングを行う。
上記電極及び第２の溝形成工程では、第１の溝１６の一方の側面１６ａに形成され、上端面２３ａが第１の絶縁層１１及びシリコン酸化膜１５から露出された第１の導電部２３と、第１の溝１６の他方の側面１６ｂに形成され、上端面２４ａが第１の絶縁層１１及びシリコン酸化膜１５から露出された第２の導電部２４と、第１の導体２３と第２の導体２４との間に位置する部分の第１の溝１６の底面１６ｃに形成された第３の導電部２５とを有し、コの字型形状とされた電極１８が複数形成される。
【００４１】
このように、複数の開口部３９を有したハードマスク層３３を介した異方性エッチング法により、第１の溝１６の側面１６ａ，１６ｂ及び底面１６ｃに形成された第１の導電膜３２をパターニングして、第１の溝１６に第１の導電膜３２よりなる電極１８を複数形成することで、容易に小型化された電極１８（所望の形状とされた電極１８）を形成することができると共に、複数の電極１８間の形状ばらつきを抑制することができる。
また、複数の電極１８の形状がコの字型となるため、従来の円柱形状とされた電極と比較して、第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａの面積を小さくすることができる。
【００４２】
次いで、図１２に示す工程では、図１１に示すハードマスク層３３を除去する（ハードマスク層除去工程）。
ハードマスク層３３としてアモルファスカーボン層を用いた場合、ハードマスク層３３は、例えば、酸素（Ｏ２）ガスを用いたアッシングにより除去する。
【００４３】
次いで、図１３に示す工程では、複数の第２の溝１７を第２の絶縁膜２１で充填する（第２の絶縁膜充填工程）。これにより、電極構造体１０を備えた構造体５が製造される。なお、
第２の絶縁膜充填工程では、第２の絶縁膜２１の上面２１ａが、シリコン酸化膜１５の上面１５ａ、第１の絶縁膜１９の上面１９ａ、及び第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａに対して面一となるように、第２の絶縁膜２１を形成する。
具体的には、第２の絶縁膜２１は、例えば、複数の第２の溝１７にシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を埋め込んだ後、シリコン酸化膜１５の上面１５ａから突出した部分のシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜を除去することで形成する。シリコン酸化膜１５の上面１５ａから突出した部分のシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜は、例えば、エッチバック法やＣＭＰ法の方法により除去することができる。
【００４４】
第２の絶縁膜２１としてシリコン酸化膜を用いる場合、第２の絶縁膜２１は、例えば、スピンナ法やＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の方法により形成することができる。
このように、埋め込み特性に優れたスピンナ法を用いて複数の第２の溝１７を塗布系の第２の絶縁膜２１で充填することにより、第２の絶縁膜２１にボイドが発生することを防止できる。
また、第２の絶縁膜２１としてシリコン窒化膜を用いる場合、第２の絶縁膜２１は、例えば、ＬＰ−ＣＶＤ（低圧化学気相蒸着）法により形成することができる。
【００４５】
本実施の形態の電極構造体の製造方法によれば、従来のホールでは無く、Ｙ方向に延在する第１の溝１６内に電極１８の母材となる第１の導電膜３２を形成することにより、第１の溝１６の２つの側面１６ａ，１６ｂ及び底面１６ｃに、均一な厚さとなるように第１の導電膜３２を形成することが可能となる。
これは、第１の溝１６が従来のホールと同程度の幅を有する場合でも、第１の溝１６の延在するＹ方向においては、第１の溝１６の側面の影響を受けないため、第１の溝１６内への第１の導電膜３２の成膜が容易になるためである。
【００４６】
また、異方性エッチング法により、ハードマスク層３３に形成された複数の開口部３９から露出された部分の第１の導電膜３２を除去することで、第１の溝１６に第１の導電膜３２よりなる電極１８を複数形成することで、容易に小型化された電極１８（所望の形状とされた電極１８）を形成することができると共に、複数の電極１８間の形状ばらつきを抑制することができる。
また、複数の電極１８の形状がコの字型となるため、従来の円柱形状とされた電極と比較して、第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａの面積を小さくすることができる。
【００４７】
図１４は、本発明の第１の実施の形態に係る電極構造体の他の製造工程を示す図である。なお、図１４（ａ）は、平面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に示す構造体のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図１４（ｃ）は、図１４（ａ）に示す構造体のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
ここで、図１４を参照して、電極構造体１０の他の製造方法について説明する。
先に説明した図１１に示す工程（電極及び第２の溝形成工程）において、図１４に示すように、開口部３９に対応する部分のハードマスク層３３がサイドエッチングされるエッチング条件を用いて、複数の第２の溝１７を形成してもよい。
【００４８】
このように、開口部３９に対応する部分のハードマスク層３３がサイドエッチングされるエッチング条件を用いて複数の第２の溝１７を形成することにより、図１４に示す開口部３９間に位置する部分のハードマスク層３３のＹ方向の幅Ｗ２が図１１に示すハードマスク層３３のＹ方向の幅Ｗ１よりも狭くなる。
これにより、図１４に示す電極１８のＹ方向の幅を図１１に示す電極１８のＹ方向の幅よりも狭くすることが可能となるので、複数の電極１８のＹ方向のサイズを容易に小型化することができる。言い換えれば、複数の電極１８のＹ方向のサイズを露光装置（図示せず）の解像限界以下の数値にすることができる。
これにより、図１４に示す電極１８を構成する第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａの面積を、図１１に示す電極１８を構成する第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａの面積よりも小さくすることができる。
【００４９】
図１５は、図１に示す電極構造体を備えた半導体装置に設けられた活性領域、ゲート電極、ビット線、接地用配線、電極、第３のコンタクトプラグ、及び第４のコンタクトプラグの位置関係を説明するための概略平面図である。図１６は、図１５に示す半導体装置のＤ−Ｄ線方向の断面図であり、図１７は、図１５に示す半導体装置のＥ−Ｅ線方向の断面図である。
なお、図１５〜図１７では、半導体装置の一例として相変化メモリ（Ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｇｅ Ｍｅｍｏｒｙ；以下、「ＰＲＡＭ」という）を例に挙げて図示する。また、図１５に、図１６及び図１７に示す半導体装置４５の構成要素を全て図示することは困難なため、図１５には、半導体装置４５の構成要素の一部のみ図示する。
また、図１５では、実際には半導体装置４５の厚さ方向に対して異なる平面上に配置された活性領域５６、ゲート電極６１、ビット線４９、接地用配線７１、電極１８、第３のコンタクトプラグ６９、及び第４のコンタクトプラグ７３を同一平面上に図示している。
また、図１６及び図１７において、図１に示す電極構造体１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００５０】
図１５〜図１７を参照するに、半導体装置４５は、電極構造体１０と、半導体基板４６と、多層配線構造体４７と、ビット線４９と、第５の層間絶縁膜５１と、配線５２と、保護膜５３とを有する。
電極構造体１０は、多層配線構造体４７上に設けられている。電極構造体１０は、多層配線構造体４７とビット線４９と間に配置されており、多層配線構造体４７及びビット線４９と電気的に接続されている。
半導体基板４６は、多層配線構造体４７を形成するための第１の導電型（例えば、Ｐ型）の基板である。半導体基板４６としては、例えば、シリコン基板を用いることができる。
多層配線構造体４７は、素子分離領域５５と、活性領域５６と、第１の不純物拡散領域５７と、第２の不純物拡散領域５８と、ゲート絶縁膜５９と、ゲート電極６１と、シリコン窒化膜６２と、サイドウォール膜６３と、第２の層間絶縁膜６４と、第１のコンタクトプラグ６６と、第２のコンタクトプラグ６７と、第３の層間絶縁膜６８と、第３のコンタクトプラグ６９と、接地用配線７１と、第４の層間絶縁膜７２と、第４のコンタクトプラグ７３とを有する。
【００５１】
素子分離領域５５は、半導体基板４６に形成されている。素子分離領域５５は、絶縁膜（例えば、シリコン酸化膜）により構成されている。素子分離領域５５としては、例えば、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）を用いることができる。
活性領域５６は、素子分離領域５５により区画された領域である。
第１の不純物拡散領域５７は、第２の不純物拡散領域５８間に位置する部分の半導体基板４６に形成されている。第２の不純物拡散領域５８は、第１の不純物拡散領域５７を挟み込むように配置されている。第１及び第２の不純物拡散領域５７，５８は、第２の導電型不純物（例えば、Ｎ型不純物）が拡散された領域である。第１及び第２の不純物拡散領域５７，５８は、一方がソース領域、他方がドレイン領域として機能する不純物拡散領域である。
【００５２】
ゲート絶縁膜５９は、半導体基板４６の表面４６ａ（第１及び第２の不純物拡散領域５７，５８の上面を含む面）、及び素子分離領域５５の上面に設けられている。
ゲート電極６１は、第１の不純物拡散領域５７と第２の不純物拡散領域５８との間に配置されたゲート絶縁膜５９上に設けられている。ゲート電極６１は、Ｘ方向に延在している。ゲート電極６１は、ワード線として機能する電極である。
シリコン窒化膜６２は、ゲート電極６１上に設けられている。シリコン窒化膜６２は、ゲート電極６１を保護する膜である。
サイドウォール膜６３は、ゲート電極６１の側面を覆うように設けられている。サイドウォール膜６３としては、例えば、シリコン窒化膜を用いることができる。
【００５３】
第２の層間絶縁膜６４は、ゲート電極６１、シリコン窒化膜６２、及びサイドウォール膜６３を覆うように、ゲート絶縁膜５９上に設けられている。第２の層間絶縁膜６４としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）を用いることができる。
第１のコンタクトプラグ６６は、第１の不純物拡散領域５７上に位置する部分の第２の層間絶縁膜６４を貫通するように設けられている。これにより、第１のコンタクトプラグ６６の下端は、第１の不純物拡散領域５７と接触している。
第２のコンタクトプラグ６７は、第２の不純物拡散領域５８上に位置する部分の第２の層間絶縁膜６４を貫通するように設けられている。これにより、第２のコンタクトプラグ６７の下端は、第２の不純物拡散領域５８と接触している。
上記構成とされた第１及び第２のコンタクトプラグ６６，６７の材料としては、例えば、リンを含有した多結晶シリコンやタングステン（Ｗ）等を用いることができる。
【００５４】
第３の層間絶縁膜６８は、第２の層間絶縁膜６４の上面６４ａに設けられている。第３の層間絶縁膜６８としては、例えば、シリコン酸化膜を用いることができる。
第３のコンタクトプラグ６９は、第１のコンタクトプラグ６６の上端と対向する部分の第３の層間絶縁膜６８を貫通するように設けられている。第３のコンタクトプラグ６９の下端は、第１のコンタクトプラグ６６の上端と接触している。これにより、 第３のコンタクトプラグ６９は、第１のコンタクトプラグ６６を介して、第１の不純物拡散領域５７と電気的に接続されている。第３のコンタクトプラグ６９の材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）を用いることができる。
【００５５】
接地用配線７１は、図１５に示すようにＸ方向に延在する配線であり、Ｘ方向に配置された複数の第３のコンタクトプラグ６９と接触している。接地用配線７１は、複数の第３のコンタクトプラグ６９を接地電位にするための配線である。
第４の層間絶縁膜７２は、接地用配線７１を覆うように、第３の層間絶縁膜６８の上面６８ａに設けられている。第４の層間絶縁膜７２の上面７２ａには、電極構造体１０を構成するシリコン窒化膜１４が形成されている。
【００５６】
第４のコンタクトプラグ７３は、第２のコンタクトプラグ６７上に位置する部分の第３及び第４の層間絶縁膜６８，７２を貫通するように設けられている。第４のコンタクトプラグ７３の下端は、第２のコンタクトプラグ６７の上端と接触している。これにより、第４のコンタクトプラグ７３は、第２のコンタクトプラグ６７を介して、第２の不純物拡散領域５８と電気的に接続されている。
第４のコンタクトプラグ７３の上端面７３ａは、第４の層間絶縁膜７２の上面７２ａに対して面一となるように配置されている。
第４のコンタクトプラグ７３の上端面７３ａは、電極構造体１０に設けられた第３の接続部２５と接続されている。これにより、電極１８は、第２のコンタクトプラグ６７及び第４のコンタクトプラグ７３を介して、第２の不純物拡散領域５８と電気的に接続されている。第４のコンタクトプラグ７３の材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）を用いることができる。
【００５７】
ビット線４９は、抵抗値可変材料層７５と、配線７６とが順次積層された構成とされている。抵抗値可変材料層７５は、Ｙ方向に延在するように、シリコン酸化膜１５の上面１５ａ、第１の絶縁膜１９の上面１９ａ、及び第２の絶縁膜２１の上面２１ａの一部に設けられている。
抵抗値可変材料層７５は、Ｙ方向に配列された複数の電極１８の上端（具体的には、第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａ）と接触している。
このように、第１〜第３の導電部２３〜２５を備え、コの字型形状とされた電極１８を設け、第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａと抵抗値可変材料層７５とを接触させることにより、従来の円柱形状とされた電極と抵抗値可変材料層との接触面積と比較して、抵抗値可変材料層７５を加熱する電極１８と抵抗値可変材料層７５との接触面積を小さくすることが可能となる。
これにより、抵抗値可変材料層７５の抵抗を変化（具体的には、高抵抗のアモルファス状態から低抵抗の結晶状態に変化、或いは結晶状態からアモルファス状態に変化）させる領域を小さくすることが可能となるので、データの書き込みや読み込みを高速で行うことができる。
【００５８】
抵抗値可変材料層７５の材料としては、例えば、カルコゲナイド材料を用いることができる。カルコゲナイド材料とは、ゲルマニウム(Ｇｅ)、アンチモン(Ｓｂ)、テルル(Ｔｅ)、インジウム(Ｉｎ)、セレン(Ｓｅ)等の元素を少なくとも一つ以上含む合金のことである。
具体的には、カルコゲナイド材料としては、例えば、ＧａＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＳｅ、Ｓｂ２Ｔｅ３、ＧｅＴｅ等の２元系元素、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５、ＩｎＳｂＴｅ、ＧａＳｅＴｅ（ＧＳＴ）、ＳｎＳｂ２Ｔｅ４、ＩｎＳｂＧｅ等の３元系元素、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、（ＧｅＳｎ）ＳｂＴｅ、ＧｅＳｂ（ＳｅＴｅ）、Ｔｅ８１Ｇｅ１５Ｓｂ２Ｓ２等の４元系元素を用いることができる。
【００５９】
配線７６は、抵抗値可変材料層７５上に設けられている。これにより、配線７６は、Ｙ方向に延在している。配線７６としては、例えば、チタン（Ｔｉ）膜や窒化チタン（ＴｉＮ）膜、或いは、チタン（Ｔｉ）膜と窒化チタン（ＴｉＮ）膜とが積層されたＴｉ／ＴｉＮ積層膜等を用いることができる。
【００６０】
第５の層間絶縁膜５１は、ビット線４９を覆うように、第２の絶縁膜２１の上面２１ａに設けられている。第５の層間絶縁膜５１としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）を用いることができる。
配線５２は、第５の層間絶縁膜５１の上面５１ａに設けられている。配線５２は、多層配線構造体４７と電気的に接続されている。配線５２は、外部接続用のパッドである電極パッド部（図示せず）を有する。配線５２の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等を用いることができる。
【００６１】
本実施の形態の半導体装置によれば、コの字型形状とされた電極１８を構成する第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａと抵抗値可変材料層７５とを接触させて、抵抗値可変材料層７５を加熱する電極１８と抵抗値可変材料層７５との接触面積を小さくすることが可能となる。
これにより、抵抗値可変材料層７５の抵抗を変化（具体的には、高抵抗のアモルファス状態から低抵抗の結晶状態に変化、或いは結晶状態からアモルファス状態に変化）させる領域を小さくすることが可能となるので、データの書き込みや読み込みを高速で行うことができる。
【００６２】
図１８〜図２１、図２３、及び図２５は、図１に示す電極構造体を備えた半導体装置の製造工程を示す断面図である。図２２は、図１５に示す半導体装置４５のＥ―Ｅ線方向の断面に対応する図２１に示す構造体の断面図である。図２４は、図１５に示す半導体装置４５のＥ―Ｅ線方向の断面に対応する図２３に示す構造体の断面図である。図２６は、図１５に示す半導体装置４５のＥ―Ｅ線方向の断面に対応する図２５に示す構造体の断面図である。
なお、図１８〜図２１、図２３、及び図２５は、図１５に示す半導体装置４５のＤ−Ｄ線方向の断面に対応する図（言い換えれば、図１６に示す半導体装置４５に対応する図）である。また、図１８〜図２６において、図１６に示す半導体装置４５と同一構成部分には同一符号を付す。
【００６３】
図１８〜図２６を参照して、図１に示す電極構造体１０を備えた半導体装置４５の製造方法について説明する。
始めに、図１８に示す工程では、第１の導電型（例えば、Ｐ型）の半導体基板４６に、素子分離領域５５として例えば、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）を形成する。次いで、半導体基板４６の表面４６ａ及び素子分離領域５５上に、ゲート絶縁膜５９を形成する。ゲート絶縁膜５９としては、例えば、シリコン酸化膜を用いることができる。次いで、周知の手法により、ゲート絶縁膜５９上にゲート電極６１及びシリコン窒化膜６２を順次形成する。次いで、半導体基板４６に第２の導電型不純物（例えば、Ｎ型不純物であるリン）を注入することで、第１及び第２の不純物拡散領域５７，５８を形成する。次いで、周知の手法により、ゲート電極６１の側面を覆うサイドウォール膜６３を形成する。
なお、図１８には、図示していないが、サイドウォール膜６３を形成後に、半導体基板４６に高濃度の第２の導電型不純物を注入することで、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造のトランジスタを形成してもよい。
【００６４】
次いで、図１９に示す工程では、シリコン窒化膜６２及びサイドウォール膜６３を覆うように、第２の層間絶縁膜６４を形成する。第２の層間絶縁膜６４としては、例えば、シリコン酸化膜を用いることができる。
次いで、第２の層間絶縁膜６４及びゲート絶縁膜を貫通する貫通孔８１，８２を形成する。貫通孔８１は、第１の不純物拡散領域５７を露出するように形成する。貫通孔８１は、第２の不純物拡散領域５８を露出するように形成する。
次いで、貫通孔８１に第１のコンタクトプラグ６６を形成すると共に、貫通孔８２に第２のコンタクトプラグ６７を形成する。このとき、第１及び第２のコンタクトプラグ６６，６７の上端面６６ａ，６７ａを、第２の層間絶縁膜６４の上面６４ａに対して面一にする。
第１及び第２のコンタクトプラグ６６，６７は、例えば、貫通孔８１，８２にリン含有した多結晶シリコンやタングステン（Ｗ）を埋め込むことで形成する。
【００６５】
次いで、図２０に示す工程では、第２の層間絶縁膜６４の上面６４ａに、第１のコンタクトプラグ６６の上端面６６ａを露出する貫通孔８４を有した第３の層間絶縁膜６８を形成する。第３の層間絶縁膜６８としては、例えば、シリコン酸化膜を用いることができる。
次いで、貫通孔８４に第３のコンタクトプラグ６９を形成する。第３のコンタクトプラグ６９の材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）を用いることができる。
次いで、第３の層間絶縁膜６８の上面６８ａに、第３のコンタクトプラグ６９の上端と接触する接地用配線７１を形成する。
次いで、第３の層間絶縁膜６８の上面６８ａに、接地用配線７１を覆う第４の層間絶縁膜７２を形成する。第４の層間絶縁膜７２としては、例えば、シリコン酸化膜を用いることができる。
【００６６】
次いで、第３及び第４の層間絶縁膜６８，７２に、第２のコンタクトプラグ６７の上面６７ａを露出する貫通孔８５を形成する。
次いで、貫通孔８５内を充填するように、第４のコンタクトプラグ７３を形成する。
このとき、第４のコンタクトプラグ７３の上端面７３ａを第４の層間絶縁膜７２の上面７２ａに対して面一にする。第４のコンタクトプラグ７３の材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）を用いることができる。
これにより、半導体基板４６に多層配線構造体４７が形成される。
【００６７】
次いで、図２１に示す工程では、第４の層間絶縁膜７２の上面７２ａ及び第４のコンタクトプラグ７３の上端面７３ａ（多層配線構造体４７の上面）に、先に説明した図２〜図１３に示す工程と同様な手法により電極構造体１０を形成する。
このとき、電極１８を構成する第３の導電部２５が、第４のコンタクトプラグ７３の上端面７３ａと接触するように、電極構造体１０を形成する。これにより、多層配線構造体４７と電極構造体１０とが電気的に接続される。
図２１に示す工程では、図２２に示すように、第２の溝１７に第２の絶縁膜２１が充填されている。
【００６８】
次いで、図２３に示す工程では、図２３及び図２４に示すように、シリコン酸化膜１５の上面１５ａ（第１の層間絶縁膜１３の上面１３ａ）及び第２の絶縁膜２１の上面２１ａに、Ｙ方向に配置された複数の電極１８に設けられた第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａ及び第１の絶縁膜１９の上面１９ａと接触する抵抗値可変材料層７５と、抵抗値可変材料層７５上に配置される配線７６とを順次積層させることで、抵抗値可変材料層７５及び配線７６よりなるビット線４９を形成する。
【００６９】
このように、第１〜第３の導電部２３〜２５を備え、コの字型形状とされた電極１８を設け、第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａと抵抗値可変材料層７５とを接触させることにより、従来の円柱形状とされた電極と抵抗値可変材料層との接触面積と比較して、抵抗値可変材料層７５を加熱する電極１８と抵抗値可変材料層７５との接触面積を小さくすることが可能となる。
これにより、抵抗値可変材料層７５の抵抗を変化（具体的には、高抵抗のアモルファス状態から低抵抗の結晶状態に変化、或いは結晶状態からアモルファス状態に変化）させる領域を小さくすることが可能となるので、データの書き込みや読み込みを高速で行うことができる。
【００７０】
次いで、図２５に示す工程では、図２３及び図２４に示す構造体に設けられたシリコン酸化膜１５の上面１５ａ（第１の層間絶縁膜１３の上面１３ａ）及び第２の絶縁膜２１の上面２１ａに、ビット線４９を覆う第５の層間絶縁膜５１を形成する。次いで、第５の層間絶縁膜５１の上面５１ａに、配線５２を形成し、その後、第５の層間絶縁膜５１の上面５１ａに、配線５２を覆う保護膜５３を形成する。
これにより、本実施の形態の半導体装置４５が製造される。
【００７１】
（第２の実施の形態）
図２７は、本発明の第２の実施の形態に係る電極構造体を備えた構造体を説明するための概略図である。図２７（ａ）は平面図であり、図２７（ｂ）は図２７（ａ）のＡ−Ａ線方向の断面図であり、図２７（ｃ）は図２７（ａ）のＢ−Ｂ線方向の断面図であり、図２７（ｄ）は図２７（ａ）のＣ−Ｃ線方向の断面図である。
なお、図２７において、図１に示す第１の実施の形態の構造体５と同一構成部分には同一符号を付す。
【００７２】
図２７を参照するに、第２の実施の形態の構造体９０は、第１の実施の形態の構造体５に設けられた電極構造体１０の代わりに、電極構造体９５を設けた以外は構造体５と同様な構成とされている。
【００７３】
電極構造体９５は、電極構造体１０の構成に、さらに第２の導電膜９６を設けた以外は電極構造体１０と同様に構成される。
第２の導電膜９６は、第１の絶縁膜１９と第３の導電部２５との間に位置する部分の複数の第１の溝１６に設けられている。第２の導電膜９６の材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）を用いることができる。
【００７４】
本実施の形態の電極構造体によれば、第１の絶縁膜１９と第３の導電部２５との間に位置する部分の複数の第１の溝１６に第２の導電膜９６を設けることにより、電極１８の抵抗値を低くすることができる。
また、第１の絶縁膜１９と第３の導電部２５との間に位置する部分の複数の第１の溝１６に埋め込む第２の導電膜９６の厚さＧは、第２の導電膜９６が埋め込まれた電極１８の抵抗値が所望の抵抗値となるように設定する。
【００７５】
図２８〜図３０は、本発明の第２の実施の形態に係る電極構造体の製造工程を示す図である。図２８〜図３０は、図２７（ａ）に示す構造体９０のＡ−Ａ線方向の断面に対応する断面図である。図２８〜図３０において、図２７に示す構造体９０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００７６】
図２８〜図３０を参照して、第２の実施の形態の電極構造体９５の製造方法について説明する。
始めに、第１の実施の形態で説明した図２〜図５に示す工程と同様な処理を行うことで、図５に示す構造体を形成する。次いで、第１の実施の形態で説明した図６に示す第１の導電膜形成工程を行うことで、複数の第１の溝１６に第１の導電膜３２を形成する（第１の導電膜形成工程）。このとき、後述する図２８に示すように、シリコン酸化膜１５の上面１５ａにも第１の導電膜３２が形成される。つまり、この段階では、複数の第１の溝１６以外にも第１の導電膜３２が形成される。
【００７７】
次いで、図２８に示す工程では、複数の第１の溝１６に、第２の導電膜９６を埋め込み、次いで、第２の導電膜９６を全面エッチバックすることで、複数の第１の溝１６内に厚さＧとされた第２の導電膜９６を形成する（第２の導電膜埋込工程）。
第２の導電膜９６の材料は、第１の導電膜３２の材料とは異なる材料を用いるとよい。
このように、第２の導電膜９６の材料と第１の導電膜３２の材料とを異ならせることにより、第２の導電膜９６を全面エッチバックする際に、第１の溝１６に形成された第１の導電膜３２がエッチングされることを防止できる。つまり、第２の導電膜９６を選択的にエッチングすることができる。
第１の導電膜３２の材料として窒化チタン膜（ＴｉＮ）を用いる場合、第２の導電膜９６の材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）を用いることができる。
なお、第２の導電膜埋込工程では、第１の導電膜３２が形成された第１の溝１６の深さよりも浅い深さまで、第２の導電膜９６を埋め込む。
【００７８】
次いで、図２９に示す工程では、第２の導電膜９６が形成された複数の第１の溝１６内に、第１の絶縁膜１９を充填する（第１の絶縁膜充填工程）。
第１の絶縁膜１９は、第１の実施の形態の図６で説明した形成方法と同様な手法により形成する。このとき、図２９に示すように、第１の導電膜３２上にも第１の絶縁膜１９が形成される。
【００７９】
次いで、図３０に示す工程では、図２９に示すシリコン酸化膜１５の上面１５ａ（第１の層間絶縁膜１３の上面１３ａ）から突出した部分の第１の導電膜３２及び第１の絶縁膜１９を除去する（第１の導電膜及び第１の絶縁膜除去工程）。
その後、第１の実施の形態で説明した図７〜図１０に示す工程と同様な処理を行う。次いで、第１の実施の形態で説明した図１１に示す工程（電極及び第２の溝形成工程）において、異方性エッチング法（例えば、ドライエッチング法）により、複数の開口部３９から露出された部分の第１の絶縁膜１９、第１の導電膜３２、及び第２の導電膜９６（図示せず）を除去することで、ハードマスク層３３に覆われた部分の第１の溝１６に第２の導電膜９６を備えた電極１８を形成すると共に、複数の開口部３９から露出された部分のシリコン酸化膜１５を除去する（第１の層間絶縁膜１３をエッチングする）ことで、Ｙ方向に延在し、第１の溝１６と交差する第２の溝１７を複数形成する。
その後、第１の実施の形態で説明した図１２及び図１３に示す工程を行うことで、図２７に示す本実施の形態の電極構造体９５が製造される。
【００８０】
本実施の形態の電極構造体の製造方法によれば、第１の導電膜形成工程と第１の絶縁膜充填工程との間に、第１の導電膜３２が形成された第１の溝１６の深さよりも浅い深さまで、第２の導電膜９６を埋め込む工程（第２の導電膜埋込工程）を設けることで、電極１８の抵抗値を低くすることができる。
【００８１】
図３１は、図２７に示す電極構造体を備えた半導体装置の断面図である。なお、図３１では、半導体装置の一例としてＰＲＡＭを用いた場合を例に挙げて図示する。また、図３１において、図１６に示す第１の実施の形態の半導体装置４５、及び図２７に示す電極構造体９５と同一構成部分には同一符号を付す。
図３１を参照するに、第２の実施の形態の半導体装置１００は、第１の実施の形態の半導体装置４５（図１６参照）に設けられた電極構造体１０の代わりに、図２７に示す電極構造体９５を設けた以外は、半導体装置４５と同様な構成とされている。
【００８２】
電極構造体９５は、ビット線４９と多層配線構造体４７との間に設けられている。これにより、電極構造体９５は、ビット線４９及び多層配線構造体４７と電気的に接続されている。電極構造体９５は、多層配線構造体４７上に、電極１８を構成する第３の導電部２５が第４のコンタクトプラグ７３の上端面７３ａと接触するように形成されている。また、電極１８を構成する第１及び第２の導電部２３，２４の上端面２３ａ，２４ａは、抵抗値可変材料層７５と接触している。
【００８３】
上記構成とされた半導体装置１００は、図２８〜図３０で説明した方法により、電極構造体９５を形成する以外は、第１の実施の形態の半導体装置４５と同様な手法により製造することができる。
【００８４】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
例えば、第１及び第２の実施の形態では、半導体装置４５，１００の一例としてＰＲＡＭを用いた場合を例に挙げて説明したが、ＰＲＡＭ以外の半導体装置に第１及び第２の実施の形態で説明した電極構造体１０，９５を設けてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明は、電極を備えた電極構造体及びその製造方法、並びに該電極構造体を備えた半導体装置に適用可能である。
【符号の説明】
【００８６】
５，９０…構造体、１０，９５…電極構造体、１１…第１の絶縁層、１１ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａ，１９ａ，２１ａ，２７ａ，３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３４ａ，５１ａ，６４ａ，７２ａ…上面、１２…コンタクトプラグ、１２ａ，２３ａ，２４ａ，６６ａ，６７ａ，７３ａ…上端面、１３…第１の層間絶縁膜、１４…シリコン窒化膜、１５…シリコン酸化膜、１６…第１の溝、１６ａ，１６ｂ…側面、１６ｃ…底面、１７…第２の溝、１８…電極、１９…第１の絶縁膜、２１…第２の絶縁膜、２３…第１の導電部、２４…第２の導電部、２５…第３の導電部、２７…第１の反射防止膜、２６，８１，８２，８４，８５…貫通孔、２８…第１のレジストパターン、２９，３７，３９…開口部、３２…第１の導電膜、３３…ハードマスク層、３４…第２の反射防止膜、３６…第２のレジストパターン、４５，１００…半導体装置、４６…半導体基板、４６ａ…表面、４７…多層配線構造体、４９…ビット線、５１…第５の層間絶縁膜、５２…配線、５３…保護膜、５５…素子分離領域、５６…活性領域、５７…第１の不純物拡散領域、５８…第２の不純物拡散領域、５９…ゲート絶縁膜、６１…ゲート電極、６２…シリコン窒化膜、６３…サイドウォール膜、６４…第２の層間絶縁膜、６６…第１のコンタクトプラグ、６７…第２のコンタクトプラグ、６８…第３の層間絶縁膜、６９…第３のコンタクトプラグ、７１…接地用配線、７２…第４の層間絶縁膜、７３…第４のコンタクトプラグ、７５…抵抗値可変材料層、７６…配線、９６…第２の導電膜、Ｇ…厚さ、Ｗ１，Ｗ２…幅、
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層間絶縁膜を形成する第１の層間絶縁膜形成工程と、
異方性エッチング法により、前記第１の層間絶縁膜を貫通し、第１の方向に延在する複数の第１の溝を形成する第１の溝形成工程と、
前記第１の溝の対向する２つの側面、及び前記第１の溝の底面を覆うように、第１の導電膜を形成する第１の導電膜形成工程と、
前記第１の導電膜が形成された複数の前記第１の溝を第１の絶縁膜で充填する第１の絶縁膜充填工程と、
前記第１の層間絶縁膜、前記第１の絶縁膜、及び前記第１の導電膜の上面に、前記第１の方向と交差する第２の方向に延在する複数の開口部を有したハードマスク層を形成するハードマスク層形成工程と、
異方性エッチング法により、前記ハードマスク層に形成された複数の前記開口部から露出された部分の前記第１の絶縁膜及び前記第１の導電膜を除去することで、前記第１の溝に前記第１の導電膜よりなる電極を複数形成すると共に、前記第１の層間絶縁膜をエッチングすることで、前記第１の層間絶縁膜に、前記第１の溝と交差する前記第２の溝を複数形成する電極及び第２の溝形成工程と、
前記電極及び第２の溝形成工程後、前記ハードマスク層を除去するハードマスク層除去工程と、
前記ハードマスク層除去工程後、複数の前記第２の溝を第２の絶縁膜で充填する第２の絶縁膜充填工程と、を含むことを特徴とする電極構造体の製造方法。
【請求項２】
前記第１の導電膜形成工程と前記第１の絶縁膜充填工程との間に、前記第１の導電膜が形成された複数の前記第１の溝に、該第１の溝の深さよりも浅い深さまで第２の導電膜を埋め込む第２の導電膜埋込工程を設け、
前記第１の絶縁膜充填工程では、前記第１及び第２の導電膜が形成された前記第１の溝に前記第１の絶縁膜を充填することを特徴とする請求項１記載の電極構造体の製造方法。
【請求項３】
前記電極及び第２の溝形成工程では、前記開口部に対応する部分の前記ハードマスク層がサイドエッチングされるように、複数の前記第２の溝を形成することを特徴とする請求項１または２記載の電極構造体の製造方法。
【請求項４】
前記ハードマスク層形成工程は、ハードマスクの母材となる膜を形成する工程と、
前記母材となる膜上に前記母材となる膜のエッチングに際して耐性を備えた材料で反射防止膜を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の電極構造体の製造方法。
【請求項５】
前記ハードマスクの母材となる膜がアモルファスカーボン膜であり、
前記反射防止膜が酸窒化シリコンを含有した膜であることを特徴とする請求項４に記載の電極構造体の製造方法。
【請求項６】
前記第１の絶縁膜充填工程では、前記第１の絶縁膜をスピンナ法により形成することを特徴とする請求項１ないし５のうち、いずれか１項記載の電極構造体の製造方法。
【請求項７】
前記第２の絶縁膜充填工程では、前記第２の絶縁膜をスピンナ法により形成することを特徴とする請求項１ないし６のうち、いずれか１項記載の電極構造体の製造方法。
【請求項８】
前記第１の絶縁膜充填工程後に、前記第１の層間絶縁膜の上面から前記第１の導電膜及び前記第１の絶縁膜が突出している場合、前記ハードマスク層形成工程の前に、前記第１の層間絶縁膜の上面から突出した部分の前記第１の導電膜及び前記第１の絶縁膜を除去する第１の導電膜及び第１の絶縁膜除去工程を設けたことを特徴とする請求項１ないし７のうち、いずれか１項記載の電極構造体の製造方法。
【請求項９】
第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜を貫通するように配置され、第１の方向に延在する複数の第１の溝と、
前記第１の層間絶縁膜に設けられ、前記第１の方向とは異なる第２の方向に延在し、複数の前記第１の溝と交差する複数の第２の溝と、
第１の導電膜により構成され、複数の前記第１の溝のうち、前記第２の溝と交差しない部分の第１の溝の一方の側面に設けられた第１の導電部と、前記第１の溝の他方の側面に設けられ、前記第１の導電部と対向する第２の導電部と、前記第１の導電部と前記第２の導電部との間に位置する部分の前記第１の溝の底面に設けられ、前記第１及び第２の導電部と一体的に構成された第３の導電部とを備えた電極と、
前記電極が形成された部分の複数の前記第１の溝を充填する第１の絶縁膜と、
複数の前記第２の溝を充填する第２の絶縁膜と、を有することを特徴とする電極構造体。
【請求項１０】
前記第３の導電部と接続されていない側の前記第１及び第２の導電部の端面は、前記第１の層間絶縁膜及び前記第１の絶縁膜から露出されていることを特徴とする請求項９記載の電極構造体。
【請求項１１】
前記第１の絶縁膜と前記第３の導電部との間に位置する部分の複数の前記第１の溝に、第２の導電膜を設けたことを特徴とする請求項９または１０記載の電極構造体。
【請求項１２】
請求項９ないし１１のうち、いずれか１項記載の電極構造体と、
半導導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ、前記電極構造体の下方に配置され、前記電極と電気的に接続された多層配線構造体と、
前記第１の層間絶縁膜上に配置され、前記第２の方向に延在し、前記第１及び第２の導電部の端面と接触する抵抗値可変材料層と、
前記抵抗値可変材料層上に設けられた配線と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
前記抵抗値可変材料層がカルコゲナイド材料であることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記多層配線構造体は、
前記半導体基板の表面に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記半導体基板に設けられた第１及び第２の不純物拡散領域と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極を覆うように配置された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜を貫通して前記第１の不純物拡散領域に接続する第１のコンタクトプラグと、
前記第２の層間絶縁膜を貫通して前記第２の不純物拡散領域に接続する第２のコンタクトプラグと、
前記第１のコンタクトプラグと電気的に接続された接地用配線と、を有し、
前記第２のコンタクトプラグと前記電極構造体とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１２または１３記載の半導体装置。
【請求項１】
第１の層間絶縁膜を形成する第１の層間絶縁膜形成工程と、
異方性エッチング法により、前記第１の層間絶縁膜を貫通し、第１の方向に延在する複数の第１の溝を形成する第１の溝形成工程と、
前記第１の溝の対向する２つの側面、及び前記第１の溝の底面を覆うように、第１の導電膜を形成する第１の導電膜形成工程と、
前記第１の導電膜が形成された複数の前記第１の溝を第１の絶縁膜で充填する第１の絶縁膜充填工程と、
前記第１の層間絶縁膜、前記第１の絶縁膜、及び前記第１の導電膜の上面に、前記第１の方向と交差する第２の方向に延在する複数の開口部を有したハードマスク層を形成するハードマスク層形成工程と、
異方性エッチング法により、前記ハードマスク層に形成された複数の前記開口部から露出された部分の前記第１の絶縁膜及び前記第１の導電膜を除去することで、前記第１の溝に前記第１の導電膜よりなる電極を複数形成すると共に、前記第１の層間絶縁膜をエッチングすることで、前記第１の層間絶縁膜に、前記第１の溝と交差する前記第２の溝を複数形成する電極及び第２の溝形成工程と、
前記電極及び第２の溝形成工程後、前記ハードマスク層を除去するハードマスク層除去工程と、
前記ハードマスク層除去工程後、複数の前記第２の溝を第２の絶縁膜で充填する第２の絶縁膜充填工程と、を含むことを特徴とする電極構造体の製造方法。
【請求項２】
前記第１の導電膜形成工程と前記第１の絶縁膜充填工程との間に、前記第１の導電膜が形成された複数の前記第１の溝に、該第１の溝の深さよりも浅い深さまで第２の導電膜を埋め込む第２の導電膜埋込工程を設け、
前記第１の絶縁膜充填工程では、前記第１及び第２の導電膜が形成された前記第１の溝に前記第１の絶縁膜を充填することを特徴とする請求項１記載の電極構造体の製造方法。
【請求項３】
前記電極及び第２の溝形成工程では、前記開口部に対応する部分の前記ハードマスク層がサイドエッチングされるように、複数の前記第２の溝を形成することを特徴とする請求項１または２記載の電極構造体の製造方法。
【請求項４】
前記ハードマスク層形成工程は、ハードマスクの母材となる膜を形成する工程と、
前記母材となる膜上に前記母材となる膜のエッチングに際して耐性を備えた材料で反射防止膜を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の電極構造体の製造方法。
【請求項５】
前記ハードマスクの母材となる膜がアモルファスカーボン膜であり、
前記反射防止膜が酸窒化シリコンを含有した膜であることを特徴とする請求項４に記載の電極構造体の製造方法。
【請求項６】
前記第１の絶縁膜充填工程では、前記第１の絶縁膜をスピンナ法により形成することを特徴とする請求項１ないし５のうち、いずれか１項記載の電極構造体の製造方法。
【請求項７】
前記第２の絶縁膜充填工程では、前記第２の絶縁膜をスピンナ法により形成することを特徴とする請求項１ないし６のうち、いずれか１項記載の電極構造体の製造方法。
【請求項８】
前記第１の絶縁膜充填工程後に、前記第１の層間絶縁膜の上面から前記第１の導電膜及び前記第１の絶縁膜が突出している場合、前記ハードマスク層形成工程の前に、前記第１の層間絶縁膜の上面から突出した部分の前記第１の導電膜及び前記第１の絶縁膜を除去する第１の導電膜及び第１の絶縁膜除去工程を設けたことを特徴とする請求項１ないし７のうち、いずれか１項記載の電極構造体の製造方法。
【請求項９】
第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜を貫通するように配置され、第１の方向に延在する複数の第１の溝と、
前記第１の層間絶縁膜に設けられ、前記第１の方向とは異なる第２の方向に延在し、複数の前記第１の溝と交差する複数の第２の溝と、
第１の導電膜により構成され、複数の前記第１の溝のうち、前記第２の溝と交差しない部分の第１の溝の一方の側面に設けられた第１の導電部と、前記第１の溝の他方の側面に設けられ、前記第１の導電部と対向する第２の導電部と、前記第１の導電部と前記第２の導電部との間に位置する部分の前記第１の溝の底面に設けられ、前記第１及び第２の導電部と一体的に構成された第３の導電部とを備えた電極と、
前記電極が形成された部分の複数の前記第１の溝を充填する第１の絶縁膜と、
複数の前記第２の溝を充填する第２の絶縁膜と、を有することを特徴とする電極構造体。
【請求項１０】
前記第３の導電部と接続されていない側の前記第１及び第２の導電部の端面は、前記第１の層間絶縁膜及び前記第１の絶縁膜から露出されていることを特徴とする請求項９記載の電極構造体。
【請求項１１】
前記第１の絶縁膜と前記第３の導電部との間に位置する部分の複数の前記第１の溝に、第２の導電膜を設けたことを特徴とする請求項９または１０記載の電極構造体。
【請求項１２】
請求項９ないし１１のうち、いずれか１項記載の電極構造体と、
半導導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ、前記電極構造体の下方に配置され、前記電極と電気的に接続された多層配線構造体と、
前記第１の層間絶縁膜上に配置され、前記第２の方向に延在し、前記第１及び第２の導電部の端面と接触する抵抗値可変材料層と、
前記抵抗値可変材料層上に設けられた配線と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
前記抵抗値可変材料層がカルコゲナイド材料であることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記多層配線構造体は、
前記半導体基板の表面に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記半導体基板に設けられた第１及び第２の不純物拡散領域と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極を覆うように配置された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜を貫通して前記第１の不純物拡散領域に接続する第１のコンタクトプラグと、
前記第２の層間絶縁膜を貫通して前記第２の不純物拡散領域に接続する第２のコンタクトプラグと、
前記第１のコンタクトプラグと電気的に接続された接地用配線と、を有し、
前記第２のコンタクトプラグと前記電極構造体とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１２または１３記載の半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【公開番号】特開２０１１−１８１８４４（Ｐ２０１１−１８１８４４Ａ）
【公開日】平成２３年９月１５日（２０１１．９．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−４７０６９（Ｐ２０１０−４７０６９）
【出願日】平成２２年３月３日（２０１０．３．３）
【出願人】（５００１７４２４７）エルピーダメモリ株式会社 (2,599)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月１５日（２０１１．９．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月３日（２０１０．３．３）
【出願人】（５００１７４２４７）エルピーダメモリ株式会社 (2,599)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]