【課題】発光効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第５層は、光を発生させ、かつ光を導波させる層であり、第３層１１４および第４層１１６は、第５層で発生した光を導波させる層であり、第１層１０４および第２層１０６は、第５層で発生した光の漏れを抑制する層であり、第５層で発生した光が伝播する導波路１１９は、第１面１０４ａの垂線方向から平面視して、第１微細壁状部材１１２および第２微細壁状部材１１３と交差し、第１微細壁状部材１１２および第２微細壁状部材１１３の、導波路１１９の延伸方向Ａの長さは、λ／２ｎ_１であり、半導体部材１１８の、導波路１１９の延伸方向Ａの長さは、λ／２ｎ_２である。ただし、λは、第５層で発生する光の波長であり、ｎ_１は、第１微細壁状部材１１２および第２微細壁状部材１１３における有効屈折率であり、ｎ_２は、半導体部材１１８における有効屈折率である。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体層内に形成される電子トラップ濃度を低減する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０上に接して形成されたＡｌＮを主成分とする下地層１２と、前記下地層１２上に形成され、前記下地層１２上に形成され、前記下地層１２から圧縮応力を受ける第１バッファ層１４と、前記第１バッファ層１４上に形成された第２バッファ層１６と、前記第２バッファ層１６上に形成されたＡｌの組成比が０．１以下のＧａＮ系半導体層１８と、を具備し、前記第２バッファ層１６における前記第１バッファ層１４側の面の結晶軸長に対し前記第１バッファ層１４と反対の面の結晶軸長が前記ＧａＮ系半導体層１８に近く、前記第２バッファ層１６の伝導帯底エネルギーが前記ＧａＮ系半導体層１８より高い半導体装置。 （もっと読む）

【課題】偏光度を高めることが可能な構造を有する窒化ガリウム系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード１１ａは、半導体領域１３と、ＩｎＧａＮ層１５と、活性層１７とを備える。半導体領域１３は半極性を示す主面１３ａを有し、ＧａＮまたはＡｌＧａＮからなる。半導体領域１３の主面１３ａは、該主面１３ａにおける［０００１］軸方向の基準軸Ｃｘに直交する平面Ｓｃに対して角度αで傾斜する。半導体領域１３の厚さＤ_１３はＩｎＧａＮ層１７の厚さＤ_{ＩｎＧａＮ}より大きく、ＩｎＧａＮ層１５の厚さＤ_{ＩｎＧａＮ}は１５０ｎｍ以上を有する。ＩｎＧａＮ層１５は半導体領域１３の主面１３ａの直上に設けられて、主面１３ａに接している。活性層１７は、ＩｎＧａＮ層１５の主面１５ａ上に設けられ、この主面１５ａに接触している。活性層１７は、ＩｎＧａＮ井戸層２１を含む。 （もっと読む）

【課題】基板上に少なくとも１つの化合物半導体層が成膜された化合物半導体基板の反り量Ｈが５０μｍ≦Ｈ≦２５０μｍの範囲である化合物半導体基板を用い、この上に前記化合物半導体層の再成長層を積層する工程を有し、得られる半導体発光層の発光波長分布σを小さくすることが可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体からなるｎ型半導体層１４０と発光層１５０とｐ型半導体層１６０を有する半導体発光素子の製造方法であって、基板１１０上に少なくとも１つの化合物半導体層が成膜された化合物半導体基板１００の反り量Ｈが５０μｍ≦Ｈ≦２５０μｍの範囲である化合物半導体基板を準備し、有機金属化学気相成長装置内において、前記化合物半導体基板の化合物半導体層上に、前記化合物半導体層の再成長層１３１を積層する工程を具備してなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】表面状態や断面形状が良好なIII族窒化物半導体の厚膜結晶を成長させることができる下地基板を提供する。
【解決手段】第１結晶成長面と前記第１結晶成長面と同じ方向に面している第２結晶成長面を有する下地基板であって、前記第１結晶成長面の周縁の５０％以上に下向きの段差を介して前記第２結晶成長面が連接しており、前記段差の高さが０．１〜５ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードなどとして用いることのできる、III族窒化物系半導体の積層構造を有する半導体素子の転位密度を低減し、その結晶性を向上させる。
【解決手段】第１のIII族窒化物半導体からなる下地層と、Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０＜Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）なる組成を有する第２のIII族窒化物半導体からなり、周期的超格子構造を呈する機能層とを具えるようにして、半導体素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】特性を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ１ｃは、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層（０≦ｘ≦１）を含むＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ基板（０≦ｙ≦１）と、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層２０とを備える。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘは、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘよりも低い。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａの不純物濃度は、裏面１１ｂの不純物濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】 発光効率が高く信頼性の高い窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態の窒化物半導体素子は、第１の主面上の面内方向に形成された複数の凸部１ａと、隣接する前記凸部の間の凹部１ｂと、を有する基板１と、前記基板１の前記凹部１ａ及び前記凸部１ｂ上に形成されたＡｌ_ｘ１Ｇａ_１−ｘ１Ｎ（０≦ｘ１≦１）第１埋込層２と、前記第１埋込層２上に形成されたＩｎ_ｙＡｌ_ｚＧａ_{１−ｙ−ｚ}Ｎ（０＜ｙ≦１、０≦ｚ≦１）埋込層３と、前記埋込層３上に形成されたＡｌ_ｘ２Ｇａ_１−ｘ２Ｎ（０≦ｘ２≦１）第２埋込層４と、を備える。前記第１埋込層２の前記凹部１ｂの上に形成された部分と、前記第１埋込層２の前記凸部１ａの上に形成された部分とは、互いに結合しない。前記埋込層３の前記凹部１ｂの上に形成された部分と、前記埋込層３の前記凸部１ａの上に形成された部分とは、互いに結合している。 （もっと読む）

【課題】発光素子が実装された絶縁性の長尺基板の裏面側に放熱層が形成された場合でも温度変化に伴う基板の反りが発生しにくい照明装置を実現する。
【解決手段】
絶縁性の基板１０と、この基板１０の表面側に実装された複数の発光素子１１と、基板１０の裏面側に基板の長手方向と直交する方向に分断されて複数の領域に分けて形成された金属製の放熱層４６とを具備している。放熱層４６が基板１０の長手方向と直交する方向に分断されているので、製造時および使用時の温度上昇に伴う基板１０の反りや変形を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】パッケージコストおよび実装コストを抑制できる発光装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１電極２５１と、第２電極２５２とを有する第１基板２５０を準備する基板準備工程を行った後、液体２５７と、その液体２５７内に位置する複数の発光素子２６０とを有する素子含有液体を、第１基板２５０上に位置させる素子供給工程を行う。その後、第１電極２５１と第２電極２５２とに電圧を印加して、二以上の発光素子２６０を、電圧の印加によって生成される電場に基づいて決定される予め定められた位置に、静電誘導により配列する素子配列工程を行う。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良い半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光素子の製造方法は、加熱した基板上に、インジウムを含む活性層を形成する工程と、前記活性層を形成するときと実質的に同じ温度に前記基板を加熱した状態で、前記活性層上に、窒化物半導体からなる多層膜を形成する工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族半導体材料を用いて形成された発光層の発光効率を向上させることができ、狭い帯域の発光スペクトルを得ることが可能となる発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】異なるＩＶ族半導体材料からなる、井戸領域と該井戸領域に隣接するバリア領域とを備えたポテンシャル閉じ込め構造の発光層を有する発光素子であって、
前記発光層における前記井戸領域から、該井戸領域と前記バリア領域との界面を越えた該バリア領域の一部に亙る連続した領域が、微結晶によって形成され、
前記バリア領域における前記微結晶によって形成されている領域以外の領域が、アモルファスまたは多結晶領域によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体層に加わる応力を緩和し、発光効率の向上が可能な半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光部１０ｄと第１導電部３０ａと第２導電部３０ｂと第１絶縁層２１と封止部５０と光学層６０とを備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第１主面１０ｂと第２主面１０ａとを有する半導体積層体１０と、第２主面に設けられた第１、第２電極と、を含む。第１、第２導電部は、それぞれ第１、第２電極に接続され、第２主面に立設された第１、第２柱部を含む。第１絶縁層は第１、第２柱部の少なくとも一部と半導体積層体との間に設けられる。封止部は第１、第２導電部の側面を覆う。光学層は、半導体積層体の第１主面に設けられ発光部１０ｄから放出された発光光の波長を変換する波長変換部を含む。 （もっと読む）

【課題】珪素結晶基板上のＩＩＩ族窒化物半導体層を用いて半導体素子を構成するに際し、結晶性及び表面の平坦性に優れるＩＩＩ族窒化物半導体層から半導体素子を構成できるようにする。
【解決手段】珪素単結晶基板と、その基板の表面に設けた炭化珪素層と、その炭化珪素層に接して設けたＩＩＩ族窒化物半導体接合層と、そのＩＩＩ族窒化物半導体接合層上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる超格子構造層を備えた半導体素子において、炭化珪素層は立方晶で格子定数が０．４３６ｎｍを超え、０．４６０ｎｍ以下の、組成的に珪素を富裕に含む非化学量論的な組成の層とし、ＩＩＩ族窒化物半導体接合層は、組成がＡｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮ_１−αＭ_α（０≦Ｘ、Ｙ、Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１、０≦α＜１、Ｍは窒素以外の第Ｖ族元素である。）とする。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、微細壁状部材１１２，１１３は、第１面１０４ａに隣接した第３層１１４と、第２面１０６ａに隣接した第４層１１６と、第３層１１４と第４層１１６とに挟まれた第５層と、を有し、半導体部材１１８は、微細壁状部材１１２，１１３に挟まれており、第１層１０４および第２層１０６の材質は、ＧａＮであり、第３層１１４、第４層１１６、第５層、および半導体部材１１８の材質は、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）であり、第５層のｘの値は、第３層１１４のｘの値、第４層１１６のｘの値、および半導体部材１１８のｘの値より大きく、第５層は、光を発生させ、かつ光を導波させる層であり、第３層１１４および第４層１１６は、第５層で発生した光を導波させる層であり、第１層１０４および第２層１０６は、第５層で発生した光の漏れを抑制する層である。 （もっと読む）

【課題】半導体層とメッキ基板との反りを低減して量産性にすぐれて簡単な半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法は、成長基板３０上に窒化物半導体層１０を形成する工程と、窒化物半導体層１０の上面であるｐ側表面をｐ電極層４とｐ保護層７とで被覆する工程と、ｐ電極層４およびｐ保護層７の上にシード層９を形成する工程と、シード層９の上面において素子間の境界線上の一部に絶縁層２０を形成する工程と、シード層９の上にメッキ層を形成する工程と、絶縁層２０を除去して素子間の境界線上におけるメッキ層の一部に隙間部４０を形成してメッキ基板８とする工程と、成長基板３０を剥離する工程と、成長基板３０を剥離して現れた窒化物半導体層１０のｎ側表面に、素子間の境界線に沿って溝３５を形成する工程と、ｎ側電極５を形成する工程と、メッキ基板８を素子間の境界線に沿って切断する工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード（ＬＥＤ）の製造との関連において金属窒化物のエピタキシャル成長に用いられるテクスチャー化単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶１０の上に被着された金属層１１を、熱処理によりパッド１２を形成する。次に、シリカの保護層を被着させ、保護層の細孔１３を通して第１の化合物によるエッチングで金属パッドを素早く溶解し、金属パッドに対応する容積の空のキャビティ１５を形成する。次いで第２の化合物によるエッチングで単結晶の表面をエッチングし、テクスチャーキャビティ１６を形成する。つづいて、ＨＦによるエッチングで単結晶からシリカの保護層を取り除くことにより、所望のテクスチャー化単結晶１７が得られる。 （もっと読む）

【課題】発光特性及び注入電流均一性に優れ、十分な耐性を有する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第一の主面１０１ａと第二の主面１０１ｂを有し、窒化物半導体基板１０１と、第一の主面１０１ａに接して形成された第一の窒化物半導体層１０２と、第一の窒化物半導体層１０２の第一の主面１０１ａと接する側とは反対側に形成された、ｎ型窒化物半導体層１０３、活性層１０４及びｐ型窒化物半導体層１０５を含む積層体と、ｎ型窒化物半導体層１０３に電気的に接続されたｎ側電極１０６と、ｐ型窒化物半導体層１０５に電気的に接続されたｐ側電極１０７とを備える。第一の窒化物半導体層１０２は、アンドープの窒化物半導体層である。また、第二の主面１０１ｂが光取り出し面とする窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤや高電子移動度トランジスタなどのデバイス用として有用なＩＩＩ−Ｖ族窒化物品の提供。
【解決手段】自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上に堆積したＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を含むホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物品であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が１Ｅ６／ｃｍ²未満の転位密度を有しており、（ｉ）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間に酸化物を有するか、（ii）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間にエピ中間層を有するか、
（iii）前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板がオフカットされており、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が非（０００１）ホモエピタキシャルステップフロー成長結晶を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型層を形成する際に混入するＳｉによって発生する順方向電圧（Ｖｆ）の不良を従来より低減させ、順方向電圧が良好なエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記ｐ型層をエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、ｐ型ドーパントガスを前記ｐ型層のエピタキシャル成長時より多く流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）