【課題】発光素子、発光素子パッケージ及び照明システムを提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による発光素子は、第１導電型の半導体層、第１導電型の半導体層下の活性層、活性層下の第２導電型の半導体層を含む発光構造層と、発光構造層下の伝導層と、伝導層下の接合層と、接合層下の支持部材と、支持部材下の第１のパッドと、支持部材下に第１のパッドから離隔して配置された第２のパッドと、第１導電型の半導体層と第１のパッドの間に連結された第１の電極と、接合層と第２のパッドの間に連結された第２の電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の直下型バックライト光源として用いるＬＥＤパッケージであって、直下型バックライト光源として構成した際、高精度な局所輝度制御を実現可能なＬＥＤパッケージを、簡易な構成で安価に実現する。
【解決手段】本発明は、ＬＥＤ素子がモールドされた金属板の端部を折り曲げて、ＬＥＤパッケージのリフレクタとし、リフレクタ内部を透光性樹脂で充填する。また、リフレクタの背面に凹凸部を設け、この凹凸部を嵌合することにより隣接するＬＥＤパッケージ同士を電気的および機械的に接続する。 （もっと読む）

【課題】
消費電流が所定のタイミングに集中するのを排除するとともにノイズの発生を抑制することができる発光素子制御回路装置を提供する
【解決手段】
発光素子制御回路装置１００は、電源Ｖ１、トランジスタＴＲ１、発光ユニットＥＵ１、スイッチＳＷ１〜ＳＷ１７、定電流源回路ＣＣ１〜ＣＣ１７および制御部１１０を備える。制御部１１０からはトランジスタＴＲが断続的にオンオフするようにスイッチング電圧Ｖｓ１が印加され、トランジスタＴＲ１のドレインＤに接続されたパルス電圧供給線Ｙ１にパルス電圧が出力される。スイッチＳＷ１〜ＳＷ１７にはオンオフ動作を切り替える駆動信号ＳＰ１〜ＳＰ１７が時分割で供給される。発光素子Ａ１〜Ａ１７はパルス電圧供給線Ｙ１にハイ（Ｈ）レベルの電圧が生じている期間であって、駆動信号ＳＰ１〜ＳＰ１７がオンされた期間、時分割にパルス通電される。 （もっと読む）

【課題】回路構成が簡単なＬＥＤ駆動装置を提供すること。
【解決手段】直列接続された複数のＬＥＤと、複数のＬＥＤに流れる電流が所定値以上にならないように制御する制御トランジスタと、複数のＬＥＤに流れる電流を検出して制御トランジスタを制御する検出トランジスタとを有するＬＥＤユニット２７，３７を少なくとも２つ有し、一方のＬＥＤユニット２７の出力端が他方のＬＥＤユニット３７の検出トランジスタ３５の入力端に接続されており、脈流電圧が高くなるにつれて、まず、他方のＬＥＤユニット３７を構成する各ＬＥＤが点灯し、さらに電圧が高くなると、他方のＬＥＤユニットから一方のＬＥＤユニットの検出トランジスタに電流が通じることにより制御トランジスタ３３，３４が開放状態となって一方および他方のＬＥＤユニットが直列接続され、双方のＬＥＤユニット２７，３７の各ＬＥＤが点灯する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ発光装置において、ワイヤをボンディングする基板の導電パターンのボンディング領域の幅を小さくして、基板のサイズを小さくする。
【解決手段】四つのＬＥＤチップ１を、サブマウント基板１１の上に、平行をなすように実装した。ＬＥＤチップ１の上面の対角の二隅に設けられた二つのパッド電極７ａ，７ｂのうちの第一辺１ａ側のパッド電極７ａと導電パターン１３のボンディング領域との間に、ワイヤ９ａを、該第一辺１ａに対する直角離間方向Ｄに対して第一辺１ａから離れる向きに１５〜４０度傾斜させて架設した。第二辺１ｂ側のパッド電極７ｂと導電パターン１３のボンディング領域との間に、ワイヤ９ｂを、該第二辺１ｂに対する直角離間方向Ｄに対して第二辺１ｂに近付く向きに１５〜４０度傾斜させて架設した。 （もっと読む）

【課題】高反射率かつ高ボンディング性で、端部との電気絶縁性が優れた実装部及びボンディング部を有する発光素子モジュール基板、発光素子モジュール及び照明装置を提供する。
【解決手段】ベース金属板１１と、ベース金属板の上に設けられた絶縁層１２と、を含む積層板１０と、絶縁層の上に設けられた金属層であって、発光素子５０が実装される実装部２５と、発光素子に電気的に接続される配線がボンディングされるボンディング部２６と、を有する金属層２０と、を備えた発光素子モジュール基板が提供される。金属層は、実装部及びボンディング部の少なくともいずれかの最上層であり電解めっきによって形成された銀層２３を含む。実装部及びボンディング部は、積層板の周縁１０ｅから電気的に遮断されている。 （もっと読む）

【課題】簡単且つ安価に実現できる構成でありながら、負荷が異なる場合でも定電流性が損なわれることが無い点灯装置を提供する。
【解決手段】インダクタＬ１とスイッチング素子Ｑ１と回生ダイオードＤ１を備える降圧チョッパ回路３を用いて半導体発光素子４を点灯させる点灯装置において、スイッチング素子Ｑ１をオンオフする制御回路５は、スイッチング素子Ｑ１のオン時にインダクタＬ１に流れる漸増電流の瞬時値が所定値に達するとスイッチング素子Ｑ１をオフする手段（電流検出抵抗Ｒ１とチョッパ電流検出端子ＣＳ）と、スイッチング素子Ｑ１のオフ時にインダクタＬ１に流れる漸減電流が略ゼロになるとスイッチング素子Ｑ１をオンする手段（２次巻線ｎ２とゼロクロス検出端子ＺＣＤ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】高い効率で、発光面の法線方向に集中して光を射出することができる発光素子を得る。
【解決手段】発光層５２と、発光層５２に対向して配置され、発光層５２の方向からその法線方向に進む法線光Ｌ１を透過させるように干渉させる干渉層（エタロン２９）と、発光層５２の、干渉層（エタロン２９）とは反対側に対向して配置され、発光層５２の方向からの光を反射させる反射層５５と、干渉層（エタロン２９）と反射層５５との間に配置された散乱構造（散乱層４３）とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子を並行して点灯しうる発光チップを用いた発光装置の配線数の増加を抑制する。
【解決手段】発光装置６５の発光部６３は、回路基板６２上に、発光チップ群＃ａ（発光チップＣａ１〜Ｃａ５）、発光チップ群＃ｂ（発光チップＣｂ１〜Ｃｂ５）、…が主走査方向に二列に千鳥状に配置して構成されている。これらの発光チップＣは、発光チップ組＃１（発光チップＣａ１、Ｃｂ１、Ｃｃ１、Ｃｄ１）、発光チップ組＃２（発光チップＣａ２、Ｃｂ２、Ｃｃ２、Ｃｄ２）、…に分けられている。そして、転送信号φ１、φ２、許可信号φＥが、発光チップ群（＃ａ〜＃ｄ）毎に共通に送信され、書込信号φＷは、発光チップ組（＃１〜＃５）毎に共通に送信され、点灯信号φＩは、発光チップＣ毎に個別に送信される。 （もっと読む）

【課題】照明モジュール及びそれを搭載した照明器具において、互いに電気接続される複数の照明モジュール間で照明負荷を電源ユニットに対し直列接続し、しかも汎用の電源ユニットを用いて照明負荷を駆動する。
【解決手段】照明モジュール１の拡張側の端子１３ａ〜１３ｃに他の照明モジュール２を接続したとき、スイッチング素子Ｑ１のオフにより拡張側のＶｃｃ端子１３ａ及びＧＮＤ端子１３ｃ間が繋がっていない閉回路状態になり、このとき、他の照明モジュール２は閉回路状態になり、双方のモジュール１、２の照明負荷ＥＬ１、ＥＬ２が直列的に接続される。従って、互いに電気接続される複数の照明モジュール間で、照明負荷を電源ユニットに対し直列接続することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有率が低いＡｌＧａＮ層やＧａＮ層を用いた超格子歪緩衝層を平坦性良く形成すると共に、該超格子歪緩衝層上に平坦性および結晶性が良好な窒化物半導体層を形成した窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたＡｌＮからなるＡｌＮ歪緩衝層と、ＡｌＮ歪緩衝層上に形成された超格子歪緩衝層と、超格子歪緩衝層上に形成された窒化物半導体層とを備える窒化物半導体素子であって、超格子歪緩衝層は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．２５）よりなり、且つ、ｐ型不純物を含む第１の層と、ＡｌＮよりなる第２の層とを交互に積層して超格子構造を形成したものであることを特徴とする、窒化物半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】リードフレームが変色しにくい半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置において、相互に離隔した第１及び第２のリードフレームと、前記第１及び第２のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子が前記第１のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第２のリードフレームに接続された発光素子と、を設ける。そして、前記第１及び第２のリードフレームには、それぞれ、基材と、前記基材の少なくとも上面上に形成され、厚さが２μｍ以上である銀めっき層と、前記銀めっき層上に形成され、前記銀めっき層よりも薄いロジウムめっき層と、を設ける。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造できる、ＬＥＤの調光可能なＬＥＤ調光点灯装置を提供する。
【解決手段】スイッチ部１０は、つまみ１６と連結し、回転自在の不導体部１５と、根元が不導体部１５に保持され、不導体部１５から互いに離れる方向へ棒状に延びる第１導電部位１１Ａと、各第１導電部位１１Ａの先端と中心で連通する円弧状の第１導電部位１１Ｂと、根元が不導体部１５に保持され、不導体部１５から互いに離れる方向へ棒状に延びる第２導電部位１２Ａと、各第２導電部位１２Ａの先端と中心で連通する円弧状の第２導電部位１２Ｂと、ケーシング１９の側面に円弧状に形成された複数の出力端子１８と、を有する。ユーザはつまみ１６を（例えば４５度や９０度に）回転し、第１導電部位１１Ａ、１１Ｂを変位させることにより、駆動電流を供給して発光させる発光ダイオードＬ１〜Ｌ１０の数を変えることができる。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗を低減できると共に、高電界印加時の電子のオーバーフローおよび結晶歪みによる劣化のいずれも抑制できる新規な窒化物半導体発光素子の提供。
【解決手段】所定の基板１０上に、ＡｌＧａＮからなるｎ型のクラッド層３０を有し、その上に窒化物半導体の量子井戸で構成される活性層４０を有し、その上にＡｌＧａＩｎＮからなるｐ型のクラッド層５０を有する。これによって、従来構造に比べてｐ型のクラッド層５０の電気抵抗を低減できると共に、高電界印加時の電子のオーバーフローおよび結晶歪みによる劣化のいずれも効果的に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】表示素子の異常を検知するとともに、元々の表示内容に相当する情報を表示すること。
【解決手段】ＬＥＤ２４＿１〜２４＿ｎ×ｍの点灯状態を点灯検出部３１＿１〜３１＿ｎ×ｍによって検出し、表示制御信号Ｄ１ａと比較する。表示装置１１は、１つでも不一致があると故障と判定し、点灯パターン制御回路２１からの表示制御信号Ｄ１を論理反転部３３により反転した信号を表示制御信号Ｄ１ａとして使用する。このため、表示装置１１は、ＬＥＤ２４に故障が発生した際、すべてのドットの点灯パターンを一斉に反転し、使用者に故障前と等価の情報を通知することができる。 （もっと読む）

【課題】発光サイリスタを駆動するための駆動回路の発振等を防止する。
【解決手段】オン／オフ指令信号ＤＲＶＯＮ−Ｎが“Ｌ”レベルの場合、ＣＭＯＳインバータ４２の出力側のデータ端子ＤＡが“Ｈ”レベルとなる。この結果、プリントヘッド１３側の共通端子ＩＮも“Ｈ”レベルとなり、各発光サイリスタ２１０のアノード・カソード間に電源電圧ＶＤＤが印加される。この際、発光サイリスタ２１０−１〜２１０−ｎの内、発光指令されている発光サイリスタ２１０のゲートのみを、シフトレジスタ１１０によって選択的に“Ｌ”レベルとすることで、発光指令されているサイリスタ２１０がターンオンする。ＰＭＯＳ４３のソースにＶＤＤ電源が接続され、サブストレート端子に、ＶＤＤ電源よりも高いＶＤＤ５電源が接続されているので、ＰＭＯＳ４３の閾値電圧が増加し、駆動回路４１の発振を防止できる。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装される際に、反射電極に圧痕の発生を抑えることで、高い信頼性を図ることができる発光素子および発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、発光素子１０をサブマウント素子２０に搭載した複合素子である。発光素子１０は、光透過性を有する基板１１と、基板１１に、ｎ型層１２ａ、活性層１２ｂおよびｐ型層１２ｃを積層した半導体層１２と、半導体層１２に積層され、活性層１２ｂからの光を基板１１方向へ反射する反射電極１３と、反射電極１３に積層され、反射電極１３への実装時の応力を吸収する応力緩和電極１４と、応力緩和電極１４に積層されたｐ側パッド電極１５とを備えている。この応力緩和電極１４の硬度は、ｐ側パッド電極１５の硬度より小さい。例えば、ｐ側パッド電極１５はＡｕ層で形成され、応力緩和電極１４は、少なくともＡｌ層を含むものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードを発光させない場合において、電力効率の低下を抑制する。
【解決手段】照明装置は、商用電源１０からの交流を直流に変換して出力する電源装置２０と、電源装置２０からの直流によって発光する発光装置３０とを有する。電源装置２０は、周波数変換を行って交流を出力する周波数変換部２１と、交流を直流に変換する交直流変換部２２と、発光装置３０と電気的な接続を行うための給電側コネクタ２００とを備える。また、発光装置３０は、複数の発光ダイオードを含む発光ユニット３３と、電源装置２０との電気的な接続に使用される受電側コネクタ３００とを備える。そして、給電側コネクタ２００と受電側コネクタ３００とを分離した状態では、電源装置２０の交直流変換部２２と発光部の発光ユニット３３とが電気的に分離され、電源装置２０における周波数変換部２１と交直流変換部２２とが電気的に分離される。 （もっと読む）

【課題】発光サイリスタを駆動するための駆動回路の発振を防止する。
【解決手段】オン／オフ指令信号ＤＲＶＯＮ−ＰがＨレベルの場合、ＰＭＯＳ４３及びＮＭＯＳ４４からなるＣＭＯＳインバータ４２の出力側のデータ端子ＤＡがＬレベルとなる。この結果、プリントヘッド１３側の共通端子ＩＮも０Ｖとなり、各発光サイリスタ２１０のアノード・カソード間に電源電圧ＶＤＤが印加される。この際、発光サイリスタ２１０−１〜２１０−ｎの内、発光指令されている発光サイリスタ２１０のゲートのみを、シフトレジスタ１１０によって選択的にＨレベルとすることで、発光指令されているサイリスタ２１０がターンオンする。ＮＭＯＳ４４のチャネル形成予定領域に、サブストレート領域と同極性の不純物が注入されているので、ＮＭＯＳ４４の閾値電圧が増加し、駆動回路４１の発振を防止できる。 （もっと読む）

【課題】大電流を流すことに起因した種々の不都合を発生させることなく高輝度化や高出力化を実現し、かつ配線系や電極等の構造を改善することで光取出効率を向上させた、発光ダイオードを提供する。
【解決手段】個々のＬＥＤ素子２１が、離間して設けられた第１のウエハ接合用電極１０ａおよび第２のウエハ接続用電極１０ｂと、透明絶縁層７と、第１の半導体層４と、活性層３と、第２の半導体層２とが、下層からこの順で形成されており、透明絶縁層７を貫通して第１の半導体層４と第１のウエハ接合用電極１０ａとを電気的に接続する第１のコンタクト部５と、透明絶縁層７および第１の半導体層４ならびに活性層３を電気的に絶縁された状態で貫通して、第２の半導体層２と第２のウエハ接合用電極１０ｂとを電気的に接続する第２のコンタクト部６とを備え、かつ前記ウエハ接合用電極１０ａ、１０ｂが、支持基板１４上のチップ接合用電極１２に接合されている。 （もっと読む）