【課題】共通放電経路との間の異種電源間ＥＳＤ保護回路をそれぞれの電源のパッドの近くに配置することのできる半導体集積装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体集積装置１は、パッドＰと、自己電源用ＥＳＤ保護回路ＥＳＤ１とを有し、ＶＤＤｃ系統の電源供給に使用の電源用Ｉ／ＯセルＩＯＣ１と、パッドＰと、自己電源用ＥＳＤ保護回路ＥＳＤ１と、異種電源間ＥＳＤ保護回路ＥＳＤ２とを有し、ＶＤＤａ、ＶＤＤｂ系統の電源供給に使用の電源用Ｉ／ＯセルＩＯＣ２とを備える。信号入出力用Ｉ／ＯセルＩＯＣ１００と同一外形寸法の電源用Ｉ／ＯセルＩＯＣ１およびＩＯＣ２が、列状に配置されたＩＯＣ１００と同列に配置され、電源用Ｉ／ＯセルＩＯＣ２の異種電源間ＥＳＤ保護回路ＥＳＤ２へ接続される共通放電経路ＣＤＬが、電源用Ｉ／ＯセルＩＯＣ１から、列状に配置されたＩＯＣ１００を貫通して、電源用Ｉ／ＯセルＩＯＣ２へ配線される。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗を低減し導通損失による効率低下を改善した半導体装置、ＤＣ−ＤＣコンバータ及び受像器を提供する。
【解決手段】第１の導電体と、半導体素子搭載部と、半導体素子と、第１の接続部と、第２の接続部とを備えた半導体装置が提供される。前記第１の導電体は、前記半導体素子搭載部の周囲に設けられている。前記半導体素子は、前記半導体素子搭載部に設けられ、第１のスイッチ素子と、前記第１のスイッチ素子と並列的に設けられた第２のスイッチ素子とを有する。前記第１の接続部と前記第２の接続部とは、前記第１のスイッチ素子と前記第２のスイッチ素子との境界を延長した仮想的な境界線よりも前記第１のスイッチ素子の側に設けられ、前記第１のスイッチ素子と前記第２のスイッチ素子とに電気的に接続され、前記第１の導電体と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】スイッチング用のパワーＭＯＳＦＥＴと、そのパワーＭＯＳＦＥＴよりも小面積でかつそのパワーＭＯＳＦＥＴに流れる電流を検知するためのセンスＭＯＳＦＥＴとが１つの半導体チップＣＰＨ内に形成され、この半導体チップＣＰＨはチップ搭載部上に導電性の接合材を介して搭載され、樹脂封止されている。半導体チップＣＰＨの主面において、センスＭＯＳＦＥＴが形成されたセンスＭＯＳ領域ＲＧ２は、センスＭＯＳのソース用のパッドＰＤＨＳ４よりも内側にある。また、半導体チップＣＰＨの主面において、センスＭＯＳ領域ＲＧ２は、パワーＭＯＳＦＥＴが形成された領域に囲まれている。 （もっと読む）

【課題】 従来のＰＤ製造プロセスと同じ工程で大受光径ＰＤの帯域を拡大して、光受信部の高速化を図る。
【解決手段】 受光デバイスは、半導体基板の上方に形成された第１導電型の第１半導体層、前記第１半導体層上の光吸収層、および前記光吸収層上の第２導電型の第２半導体層の積層構造を有する光検出素子と、前記半導体基板の上方で、前記光検出素子に接続されるインダクタと、前記光検出素子で生成された電流を前記インダクタを介して取り出す出力電極と、前記光検出素子にバイアス電極を印加するバイアス印加用電極と、前記インタダクタの金属配線と交差して、前記光検出素子と、前記出力電極又は前記バイアス印加用電極との間を電気的に接続する交差配線と、を含む。 （もっと読む）

【課題】処理装置の入出力パッドの端子数を低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】処理装置２１のバス制御回路３４に含まれる入出力回路は、外部Ｉ／Ｆ２２と接続されるパッドに接続される。入力部は、パッドから入力される信号に応じた入力信号を出力する。この入力信号は、処理回路３１に供給される。パッドは、入力部の入力端子に接続され、出力端子は電源電圧ＶＤＤを伝達する電源配線に接続されている。入力部は、外部Ｉ／Ｆ２２のバス制御回路４４から入力されるＨレベルの信号の電圧を出力端子から出力する。従って、電源配線には、外部Ｉ／Ｆ２２から入力されるＨレベルの信号による電圧が供給される。 （もっと読む）

【課題】実使用時におけるクロストークの発生の抑制と、実使用時以外における信号用端子の確保とを半田ボールを増加させずに実現することが可能な半導体集積回路及びＢＧＡパッケージが提供される。
【解決手段】半導体集積回路１０が提供される。バッファ１５は、マクロ１１に接続される信号入力端子１５ａと、パッド２１に接続される信号出力端子１５ｂとを備える。バッファ１５は、マクロ１１が出力するバッファ制御信号４１に基づいて、信号入力端子１５ａに入力される信号を信号出力端子１５ｂから出力する動作状態と信号入力端子１５ａに入力される信号を信号出力端子１５ｂから出力しない非動作状態とが切り替わる。バッファ１６は、バッファ制御信号４１に基づいて、パッド２２とマクロ１２とを接続するマクロ接続状態とパッド２２とグラウンド電位１４とを接続するグラウンド電位接続状態とが切り替わる。 （もっと読む）

【課題】多くの半導体装置に必要な低温処理と両立しない高温操作を必要とするような欠点がない、半導体構造を提供することを目的とする。
【解決手段】下部誘電層（１５１）へ接合された基板（１０３）、および、下部電極（１２１）を通じて前記下部誘電層（１５１）と接合される垂直方向半導体装置（１１１）を含む半導体構造であって、前記垂直方向半導体装置（１１１）は、ｎ^＋−ｐ−ｎ^＋層（１２４）を有する隔離構造（１３５）を含む。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗に起因した電圧降下を抑制し、検査工程での誤判定を受けにくい半導体チップおよび半導体ウェハを提供する。更に、配線抵抗に起因した電圧降下を抑制し、検査工程で誤判定を受けにくい半導体チップの検査方法を提供する。
【解決手段】電極パッド領域は、絶縁膜（７）上で一列に配列されたｎ個（ｎ≧３）の電極パッド（４_ｍ−４から４_ｍ＋４）を備える。内部セル領域は、電極パッド領域側に配列されている半導体回路（３_ｌ−３から３_ｌ＋３）にそれぞれ接続された配線（ＶＤＤＬ）をｎ個の電極パッドの配列方向に備える。ｎ個の電極パッドの内、第１の電極パッド（４_ｍ−１）と、第１の電極パッドから１個の電極パッドを隔てた第２の電極パッド（４_ｍ＋１）とが、絶縁膜中で互いに接続され、かつ、配線Ｌ_ｍ−１およびＬ_ｍ＋１によって、配線（ＶＤＤＬ）にそれぞれ接続されている。 （もっと読む）

【課題】内部コアエリアのトランジスタを犠牲にすることなく、周辺エリアのトランジスタを用いてリップルフィルタによる電源供給回路を構成する。
【解決手段】入出力回路を構成するためのトランジスタが配列されてなる周辺エリア（図２の１２に相当）をチップ上に有する半導体集積回路装置であって、ドレインを電源に接続し、ソースを負荷側に接続し、ゲートを容量素子（図２のＣ１）を介して交流的に接地する第１のトランジスタ（図２のＭＮ１）と、容量素子をゲート・基板間によって形成する第２のトランジスタと、を周辺エリアに備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜抵抗又は基板抵抗によって数ｋΩから数十ｋΩの抵抗値を持つゲート抵抗のサイズが基板長さ、基板幅に比べて大きい。
【解決手段】能動層１０を有する半導体基板１１と、半導体基板の能動層１０にオーミック接触するソース電極１３及びドレイン電極１４と、能動層１０の上方に設けられたゲート電極１５と、半導体基板１１に設けられた非活性領域１６と、非活性領域１６上にゲート電極１５の一部が引出されて接触する導体１７と、非活性領域１６上で直流電圧が印加されるパッド電極１８と、パッド電極１８及び導体１７にオーミック接触し、非活性領域１６に設けられたゲート抵抗領域１９とを備え、ゲート抵抗領域１９は半導体基板１１へボロンイオンを注入することによって形成され、ボロンイオンの注入量によりゲート抵抗領域１９上のシート抵抗値を高めたことを備えたことを特徴とする半導体素子の構造が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電流による配線破壊箇所の予測方法において、解析時間を短縮する。
【解決手段】下層配線１４Ａ，１４Ｂをそれぞれ一つの直列抵抗で、第１の下層ビア１５Ａ，第２の下層ビア１５Ｂを１個の抵抗で、第１の上層ビア１７Ａ、第２の上層ビア１８Ｂを１個の抵抗で、第１及び第２の上層配線１６Ａ，１６Ｂを抵抗ブリッジ回路で、パワートランジスタＴＲを直列抵抗で、それぞれモデリングしてなる解析モデルをモデリング用計算機により生成する。回路シミュレータ３により、解析モデルにおけるパワートランジスタＴＲに電流を供給し、解析モデルにおける各抵抗に流れる電流に基づいて、第１及び第２の下層配線１４Ａ，１４Ｂ、第１及び第２の上層配線１６Ａ，１６Ｂにおける各抵抗の電流密度を計算し、各抵抗の電流密度と、配線破壊を起こす電流密度閾値とを比較器４により比較することにより、配線破壊箇所を予測する。 （もっと読む）

【課題】パッドの下方に半導体素子を設けることができ、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】素子形成領域１０Ａと該素子形成領域１０Ａの周囲に設けられた素子分離領域２０とを有する半導体層１０と、前記素子形成領域１０Ａ内に形成された素子３０と、前記半導体層１０の上方に設けられた層間絶縁層６０と、前記層間絶縁層６０の上方に設けられ、平面形状が短辺と長辺とを有する長方形である電極パッド６２であって、前記素子３０と平面視で少なくとも一部が重複する前記電極パッド６２と、を含み、前記半導体層１０において、前記電極パッド６２の前記短辺の鉛直下方から外側に位置する所定の範囲は、素子禁止領域１２である。 （もっと読む）

【課題】より多くのＩ／Ｏセルを配置することができるようにする。
【解決手段】多層配線層には、電位供給用接続配線２３０が設けられている。電位供給用接続配線２３０は、平面視で外周セル列２０を構成するＩ／Ｏセル２００のいずれか、および内周セル列３０を構成するＩ／Ｏセル２００のいずれかと重なっている。そして電位供給用接続配線２３０は、外周セル列２０の下方に位置する電源電位供給配線２２２を、内周セル列３０の下方に位置する電源電位供給配線２２２に接続するとともに、外周セル列２０の下方に位置する接地電位供給配線２２４を、内周セル列３０の下方に位置する接地電位供給配線２２４に接続している。 （もっと読む）

【課題】放熱性と耐久性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電ベースプレートと、導電ベースプレート上に接合される半導体チップと、半導体チップと導電ベースプレートとの接合面の中央部に配置された第１接着剤と、半導体チップと導電ベースプレートとの接合面の周辺部に配置された第２接着剤とを備え、第１接着剤は第２接着剤よりも相対的に熱伝導率が高く、第２接着剤は第１接着剤より相対的に接合力が高い半導体装置。 （もっと読む）

【課題】従来の入出力セルよりも回路面積の大きな入出力セルを面積効率良く配置する。
【解決手段】半導体装置において、複数の第１バッファセル３１〜３４は、基板の一辺に沿って１列に設けられる。複数の第２バッファセル２１，２２は、複数の第１バッファセルよりも基板の中央寄りの位置に、複数の第１バッファセルの配列方向に沿って１列に設けられる。複数の第１パッド８１〜８８は、複数の第１バッファセルの上部に上記配列方向に沿って１列に設けられる。複数の第２パッド６１〜６６は、複数の第１パッドよりも基板の中央寄りの位置に、上記配列方向に沿って１列に設けられる。複数の第２パッド６１〜６６は、各々が、複数の第１バッファセルのいずれか１つと個別に接続される複数の第３のパッド６１，６３，６５，６６と、各々が、複数の第２バッファセルのいずれか１つと個別に接続される複数の第４パッド６２，６４とを含む。 （もっと読む）

【課題】監視対象の素子の破壊を直接的に検知することを可能にする。
【解決手段】監視対象の半導体素子近傍にモニタ用配線を敷設する一方、所定のクロックを出力するクロック出力手段を当該モニタ用配線の一端に接続し、同モニタ用配線の他端に監視手段を接続する。そして、クロック出力手段からモニタ用配線へ出力されるクロックを伝播を監視手段に監視させ、クロックの伝播が途絶えたことを検出した場合に、監視対象の半導体素子の破壊が生じた旨を通知する破壊通知信号を出力させる。 （もっと読む）

【課題】熱処理機構を用いて基板を所定の温度に熱処理する熱処理装置において、前記熱処理機構の温度を簡易な方法で適切に校正する。
【解決手段】温度校正装置の温度検査治具１０は、熱処理板上に載置される被処理ウェハ７０と、被処理ウェハ７０上に設けられた複数のホイートストンブリッジ回路７１とを有している。ホイートストンブリッジ回路７１は、温度変化に応じて抵抗値が変化する４つの測温抵抗体７２と、接触子４１が接触する４つのコンタクトパッド７３と有している。温度校正装置の制御部では、ホイートストンブリッジ回路７１が平衡状態となるように、すなわちホイートストンブリッジ回路７１のオフセット電圧がゼロになるように、熱処理板の温度を調節する。 （もっと読む）

【課題】ＭＭＩＣとＭＭＩＣ外部回路とを接続するボンディングワイヤの影響を比較的簡単な構成で低減し、かつ省スペース化された電力増幅器を提供する。
【解決手段】ＭＭＩＣ基板と、ＭＭＩＣ基板上に配置された高周波プローブパッドと、ＭＭＩＣ基板上に高周波プローブパッドに隣接して配置され、ＭＭＩＣ外部回路とのボンディングワイヤ接続用のメタルプレートとを備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＧによる検査結果を容易に確認できるようにしつつ、ＴＥＧの占有面積を小さくする。
【解決手段】ＴＥＧ群３００は、第１テスト用パッド３１０、第２テスト用パッド３１２、及び複数のＴＥＧ（例えば第１ＴＥＧ３２０、第２ＴＥＧ３４０、及び第３ＴＥＧ３６０）を有している。複数のＴＥＧは、電気回路上、第１テスト用パッド３１０と第２テスト用パッド３１２の間に位置し、互いに直列又は並列に配置されており、かつ平面視で互いに重なっていない。本実施形態において、ＴＥＧ群３００を構成するＴＥＧは、ＯＢＲＩＣＨ（Optical Beam Induced Resistance Change）用のＴＥＧである。 （もっと読む）

【課題】配線層間膜の平坦化を行いながら、クラックの伝搬と配線層間膜の剥がれを抑制することを目的とする。
【解決手段】電極パッド１１３形成領域の、低誘電率膜より誘電率の高い配線層間膜からなる多層配線層領域において、ダミービアを形成しないことにより、配線層間膜の平坦化を行いながら、クラックの伝搬と配線層間膜の剥がれを抑制することができる。 （もっと読む）