【課題】ヒロックに対して４００℃程度の耐熱性を有するＮｄ添加量２ａｔ％のＡｌＮｄ層を塩素系ガスでプラズマエッチングする場合、フェンスと呼ばれる反応生成物が堆積した領域が生じる。フェンスの存在により、ＡｌＮｄ層をゲート電極としてＴＦＴを形成した場合、ゲート電極脇に電気的に不安定な領域ができることから、ＴＦＴの電気的特性が不安定になる場合があるという課題がある。
【解決手段】ＡｌＮｄ層２０３を層厚０．４５μｍ以上０．８μｍ以下、Ｎｄの含有量を０．５ａｔ％以上１．０ａｔ％以下に形成した。この条件範囲であれば、塩素ガスを主としたプラズマエッチングを行ってもフェンスの発生が抑えられる。また、基板温度を５００℃まで上げられることから、層間絶縁層２１１として信頼性が高い酸化シリコン層をＡｌＮｄ層２０３にヒロックを発生させることなく形成することができ、信頼性が高いＴＦＴ２２０を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の裏面側で貫通ビア回りに損傷や欠陥を生じないようにし、あるいは大幅に低減すること。
【解決手段】ビア・ラストにおいて、ＢＥＯＬまで終えたシリコン基板１０に対し、基板のおもて面に穴１６を開け、穴１６の内壁に絶縁膜１８を形成し、穴１６の中にビア導体２４としてＣuを電解めっき法により埋め込んでから、穴１６の底部つまりＣuビア導体２４の底部が露出するまでシリコン基板１０の裏面をウエットエッチングで削る。 （もっと読む）

【課題】主にアルミニウム系通常配線を有するＬＳＩの製造工程ＢＥＯＬプロセスでは、配線の信頼性に関して、ＥＭ耐性およびＳＭ耐性の向上が特に重要である。アルミニウム系配線に関する不良の中でも、配線メタル膜の膨張や欠けの発生は、ＥＭ耐性およびＳＭ耐性を大きく劣化させる要因となる。
【解決手段】本願発明は、層間絶縁膜を成膜するプラズマＣＶＤチャンバのウエハ・ステージ上に於いて、アルミニウム系配線メタル膜のパターニングの後であって層間絶縁膜の成膜前に、ウエハのデバイス面に対して、不活性ガスを主要な成分の一つとして含む雰囲気下、アルミニウム系配線メタル膜および層間絶縁膜の成膜温度よりも高いウエハ温度において、プラズマ・アニール処理を実行することにより、配線メタル層の側壁部の付着物が完全に除去され、膨張不良の原因が取り除かれ、更に、不動態化の進行、ストレス開放等により、欠け不良を抑制するものである。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの解像不良を引き起こす反応阻害物質を確実に除去することが可能なダマシン構造の半導体装置及びその製造方法の提供。
【解決手段】基板上に、少なくとも第１層間絶縁膜６及び低誘電率膜からなる第２層間絶縁膜４を有し、第２層間絶縁膜上に形成した第１レジストパターン１ａを用いてビアホール９を形成し、アミン成分を含有する有機剥離液で有機剥離処理を行った後、続いて第２層間絶縁膜上に第２レジストパターン１ｂを形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、ウェット処理後、第２レジストパターン下層の第２反射防止膜２ｂを塗布する前に、アニール処理、プラズマ処理、ＵＶ処理又は有機溶媒処理の少なくとも一の処理を行い、露光時にレジスト中で発生する酸の触媒作用を阻害するアミン成分を除去して第２レジストパターン１ｂの解像度の劣化を防止する。 （もっと読む）

【課題】疎水化のために配線層間絶縁膜の表面に形成する層をできるだけ薄くし、且つ、Ｃｕ配線上に支障なくキャップメタルを成膜できるようにする。
【解決手段】配線層間絶縁膜（第１の配線層間絶縁膜３）に配線形成用溝（第１層配線形成用溝２１）を形成する。配線形成用溝内にＣｕ配線（第１層配線４）を形成し、Ｃｕ配線の構成材料のうち配線形成用溝以外の箇所に形成された部分を除去する。Ｃｕ配線上及び配線層間絶縁膜上にＳｉ−Ｏ、Ｃ−Ｏ、Ｓｉ−ＣＨ_３、Ｓｉ−Ｈ、Ｓｉ−Ｃ及びＣ−Ｈのうちの少なくとも何れか１つの結合を含む絶縁膜層（第１の有機ポリマー層６）を形成する。Ｃｕ配線上の絶縁膜層を選択的に除去し、Ｃｕ配線上にキャップメタル（第１のキャップメタル５）を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】銅配線とアルミニウム配線との間のバリアを形成するための新規な技術を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に形成された銅配線上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に凹部を形成し、凹部の底に前記銅配線を露出させる工程と、凹部の底に露出した銅配線上に、２５０℃〜３５０℃の範囲の成膜温度で、フッ化タングステンの供給期間と供給停止期間とを交互に繰り返して、ＣＶＤでタングステン膜を選択的に成膜する工程と、タングステン膜上方に、アルミニウム配線を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】最終的に得られる製造コストが高く且つ基板の大きさが制限される、従来のプラズマ処理による窒化銅膜の形成方法の課題を解消する。
【解決手段】窒素ガスとアンモニアガスとから成り、アンモニアガス濃度が０．８vol％以上の混合雰囲気内に設けられたヒータブロック１８上に載置した基板１０を、ヒータブロック１８によって蟻酸銅の熱分解温度以上に加熱し、基板１０の加熱温度で蒸発する溶媒中に蟻酸銅を溶解した原料供給槽２２に貯留した蟻酸銅溶液を、基板１０の所定面に向けて噴霧して、噴霧した蟻酸銅溶液中の溶媒を蒸発し且つ蟻酸銅を熱分解して、基板１０の所定面に窒化銅膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率及び改良された機械的性質、熱的安定性及び化学的耐性を有する多孔質有機シリカガラス膜を提供する。
【解決手段】式Ｓｉ_ｖＯ_ｗＣ_ｘＨ_ｙＦ_ｚ（ここで、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｘは５〜３０原子％、ｙは１０〜５０原子％、及びｚは０〜１５原子％）で表わされる多孔質有機シリカガラス膜を製造する。オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群より選ばれる前駆体並びにポロゲンを含むガス状試薬を真空チャンバに導入し、ガス状試薬にエネルギーを加え、ガス状試薬の反応を生じさせて基体上に予備的な膜を堆積させる。その予備的な膜は細孔を持ち、誘電率が２．６未満である多孔質膜を得るために、実質的にすべてのポロゲンを除去される。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板上に、接着層等を形成するための別の工程を加えることなく、基板との密着性の高い導電性配線を簡単に形成することができる配線形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】樹脂基板１上に、導電性微粒子を含有する分散溶液の塗布層３を形成する工程と、レーザ光６を塗布層３の特定領域に連続的に照射していくことで、導電性微細配線４を形成する工程と、導電性微細配線４以外の領域の材料を除去する工程とを備え、塗布層３の厚さをｄ、塗布層３の光吸収係数をα、レーザ光６の入射光強度をＩ₀、樹脂基板１上に到達するレーザ光６の透過光強度をＩ₁とするとき、以下の関係式から成り立つことを特徴とする。
ｌｏｇ（Ｉ₁／Ｉ₀）＝−αｄ （もっと読む）

【課題】 低誘電率で且つＣＦ_ｘ、ＳｉＦ_４等のガスの発生がなく安定な半導体装置の層間絶縁膜とそれを備えた配線構造を提供する。
【解決手段】 下地層上に形成された絶縁膜を備えた層間絶縁膜において、前記層間絶縁膜は、実効誘電率が３以下である。配線構造は、層間絶縁膜と、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホール内に充填された金属とを備え、前記絶縁膜は、前記下地層上に形成され、表面が窒化されたフルオロカーボン膜を備えている。 （もっと読む）

【課題】下層金属膜上の絶縁性保護膜に貫通部を形成した後の残渣処理を簡単かつ確実に行い、下層金属膜の露出面を良好な状態に維持することによって上層金属膜の形成を確実に行うこと。
【解決手段】ウェハ表面の下層金属膜上に絶縁性保護膜を形成する。その絶縁性保護膜上にマスクを形成し、このマスクを用いて絶縁性保護膜を選択的に除去して下層金属膜の一部を露出させる。薬液によるウェット処理を行ってマスクを除去する。その後、その露出した下層金属膜の表面に存在する残渣を酸素系プラズマ処理により除去する。酸素系プラズマ処理によって下層金属膜の露出面にできたダメージを、水素系プラズマ処理を行って取り除く。そして、下層金属膜の露出面上に上層金属膜をメッキ等により積層する。 （もっと読む）

【課題】ＬＤＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置では、ソース電極が裏面にあることから、表面のソース・コンタクト領域と裏面のソース電極間の電気抵抗を低減するため、上面からＰ型エピタキシャル層を貫通してＰ＋型基板内に伸びるボロンを高濃度にドープしたポリ・シリコン埋め込みプラグが設けられている。このポリ・シリコン埋め込みプラグの周辺のシリコン単結晶領域に転位が発生しており、これにより、リーク不良が誘発されていることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、相互に不純物濃度の異なる第１及び第２の半導体層の境界面を貫通するシリコン系プラグを有する半導体装置であって、このプラグの少なくとも内部は多結晶領域であり、この多結晶領域表面の内、先の境界面の両側近傍は、固相エピタキシャル領域で覆われている。 （もっと読む）

【課題】ゲートメタル材料の溶解抑制と良好なコンタクト抵抗取得とを両立可能な半導体装置の洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の洗浄方法は、以下の工程を備えている。シリコンを含み、かつ主表面ＭＳを有する半導体基板ＳＢが準備される。主表面ＭＳの上にメタル層ＧＭとシリコン層ＧＰとを下から順に積層した積層ゲートＧＥ２が形成される。主表面ＭＳとシリコン層ＧＰ表面との各々にシリサイド層ＳＣＬが形成される。主表面ＭＳと積層ゲートＧＥ２表面との各々のシリサイド層ＳＣＬの上に絶縁層ＩＬが形成される。半導体基板ＳＢの主表面ＭＳと積層ゲートＧＥ２の表面との各々のシリサイド層ＳＣＬが絶縁層ＩＬから露出するようにシェアードコンタクトホールＳＣ２が絶縁層ＩＬに形成される。シェアードコンタクトホールＳＣ２に硫酸洗浄、過酸化水素水洗浄およびＡＰＭ洗浄をそれぞれ別工程で行うことによりシェアードコンタクトホールＳＣ２に形成された変質層ＡＬが除去される。 （もっと読む）

【課題】 ゾル−ゲル法を用いて、硬化時の収縮率が小さく低誘電率である塗布型シリカ系被膜を得ることが可能な、塗布型シリカ系被膜形成用組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 下記一般式（１）、（２）及び（３）にて表される化合物を含む（Ａ）成分を必須成分とし、２００〜３００℃での一段目硬化から、６００℃の二段目硬化迄の膜収縮率が５％以下であり、二段目硬化温度が４００℃の場合の、シリカ系被膜の比誘電率が２．５以下である、前記（Ａ）成分の加水分解・重縮合反応を経て得られる塗布型シリカ系被膜形成用組成物。


［Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３は炭素数１〜３の有機基を示し、同一でも異なっていてもよい。Ｒ_４は炭素数６〜２０の直鎖状アルキル基を示す。］ （もっと読む）

【課題】集積回路の配線間に空隙を形成することにより、容量成分が低減された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２０２上に第１の絶縁材が堆積され、この上に、犠牲部分を有する第２の絶縁材２３２が堆積される。上記第１および第２の絶縁層内に、導電線２１０がダマシン法により形成される。犠牲部分となる第１の絶縁材を除去するために第２の絶縁材が処理され開口部２３８が形成される。そして第１の絶縁材が除去されて、導電線間に空隙２４２が形成される。第２の絶縁材は、堆積時には不透過性であるが、処理後により透過性とし、これを介して犠牲部分を除去する。第２の絶縁材の処理はエッチングによる開口、あるいは熱感受性成分のアニールによる除去である。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置や回路基板の配線において、バリア膜の拡散バリアとしての機能を確保しながら、バリア膜による配線抵抗の増大を抑制する
【解決手段】 インプリント法に用いるスタンパ１３のパターン面をバリア膜形成化合物１４で被覆し、スタンパ１３のパターン面を、基板１１上に塗布された樹脂膜１２に押し当てつつ、バリア膜形成化合物１４の分解・転写処理を行う。これにより、スタンパ１３のパターン面のパターンにより樹脂膜１２内に配線溝１６が形成され、配線溝１６に沿ってバリア膜１７が形成される。その後、配線溝１６内にバリア膜１７を介して配線材料を埋め込み、配線１８を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗の増加を抑えつつ、配線のエレクトロマイグレーション寿命、およびストレスマイグレーション寿命を向上させる。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０２上に形成された層間絶縁膜１０４に形成された凹部に、高融点金属を含むバリアメタル膜１０６と、配線金属膜１１４を構成する銅および銅とは異なる不純物金属を含むシード合金膜ならびに銅を主成分として含むめっき金属膜とを形成し、シード合金膜およびめっき金属膜を、２００℃以上、１０分以下で熱処理する第１の熱処理工程と、第１の熱処理工程の後、凹部外部に露出しためっき金属膜、シード合金膜、およびバリアメタル膜１０６を除去する工程と、シード合金膜およびめっき金属膜を熱処理する第２の熱処理工程と、を含む。 （もっと読む）

平坦面を伴う銅要素（ＩＩ’）の結晶構造を修正する方法であって、ａ）大粒子を有し、且つ平坦面を含む銅標準（Ｉ’）を作る段階と、ｂ）前記平坦面（１４、１６）の粗さを１ｎｍ未満の粗さまで低減する段階と、ｃ）前記平坦面（１４、１６）を洗浄する段階と、ｄ）前記２つの平坦面（１４、１６）を接触させる段階と、ｅ）アニーリングする段階と、を含む。前記粗さは０．５ｎｍ以下である。この方法は更に、前記標準（Ｉ’）と前記要素（ＩＩ’）とを分ける追加段階ｆ）を含む。
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【課題】 シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜が剥離しにくいようにする。
【解決手段】 シリコン基板１の上面の周辺部を除く領域には低誘電率膜４と配線５との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部３が設けられている。低誘電率膜配線積層構造部３の周側面は封止膜１５によって覆われている。これにより、低誘電率膜４が剥離しにくい構造となっている。この場合、シリコン基板１の下面には、該下面をクラック等から保護するために、下層保護膜１８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスを増加させずに、信頼性が高く、かつ反射特性に優れる電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係る電子デバイス２００は、基板１と、基板１上に形成され、少なくともＭｏ系膜４１と、その上層に形成されたＡｌ系膜４２とからなる導電性反射膜４０とを備える。そして、導電性反射膜４０のＭｏ系膜４１の表面荒さＲａが５ｎｍ以下であり、Ａｌ系膜４２の波長３５０ｎｍ〜５５０ｎｍにおける反射率が８５％以上である。 （もっと読む）