【課題】ウェーハの表面に凹凸を形成する際、パターニングの精度の低下を防止する。
【解決手段】半導体発光素子基板として用いるウェーハ１０であって、円弧状の外周部１１と、前記外周部１１の一部に形成された直線状の第１のフラット部１２と、前記第１のフラット部１２の端部と接合する直線状の第２のフラット部１３と、を有することを特徴とするウェーハ１０。 （もっと読む）

【課題】搭載基板の熱伝導性を優れたものとしつつ、温度変化に伴う搭載基板の反りを防止することができる光源装置、および、かかる光源装置を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の光源装置１は、発光ダイオード４２を有する少なくとも１つの発光装置４と、板状をなし、その一方の面に発光装置４が搭載される搭載基板２とを備え、搭載基板２は、第１の繊維基材に第１の樹脂材料を含浸してなる第１の基材層２１と、第１の基材層２１の両面にそれぞれ形成され、第２の繊維基材に第２の樹脂材料を含浸してなる第２の基材層２２ａ、２２ｂとを有し、搭載基板２の面方向に沿って互いに直交するＸ方向およびＹ方向を設定したとき、各第２の繊維基材は、Ｘ方向での熱膨張係数がＹ方向での熱膨張係数よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】より簡便な構成で、信頼性のより高い発光ユニットを提供する。
【解決手段】一端１０ａ側に設けられた光学レンズ部１ａと他端１０ｂ側に設けられた窪み部１ｂとを備え透光性材料により一体に形成されたユニットボディ１と、該ユニットボディ１の窪み部１ｂ内に収納され光学レンズ部１ａを介して光を放出させる固体発光素子たるＬＥＤ２を備えた実装基板３と、ＬＥＤ２と電気的に接続され窪み部１ｂ内から導出された電線４と、ユニットボディ１の窪み部１ｂ内に収納された実装基板３と電線４の一部とを窪み部１ｂ内に封止する封止樹脂部５とを有する発光ユニット１０であって、封止樹脂部５は、他端１０ｂ側から実装基板３側に向かって落ち窪んだ複数個の凹部５ａ，５ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体の結晶性を向上させることが可能な半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体基板の製造方法は、単結晶基板２の上に単結晶基板２を覆うように半導体層を結晶成長させた半導体基板の製造方法であって、平坦な上面４Ａを有する複数の突起４が第１主面２Ａに設けられた単結晶基板２を準備する工程と、複数の突起４のうち、上面４Ａから半導体層３を結晶成長させるものを第１突起４ａとし、第１突起４ａ同士の間に位置する、上面４Ａに半導体層３を結晶成長させないものを第２突起４ｂとして、第２突起４ｂの上面４Ａを被覆するように実質的に半導体層３が結晶成長しないマスク層５を形成する工程と、第１突起４ａの上面４Ａからそれぞれ第２突起４ｂの上面４Ａのマスク層５を越えて単結晶基板２を覆うように半導体層３を結晶成長させる工程とを有する。そのため、単結晶基板２上に成長させる半導体層３の単結晶基板２に対する平坦性を向上させることができ、半導体層３の結晶性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】リフトオフ時に化合物半導体層の内部応力による化合物半導体層の割れが生じない半導体素子と半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、支持基板３０上に半導体層が接合された構成を具備する半導体素子の製造方法であって、成長基板１１上にリフトオフ層１２を介して、半導体層からなる素子領域１５ａを形成する素子領域形成工程と、成長基板上に、柱状物２１を形成する柱状物形成工程と、支持基板に、半導体層及び柱状物の上部を接合する接合工程と、リフトオフ層を除去することにより半導体層の下面と成長基板とを分離し、かつ柱状物と成長基板とを分離しないリフトオフ工程と、柱状物と支持基板とを分離する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明が解決しようとする課題は、ＬＥＤを構成するIII−Ｖ族半導体結晶と線熱膨張率の差が小さく、かつ熱伝導性に優れ、更に製造時に使用される酸及びアルカリ溶液に対する耐薬品性に優れた高出力ＬＥＤ用として好適なＬＥＤ発光素子用保持基板を提供することである。
【解決手段】炭化珪素からなる多孔体に、溶湯鍛造法にてアルミニウム合金を含浸し、板厚０．０５〜１．０ｍｍ、表面粗さ０．０１〜０．５μｍに加工した後、蒸着法又はスパッタリング法により基板表面に厚み０．０５〜２μｍのアルミニウム層を形成し、不活性ガス又は真空雰囲気中、温度４６０〜６５０℃で１分間以上加熱処理した後、めっき処理により、厚み０．５〜５μｍのＮｉめっき層、および厚み０．０５〜２μｍの金めっき層を形成、又は蒸着法又はスパッタリング法により０．１〜２μｍの金属層を形成する。
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【課題】本発明は、微細パターンの形成工程に関する。
【解決手段】微細パターンの形成方法は、ｃ面六方晶系半導体結晶を設ける段階から始まる。上記半導体結晶上に所定のパターンを有するマスクを形成する。次いで、上記マスクを用いて上記半導体結晶をドライエッチングすることで上記半導体結晶上に１次微細パターンを形成し、上記１次微細パターンが形成された半導体結晶をウェットエッチングすることで上記１次微細パターンが水平方向に延びた２次微細パターンを形成する。ここで、上記ウェットエッチング工程から得られた２次微細パターンの底面と側壁は夫々固有の結晶面を有することができる。本微細パターンの形成工程は、半導体発光素子に非常に有益に採用されることができる。特に微細パターンが求められるフォトニック結晶構造または表面プラズモン共鳴原理を用いた構造に有益に採用されることができる。 （もっと読む）

【課題】 分割端面の平滑性に優れ歩留まりの優れた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板上に窒化物半導体が形成された半導体ウエハーを窒化物半導体素子に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、前記窒化物半導体の一部を除去して、前記半導体ウエハーの厚みが部分的に薄い分離部を形成する工程と、前記分離部内にレーザーを照射して、前記基板の内部にブレイク・ラインを形成する工程と、前記ブレイク・ラインに沿って前記半導体ウエハーを分離する工程と、を有する窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明が解決しようとする課題は、ＬＥＤを構成するIII−Ｖ族半導体結晶と線熱膨張率の差が小さく、かつ熱伝導性に優れ、高出力ＬＥＤ用として好適なＬＥＤ発光素子用基板を提供することであり、更に、ＬＥＤ発光素子製造時に使用される酸及びアルカリ溶液に対する、耐薬品性に優れた、高出力ＬＥＤ用として好適なＬＥＤ発光素子用基板を提供することである。
【解決手段】炭化珪素、窒化アルミニウム、窒化珪素、ダイヤモンド及び黒鉛の中から選ばれる１種類以上からなり、気孔率が１０〜５０体積％、３点曲げ強度が５０ＭＰａ以上である多孔体に、溶湯鍛造法にて含浸圧力３０ＭＰａ以上でアルミニウム合金を含浸し、板厚０．０５〜０．５ｍｍで、表面粗さ（Ｒａ）０．０１〜０．５μｍに、切断及び／又は研削加工した後、表面にＤＬＣ膜を厚みが０．１〜１０μｍとなるように形成して、ＬＥＤ発光素子用の金属基複合材料基板を提供することができた。 （もっと読む）

【課題】凹凸を有する基層上に均一な結晶を成長させる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】凹凸が設けられた主面を有する基層の前記主面に窒化物半導体の結晶を成長させる工程を備えた半導体発光素子の製造方法であって、前記主面に、Ｇａ_ｘＡｌ_１−ｘＮ（０．１≦ｘ＜０．５）を含み、厚さが２０ナノメートル以上５０ナノメートル以下のバッファ層を、０．１マイクロメートル／時以下の速度で堆積し、前記バッファ層の上に、前記バッファ層の堆積における前記基層の温度よりも高い温度で、窒化物半導体を含む結晶を成長させることを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】結晶歪みを抑制した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられた多層構造体と、多層構造体とｐ形半導体層との間で多層構造体に接する発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。多層構造体は交互に積層された第１層と第２層とを含む。発光部は交互に積層された障壁層と井戸層とを含む。第１層、第２層及び障壁層のＩｎ組成比は井戸層のＩｎ組成比よりも低い。多層構造体の、積層方向に対して垂直な第１方向の軸の平均格子定数は、ｎ形半導体層の第１方向の軸の平均格子定数よりも大きい。多層構造体の第１方向の軸の平均格子定数と発光部の第１方向の軸の平均格子定数との差の絶対値は、多層構造体の第１方向の軸の平均格子定数とｎ形半導体層の第１方向の軸の平均格子定数との差の絶対値よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】活性層の劣化を抑制した半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体を含む結晶層を含む半導体発光素子の製造方法が提供される。窒化物半導体は、Ｉｎ原子及びＧａ原子を含み、Ｉｎ原子の数とＧａ原子の数との合計に対するＩｎ原子の数の比であるｘｓが０．２以上０．４以下である。製造方法は、基体の主面に、Ｇａ原子を含む第１分子とＩｎ原子を含む第２分子とを含む原料ガスを供給して結晶層を形成する工程を備える。第１分子及び第１分子の分解種の原料ガスに対する第１分圧と、第２分子及び第２原料分子の分解種の原料ガスに対する第２分圧と、の合計に対する第２分圧の比をＩｎの気相供給量比ｘｖとする。（１−１／ｘｖ）／（１−１／ｘｓ）を０．１よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】基板の損傷を抑制することができる発光装置及びこの発光装置を備えた照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、複数の発光素子３が一面側に実装された基板２と、この基板２が、側周囲に間隙Ｇを有して配設される凹部４２を備えた取付部材４と、前記基板２の一面側に接触する押圧部５２を有し、この押圧部５２の前記基板２の一面側から他面側へ向かう方向の弾性的押圧力によって前記基板２を取付部材４の凹部４２に保持する機械的固定手段５とを備える発光装置１である。 （もっと読む）

【課題】直径１００ｍｍ以上の大口径であっても結晶欠陥部分が少なく、化合物半導体層のエピタキシャル形成に適した高品質かつ低コストのサファイア単結晶基板、および、かかる基板上に化合物半導体層を成膜した高品質の半導体発光素子を安定的に提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族化合物半導体層を有する半導体発光素子の製造方法であって、サファイア単結晶のインゴットからウエーハを切り出す基板切り出し工程Ｓ２００と、切り出したウエーハについてラング法によるＸ線トポグラフィ測定を行い、（１１−２０）面のＸ線回折像が得られるＸ線の入射角度ωに対し、±０．１５°の範囲内を判断基準とする湾曲補正値Δωにより補正したＸ線によりＸ線回折像が得られる結晶欠陥部分を含むウエーハを選別する選別工程Ｓ５００と、選別されたウエーハの被成膜面上にＩＩＩ族化合物半導体層を成膜する半導体層成膜工程Ｓ８００と、を有する。 （もっと読む）

【課題】垂直に位置がずれた活性領域を備えた三次元のLED構造を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップは、基板１０と、基板１０の上に形成されたメサ２５と、メサ２５により露出した基板１０の上面に形成された第１のＬＥＤ構造１と、メサ２５の上面に形成された第２のＬＥＤ構造２とを有する。ＬＥＤ構造１、２は、それぞれｎ型層３０１、３０２、活性領域４０１、４０２及びｐ型層５０１、５０２を含む。基板１０は、一体領域１０２、分離領域１９２及び傾斜領域１２２を備え、ＬＥＤ構造１、２は、分離領域１９２においては互いに分離しているが、一体領域１０２においては、各層が１つに結合している。 （もっと読む）

【課題】転位およびクラックの発生、並びに、基板の反りを抑制することが可能な結晶成長方法を提供する。
【解決手段】このＩＩＩ族窒化物半導体の結晶成長方法は、シリコン基板１００を加熱する工程と、加熱されたシリコン基板１００に対して、少なくともＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を含むガスを先出し供給することにより、基板表面に凹状構造１０５を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】オフ角ばらつきの小さい、窒化物半導体基板を製造することができる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板（１）上に窒化物半導体層（２）を形成し、前記サファイア基板（１）から分離した前記窒化物半導体層（２）を用いて自立した窒化物半導体基板（３）を作製する窒化物半導体基板の製造方法において、分離された前記窒化物半導体層（２）の表裏面の欠陥密度差に起因する反りによる前記窒化物半導体層（２）のＣ軸の半径方向内方への傾きを相殺するように、予め前記サファイア基板（１）表面のＣ軸には半径方向外方に傾きを持たせた。 （もっと読む）

【課題】エッチャントのハンドリングや管理、回収、廃棄等がより容易で環境負荷が低い光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】複数の分割予定ラインと該分割予定ラインで区画された各領域に形成された光デバイスを有する光デバイスウエーハＷの加工方法で、光デバイスウエーハの表面を保護膜９８で被覆する保護膜被覆ステップと、該保護膜が被覆された光デバイスウエーハの該分割予定ラインに沿って分割起点溝１０２を形成する溝形成ステップと、該分割起点溝が形成された光デバイスウエーハにドライエッチングを施し、該分割起点溝の側面をエッチングするエッチングステップと、該エッチングステップを実施した後、光デバイスウエーハに外力を付与し該分割起点溝を起点に光デバイスウエーハを個々のチップへと分割する分割ステップと、該分割ステップを実施する前又は後に該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクス・デバイス構造の組み立てのために用い得るブールの提供。
【解決手段】相応する天然III−Ｖ族窒化物シード結晶上で、気相エピタクシーによって、１時間に２０μｍを上回る成長速度で、III−Ｖ族窒化物材料を成長させることにより、III−Ｖ族窒化物ブールを形成する。形成されるブールは、マイクロエレクトロニクス・デバイス品質を含み、例えば、１ｃｍより大きい断面寸法、１ｍｍを超える長さ、および１ｃｍ²あたり１０⁷未満欠陥の上面欠陥密度を有する。 （もっと読む）

【課題】ピーク発光波長が６５５ｎｍ以上で、かつ信頼性を向上させることが可能な発光ダイオード用エピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に設けられたｐｎ接合型の発光部２と、を備えた発光ダイオード用エピタキシャルウェーハであって、発光部２は、歪発光層と、バリア層とが交互に積層された積層構造とされており、バリア層の組成式を（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０．３≦Ｘ≦０．７、０．５１≦Ｙ≦０．５４）とする。 （もっと読む）