【課題】貫通電極を持つ半導体装置を提供する。
【解決手段】パッドと、パッドの下部に配される貫通電極と、を備える半導体装置。貫通電極は、円筒形の第１金属プラグと、第１金属プラグの外周を取り囲む第１半導体レイヤと、第１半導体レイヤの外周を取り囲む第２金属プラグと、第１金属プラグの外周を取り囲む第２半導体レイヤと、第１金属プラグの外周に、第１半導体レイヤ及び第２金属プラグの内周及び外周に、そして第２半導体レイヤの内周に形成される少なくとも一つの絶縁膜と、を備え、第１半導体レイヤ内に第１絶縁膜との界面から広がる空乏層が形成されるように、第１半導体レイヤに第１バイアス電圧を印加するが、第１バイアス電圧は、第２半導体レイヤに印加される第２バイアス電圧とは異なる。 （もっと読む）

【課題】短時間で、配線母体の内部に、種々のトポロジーの貫通配線や連結配線を埋め込むことが可能な配線構造物を提供する。
【解決手段】配線母体１１と、配線母体１１の内部に設けられた複数の穴部の内部にそれぞれ配置された、配線子連続体（Ｑ_i1，Ｑ_i2，Ｑ_i3，……，Ｑ_in-1，Ｑ_in；Ｑ_i+11，Ｑ_i+12，Ｑ_i+13，……，Ｑ_i+1n-1，Ｑ_i+1n）からなる複数の貫通配線部とを備える。複数の配線子連続体のそれぞれをなす複数の配線子Ｑ_i1，Ｑ_i2，Ｑ_i3，……，Ｑ_in-1，Ｑ_in；Ｑ_i+11，Ｑ_i+12，Ｑ_i+13，……，Ｑ_i+1n-1，Ｑ_i+1nのそれぞれは、コア部と、コア部を被覆し、コア部より融点の低い導電体からなるシェル部Ｑ_i,shell，Ｑ_i+1,shellを有する。複数の配線子は、それぞれのシェル部を互いに溶融することにより金属学的に接合される。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する半導体装置及びその製造方法において、処理時間及び処理コストを大幅に低減できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】貫通電極１９を有する半導体装置及びその製造方法において、半導体基板５の裏面の貫通電極１９を含む再配線層１８の周囲を囲むように配線同士を絶縁する絶縁部形成用ダミー溝穴部７ｂを有することにより、配線間を絶縁するためには絶縁部形成用ダミー溝穴部７ｂの底部に存在する金属層のみを除去すれば良く、大幅な処理時間及び処理コストの低減が実現できる。 （もっと読む）

【課題】チップ面積及びコストを増大させることなく、熱抵抗を低減できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体層１ａと配線層１ｂとを有する半導体基板１と、半導体層１ａの中央部に半導体層１ａの表面から所定の深さまで形成された活性領域３と、活性領域３及び活性領域３の周辺の配線層１ｂに形成され、半導体層１ａと電気的に接続された接続用電極４と、半導体層１ａから発生する熱を放熱する放熱部とを備え、放熱部は、半導体層１ａの裏面から活性領域３の近傍まで凹状に形成された少なくとも１の第１の孔５に充填された放熱体７を有する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の形成に時間を要さず、貫通電極内でのボイドの発生を抑制できる半導体装置、およびこの半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、孔１１１が形成された絶縁性あるいは半導体の層１１と、層１１の孔１１１内に設けられた貫通電極１２と、を備える。貫通電極１２は、シード層１２１と、めっき層１２２と、を備える。シード層１２１は、孔１１１の底面１１１Ａを覆う。また、シード層１２１は、孔１１１の側面１１１Ｂのうち、孔１１１の開口から、孔１１１の開口と孔１１１の底面１１１Ａとの間の所定の位置までの第１の領域を未被覆とし、この第１の領域（未被覆領域）１１１Ｂ１を除いた第二の領域を被覆している。めっき層１２２は、シード層１２１と、未被覆領域１１１Ｂ１の少なくとも一部を覆う。 （もっと読む）

【課題】３次元集積化技術を適用した場合にも十分な放熱効果が得られる、放熱効率の高い放熱構造を持つ半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の素子形成面の反対面１ｂには、貫通電極２の少なくとも端面を露出させる第１の凹部３と、貫通電極２を露出させない第２の凹部８とが形成されている。半導体基板１の反対面１ｂ上には、第１の凹部３における貫通電極３の端面を除く内面及び第２の凹部８の内面を覆うように第１の絶縁膜４が形成されている。第１の絶縁膜４上には、貫通電極２の端面と接続し且つ第１の凹部３の外側まで延びる導電膜５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハの表面から補強プレートを容易に剥離可能なウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に耐熱性ボンド剤を塗布するとともに外周余剰領域に対応する補強リングを該外周余剰領域に貼着して該耐熱性ボンド剤を固化させて、該耐熱性ボンド剤と該補強リングとで補強プレートを形成する補強プレート形成工程と、該補強プレートをチャックテーブルで保持してウエーハの裏面を研削砥石で研削する裏面研削工程と、該補強プレートに配設されたウエーハの裏面からウエーハの表面に形成されたデバイスの電極に接続する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、該補強プレートに該耐熱性ボンド剤を溶融する溶剤を供給して該補強プレートを溶融するとともに該補強リングを除去する補強プレート除去工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速動作に有利な固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、多層配線層７３と、前記多層配線層上に設けられ、貫通トレンチを有する半導体層６４と、前記貫通トレンチ内部に埋め込まれた第１導電層６９と、前記第１導電層の周囲に形成された第１絶縁膜３２と、前記第１絶縁膜の周囲に形成された第１導電型の第１不純物拡散層３６とを備える。 （もっと読む）

【課題】 信頼性が向上する半導体素子、及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の形成方法は、半導体基板１００の上にゲート電極１２０及びゲート電極１２０の両側にスペーサー１１０を形成する段階、ゲート電極１２０の上にキャッピングパターン１７０を形成する段階、ゲート電極１２０の間にメタルコンタクト１９５を形成する段階を含み、キャッピングパターン１７０の幅はゲート電極１２０の幅より大きく形成される。これにより、形成された半導体素子は、メタルコンタクト１９５とゲート電極１２０との間での電気的な短絡を效果的に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの表面から補強プレートが容易に剥離可能なウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域にデバイスを有するウエーハの加工方法で、ウエーハの表面に耐熱性ボンド剤で補強プレートを配設して、該補強プレートをチャックテーブルで保持してウエーハの裏面を研削し、該補強プレートに配設されたウエーハの裏面からウエーハの表面に形成されたデバイスの電極に接続する貫通電極を形成する。ウエーハの裏面をチャックテーブルで保持し該補強プレートを切削して耐熱性ボンド剤に至る深さの複数の溝を形成し、該補強プレートを複数のペレットに分割して、該補強プレート側から該耐熱性ボンド剤を溶融する溶剤を供給して該溝内に浸透させて、該耐熱性ボンド剤を溶融するようにしたので、ウエーハの表面からペレットに分割された該補強プレートを容易に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】積層チップパッケージを、低コストで短時間に大量生産できるようにする。
【解決手段】積層チップパッケージ１は、本体２と複数の貫通電極２１とを備えている。本体２は、積層された複数の階層部分１０と、それぞれ複数の階層部分１０の全てを貫通する複数の貫通孔とを含んでいる。複数の貫通電極２１は、本体２における複数の貫通孔内に設けられて複数の階層部分１０の全てを貫通している。複数の階層部分１０の各々は半導体チップを含んでいる。複数の階層部分１０のうちの少なくとも１つは、半導体チップと複数の貫通電極２１とを電気的に接続する配線３１を含んでいる。配線３１は、それぞれ複数の貫通孔のいずれかの壁面において露出してその貫通孔を通過する貫通電極２１に接触する複数の導体３２を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】吸湿性の高い絶縁膜を使用してもコンタクト又は配線の劣化を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１０上に第１の絶縁膜１５を形成する工程（ａ）と、第１の絶縁膜１５にホール２４を形成する工程（ｂ）と、ホール２４の側壁上に、第１の絶縁膜１５よりも水分を通しにくい第２の絶縁膜１７を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後、ホール２４に導電体３０を埋め込むことにより、プラグ１９を形成する工程（ｄ）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＴＳＶを形成した後の工程においては、Ｃｕの拡散防止膜である絶縁膜形成後に、当該絶縁膜に割れが発生し、その後のエッチングやアッシングなどのパターン加工を行う工程において、露出したＣｕが変色する問題が発生する場合がある。これは、拡散防止膜の成膜工程における熱履歴によりＣｕが体積膨張したことが問題の要因と考えられる。このような、膜割れが発生した場合には、Ｃｕ拡散防止膜の機能破壊、ＴＳＶ上部のＣｕの酸化による上部配線との導通不良等の種々の問題を誘発する。
【解決手段】本願の一つの発明は、貫通電極を有する半導体集積回路装置において、プリメタル配線層形成よりも後に貫通ビアを形成する場合において、貫通電極の上端に当たる層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、窒化シリコン系絶縁膜を使用し、それ以外の層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、炭化シリコン系の絶縁膜を使用するものである。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する半導体装置において、貫通電極によって被覆された貫通孔の内部を充填する保護層にクラック等が発生する不具合を防止する。
【解決手段】
貫通電極９を被覆するとともに、貫通孔６内を充填する保護層１０を備える半導体装置１において、保護層１０が複数層１１、１２からなり、複数層の保護層のうち最も半導体基板２の一面２ａに近い層が、少なくとも貫通電極の底面９ａと側面９ｂの交差部を被覆し、かつ、ポジ型感光性樹脂を用いて形成されることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの薄型化工程および分割工程における半導体デバイスの歩留まり低下を抑制し、基板両面に配線層を有する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス１１０の製造方法は、基板１０１の一方の面に第１の半導体素子１０２を形成する工程と、第１の半導体素子１０２上に第１の配線層１０４を形成する工程と、支持基板上に保護樹脂層を形成する工程と、第１の配線層１０４と保護樹脂層とが接触するように、支持基板を基板１０１に支柱を介して固定する工程と、基板１０１の他方の面側に第２の配線層４０４を形成する工程と、基板１０１の一部及び支柱の一部又は全部を除去して基板１０１と支持基板とを分離する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】積層される半導体ウェハのそれぞれの性能を十分に発揮して高性能化を図り、且つ量産性、コスト低減を図った、固体撮像装置等の半導体装置とその製造方法を提供する。また、固体撮像装置を備えたカメラ等の電子機器を提供する。
【解決手段】第１の半導体ウェハ３１と、第２の半導体ウェハ４５とを、基板間配線６８で接続する構成とする。基板間配線は、第１の半導体ウェハ３１表面の第１の多層配線層に形成される接続孔６６と、第２の半導体ウェハ４５表面の第２の多層配線層に形成された貫通接続孔６５とに、導電材料が埋め込まれて形成されている。そして、貫通接続孔６５は接続孔６６の直径よりも大きく形成されている。これにより、貫通接続孔６５の構内に導電材料を埋め込む際のボイドの発生を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】深さの異なるコンタクトホールを同時に形成することを可能とした半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の溝部７内に形成された第１の埋め込み配線１１と、第２の溝部１２内に形成された第２の埋め込み配線１４と、第１の埋め込み配線１１上に第１のコンタクトプラグ２４が形成される第１のコンタクト形成領域２３と、第２の埋め込み配線１４上に第２のコンタクトプラグ２６が形成される第２のコンタクト形成領域２５とを備え、第１のコンタクト形成領域２３の上面２３ａが第１の埋め込み配線１１の上面１１ａよりも高い位置にあり、第２のコンタクト形成領域２５の上面２５ａが第２の埋め込み配線１４の上面１４ａと同じかそれよりも高い位置にあり、第１のコンタクト形成領域２３の上面２３ａが第２のコンタクト形成領域２５の上面２５ａと同じかそれよりも高い位置にある。 （もっと読む）

【課題】高周波領域における高周波伝送特性に優れ、コストが安価で、しかも、化学的安定性、電気絶縁性、耐熱衝撃性及び耐熱変形性に優れた絶縁構造を有する電子デバイス用基板及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】環状絶縁部３は、ガラスを主成分とする無機絶縁層３３を含み、無機絶縁層３３は、縦導体２を取り囲んで、半導体基板１に設けられた環状溝３０の内部に充填されている。 （もっと読む）