【課題】転位発生の防止と基板の反り低減を、中間層を構成する窒化物半導体層の積層数を少なくして実現できる窒化ガリウム系化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶からなる基板１と、前記基板上に形成された窒化物半導体からなる中間層２と、前記中間層上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体３からなる活性層で構成される窒化ガリウム系化合物半導体基板であって、前記中間層は、前記基板上に第一層２１と第二層２２がこの順で積層された初期バッファ層２００と、前記初期バッファ層上に第三層２３と第四層２４をこの順で複数回繰り返し積層し最後に第五層２５を積層してなる複合層２０２を複数積層した周期堆積層２０３からなる。 （もっと読む）

【課題】凹凸加工されたサファイア基板を用いたIII 族窒化物半導体発光素子において、光取り出し効率をさらに向上させつつ、ピットの発生を抑制すること。
【解決手段】まず、ｃ面を主面とするサファイア基板１０表面に凹凸加工を施す。凹凸の深さは１．２〜２．５μｍ、凹凸側面の傾斜角度は４０〜８０°とする。次に、水素雰囲気中１０００〜１２００℃の温度で熱処理を行う。次に、サファイア基板１０上に、ＡｌＮからなるバッファ層１１を形成し、バッファ層１１上に、埋め込み層１２、ｎ型層１３、発光層１４、ｐ型層１５を順に積層する。ここで、バッファ層１１としてＡｌＮを用いているため、凹凸の深さ１．２〜２．５μｍ、凹凸側面の傾斜角度が４０〜８０°の場合であっても、結晶にピットが発生せず、結晶方位のばらつきが小さい。 （もっと読む）

【課題】凹凸加工されたサファイア基板を用いたIII 族窒化物半導体発光素子において、光取り出し効率をさらに向上させつつ、ピットの発生を抑制すること。
【解決手段】凹凸の深さが１〜２μｍのｃ面サファイア基板１０上に、バッファ層１１を介してＳｉドープのＧａＮからなる埋め込み層１２を形成する。この埋め込み層１２によって凹凸を埋め込み、平坦な表面にする。埋め込み層１２の成長温度は、その後に埋め込み層１２上に形成するｎ型層１３の成長温度（１０００〜１２００℃）よりも２０〜８０℃低い温度とする。これにより、縦方向成長が促進されるため、大きなピットの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ＧａＰ基板を接合した場合のように反りが少ないために加工が容易であり、また同時にＨＶＰＥ法で成長したＧａＰ層を有するチップのようにエポキシの応力による劣化が抑制された発光素子製造用の化合物半導体基板を利用した発光素子を提供する。
【解決手段】少なくとも、発光層１０６と、該発光層の片方の主表面側に形成された第１電流拡散層１０９と、前記発光層のもう一方の主表面側に形成された第２電流拡散層２０２とを有する化合物半導体基板１１０を用いて製造された発光素子１０であって、前記発光層と前記第２電流拡散層との間に、空隙２０１を有する。 （もっと読む）

【課題】より良質な窒化物半導体結晶層を製造する方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体結晶層の製造方法は、基体の上に設けられたシリコン結晶層の上に、第１の厚さを有する窒化物半導体結晶層を形成する工程を備える。前記シリコン結晶層は、前記窒化物半導体結晶層の形成の前には、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さを有している。前記窒化物半導体結晶層の形成は、前記シリコン結晶層の少なくとも一部を前記窒化物半導体結晶層に取り込ませ、前記シリコン結晶層の厚さを前記第２の厚さから減少せることを含む。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｂ含有層を備えながら、結晶性に優れたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャルウエハ、半導体素子、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のエピタキシャルウエハの製造方法は、気相成長法によって、基板１の上に、ＧａＡｓＳｂ層３ａとＩｎＧａＡｓ層３ｂとを交互に繰り返し成長する工程を備え、ＧａＡｓＳｂ層の成長の際、該ＧａＡｓＳｂ層のＶ族中のＳｂモル分率ｘ_１と、供給している原料ガス（気相）のＶ族中のＳｂモル分率ｘ_２とが、０．７５≦（ｘ_１／ｘ_２）≦１．２０、を満たすように、基板温度を設定し、かつ原料ガスを供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
信頼性の高い光半導体素子を提供する。
【解決手段】
金属支持体と、前記金属支持体上に配置される非晶質の緩衝層と、前記緩衝層上に配置され、該緩衝層と同じ元素で構成された結晶質の密着層と、前記密着層上方に配置され、ｐｎ接合を有する光半導体積層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板へスパッタ法によりバッファ層を形成し、その後ＭＯＣＶＤ法によりIII族窒化物系化合物半導体層を形成するIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法において、III族窒化物系化合物半導体層に異常成長部が発生することを抑制する。
【解決手段】バッファ層の形成されたサファイア基板をスパッタ装置から取り出してバッファ層表面の電荷を中和し、その後そのサファイア基板をＭＯＣＶＤ装置にセットしてIII族窒化物系化合物半導体層を形成する。バッファ層表面の電荷を中和するのにはイオナイザーを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 指向性を広げることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、上面側に、それぞれの突起上面が同じ平面上に位置する突起を複数有した単結晶基板と、該単結晶基板の前記突起上に形成された光半導体層とを有しており、前記突起は、前記突起上面から下方に向かうにつれて前記突起上面と平行な断面積が前記突起上面の面積よりも小さくなる漸小部を有し、前記光半導体層は、前記突起上面に成長した半導体層を含み、該半導体層は、下端が前記突起上面に位置するとともに上端が前記半導体層の上面に位置し、前記下端から前記上端にかけて延在した転位を有しているとともに、上面側からみたとき、前記転位の前記上端が前記突起と重ならないように位置している。そのため、突起の側面からも光を出射されやすくすることができ、発光素子の指向性を広げることができる。 （もっと読む）

【課題】ＮのドープされたＺｎＯ系半導体層の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体層の製造方法は、（ａ）基板上方に、（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を成長させる工程と、（ｂ）（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を、酸素を含まないガス雰囲気中で昇温する工程と、（ｃ）酸素を含まないガス雰囲気中での昇温の後に、酸素を含むガスを供給し、（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜の全体を酸化して、ＮドープＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物系超格子と超格子上のＩＩＩ族窒化物系活性領域とを有する発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】活性領域は、少なくとも１つの量子井戸構造を有する。量子井戸構造は、第１のＩＩＩ族窒化物系バリア層と、第１のバリア層上のＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、第２のＩＩＩ族窒化物系バリア層とを含む。ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスと、少なくとも１つの量子井戸構造を含む活性領域を有するＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスの製造方法とが、提供されている。量子井戸構造は、ＩＩＩ族窒化物を含む井戸支持層と、井戸支持層上のＩＩＩ族窒化物を含む量子井戸層と、量子井戸層上のＩＩＩ族窒化物を含むキャップ層とを含む。またＩｎ_XＧａ_1-XＮとＩｎ_YＧａ_1-YＮとの交互層（ここで０≦Ｘ＜１および０≦Ｙ＜１、ならびにＸはＹに等しくない）の少なくとも２つの周期を有する窒化ガリウム系超格子を含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体形成に好適な、シリコンウェーハをベースとした安価な形成用基板を提供することである。また、厚膜の窒化物半導体エピタキシャル層を成長させた場合でも、各材料間の格子定数差および熱膨張係数差から生じる、反り・クラックの発生を低減し、機械的強度や、熱的強度に優れた窒化物半導体形成用基板を提供すること。
【解決手段】ボロンとゲルマニウムとが特定濃度でドープされており、好ましくはボロンとゲルマニウムの濃度比において、ゲルマニウムの濃度をボロンの濃度の５〜８倍と制御したシリコンウェーハ。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物系超格子と超格子上のＩＩＩ族窒化物系活性領域とを有する発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】活性領域は、少なくとも１つの量子井戸構造を有する。量子井戸構造は、第１のＩＩＩ族窒化物系バリア層と、第１のバリア層上のＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、第２のＩＩＩ族窒化物系バリア層とを含む。ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスと、少なくとも１つの量子井戸構造を含む活性領域を有するＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスの製造方法とが、提供されている。量子井戸構造は、ＩＩＩ族窒化物を含む井戸支持層と、井戸支持層上のＩＩＩ族窒化物を含む量子井戸層と、量子井戸層上のＩＩＩ族窒化物を含むキャップ層とを含む。またＩｎ_XＧａ_1-XＮとＩｎ_YＧａ_1-YＮとの交互層（ここで０≦Ｘ＜１および０≦Ｙ＜１、ならびにＸはＹに等しくない）の少なくとも２つの周期を有する窒化ガリウム系超格子を含む。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形の第１半導体層と、ｐ形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光部と、第１半導体層と発光部との間に設けられた多層構造体と、を備えた半導体発光素子が提供される。発光部は、交互に積層された、複数の障壁層と、複数の井戸層と、を含む。多層構造体は、交互に積層された、高バンドギャップエネルギー層と、複数の低バンドギャップエネルギー層と、を含む。高バンドギャップエネルギー層と、それに接する低バンドギャップエネルギー層と、のペアの平均Ｉｎ組成比は、第１半導体層の側よりも第２半導体層の側の方が高い。障壁層と、それに接する井戸層と、のペアの平均Ｉｎ組成比は、第１半導体層の側よりも第２半導体層の側の方が高い。 （もっと読む）

【課題】基板に搭載された発光素子がガラス封止されてなる発光装置のホットプレス加工時における発光素子の熱損傷を抑制することが可能な発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置の製造方法は、低融点ガラス４の屈伏温度よりも高い温度に加熱された上金型６１により、上金型６１に面して配置された低融点ガラス４を加熱する第１の工程と、低融点ガラス４が屈伏温度以上に加熱された状態で、低融点ガラス４と下金型５１に支持されたＡｌ_２Ｏ_３基板３とを対向させて加圧し、Ａｌ_２Ｏ_３基板３に搭載されたＬＥＤ素子２を低融点ガラス４によって封止する第２の工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基材の基板の表面に繰り返し凹凸パターンを形成するためのエッチングマスクをレジスト膜の露光現像により形成する際、レジスト膜に対する繰り返し露光による隣接する露光領域の隣接する部分での過剰露光による現像パターンの歪みを防止する。
【解決手段】半導体基材を製造する方法において、半導体基材の表面に凹凸部を形成するためのエッチングマスクをレジスト膜のフォトリソグラフィ処理により形成する際、転写用マスク１００として、あらかじめ露光ショットの重なる領域付近にある凹凸パターンであるドット状遮光部１０４の寸法を補正した転写用マスクを使用する。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上し、駆動電圧を低減した半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、窒化物半導体を含む井戸層４２及び窒化物半導体を含む障壁層４１を有する発光部４０と、発光部４０とｎ形半導体層との間に設けられ、Ｉｎの組成比が異なる第１層３１及び第２層３２を含む積層体３０と、を備え、障壁層４１の層厚が１０ｎｍ以下であり、積層体３０の平均Ｉｎ組成比をｐ、発光部４０の平均Ｉｎ組成比をｑとした場合、０．４＜ｐ／ｑ≦０．７であり、障壁層の厚さは、１０ナノメートル以下であり、積層体において第１層と第２層とが交互に３０ペア以上設けられる。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、量子井戸の格子歪みを低減し、発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電型の半導体層３と、発光層７と、第２導電型の半導体層９を備える。第１導電型の半導体層３は、第１の窒化物半導体を含む第１の半導体層５ａと、第１の窒化物半導体５ａよりも格子定数が大きい第２の窒化物半導体を含む第２の半導体層５ｂと、を交互に積層した超格子構造５を有している。発光層７は、第２の窒化物半導体よりも格子定数が小さい第３の窒化物半導体を含む量子井戸層７ｂと、第３の窒化物半導体よりも格子定数が小さい第４の窒化物半導体層を含む障壁層７ａと、を交互に積層した多重量子井戸構造を有し、量子井戸層７ｂのうちの少なくとも１つの層が、第３の窒化物半導体の格子定数と同じ格子間隔である。 （もっと読む）

【課題】ＳＤＨ構造を有するＧａＮ系の半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０として、主面が（１−１０２）面（Ｒ面）となっているサファイア基板、主面が（１１−２０）面（Ａ面）となっているＧａＮ基板、または主面が（１１１）面となっているＳｉ基板が用いられる。そして、そのような基板１０上に、マスク層１７を利用してメサ状突起１１が形成され、さらに結晶成長速度の違いを利用して、メサ状突起１１の両脇に電流ブロック層１５が形成される。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率と発光効率を向上でき、かつ製造工程時の不良率を低減可能な半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子を提供する。
【解決手段】凹凸が形成された第１基板の一主面上に、ｎ型窒化物半導体層、窒化物半導体の多重量子井戸構造を有する活性層、およびｐ型窒化物半導体層を、順に積層する。ｐ型窒化物半導体層の上面に、複数の発光素子のそれぞれに対応する複数の第１電極を形成し、複数の第１電極およびｐ型窒化物半導体層の表面を覆うように第１メタル層を形成し、第２基板の上面に形成された第２メタル層を介して、第１基板と第２基板を接合する。第１基板の、第１メタル層と反対側の面から、発光素子の境界位置に沿って第１基板の分断または溝形成を行う。分断または溝形成された第１基板の、第１メタル層と反対側の面から、レーザを照射して、第１基板を剥離し、露出した積層膜の表面の少なくとも一部に第２電極を形成する。 （もっと読む）