【課題】電気抵抗を低減できると共に、高電界印加時の電子のオーバーフローおよび結晶歪みによる劣化のいずれも抑制できる新規な窒化物半導体発光素子の提供。
【解決手段】所定の基板１０上に、ＡｌＧａＮからなるｎ型のクラッド層３０を有し、その上に窒化物半導体の量子井戸で構成される活性層４０を有し、その上にＡｌＧａＩｎＮからなるｐ型のクラッド層５０を有する。これによって、従来構造に比べてｐ型のクラッド層５０の電気抵抗を低減できると共に、高電界印加時の電子のオーバーフローおよび結晶歪みによる劣化のいずれも効果的に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】発光モジュールおよびヒートシンクにおいて、両者の密着度合いの不均一に起因する輝度むらおよび色むらの発生を抑制しつつ、両者同士を固定可能な光源装置を提供する。
【解決手段】複数のＬＥＤ素子１１２が、基板１１１の長手方向に列設されてなる発光モジュール１１０と、ヒートシンク１３０と、基板１１１をヒートシンク１３０側に押し付けた状態で、発光モジュール１１０の短手方向における両縁部の一方を、局所的に爪部１４２eで掛止する第１のフック部１４２ｃと、両縁部の他方を局部的に爪部１４３eで掛止する第２のフック部１４３ｃとを備え、爪部１４２eと爪部１４３eは、互いに対向する位置から長手方向にずれるジグザグ状に配設されている。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有率が低いＡｌＧａＮ層やＧａＮ層を用いた超格子歪緩衝層を平坦性良く形成すると共に、該超格子歪緩衝層上に平坦性および結晶性が良好な窒化物半導体層を形成した窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたＡｌＮからなるＡｌＮ歪緩衝層と、ＡｌＮ歪緩衝層上に形成された超格子歪緩衝層と、超格子歪緩衝層上に形成された窒化物半導体層とを備える窒化物半導体素子であって、超格子歪緩衝層は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．２５）よりなり、且つ、ｐ型不純物を含む第１の層と、ＡｌＮよりなる第２の層とを交互に積層して超格子構造を形成したものであることを特徴とする、窒化物半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装される際に、反射電極に圧痕の発生を抑えることで、高い信頼性を図ることができる発光素子および発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１は、発光素子１０をサブマウント素子２０に搭載した複合素子である。発光素子１０は、光透過性を有する基板１１と、基板１１に、ｎ型層１２ａ、活性層１２ｂおよびｐ型層１２ｃを積層した半導体層１２と、半導体層１２に積層され、活性層１２ｂからの光を基板１１方向へ反射する反射電極１３と、反射電極１３に積層され、反射電極１３への実装時の応力を吸収する応力緩和電極１４と、応力緩和電極１４に積層されたｐ側パッド電極１５とを備えている。この応力緩和電極１４の硬度は、ｐ側パッド電極１５の硬度より小さい。例えば、ｐ側パッド電極１５はＡｕ層で形成され、応力緩和電極１４は、少なくともＡｌ層を含むものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】保持基板上に成長したＩＩＩ族窒化物結晶を、結晶品質を劣化させることなく剥離することができる
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）保持基板２０上の表側主面に、第１のＩＩＩ族窒化物結晶層２２を形成する工程と、（ｂ）前記保持基板２０裏側主面からレーザ光を照射して、前記第1のＩＩＩ窒化物結晶層２２の裏面側をレーザ加工する工程と、（ｃ）前記第1のＩＩＩ族窒化物結晶層２２の表側主面に第２のＩＩＩ族窒化物結晶層２４を成長する工程と、（ｄ）前記保持基板２０と前記第1のＩＩＩ族窒化物層２２の界面から分離する工程とを備え、（ｅ）前記工程（ｂ）において、前記第1のＩＩＩ族窒化物結晶層２２の表側主面にレーザ加工時に発生する分解ガスを放出するガス放出構造体を設ける。これにより、レーザ加工部の基板全体に対する面積を大きくすることができるので、剥離の際の応力による結晶のクラックを低減できる。 （もっと読む）

【課題】輝度およびライフ等の諸特性が優れた高品質の化合物半導体基板および発光素子ならびに化合物半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓバッファ層及び（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）からなるダブルへテロ構造がこの順で形成された化合物半導体基板であって、前記ＧａＡｓバッファ層の厚さが、０．５μｍより厚いものであることを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】 成長用基板の上に形成する半導体層が薄くても、再現性よく半導体層から成長用基板を分離する方法が望まれる。
【解決手段】 表面に凹凸が形成された成長用基板の、該表面の凸部の上面に離散的に分布し、化合物半導体からなる複数の支柱を形成する。支柱によって成長用基板の上に支えられ、化合物半導体からなる半導体層を形成する。半導体層の上に、支持基板を接着する。成長用基板を半導体層から分離する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板などの支持基板上に窒化物半導体膜を形成し、その窒化物半導体膜上にエピタキシャル層を形成した半導体ウェハを提供する。
【解決手段】支持基板と、上記支持基板の表面に設けられた窒化物半導体薄膜と、上記窒化物半導体薄膜上に気相成長され形成された窒化物半導体エピタキシャル層と、を備える半導体ウェハにおいて、上記窒化物半導体薄膜は、ＧａＮ基板に設けられたイオン注入層を境として上記ＧａＮ基板から剥離されたＧａＮ薄膜であって、上記ＧａＮ薄膜は（０００−１）窒素面側を上記支持基板側に有し、（０００１）Ｇａ面側を上記窒化物半導体エピタキシャル層の気相成長面として有する。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクをガラスとの良好な封着性と高い熱伝導性とを兼ね備えた構造として、光半導体素子の動作に伴う熱を効率良く外部に放熱でき、より気密性、生産性の高い光半導体装置用気密端子を提供すること。
【解決手段】ヒートシンク挿通穴１２が形成された金属ベース１と前記挿通穴１２に挿通されたヒートシンク４とをガラスから成る絶縁材３で封着し、ヒートシンク４を軸芯４１と外周部４２とを有するクラッド材で構成し、ヒートシンク４の軸芯４１に沿った側面をガラス封着に適した第二の金属で形成される外周部４２がロール状に覆い、前記外周部４２で覆われた軸芯４１を熱伝導に優れる第一の金属で形成することにより、放熱性を損なう事無く生産性を向上することができ、気密性も高めることができる。 （もっと読む）

【課題】異種材料の基板上で平坦かつ剥離が容易なＧａＮ基板を低コストで製造することを可能にする製造方法を提供するとともに、そのＧａＮ基板を用いて製造するＬＥＤやレーザダイオード等の半導体デバイスの低コスト化、性能向上や長寿命化を実現することである。
【解決手段】本発明の半導体基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に所定のパターン形状で形成された金属性材料層と、前記第１の半導体層上及び前記金属性材料層上に形成された第２の半導体層と、前記金属性材料層より下層部分の前記第１の半導体層に形成された空洞と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 高い生産効率で半導体発光素子を製造する。
【解決手段】 （ａ）成長基板を準備する。（ｂ）成長基板上に、成長基板側から、各々Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で構成される、第１導電型の第１半導体層、活性層、第２導電型の第２半導体層を含む半導体膜を形成する。（ｃ）支持体を準備する。（ｄ）半導体膜上及び／または支持体上に金属層を形成し、金属層を介して半導体膜と支持体とを接合する。（ｅ）成長基板の外周部にレーザビームを照射し、外周部において、成長基板と半導体膜とを剥離する。（ｆ）成長基板の外周部の内側領域に、レーザビームが照射されない未照射領域を設けながら、レーザビームを照射し、成長基板を半導体膜から剥離除去する。（ｇ）成長基板が剥離除去された半導体膜の一部を除去し、半導体発光素子が形成される領域を区画する。 （もっと読む）

【課題】第二ｎ型半導体層表面に起因する発光層およびｐ型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に第一ｎ型半導体層１２ｃを積層する第一工程と、前記第一ｎ型半導体層１２ｃ上に前記第一ｎ型半導体層１２ｃの再成長層１２ｄと第二ｎ型半導体層１２ｂと発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する第二工程とを具備し、前記第二ｎ型半導体層１２ｂを積層する工程において、前記再成長層１２ｄ形成時よりも少量の前記Ｓｉをドーパントとして供給することにより第二ｎ型半導体層第一層を形成する工程（１）と、前記Ｓｉを前記工程（１）よりも多く供給することにより第二ｎ型半導体層第二層を形成する工程（２）と、をこの順で行うことを特徴とする半導体発光素子１の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】発光特性を向上することのできる半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ３０は、ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層２と、ｎ型クラッド層２上に形成されたＩｎ_sＧａ_1-sＮ（０≦ｓ＜１）よりなるｎ型中間層３と、ｎ型中間層３上に形成されたＩｎ_tＧａ_1-tＮ（０≦ｔ＜０．５）よりなるｎ型緩衝層４と、ｎ型緩衝層４上に形成されたＩｎＧａＮよりなる量子井戸発光層５とを備えている。量子井戸発光層５はＩｎ濃度が相対的に高いＩｎ_uＧａ_1-uＮ（０＜ｕ＜０．５）よりなる井戸層と、Ｉｎ濃度が相対的に低いＩｎ_vＧａ_1-vＮ（０≦ｖ＜ｕ）よりなる障壁層とを有している。ｎ型緩衝層４のＩｎ濃度はｎ型中間層３のＩｎ濃度よりも高く、かつ井戸層５ｂのＩｎ濃度はｎ型緩衝層４のＩｎ濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の順方向電圧を抑制し、高効率を達成する。
【解決手段】基板と、前記基板上に活性領域を挟んで積層されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層を有する窒化物系半導体発光素子であって、前記活性領域は、多重量子井戸構造を構成する障壁層と、前記障壁層の膜厚よりも厚い膜厚を有し、かつ前記ｐ型半導体層に最も近い側に設けられた最終障壁層と、を含み、前記多重量子井戸構造を構成する障壁層の内、前記最終障壁層に隣接した２層の障壁層の平均膜厚は、他の障壁層の平均膜厚よりも薄くする。 （もっと読む）

【課題】 Ｉｎ組成変調効果に頼らず活性層に発生する内部電界を緩和して発光効率の低下を抑制した窒化物半導体紫外線発光素子を提供する。
【解決手段】 基板面或いは前記基板面上に形成された１層以上のＡｌＧａＮ系半導体層からなるテンプレート５上に、少なくとも、ｎ型ＡｌＧａＮ系半導体からなるｎ型クラッド層６、１層以上の量子井戸構造のＡｌＧａＮ系半導体の活性層７、及び、ｐ型ＡｌＧａＮ系半導体からなるｐ型クラッド層９が、順番に配置されており、活性層７の少なくとも１層の井戸層７ｂ内部に、ｐ型クラッド層９側からｎ型クラッド層６に向けてバンドギャップエネルギが減少するようにＡｌ組成比に対する組成変調が設けられている。 （もっと読む）

【課題】フレーム本体に支承される部材が季節の寒暖の変化により伸縮する場合においても、支承部材の伸縮に起因するフレーム本体の歪みを調節できる、フレーム本体の歪み調節機構を提供する。
【解決手段】フレーム本体の歪み調節機構１は、フレーム本体５０の隅部５１，５２，５３，５４に配設されフレーム本体の変形を吸収する機構として形成される。フレーム本体の可動を導くＬ形チャンネル２１と、Ｌ形チャンネルの両端に配設され、Ｌ形チャンネルの端部に一端が係止され、係支片４１，４２の端部に他端が係止される圧縮コイルばね３１，３２と、圧縮コイルばね３１，３２の他端を係止しフレーム本体５０に固定される係支片４１，４２を備えている。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に高品質なＩＩＩ族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】直接窒化されたサファイア基板２上のＡｌＮ層にラジカル源５から窒素ラジカル又は窒素イオンを含む気体を所定時間照射する。その後、成長させるＩＩＩ族窒化物の構成元素からなるターゲット３ａに窒素雰囲気中でパルスレーザ光を照射するＰＬＤ(パルスレーザ堆積)法によってＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド薄膜内に存在する結晶欠陥、不純物等を減少させ、高品質なダイヤモンド薄膜を作製可能なダイヤモンド薄膜作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンドが安定な高圧力下でアニールを行う。これにより、結晶中に含まれる格子欠陥等が回復、除去され、ダイヤモンド結晶薄膜を高品質化する事ができる。「（ダイヤモンドが）安定な、安定に」とは、ダイヤモンドがグラファイト化せずにダイヤモンドの状態を保つ状態を指す。ダイヤモンドが安定にアニール出来る領域内でアニールを行う温度（アニール温度、とも呼ぶ）Ｔおよびアニールを行う圧力（アニール圧力、とも呼ぶ）Ｐが決定される。この領域は、図２１に示される、Ｐ＞０．７１＋０．００２７ＴまたはＰ＝０．７１＋０．００２７Ｔを満たし、なおかつＰ≧１．５ＧＰａの領域である。このような領域は、図２１中の斜線部分である。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が小さく且つ大面積のＡｌＮ層を得る。
【解決手段】半導体基板Ｓの製造方法は、基板表面１２が、主面部分１２ａと、主面部分１２ａとは面方位が異なる非主面部分１２ｂと、を有するサファイア基板１１を用いる。所定の結晶成長温度条件下において、サファイア基板１１の基板表面１２における主面部分１２ａからＡｌＮを結晶成長させることなく、非主面部分１２ｂを起点としてＡｌＮを結晶成長させることにより、主面部分１２ａの法線方向に成長したＡｌＮ層１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】凹凸を有する基板上に均一な結晶を成長させる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】凹凸が設けられた主面を有する基板の前記主面に窒化物半導体の結晶を成長させる結晶成長方法であって、前記主面に、Ｇａ_ｘＡｌ_１−ｘＮ（０．１≦ｘ＜０．５）を含み、厚さが２０ナノメートル以上５０ナノメートル以下のバッファ層を、０．１マイクロメートル／時以下の速度で堆積し、前記バッファ層の上に、前記バッファ層の堆積における前記基板の温度よりも高い温度で、窒化物半導体を含む結晶を成長させる。このように、バッファ層の堆積レートＲｔとバッファ層の平均の厚さＴを適切に管理することにより、バッファ層の上に形成された窒化物半導体結晶の表面モフォロジーの良好な平坦性が実現できるとともに、結晶欠陥であるピット発生数Ｎｐをきわめて小さくすることができる。 （もっと読む）