【課題】深さが深く幅が狭い溝の深さを把握できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１に平面視環状の複数の環状溝２を形成する環状溝形成工程と、環状溝２の下端よりも下層に配置された半導体基板１を介して、複数の環状溝２から選ばれた第１環状溝２ａの平面視内側表面と、第１環状溝２ａとは別の環状溝２である第２環状溝２ｂの平面視内側表面との間の抵抗を測定し、実測抵抗値を得る抵抗測定工程と、実測抵抗値を用いて環状溝２の深さを算出する算出工程とを備える半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】接続不良の発生を抑制することのできる、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、所定ピッチで所定の幅の素子領域が形成された半導体基板と、半導体基板上に積層された層間絶縁膜と、層間絶縁膜の上面から半導体基板の素子領域にかけて設けられ素子領域に接続される第１コンタクトとを備える。第１コンタクトは、素子領域上の層間絶縁膜に形成された素子領域の幅よりも大きい径を有するコンタクトホールと、コンタクトホールの底部に設けられ、素子領域に達する開口を有するスペーサ膜と、スペーサ膜の開口を介して素子領域に接続されるようにコンタクトホール内に埋め込まれたコンタクトプラグとを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体領域に酸化物半導体を用いた、高耐圧で、大電流の制御が可能であり、かつ量産性に優れた半導体素子を提供することを課題の一とする。また、該半導体素子を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、該半導体素子の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半導体領域に酸化物半導体を用いたトランジスタと、トランジスタのゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層の各々と電気的に接続した貫通電極を備えた半導体チップを積層し、トランジスタを電気的に並列接続することによって、実質的にＷ長の長い半導体素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】コンタクト孔に埋め込まれる金属プラグの材料が層間絶縁膜に染み出すのを防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】隣り合う２つのメモリセル１のサイドウォール間の不純物拡散領域に電気的接続されるコンタクトプラグ４０が、層間絶縁膜１８を貫通して設けられている。コンタクト孔４１の側壁は、層間絶縁膜１８より緻密なシール膜４２で覆われている。コンタクトプラグ４０は、シール膜４２の表面およびコンタクト孔４１の底面部を覆うように形成されたバリアメタル膜４３と、バリアメタル膜４３に包囲された状態でコンタクト孔４１内に埋め込まれた金属プラグ４４とを含む。 （もっと読む）

【課題】配線構造における電気特性の向上を図る。
【解決手段】カーボンナノチューブ配線の製造方法は、第１導電層２００上に、絶縁膜１８を形成し、前記絶縁膜内に、前記絶縁膜を貫通するホール４０を形成し、前記ホール内の底面の前記第１導電層上および前記ホール内の側面の前記絶縁膜上に、触媒下地膜１９を形成し、前記ホール内の側面の前記触媒下地膜上に、触媒不活性膜２０を形成し、前記ホール内の底面の前記触媒下地膜上および前記ホール内の側面の前記触媒不活性膜上に、触媒膜２１を形成し、前記ホール内の底面の前記触媒膜上から複数のカーボンナノチューブ２２を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ビア配孔内に形成したカーボンナノチューブを埋め込む埋め込み膜が基板に均一に形成されないため基板の平坦化処理工程において層間絶縁膜が不均一に研磨されて、下層配線と上部電極がビア配線以外で電気的につながってしまう場合が発生する。
【解決手段】半導体基板における層間絶縁膜内のビアホール内にカーボンナノチューブを形成した後、基板全体をフッ化処理することにより、カーボンナノチューブが存在するビアホールにのみ埋め込み膜が形成され、その後に基板全体の平坦化処理のために基板を研磨する工程において、層間絶縁膜が局所的に研磨されることを防止する。 （もっと読む）

【課題】応力による半導体回路の特性劣化を抑制した半導体デバイスを提供する。
【解決手段】縦導体は、半導体基板の厚み方向に設けられた微細孔を満たし、第１結晶組織３０１と第２結晶組織３０２とを含むナノコンポジット結晶構造を有する。ナノコンポジット結晶構造において、第１結晶組織３０１及び第２結晶組織３０２の少なくとも一方は、ナノサイズである。 （もっと読む）

【課題】ストレスによる半導体回路の特性変動・劣化を抑制した半導体デバイスを提供する。
【解決手段】縦導体３は、半導体回路に隣接して半導体層１の厚み方向に設けられ、少なくとも一つは、半導体層１と対面する領域に、等軸晶領域を有するか、または、凝固点と融解点との温度差が５０℃以上である。 （もっと読む）

【課題】 基板を薄くしてもその反りを防止するＴＳＶ構造の製造方法を提供する
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面に半導体素子を集積させて回路の少なくとも一部を形成する工程と、半導体基板の表面から穴を開ける工程と、穴の内表面に絶縁膜およびバリア膜を形成する工程と、バリア膜の表面に、穴を埋めるように導電性金属を形成する工程と、半導体基板の裏面を加工して厚さを減少させ、導電性金属を突出させる工程と、半導体基板の裏面にＳｉＣＮ膜を設ける工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】接続孔の内壁に絶縁膜を形成することにより、接続孔の径を小さくする場合において、接続孔内に導電膜を十分に埋め込むことができるようにする。
【解決手段】接続孔２１０，２２０の内壁上に絶縁性の第１膜３００を形成し、接続孔２１０，２２０の径を細らせる。次いで、第１膜３００が形成された接続孔２１０，２２０内に、第２膜５０を埋め込む。次いで、絶縁膜２００の表層を、ＣＭＰ法を用いて除去する。次いで、接続孔２１０，２２０から第２膜５０を除去する。次いで、接続孔２１０，２２０の第１膜３００上および接続孔２１０，２２０の底面上にバリアメタル膜３３０を形成し、さらに接続孔２１０，２２０内に導電膜からなるコンタクト３１０，３２０を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを、生産性良く、低コストで、且つ信頼性良く製造する配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１に第１電極３及び第２電極７が形成される。第１電極３及び第２電極７を連通するように形成された微細穴の側壁部及び底部に、導電膜９を形成してコンタクトホール２を形成する。この配線基板１００の製造する際に、微細穴を形成する微細穴形成工程において、微細穴の側壁部の開口端側に相対的に浅い溝からなる第１溝領域４が形成され、微細穴の側壁部の底部側に相対的に深い溝からなる第２溝領域５が形成される。このように区分けした溝領域４，５のうち、第２溝領域５に導電性材料を含有する液体を付与して、導電膜９を形成する。 （もっと読む）

【課題】ボイドを生じさせない貫通ビアを設けた貫通配線基板。
【解決手段】貫通ビアが設けられた貫通配線基板であって、貫通孔が形成された基板と、貫通孔内に設けられ、基板の上面と下面の間を電気的に接続する導電体と、導電体と貫通孔の間の隙間に充填された樹脂と、を備える貫通配線基板および製造方法を提供する。基板は、ガラス基板であってよい。樹脂は、ポリイミドであってよい。樹脂は、ポリマーであってもよい。樹脂は、光に反応して固体に変化する光硬化樹脂であってもよい。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗の上昇を防止することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】シリコン基板に形成される複数の拡散領域と、複数の拡散領域にボトム部が接続して形成される複数のコンタクトプラグ３３と、ボトム部を含んでシリコン基板上に形成されるアモルファスカーボン膜２４とを備え、ボトム部はアモルファスカーボン膜２４を貫通して拡散領域に接合される。アモルファスカーボン層２４をコンタクトプラグ３３形成時のエッチングストッパ層として用いることで、拡散領域がオーバーエッチングによりダメージを受けることが防止される。 （もっと読む）

【課題】ボイドが生じた貫通配線基板で気密性を保つ。
【解決手段】貫通ビアが設けられた貫通配線基板であって、貫通孔が設けられた基板と、貫通孔に充填された導電体の貫通ビアと、貫通ビアと貫通孔の間のボイドに充填された樹脂を備える貫通配線基板および製造方法を提供する。基板は、ガラス基板であってよい。樹脂は、ポリイミドであってよい。また、樹脂は、ポリマーであってもよい。また、樹脂は、光に反応して固体に変化する光硬化樹脂であってもよい。 （もっと読む）

【課題】基板、少なくとも１つの第１のくぼんだ基部、少なくとも１つの第２のくぼんだ基部、少なくとも１つの接続構造および少なくとも１つのバンプを備える自己整合ウェハまたはチップ構造を提供する。
【解決手段】基板１００は第１の表面１０１ａおよび第２の表面１０１ｂを有し、少なくとも１つのパッド１０２は第１の表面１０１ａ上に形成されている。第１のくぼんだ基部１１６は、第１の表面１０１ａ上に配置されるとともに、パッド１０２に電気的に接続されている。第２のくぼんだ基部１２０は第２の表面１０１ｂ上に配置されている。接続構造は、第１および第２のくぼんだ基部１１６、１２０に電気的に接続するために、基板１００を貫通するとともに、第１および第２のくぼんだ基部１１６、１２０間に配置されている。バンプ１２２は、第２のくぼんだ基部１２０に充填され、第２の表面１０１ｂから突出する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに安定した電源電流を供給したり、電源から信号系へ混入する雑音を低くするための、半導体デバイスの電源流入及び電源流出端子の端子数の低減と、前記半導体チップを搭載した実装面積の低減を可能とする半導体モジュールを提供する。
【解決手段】半導体チップ２０の両面に電源系と信号系の電気的接続端子を振り分けて配置する。大電流が流れる流路の許容電流値を大きくする構成により、少ない端子数でも安定な電源供給が可能、信号系への雑音混入を低減、ピン数の低減による実装面積の低減、放熱効果の増大などが可能となる。また、この半導体チップ２０を搭載した半導体モジュールにより、大電流が流れる高速動作でも安定した特性を実現できる。 （もっと読む）

【課題】ダイシング等で半導体装置を個片化する際に加工のダメージ又は膜の残留応力などに起因して発生する、基板上の膜の剥離を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０１，１０２の周辺すなわち個片化のための加工ラインの近傍の基板１上に溝６を形成する。その溝の内部では基板上に成膜される薄膜が少なくとも１部で不連続となることにより、万一、半導体装置の端部から膜剥がれが発生したとしても、この溝部でその進行を阻止する。 （もっと読む）

【課題】高性能及び高機能で、高周波特性に優れ、コストダウンに有効な絶縁構造を持つ電子デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１は、その厚み方向に伸びる縦孔３０を有している。絶縁物充填層３は、縦孔３０内にその内周面を覆うように充填してなる環状層である。縦導体２は、絶縁物充填層３によって囲まれた領域２０内に充填された凝固金属体でなる。絶縁充填層３は、有機絶縁物又はガラスを主成分とする無機絶縁物と、ナノコンポジット構造のセラミックとを有する層である。ナノコンポジット構造のセラミックは、常温比抵抗が１０^１４Ω・ｃｍを超え、比誘電率が４〜９の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に設けられた微細空間内に、充填不全などを回避して、絶縁物を確実に充填しえる方法を提供すること。
【解決手段】 半導体基板２に設けられた微細空間２１内に絶縁物を充填するにあたり、微細空間２１の開口する半導体基板２の一面側から、微細空間２１内に流動性絶縁物４を充填する。そして、流動性絶縁物４を、加圧したままで、硬化させる。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を持つ半導体装置を提供する。
【解決手段】パッドと、パッドの下部に配される貫通電極と、を備える半導体装置。貫通電極は、円筒形の第１金属プラグと、第１金属プラグの外周を取り囲む第１半導体レイヤと、第１半導体レイヤの外周を取り囲む第２金属プラグと、第１金属プラグの外周を取り囲む第２半導体レイヤと、第１金属プラグの外周に、第１半導体レイヤ及び第２金属プラグの内周及び外周に、そして第２半導体レイヤの内周に形成される少なくとも一つの絶縁膜と、を備え、第１半導体レイヤ内に第１絶縁膜との界面から広がる空乏層が形成されるように、第１半導体レイヤに第１バイアス電圧を印加するが、第１バイアス電圧は、第２半導体レイヤに印加される第２バイアス電圧とは異なる。 （もっと読む）