【課題】リーク電流の増加を縮小可能な、窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】誘電体マスク３５ａを用いて犠牲膜３３から金属膜３１を介して窒化物半導体領域３９までのエッチングを行って、リフトオフ層３３ａ、電極３１ａ及びエッチングされた窒化物半導体領域４１を形成すると共に、窒化物半導体領域３９の半極性主面３９ａをエッチングして半導体リッジ４１ａを形成する。このエッチング中に、リッジ部４１ａの形成のためにエッチングされるIII族窒化物半導体表面の面方位に依存して、エッチングされた表面４１ｂにはピラー状の微小突起４３が形成される。半極性面では、微小突起の生成がｃ面に比べて生成されやすい。エッチングにおける基板温度が摂氏６０度以上摂氏２００度以下の範囲にあるとき、微小突起の面密度の増大を避けることができる。 （もっと読む）

【課題】発光動作時における効率低下や光出力の低下を回避しつつ静電破壊耐量の向上を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】支持基板と半導体膜との間に設けられ半導体膜と接する面で光反射面を形成する光反射層を含み、半導体膜の光取り出し面側の表面に設けられた表面電極は、半導体膜との間でオーミック接触を形成する第１の電極片と、第１の電極片に電気的に接続された第２の電極片と、を含む。光反射層は、反射電極を含み、反射電極は半導体膜との間でオーミック接触を形成する第３の電極片と、第３の電極片に電気的に接続され且つ第２の電極片と対向するように配置された第４の電極片とを含む。第１の電極片と第３の電極片は、半導体膜の主面と平行な面に投影したときに互いに重ならないように配置される。第２の電極片と第４の電極片は、半導体膜との間でショットキー接触を形成して半導体膜の順方向電流を妨げる障壁を形成する。 （もっと読む）

【課題】 制御手段に１つの制御ポートを設けるだけで、発光素子を少なくも第１〜第３の状態に制御する。
【解決手段】 発光素子の駆動装置は、発振動作周期が第１周期に設定されており、第１状態において、第１周期のパルス信号を出力することにより、発光素子２１４を第１周期で点滅させる無安定マルチバイブレータ２０３と、第２状態において、第２周期のパルス信号を供給することにより、発光素子２１４を第２周期で点滅させ、かつ、第３状態において、常にローレベルの信号を供給することにより、発光素子２１４を常時点灯させるマイコン２０１とを備える。 （もっと読む）

【課題】色むら及び照度むらの発生を抑制することができるとともに、発光素子の絶縁耐圧を高めることができる素子搭載基板及びこれを備えた発光装置を提供する。
【解決手段】素子搭載基板２は、金属材料からなるベース２０と、ベース２０上に形成された絶縁層２１とを有し、絶縁層２１は、ＬＥＤ素子３の非搭載領域に形成されたエポキシ系樹脂からなる第１の絶縁層２１０と、ＬＥＤ素子３の搭載領域に形成された光拡散性粒子を分散させて含有したシリコーン系樹脂からなる第２の絶縁層２１１とを有し、第１の絶縁層２１０と第２の絶縁層２１１とは、枠状のダム部５により画定されている。 （もっと読む）

【課題】光取出し面における電流密度分布の偏りを小さくする。
【解決手段】第１主面及び第２主面を有する半導体部１０と、第１主面上に配置された第１電極２０と、第２主面上に配置された第２電極と、を備え、第１電極は第１接続部２１と、第２接続部２２と、を備え、第１接続部から延伸する第１延伸部２３と第３延伸部２５と、第２接続部から延伸する第２延伸部２４と第４延伸部２６と、を備え、第１延伸部、第２延伸部、第３延伸部及び第４延伸部が部分的に互いに平行となる平行領域を有し、第３延伸部の第１接続部から平行領域までの距離は第１延伸部の第１接続部から平行領域までの距離よりも長く、第４延伸部の第２接続部から平行領域までの距離は第２延伸部の第２接続部から平行領域までの距離よりも長く、平行領域において第３延伸部と第４延伸部との距離は第１延伸部と第３延伸部との距離及び第２延伸部と第４延伸部との距離よりも短い。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ駆動制御において、シャットダウン時における出力電荷残留やＬＥＤショート検出機能の誤動作を解消する。
【解決手段】ＬＥＤ駆動装置Ａは、ＤＣ／ＤＣコントローラＡ１と、出力電流ドライバＡ２と、出力放電回路Ａ３とを集積した構成とし、ＤＣ／ＤＣコントローラＡ１は、ＬＥＤバックライトＣから入力されるＬＥＤ端子電圧ＶＬＥＤ１〜ＶＬＥＤ４の最低値と所定の基準電圧Ｖｒｅｆとを一致させるように出力段Ｂを制御し、出力電流ドライバＡ２は、ＬＥＤバックライトＣの出力電流ＩＬＥＤを生成し、イネーブル信号ＥＮ及びシャットダウン信号ＳＨＤＮに基づいて出力電流ＩＬＥＤの生成可否を決定し、出力放電回路Ａ３は、イネーブル信号ＥＮ及びシャットダウン信号ＳＨＤＮに基づいて出力電圧Ｖｏｕｔ及び出力電流ＩＬＥＤの生成動作が停止されたときに、出力電圧Ｖｏｕｔの放電を行う。 （もっと読む）

【課題】 ＡＣ入力で直接駆動できるような構成でありながらもフリッカーが抑制されるよう構成されたＬＥＤ駆動回路を提供する。
【解決手段】 直列接続された複数のＬＥＤを有するＬＥＤユニットを駆動するＬＥＤ駆動回路であって、交流入力を整流する整流器と、オペアンプと該オペアンプの出力段に分圧抵抗を介して接続された複数の駆動用トランジスタとを有する定電流回路と、を備え、記整流器の出力側の一端をＬＥＤユニットの入力側に接続し、複数のトランジスタの出力側の一端をそれぞれ、ＬＥＤユニットにおける異なるＬＥＤ段数の接続ポイントに接続することにより、交流入力の電圧に応じて複数のトランジスタが選択的にＬＥＤユニットを駆動するように構成する。 （もっと読む）

【課題】高周波規制を満たしつつ、入力電圧の変動に対する定電流出力の安定性を確保でき、かつ、出力電流リップルを抑えることのできる定電流電源装置について、小型化するとともに、起動時に過電流が流れてしまうのを防止すること。
【解決手段】定電流電源装置１は、定電流を出力する定電流回路２０と、定電流回路２０を制御する制御部１０と、起動遅延回路４０と、を備えるとともに、定電流回路２０より定電流電源装置１の入力側に設けられた力率改善回路３０を備える。力率改善回路３０は、制御部１０から定電流回路２０に送信されるゲート信号に基づいて動作する。起動遅延回路４０は、定電流電源装置１への電力供給が開始されてから予め定められた時間が経過するまでの時間、定電流回路２０および力率改善回路３０の動作を停止させる。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗の低い貫通電極構造、または、放熱特性に優れた熱伝導路を有する電子機器用基板及びそれを用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】基板１は、複数の貫通電極２及び柱状ヒートシンク３の少なくとも一方を有する。貫通電極２は、カーボンナノチューブを含有し、基板１に設けられたビア２０を鋳型とする鋳込み成形体でなる。柱状ヒートシンク３は、基板に設けられたビア３０を鋳型とする鋳込み成形体でなり、炭素原子構造体を含有する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ駆動回路における部品点数の削減を実現すると共に、ＬＥＤに障害が発生した場合の全体への影響を低く抑えることが可能なＬＥＤ駆動回路および駆動方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＬＥＤ駆動回路であって、複数のＬＥＤと少なくとも１つの抵抗が直列接続されたＬＥＤ列と、ＬＥＤ列を複数並列接続したＬＥＤユニットと、ＬＥＤユニットを複数格子状に直並列接続したＬＥＤブロックと、ＬＥＤブロックを駆動するための電流を供給するＬＥＤ駆動部と、ＬＥＤ駆動部に流れる電流を所定の電流値に設定する機能部と、を備える構成とした。 （もっと読む）

【課題】照明装置の製造コストを抑えつつ、光源や電源回路で発生する輻射ノイズの抑制などをする。
【解決手段】光源電源モジュールは、プリント配線板１３０と、光源１５１と、電子部品１６１とを有する。光源１５１及び電子部品１６１は、プリント配線板１３０の光源面に実装されている。電子部品１６１は、光源１５１に電力を供給する電源回路を構成している。カバー１２０は、開口部と、反射部１２１とを有する。カバー１２０は、光源電源モジュールの光源面側を覆う。開口部は、光源１５１の位置に対応する位置に設けられている。反射部１２１は、開口部の周辺に設けられ、光源１５１が放射した光を反射する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光ダイオード駆動の際に発生するオフセット電圧を補償するオフセット電圧補償機能を有する発光ダイオード駆動装置に関する。
【解決手段】少なくとも１つの発光ダイオードを有する発光ダイオード部に流れる電流を検出し、検出された電圧と予め設定された電圧レベルを有する基準電圧との比較結果に応じて上記発光ダイオード部に流れる電流を制御する駆動部と、上記検出された電圧と上記基準電圧との電圧差を積分し、その積分結果に応じて補償電流を加減してオフセットを補正するオフセット補正部と、を含むオフセット電圧補正機能を有する発光ダイオード駆動装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 増幅回路として安定した動作を行うとともに、不要放射ノイズの発生をも抑制することのできるＬＥＤ駆動回路を提供する。
【解決手段】 １以上のＬＥＤを有するＬＥＤユニットを駆動する為のＬＥＤ駆動回路であって、ＬＥＤユニットを駆動するための駆動用トランジスタと該駆動用トランジスタのエミッタに接続されたエミッタ抵抗とを有し、ＬＥＤユニットに流れる電流をエミッタ抵抗間に発生する電圧として検出する駆動部と、駆動用トランジスタに出力電圧を供給する増幅器と、増幅器の出力信号を増幅器の入力側に帰還させる第１の帰還回路と、駆動用トランジスタのエミッタ抵抗での検出電圧を増幅器の入力に帰還させる第２の帰還回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】低温でも良好に薄膜形成できるｐ型ＺｎＯ系半導体材料を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯとＮｉＯの混合材料をスパッタターゲットとして、スパッタリングすることにより、Ｚｎ_1-xＮｉ_ｘＯ薄膜を基板上に形成する。Ｚｎ_1-xＮｉ_xＯ（ｘは、ＺｎとＮｉの合計モル数に対するＮｉモル数の比率である）は、ＺｎＯとＮｉＯとが混合した酸化物であり、ｘの値は０．６５以下に設定してＺｎＯに対する価電子帯トップのオフセット量を１ｅＶ以内に抑えることが好ましく、ｘの値は小さい方が好ましい。一方、電気伝導タイプをｐ型とし、電気抵抗を低く抑えることを考慮すると、Ｚｎ_1-XＮｉ_XＯにおけるＸの値は０．１３以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】同一の発光ピーク波長をもつ２層の発光層を有する半導体発光素子であって、高い最大電流値および発光出力を低い順方向電圧で得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板１０２の上面側に、中間電極１０４、下側第１導電型半導体層１０６、第１発光層１０８、第２導電型半導体層１１０、第１発光層１０８と同一の発光波長を有する第２発光層１１２、上側第１導電型半導体層１１４および上側電極１１６を順次具え、支持基板１０２の下面側に設けられる下側電極１１８と、上側第１導電型半導体層１１４および第２発光層１１２を貫通する凹部１２０に設けられ、第２導電型半導体層１１０と電気的に接続する基準電極１２２と、を有し、第１発光層１０８の電流が流れる有効領域の一部が規制されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐熱・耐光性に優れ、広い波長範囲において薄肉でも高い反射率を有し、成形性、放熱性、量産性に優れた半導体発光装置用パッケージを提供する。
【解決手段】半導体発光素子を載置するための回路基板と、前記回路基板に形成され、前記発光素子からの光を反射させるための壁部とを有する半導体発光装置用樹脂パッケージであって、
前記壁部は液状熱硬化性シリコーン樹脂組成物を液状射出成形することによって前記回路基板に密着して形成されており、
かつ前記壁部を構成する樹脂成形体が、厚さ０．４ｍｍの成形体試料について波長４６０ｎｍの条件で測定した光反射率が８０％以上となる樹脂成形体である半導体発光装置用樹脂パッケージ。 （もっと読む）

【課題】外部のフォトカプラを接続することなしにパルス幅変調（ＰＷＭ信号）のデューティ比を動的に調節できる交流・直流（ＡＣ−ＤＣ）両用発光ダイオード（ＬＥＤ）駆動回路を提供する。
【解決手段】ＬＥＤを駆動するためのＡＣ−ＤＣ両用ＬＥＤ駆動回路であって、電流信号を出力する入力電源回路と、スイッチングトランジスタ及び一端がＬＥＤに接続されたフィードバック抵抗を有し、電流信号を受信し当該駆動回路がＬＥＤを駆動するための駆動信号を出力する昇降圧形コンバータと、スイッチングトランジスタ及びフィードバック抵抗の他端に接続された浮動接地端子を有し、スイッチングトランジスタを連続してオン・オフするための駆動信号に応じてＰＷＭ信号を出力するＰＷＭ信号コントローラとを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ駆動回路における部品点数の削減を実現すると共に、ＬＥＤに障害が発生した場合の全体への影響を低く抑えることが可能なＬＥＤ駆動回路および駆動方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＬＥＤ駆動回路であって、複数のＬＥＤと少なくとも１つの抵抗が直列接続されたＬＥＤ列と、ＬＥＤ列を複数並列接続したＬＥＤユニットと、ＬＥＤユニットを駆動するための電流を供給するＬＥＤ駆動部と、ＬＥＤ駆動部に流れる電流を所定の電流値に設定する機能部と、を備える構成とした。 （もっと読む）

【課題】導電性接着剤を利用した発光素子の実装方法で絶縁性と放熱性とを両立させる。
【解決手段】ＬＥＤ光源１０は、ＬＥＤチップ１１、導電性接着剤１３ａ，１３ｂ、絶縁構造１４、基板１６、レジスト層１７を備えている。基板１６の表面には、２つの配線１５ａ，１５ｂが設けられている。ＬＥＤチップ１１の底面には、２つの電極１２ａ，１２ｂが設けられている。ＬＥＤチップ１１は、２つの導電性接着剤１３ａ，１３ｂを介して、当該底面側が基板１６の表面側に実装される。絶縁構造１４は、基板１６の表面とＬＥＤチップ１１の底面との間に設けられ、かつ、２つの導電性接着剤１３ａ，１３ｂの間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】低Ｖｆ化を図りながら、逆バイアス印加時の漏洩電流を確実に防止することができ、高輝度及び高光束を有する信頼性の高い窒化物半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】ｎ側窒化物半導体層、活性層及びｐ側窒化物半導体層がこの順に積層された窒化物半導体素子であって、前記ｎ側窒化物半導体は、ｎ型コンタクト層、アンドープ半導体層及びｎ型多層膜層がこの順に積層されてなり、該ｎ型多層膜層が、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の総膜厚を有し、前記活性層は９０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の総膜厚を有する窒化物半導体素子。 （もっと読む）