【課題】発光素子のさまざまな状態を区別することが困難であった。
【解決手段】電流駆動回路８は、ＬＥＤ端子ＬＥＤ_ｉと接続され、調光用パルス信号ＰＷＭ_ｉに応じた間欠的な駆動電流Ｉ_ＬＥＤｉを生成する。誤差増幅器２２は、検出電圧Ｖ_ＬＥＤｉと所定の基準電圧Ｖ_ＲＥＦの誤差に応じたフィードバック電圧Ｖ_ＦＢを生成する。パルス変調器は、フィードバック電圧Ｖ_ＦＢに応じたデューティ比を有するパルス信号を生成する。異常検出用コンパレータＣＯＭＰ＿ＯＰＥＮ_ｉは、検出電圧Ｖ_ＬＥＤｉが所定のしきい値電圧より低いときアサートされる異常検出信号を生成する。プルアップ回路９０は、アクティブ状態においてＬＥＤ端子に電流を供給する。異常検出回路７０は、異常検出信号がアサートされるとプルアップ回路９０をアクティブとし、その後に、異常検出信号がアサートされたか否かを検出する。 （もっと読む）

【課題】 マトリクス制御による駆動回路を用いた電子機器において、各発光素子の輝度を独立して制御する。
【解決手段】 電子機器は、発光素子をマトリクス制御により駆動する駆動部と、第１の発光素子を前記駆動部に接続する第１電流経路であって、前記第１の発光素子のカソードを前記駆動部の２以上の端子に並列接続する並列信号線を含む第１電流経路と、第２の発光素子を前記駆動部に接続する第２電流経路であって、前記２の発光素子のカソード側の少なくとも一部が前記第１電流経路との共通経路となる第２電流経路と、前記第１電流経路上で、前記第１の発光素子のカソードと、前記共通経路との間に配置される逆流防止素子と、を備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁性および放熱性のいずれにも優れる半導体パッケージおよびＬＥＤパッケージを提供することができる絶縁基板ならびにそれを用いた配線基板、半導体パッケージおよびＬＥＤパッケージの提供。
【解決手段】アルミニウム基板２と、前記アルミニウム基板２の表面の少なくとも一部に設けられる絶縁層３とを有する絶縁基板１であって、前記絶縁層３が、アルミニウムの陽極酸化皮膜であり、前記陽極酸化皮膜が、膜厚（Ｔ_Ａ）が２０ｎｍ以上８０μｍ以下の絶縁領域Ａと、膜厚（Ｔ_Ｂ）が２〜１０００μｍの絶縁領域Ｂとを有し、前記絶縁領域Ａの膜厚と前記絶縁領域Ｂの膜厚との比率（Ｔ_Ｂ／Ｔ_Ａ）が、２〜２０００である絶縁基板。 （もっと読む）

【課題】コンバータ等のフィードバック制御に時間遅れが発生するような回路構成であっても、負荷を定電流で駆動することができる定電流電源装置を提供する。
【解決手段】オン発生回路５、オア回路ＯＲ、インバータＩＮＶ、及びＰＭＯＳＱ４からなるＦＢ期間制限回路は、ＦＢ信号がフィードバックされる期間を、ＬＥＤアレイ２をオン駆動するＳＷ信号のＯＮ期間と、ＳＷ信号に基づいてオア回路ＯＲで生成された補充期間との論理和に制限させる。差動増幅器ＯＴＡ、ＮＭＯＳＱ３、基準電圧Ｖｒｅｆ１、コンデンサＣ３、及びシャントレギュレータＺ１からなるＦＢ信号生成回路は、ＳＷ信号のＯＮ期間以外の補充期間には、ＳＷ信号のＯＮ期間にＬＥＤアレイ２を流れた出力電流ＩＤ１に対応するＦＢ信号を生成させる。 （もっと読む）

【課題】複数のＬＥＤストリングを駆動する場合に、順方向電圧降下Ｖｆを原因としてＬＥＤストリング間に生じる光量のばらつきを無くし、かつ、駆動効率の良いＬＥＤ駆動回路を提供すること。
【解決手段】複数のＬＥＤストリングを同時に駆動するためのＬＥＤ駆動回路であって、入力直流電力をパルス幅変調制御によって正側と負側にスイッチング素子のスイッチングを行って交流電力を生成するハーフブリッジ回路と、このハーフブリッジ回路におけるスイッチングのパルス幅変調を制御するためのコントロールＩＣと、前記複数のＬＥＤストリングと同数のトランスとを設けてなり、前記複数のトランスの一次側を直列に接続したところに前記ハーフブリッジ回路からの出力の交流電力を供給し、各トランスの二次側には、整流平滑化回路を介してＬＥＤストリングを接続するようにした。 （もっと読む）

【課題】交流（ＡＣ）電源を整流し変換して発光ダイオード（ＬＥＤ）を駆動して発光することができる発光デバイスを提供する。
【解決手段】発光デバイスは、基板と、複数の整流ダイオードと、少なくとも１つのＬＥＤモジュールと、を含む。基板は、第１のキャビティ、第２のキャビティ及び第３のキャビティを有する。複数の整流ダイオードは、第１のキャビティ及び第３のキャビティにそれぞれ配列される。ＬＥＤモジュールは、第２のキャビティに配列される。 （もっと読む）

【課題】発光装置の発光効率及び表示品質を低下させることなく、光放射方向の電磁波漏洩を防止することが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、光放射面側に凹部を備えたハウジング１１と、凹部１５の底面に配された発光素子１３と、光放射面側に配された導電性の格子構造体と、格子構造体に電気的に接続され、ハウジングの光放射面に対向する裏面に達する導体と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ４元発光層とＧａＰ基板との接合界面において酸素、炭素等の不純物が発生し、通電した際に順方向電圧が上昇することを抑制し、これによって順方向電圧に対する寿命特性の悪化を抑制することができる化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子を提供する。
【解決手段】 少なくともｎ型ＧａＰ基板上に（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰからなるｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層が順次積層された４元発光層を有し、４元発光層の、ｎ型ＧａＰ基板側の主表面の反対側となる主表面上に、電流拡散層であるｐ型ＧａＰ層が積層された化合物半導体基板であって、ｎ型ＧａＰ基板と４元発光層との間に、ｎ型クラッド層よりもキャリア濃度の高い、（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰからなる高濃度キャリア層が形成されたものであることを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗が低減されたダイオード構造が形成できるようにする。
【解決手段】 この半導体素子は、ｎ型とされた窒化物半導体から構成されて主表面がＣ面方向とされている第１半導体層１０１と、第１半導体層１０１とは格子定数が異なる窒化物半導体から構成され、主表面がＣ面方向とされて第１半導体層１０１の上に形成された第２半導体層１０２と、第２半導体層１０２とは格子定数が異なるｎ型の窒化物半導体から構成され、主表面がＣ面方向とされて第２半導体層１０２の上に形成された第３半導体層１０３とを少なくとも備える。また、第２半導体層１０２は、臨界膜厚より薄く形成されている。加えて、第１半導体層と第２半導体層との格子定数の大小関係と、第３半導体層と第２半導体層との格子定数の大小関係とは同じとされている。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、パッド電極の下に信頼性の高い電流ブロック構造を備える半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電型の第１の半導体層と、前記第１導電型とは異なる導電型の第２導電型の第２の半導体層と、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられた発光層と、前記第２の半導体層の前記発光層とは反対側の表面に設けられた導電性酸化物を含む第１の層と、前記第１の層の一部に接触し、前記導電性酸化物を還元する材料を含んだ第１の電極と、前記第１の電極の表面を覆う第１の部分と、前記第１の層に接触する第２の部分と、を有する第２の電極と、前記第１の半導体層に電気的に接続された第３の電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＰＷＭ周期内の合計ＬＥＤ電流の変化点を大幅に少なくして、ＬＥＤを定電流駆動できない期間を減少させ、表示品質を良好にする。
【解決手段】カウンタにより、所定のスタート値から調光ＰＷＭ駆動信号のパルス幅値をカウントする間中は第１チャネルの電流源をオンさせ、前記パルス幅値から前記パルス幅値の第２倍のデータ値をカウントする間中は第２チャネルの電流源をオンさせ、・・・・、前記パルス幅値のＮ−１倍のデータ値からから前記パルス幅値のＮ倍のデータ値をカウントする間中は第Ｎチャネルの電流源をオンさせ、且つ、前記２倍〜前記Ｎ倍のデータ値が前記カウンタのフルカウント値を超えるときは、前記２倍〜前記Ｎ倍のデータ値は、前記２倍〜前記Ｎ倍のデータ値から前記フルカウント値の整数倍の値を減算した０〜フルカウント値の範囲内の値に変更して設定する。 （もっと読む）

【課題】電流均一性が損なわれず、調光の際の電流上昇時間及び電流下降時間は長い（＞５０μｓ）といった欠点を有さない駆動回路を提供する。
【解決手段】それぞれに一つ又は複数のＬＥＤ配列１１が配設された複数の駆動チャンネル５,５’を備え、均一化手段２３を備え、その均一化手段２３によって個々の駆動チャンネル５,５’に流れる電流が統一され、駆動チャンネル５,５’のいずれもが、その駆動チャンネル５,５’のＬＥＤ配列１１の明るさを、他の駆動チャンネルとは無関係に変えることができる個別の調光手段１３を備え、その駆動回路は、ＬＥＤの明るさが異なる場合に於ける個々の駆動チャンネル５,５’の電流を補正する電流補正手段１６を備える。 （もっと読む）

【課題】１つの電源回路で、少なくとも２種類の発光素子群（例えばＬＥＤ直列回路）のうち、いずれの発光素子群が接続されているかを自動で判定し、その発光素子群が必要とする定電流値で発光素子群を駆動する。
【解決手段】電源回路１００において、マイコン１５１は、ＬＥＤ直列回路８５１の灯数と調光度と電力変換回路１２０から出力される定電流の電流値との対応関係を予め記憶する。マイコン１５１は、電力変換回路１２０から１５ｍＡの定電流が出力されている状態にて、電圧検出回路１２３により検出された、電力変換回路１２０からＬＥＤ直列回路８５１に印加される電圧に基づき、ＬＥＤ直列回路８５１の灯数を判定し、その灯数と調光器１０３から指令された調光度との組み合わせに対応する電流値の定電流を電力変換回路１２０に出力させる。 （もっと読む）

【課題】小型化可能であって製造コストが低く、インラッシュ電流によるＬＥＤの故障を防止可能なＬＥＤ駆動装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ駆動装置１は、電力変換回路１０７ｄを駆動制御部１０８により制御し、ＬＥＤモジュール５００に直流電力を供給する。出力制御部１０２は、定電流制御を行う定電流制御部１０３と、開放検出回路１０５及び開放電圧設定回路１０６を有し定電圧制御を行う定電圧制御部１０４とを備える。ＬＥＤモジュール５００が開放状態のとき、ＬＥＤモジュール５００への出力電圧が負荷電流の上限値に相当する電圧よりも低くなるように、駆動制御部１０８による制御が行われる。制御は、ＬＥＤモジュール５００の負荷電流に基づく電圧Ｖａと、電力変換回路１０７ｄの出力電圧Ｖ０と、第２の基準値ＶＴＨ１とに応じて行われる。インダクタを必ずしも用いることなく、インラッシュ電流によるＬＥＤの故障を防止できる。 （もっと読む）

【課題】所謂縦型の半導体発光装置において、オーミック電極と半導体膜との電気的接続を害することなく半導体膜内における電流集中を緩和することができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体膜２０は支持体１０に接合された半導体膜と、半導体膜の支持体との接合面１２とは反対側の面を部分的に覆う第一電極３０と、半導体膜の支持体との接合面側に設けられた第二電極４０と、を含み、第二電極は、互いに同一の金属酸化物透明導電体からなり且つ互いに電気的に接続された第一の透明電極４２および第二の透明電極４４を含み、第二の透明電極は、半導体膜を挟んで第一電極と対向する位置に設けられ且つ半導体膜に対する接触抵抗が第一の透明電極よりも高い。 （もっと読む）

【課題】調光回路に直列接続された複数個のＬＥＤチップについて、個々のＬＥＤチップの順方向しきい値電圧のバラツキに伴う発光・未発光の混在状態の発生を防止して照明品質を向上させることが可能なＬＥＤ調光用点灯装置を低コストに提供する。
【解決手段】ＬＥＤ調光用点灯装置１０は、調光回路１１と、調光回路１１に複数個のＬＥＤチップＤが直列接続されたＬＥＤモジュール回路１３と、調光回路１１の出力電圧Ｖｏが所定電圧Ｖｔ未満の場合には、調光回路１１からＬＥＤモジュール回路１３に流れる電流をバイパスさせ、ＬＥＤモジュール回路１３に流れる電流をＬＥＤチップＤが発光する電流値Ｉmin未満にするバイパス回路１２とを備える。所定電圧Ｖｔは、ＬＥＤモジュール回路１３の中で順方向しきい値電圧が最大（Ｖmax）のＬＥＤチップＤが発光する電圧である。 （もっと読む）

【課題】第一ｎ型半導体層のドーパント濃度に起因する結晶性の低下が生じにくく、かつ、高い出力の得られるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を形成する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一ｎ型半導体層上に、前記第一ｎ型半導体層のドーパント濃度よりも高いドーパント濃度を有する前記第一ｎ型半導体層の再成長層、第二ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を順次積層する第二工程と、を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な回路構成でＬＥＤオープンエラーを検知し、ＬＥＤオープンエラーを生じないＬＥＤ電圧を決定することができるＬＥＤ点灯制御装置及びそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】 ＬＥＤ点灯制御装置２２０は、電源２３２、ドライバ２３８及び制御部２４０を備え、ドライバは、ＬＥＤアレイ２３０の負極端子の電圧ＶｓｄによりＬＥＤオープンエラーを検知し、制御部は、ＬＥＤオープンエラーが検知された場合、ＬＥＤオープンエラーが解除されるまで正極端子に印加するＬＥＤ電圧Ｖｌｅｄを増大させ、ＬＥＤオープンエラーが解除されたときの電圧Ｖｌｅｄを仮ＬＥＤ電圧として決定し、ＬＥＤアレイを点灯させる場合、仮ＬＥＤ電圧よりも所定値だけ大きいＬＥＤ電圧を印加するように、電源を制御する。これにより、簡単な回路構成でＬＥＤオープンエラーを検知し、ＬＥＤ点灯時のＬＥＤ電圧を適切に決定できる。 （もっと読む）

【課題】温度変動や個体ばらつきの影響を低減した電流駆動回路を提供する。
【解決手段】出力トランジスタＱ１は、そのエミッタがＬＥＤストリング６のカソードと接続されるＰＮＰ型バイポーラトランジスタである。電流制御抵抗Ｒ４は、出力トランジスタＱ１のコレクタと接地端子の間に設けられる。誤差増幅器ＥＡ２の出力端子は、出力トランジスタＱ１のベースと接続され、その第１入力端子が出力トランジスタＱ１と電流制御抵抗Ｒ４との接続点Ｎ１に接続され、その第２入力端子に基準電圧Ｖｒｅｆが印加される。誤差増幅器ＥＡ２は、その出力端子から吸い込むシンク電流Ｉ_ＳＩＮＫが電流制御抵抗Ｒ４に流れ込むように構成される。 （もっと読む）

【課題】接合時の加熱プロセスに起因して電極層が有するオーミック性が劣化するのを抑制することが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体発光素子）は、ｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１の下面上に形成され、非晶質ＳｉからなるＳｉ層３１とＡｌ層３３とを有するオーミック電極層３０と、オーミック電極層３０のｎ型ＧａＮ基板１とは反対側に形成されたＡｕ層４１を有するパッド電極層４０と、オーミック電極層３０とパッド電極層４０との間に形成されたＰｄからなるバリア層３５とを含むｎ側電極２２とを備える。 （もっと読む）